JPS59172765A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS59172765A JPS59172765A JP58048157A JP4815783A JPS59172765A JP S59172765 A JPS59172765 A JP S59172765A JP 58048157 A JP58048157 A JP 58048157A JP 4815783 A JP4815783 A JP 4815783A JP S59172765 A JPS59172765 A JP S59172765A
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- film
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Links
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- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は固体撮像装置、すなわち半導体装置による撮
像装置に関するものである。
像装置に関するものである。
従来例によるこの種の固体撮像装置の概要構成を第１図
に示しである。すなわち、この第１図において、符号（
１）、および（２）は半導体基板のｐ層表面部に拡散形
成されたｎ領域からなるソース、およびドレイン、（３
）はそのゲートであって、これらによりフォトダイオー
ドを構成している。また（４）および（５）は前記半導
体基板のｐ コンタクト領域、およびｎ＋コンタクトと
しての金蒸着膜、（６）は前記ドレイン、ｐ＋コンタク
トの各領域上に設けられるアルミニウムなどの一層配線
、（７）はその間のｐ濃度の高い５ｔｏｐ などのスム
ースコート膜、（８）はこれらの上に素子全体に亘って
形成されたＳｉｇｈなどの絶縁膜、（９）は受光部を除
いて設けられるアルミニウムなどの遮光膜、（１０）は
その上ｒ形成されて平坦化膜、耐湿膜を兼ねる保護膜で
あり、この保護膜（１０）上には周知のようにカラーフ
ィルタが配設される。
に示しである。すなわち、この第１図において、符号（
１）、および（２）は半導体基板のｐ層表面部に拡散形
成されたｎ領域からなるソース、およびドレイン、（３
）はそのゲートであって、これらによりフォトダイオー
ドを構成している。また（４）および（５）は前記半導
体基板のｐ コンタクト領域、およびｎ＋コンタクトと
しての金蒸着膜、（６）は前記ドレイン、ｐ＋コンタク
トの各領域上に設けられるアルミニウムなどの一層配線
、（７）はその間のｐ濃度の高い５ｔｏｐ などのスム
ースコート膜、（８）はこれらの上に素子全体に亘って
形成されたＳｉｇｈなどの絶縁膜、（９）は受光部を除
いて設けられるアルミニウムなどの遮光膜、（１０）は
その上ｒ形成されて平坦化膜、耐湿膜を兼ねる保護膜で
あり、この保護膜（１０）上には周知のようにカラーフ
ィルタが配設される。
しかしてこの従来例での固体撮像装置の場合、カラーフ
・イルタを通過した特定波長の光ｈνは、保護膜（１０
）を通り遮光膜（９）間の受光部から、絶縁膜（８）
、およびスムースコート膜（７）を順次に経て、フォト
ダイオードを構成しているソース（１）に達し、光電効
果により特定波長の光ｈνとしての電気信号に変換さ扛
るのであるが、一方、この従来例構成にあっては、素子
全体を絶縁膜（８）によって被覆し、かつその上にアル
ミニウムの遮光膜（９）を形成しているために、受光部
から受入れられる光ｈνが、絶縁膜（８）での光の回折
現象と、遮光膜（９）による乱反射とによって誤信号動
作、すなわち他のカラーフィルタを通過した光のソース
（１）への侵入などによる分光感度特性の低下、ならび
にこれらの光のドレイン（２）への侵入などによるスミ
ア現象を生ずる惧れがあり、またスムースコート膜（７
）はｐ濃度が高いために、湿気を帯び易くてその防止対
策を講する必要があるなどの欠点を有するものであった
。
・イルタを通過した特定波長の光ｈνは、保護膜（１０
）を通り遮光膜（９）間の受光部から、絶縁膜（８）
、およびスムースコート膜（７）を順次に経て、フォト
ダイオードを構成しているソース（１）に達し、光電効
果により特定波長の光ｈνとしての電気信号に変換さ扛
るのであるが、一方、この従来例構成にあっては、素子
全体を絶縁膜（８）によって被覆し、かつその上にアル
ミニウムの遮光膜（９）を形成しているために、受光部
から受入れられる光ｈνが、絶縁膜（８）での光の回折
現象と、遮光膜（９）による乱反射とによって誤信号動
作、すなわち他のカラーフィルタを通過した光のソース
（１）への侵入などによる分光感度特性の低下、ならび
にこれらの光のドレイン（２）への侵入などによるスミ
ア現象を生ずる惧れがあり、またスムースコート膜（７
）はｐ濃度が高いために、湿気を帯び易くてその防止対
策を講する必要があるなどの欠点を有するものであった
。
この発明は従来例でのこのような欠点に鑑み、ゲート表
面全体に絶縁膜としての酸化膜を形成し、かつその上に
遮光膜の役割を兼ねた一層配線を設けることにより、分
光感度特性の改善、スミア現象の防止、および耐湿性の
向上をなし得るようにしたものである。
面全体に絶縁膜としての酸化膜を形成し、かつその上に
遮光膜の役割を兼ねた一層配線を設けることにより、分
光感度特性の改善、スミア現象の防止、および耐湿性の
向上をなし得るようにしたものである。
以下、この発明に係る固体撮像装置の一実施例につき、
第２図を参照して詳細に説明する〇この第２図実施例に
おいて前記第１図従来例と同一符号は同一または相当部
分を示しており、この実施例では前記ゲート（３）、つ
まりゲート絶Ｋ）換（３ａ）と多結晶シリコンゲート膜
（３ｂ）を、酸素雰囲気中にさらすことによって、その
多結晶シリコンゲート膜（３ｂ）の露出された表面全体
に絶縁膜としての酸化膜（１ｕ）を形成し、かつその上
に遮光膜の役割を泄ねた一層配線（１１）を施して、従
来例でのスムースコート膜（７）、絶縁膜（ａ）、訃よ
び遮光膜（９）を排除したものである。
第２図を参照して詳細に説明する〇この第２図実施例に
おいて前記第１図従来例と同一符号は同一または相当部
分を示しており、この実施例では前記ゲート（３）、つ
まりゲート絶Ｋ）換（３ａ）と多結晶シリコンゲート膜
（３ｂ）を、酸素雰囲気中にさらすことによって、その
多結晶シリコンゲート膜（３ｂ）の露出された表面全体
に絶縁膜としての酸化膜（１ｕ）を形成し、かつその上
に遮光膜の役割を泄ねた一層配線（１１）を施して、従
来例でのスムースコート膜（７）、絶縁膜（ａ）、訃よ
び遮光膜（９）を排除したものである。
従ってこの実施例構成の場合は、カラーフィルタを通過
した特定波長の光ｂνが、従来例構成でのように絶縁膜
内をさまよい、かつアルミニウムの遮光膜により乱反射
されｆｃシするのが解消され別のフォトダイオードのソ
ースに侵入してその分光感度特性を低下させることがな
くなり、またドレインに侵入してスミャ現象を生じたシ
せず、さらにスムースコート膜の排除により耐湿対策の
心配をする必要がなくなるのである。
した特定波長の光ｂνが、従来例構成でのように絶縁膜
内をさまよい、かつアルミニウムの遮光膜により乱反射
されｆｃシするのが解消され別のフォトダイオードのソ
ースに侵入してその分光感度特性を低下させることがな
くなり、またドレインに侵入してスミャ現象を生じたシ
せず、さらにスムースコート膜の排除により耐湿対策の
心配をする必要がなくなるのである。
なお前記実施例はいわゆるＭＯＳ型の固体撮像装置につ
いて述べたが、この発明はその他すべての同種固体撮像
装置にも適用できるものである。
いて述べたが、この発明はその他すべての同種固体撮像
装置にも適用できるものである。
以上詳述したようにこの発明装置に↓れば、多結晶シリ
コンなどによるゲートを酸素雰囲気中にさらして、その
表面全体に絶縁膜としての酸化膜を形成させると共に、
その上に遮光膜の役割を兼ねた一層配線を直接に設ける
ようにしたので、受光部から受入れられた光の迷い込み
による分光感度特性低下の改善、およびスミャ現象の防
止を効果的に実行することができ、またスムースコート
膜の排除によフ耐湿性を向上し得る碌どの特長がある。
コンなどによるゲートを酸素雰囲気中にさらして、その
表面全体に絶縁膜としての酸化膜を形成させると共に、
その上に遮光膜の役割を兼ねた一層配線を直接に設ける
ようにしたので、受光部から受入れられた光の迷い込み
による分光感度特性低下の改善、およびスミャ現象の防
止を効果的に実行することができ、またスムースコート
膜の排除によフ耐湿性を向上し得る碌どの特長がある。
第１図は従来例による固体撮像装置の概要構成を示す断
面図、第２図はこの発明の一実施例による固体撮像装置
の概要構成を示す断面図である。 （１）・・・・ソース、（２）・・・・ドレイン、（３
）・・・・ゲー）、（３ｍ）・・・・ゲート絶縁膜、（
３ｂ）・・・・多結晶シリコンゲー）膜、（１０）・・
・・酸化膜、（１１）・・・・遮光膜を兼ねた一層配線
。 代理人葛野信−
面図、第２図はこの発明の一実施例による固体撮像装置
の概要構成を示す断面図である。 （１）・・・・ソース、（２）・・・・ドレイン、（３
）・・・・ゲー）、（３ｍ）・・・・ゲート絶縁膜、（
３ｂ）・・・・多結晶シリコンゲー）膜、（１０）・・
・・酸化膜、（１１）・・・・遮光膜を兼ねた一層配線
。 代理人葛野信−
Claims (1)
- 多結晶シリコンなどによるゲートを酸素雰囲気中にさら
して、その表面全体に絶縁膜としての酸化膜を形成させ
ると共に、その上に遮光膜を兼ねる一層配線を直接設け
、スムースコート膜を排除したことを特徴とする固体撮
像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048157A JPS59172765A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048157A JPS59172765A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172765A true JPS59172765A (ja) | 1984-09-29 |
Family
ID=12795535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58048157A Pending JPS59172765A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59172765A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179713A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-03-22 JP JP58048157A patent/JPS59172765A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179713A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP4643249B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2011-03-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
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