JPS5916785A - 記録媒体及びその製造法 - Google Patents
記録媒体及びその製造法Info
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- JPS5916785A JPS5916785A JP57127344A JP12734482A JPS5916785A JP S5916785 A JPS5916785 A JP S5916785A JP 57127344 A JP57127344 A JP 57127344A JP 12734482 A JP12734482 A JP 12734482A JP S5916785 A JPS5916785 A JP S5916785A
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- Japan
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- group
- recording medium
- derivative
- metal
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
- G03C1/73—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705 containing organic compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学記録媒体、更に詳細には本発明は近赤外域
に吸収を持つ半導体レーザー用記録媒体に関するもので
ある。
に吸収を持つ半導体レーザー用記録媒体に関するもので
ある。
近年半導体レーザーの発展は目ざましく、小型で安定し
たレーザー発振器が安価に入手出来るようになって来て
おり、各種配録装置の光源として用いられ始めている。
たレーザー発振器が安価に入手出来るようになって来て
おり、各種配録装置の光源として用いられ始めている。
しかし、このような装置に実用化する場合、半導体レー
ザーの波長は比較的長波長のものに限定されている。短
波長光の発振が可能な半導体レーザーは室温発振での寿
命、出力等を考慮すれば問題がある為である。
ザーの波長は比較的長波長のものに限定されている。短
波長光の発振が可能な半導体レーザーは室温発振での寿
命、出力等を考慮すれば問題がある為である。
従って、半導体レーザーを光源とする記録装置では、近
赤外域に吸収を持つ記録媒体が必要であり比較的短波長
側に吸収を持つ記録媒体、例えば６００ ｎｍ以下に吸
収を持つもの、では不適当である。
赤外域に吸収を持つ記録媒体が必要であり比較的短波長
側に吸収を持つ記録媒体、例えば６００ ｎｍ以下に吸
収を持つもの、では不適当である。
従来、この種の記録媒体としてはＴｅ 、 Ｉｔｈ 、
Ｂｉ等の金属又は半金属か知られていた。これらの薄
膜にレーサー光を照射し、照射部分に凹部を形成し記録
するものである。このうちＴｅは感度の点で比較的硬れ
ているが毒性に欠点があると言われている。Ｒｈ、Ｂｉ
等は感度が低く、記録するには高いパワーのレーザー光
を必要とする為半導体レーザーが短寿命化する欠点があ
る。
Ｂｉ等の金属又は半金属か知られていた。これらの薄
膜にレーサー光を照射し、照射部分に凹部を形成し記録
するものである。このうちＴｅは感度の点で比較的硬れ
ているが毒性に欠点があると言われている。Ｒｈ、Ｂｉ
等は感度が低く、記録するには高いパワーのレーザー光
を必要とする為半導体レーザーが短寿命化する欠点があ
る。
感度が高く低いパワーのレーザー光で記録可能であり且
つ毒性が問題とならない記録媒体としては、フルオレセ
イン、ブリリアントグリーン又は、特開昭５５−１６１
６９０に示されるディスハース・レッド１１等の色素薄
膜が知られている。しかし、これらは書き込み可能な波
長域が可視光域に限定されている点等の欠点がある。
つ毒性が問題とならない記録媒体としては、フルオレセ
イン、ブリリアントグリーン又は、特開昭５５−１６１
６９０に示されるディスハース・レッド１１等の色素薄
膜が知られている。しかし、これらは書き込み可能な波
長域が可視光域に限定されている点等の欠点がある。
半導体レーザー技術が進歩するにつれ、上記の欠点を克
服する近赤外域の光に対し高感度でありａ性が無く且つ
耐久性のある記録媒体の出現が待ち望まれていた。
服する近赤外域の光に対し高感度でありａ性が無く且つ
耐久性のある記録媒体の出現が待ち望まれていた。
本発明はかかる現状に鑑みてなされたもので、その目的
は近赤外域の光に対し高感度であり、毒性がなく、且つ
耐久性のある新規な記録媒体とその製法とを提供するこ
とにある。
は近赤外域の光に対し高感度であり、毒性がなく、且つ
耐久性のある新規な記録媒体とその製法とを提供するこ
とにある。
そこで本発明者らは鋭意努力した結果、このような記録
媒体の開発に成功し、本発明に至ったのである。
媒体の開発に成功し、本発明に至ったのである。
即ち、本発明は基板上に記録層を設け、情報をレーザー
光線により記録し、かつ読取る記録媒体において、該記
録層を第■族金属を含有するフタロシアニン化合物並び
にキノリン誘導体、インドール誘導体、ベンゾトリアゾ
ール誘導体、ビピリジン誘導体およびフェナントロリン
誘導体より成る群から選ばれた１種又は２種以上のシフ
ト化剤とから成る有機薄膜で構成したことを特徴とする
光学記録媒体に関するものであり、更にその製法、即ち
光学記録媒体の記録層を調製するに当り、基板上に設け
た第■族金属を含有するフタロシアニン化合物を有する
有機薄膜を溶媒中に溶かしたキノリン誘導体、インドー
ル誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、ビピリジン誘導
体およびフェナントロリン誘導体より成る群から選ばれ
た１種又は２種以上のシフト化剤と接触させることを特
徴とする光学配録媒体の製造方法に関する。
光線により記録し、かつ読取る記録媒体において、該記
録層を第■族金属を含有するフタロシアニン化合物並び
にキノリン誘導体、インドール誘導体、ベンゾトリアゾ
ール誘導体、ビピリジン誘導体およびフェナントロリン
誘導体より成る群から選ばれた１種又は２種以上のシフ
ト化剤とから成る有機薄膜で構成したことを特徴とする
光学記録媒体に関するものであり、更にその製法、即ち
光学記録媒体の記録層を調製するに当り、基板上に設け
た第■族金属を含有するフタロシアニン化合物を有する
有機薄膜を溶媒中に溶かしたキノリン誘導体、インドー
ル誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、ビピリジン誘導
体およびフェナントロリン誘導体より成る群から選ばれ
た１種又は２種以上のシフト化剤と接触させることを特
徴とする光学配録媒体の製造方法に関する。
以下、本発明について詳述する。
本発明の第■族金属とはＴｉ、Ｓｎおよび／またはＰｂ
でありこれを含有するフタロシアニン化合物とはチタ
ニウム・フタロシアニン（ＴｉＰｃ ）モノクロルチタ
ニウム・フタロシアニン（５） （Ｔｉ ＣＩ Ｐｃ ） 、ベンゼン環の一つをクロル
化したモノクロルチタニウム・フタロシアニン・モノク
ロライド（Ｔｉ ＯＩ Ｐｃ ｃｚ ）スズフタロシア
ニン（Ｓｎ Ｐｃ ）、モノクロルスズ・フタロシアニ
ン（８ｎ Ｃ７！ Ｐｃ ） 、ベンゼン環の一つをク
ロル化したモノクロルスズ・フタロシアニン・モノクロ
ライド、（ＳｎＣＩ！ＰＣＣＩり、ナマリ・フタロシア
ニン（Ｐｂ Ｐｃ ） 、モノクロルナマリ・フタロシ
アニン（Ｐｂ ｃＩ！Ｐｃ ） 、ベンゼン環の一つを
クロル化したモノクロルナマリ・フタロシアニン・モノ
クロライド（Ｐｂ ＣＩ Ｐｃ ｃｚ ）等のことであ
る。
でありこれを含有するフタロシアニン化合物とはチタ
ニウム・フタロシアニン（ＴｉＰｃ ）モノクロルチタ
ニウム・フタロシアニン（５） （Ｔｉ ＣＩ Ｐｃ ） 、ベンゼン環の一つをクロル
化したモノクロルチタニウム・フタロシアニン・モノク
ロライド（Ｔｉ ＯＩ Ｐｃ ｃｚ ）スズフタロシア
ニン（Ｓｎ Ｐｃ ）、モノクロルスズ・フタロシアニ
ン（８ｎ Ｃ７！ Ｐｃ ） 、ベンゼン環の一つをク
ロル化したモノクロルスズ・フタロシアニン・モノクロ
ライド、（ＳｎＣＩ！ＰＣＣＩり、ナマリ・フタロシア
ニン（Ｐｂ Ｐｃ ） 、モノクロルナマリ・フタロシ
アニン（Ｐｂ ｃＩ！Ｐｃ ） 、ベンゼン環の一つを
クロル化したモノクロルナマリ・フタロシアニン・モノ
クロライド（Ｐｂ ＣＩ Ｐｃ ｃｚ ）等のことであ
る。
本発明において使用されるシフト化剤とは特定の含窒累
環状化合物であり、更に詳しくは特定のキノリン誘導体
、インドール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、ビピ
リジン誘導体およびフェナントロリン誘導体より選ばれ
、１種または２種以上が組合せて使用される。
環状化合物であり、更に詳しくは特定のキノリン誘導体
、インドール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、ビピ
リジン誘導体およびフェナントロリン誘導体より選ばれ
、１種または２種以上が組合せて使用される。
キノリン誘導体とは一般式（１）式で表わされる化合物
である。
である。
（６）
Ｒ３Ｒ４
ルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、ハロケ
ン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、カ
ルボキシル基又は−０００ｎ Ｈｍ１ で表わされ且つｎが１〜１０、ｍが８〜２０の整数のエ
ステル基であるものとする。）インドール誘導体とは一
般式（２）式で表わされる化合物であろう （ここに、Ｒ１−Ｒ６は水素原子、炭素原子数１〜１０
のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、ハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基
、アルデヒド基、カルボキシル基又は−００ＣｎＩ（ｍ
で表わされ且つｎが１ １〜１０、ｍが８〜２０の整数のエステル基であるもの
とする。） ベンゾトリアゾール誘導体とは一般式（３）式で表わさ
れる化合物である。
ン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、カ
ルボキシル基又は−０００ｎ Ｈｍ１ で表わされ且つｎが１〜１０、ｍが８〜２０の整数のエ
ステル基であるものとする。）インドール誘導体とは一
般式（２）式で表わされる化合物であろう （ここに、Ｒ１−Ｒ６は水素原子、炭素原子数１〜１０
のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、ハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基
、アルデヒド基、カルボキシル基又は−００ＣｎＩ（ｍ
で表わされ且つｎが１ １〜１０、ｍが８〜２０の整数のエステル基であるもの
とする。） ベンゾトリアゾール誘導体とは一般式（３）式で表わさ
れる化合物である。
バー
（ここに、Ｒ１〜′Ｒ４は水素原子、炭素原子数１〜１
０のアルキル基、炭素原子数１〜ＩＯのアルコキシ基、
ハロケン原子、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、アル
デヒド基、カルボキシル基又は−（３００ｎＨｍで表わ
され且つｎが１〜１０、１ ｍが８〜２０の整数のエステル基である。）ビピリジン
誘導体とは一般式（４）式で表わされる化合物である。
０のアルキル基、炭素原子数１〜ＩＯのアルコキシ基、
ハロケン原子、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、アル
デヒド基、カルボキシル基又は−（３００ｎＨｍで表わ
され且つｎが１〜１０、１ ｍが８〜２０の整数のエステル基である。）ビピリジン
誘導体とは一般式（４）式で表わされる化合物である。
（ここに、 Ｒ１＝−Ｒ４は水素原子、炭素原子数１〜
ｌＯのアルキル基、炭素原子数１〜ＩＯのアルコキシ基
、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチ
ル基、アルデヒド基、カルボキシル基又は−００Ｃ！ｎ
ＨＩｎで表わされ且つｎが１１ 〜１０、ｍが８〜２０の整数のエステル基であるものと
する。） フェナントロリン誘導体とは一般式（５）式で表わされ
る化合物である。
ｌＯのアルキル基、炭素原子数１〜ＩＯのアルコキシ基
、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチ
ル基、アルデヒド基、カルボキシル基又は−００Ｃ！ｎ
ＨＩｎで表わされ且つｎが１１ 〜１０、ｍが８〜２０の整数のエステル基であるものと
する。） フェナントロリン誘導体とは一般式（５）式で表わされ
る化合物である。
（９）
（ここに、Ｒ１−Ｒ８は水素原子、炭素原子数１〜ＩＯ
のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、ハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基
、アルデヒド基、カルボキシル基又は−００ＣｎＨｍで
表わされ且つｎが１１ 〜ｌＱ、ｍが３〜２０の整数のエステル基であるものと
する。） また、シフト化剤とはＴｉ Ｐａ薄膜と接触するこキノ
リン、８−ヒドロキシキノリン、２−メチル−８−ヒド
ロキシキノリン、６−クロロキノリン、６−メドキシー
８−ニトロキノリン、７−ブロモ−６−ヒドロキシキノ
リン、インドール、β−インドールアセトン、β−イン
ドールアセトニトリル、β−インドールアルデヒド、２
−メチルインドール、５−クロルインドール、５−メト
キシインドール、ベンゾトリアゾール、５−メチルベン
ゾトリアゾール、ビピリジン、（１０） ４．４−ビピリジン、２，２−ビピリジン、４−メチル
−２，２−ビピリジン、ｐ−フェナントロリン、ｍ−フ
ェナントロリン、０−フェナントロリン、バソキュブロ
イン等がその例として挙げられる。
のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、ハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基
、アルデヒド基、カルボキシル基又は−００ＣｎＨｍで
表わされ且つｎが１１ 〜ｌＱ、ｍが３〜２０の整数のエステル基であるものと
する。） また、シフト化剤とはＴｉ Ｐａ薄膜と接触するこキノ
リン、８−ヒドロキシキノリン、２−メチル−８−ヒド
ロキシキノリン、６−クロロキノリン、６−メドキシー
８−ニトロキノリン、７−ブロモ−６−ヒドロキシキノ
リン、インドール、β−インドールアセトン、β−イン
ドールアセトニトリル、β−インドールアルデヒド、２
−メチルインドール、５−クロルインドール、５−メト
キシインドール、ベンゾトリアゾール、５−メチルベン
ゾトリアゾール、ビピリジン、（１０） ４．４−ビピリジン、２，２−ビピリジン、４−メチル
−２，２−ビピリジン、ｐ−フェナントロリン、ｍ−フ
ェナントロリン、０−フェナントロリン、バソキュブロ
イン等がその例として挙げられる。
本発明の基板はポリメタクリレート、ポリカーボネート
、ポリエステルフィルム、テフロン等のプラスチック類
、ガラス又は金属等より成るが、前二者の場合、予め表
面に金属反射層を設けることができる。この金属反射層
とはＭｌＴｉ、 Ｔｅ、 Ｂｉ、 ＲＪ１又ハＡｇ製の
薄膜ノコトチあるが、毒性のない点、使い安さ等を考慮
すればＡ７製薄膜が好ましい。
、ポリエステルフィルム、テフロン等のプラスチック類
、ガラス又は金属等より成るが、前二者の場合、予め表
面に金属反射層を設けることができる。この金属反射層
とはＭｌＴｉ、 Ｔｅ、 Ｂｉ、 ＲＪ１又ハＡｇ製の
薄膜ノコトチあるが、毒性のない点、使い安さ等を考慮
すればＡ７製薄膜が好ましい。
本発明において基板上に第■族金属を含有するフタロシ
アニン化合物から成る有機薄膜を設ける方法としては真
空蒸着法やスピンコード法が採用される。前者の場合１
０〜１０ トル（ｔｏｒｒ ）の高真空下でフタロシア
ニン化合物１ジメチルホルムアミド等の溶媒に溶したも
のを用いることによりスピンコーターの回転数をａ、ｏ
ｏｏ〜７．００ Ｏｒｐｍにして得られる。両者には一
長一短があり簡便さの点からは後者が優れているが得ら
れた被膜の吸光度の点からは前者の方が優れ、容易によ
り大きい吸光度を持つものが得られる。
アニン化合物から成る有機薄膜を設ける方法としては真
空蒸着法やスピンコード法が採用される。前者の場合１
０〜１０ トル（ｔｏｒｒ ）の高真空下でフタロシア
ニン化合物１ジメチルホルムアミド等の溶媒に溶したも
のを用いることによりスピンコーターの回転数をａ、ｏ
ｏｏ〜７．００ Ｏｒｐｍにして得られる。両者には一
長一短があり簡便さの点からは後者が優れているが得ら
れた被膜の吸光度の点からは前者の方が優れ、容易によ
り大きい吸光度を持つものが得られる。
本発明の光学記録媒体の記録層を調製するに当り、基板
上に設けた第■族金属を含有するフタロシアニン化合物
を有する有機薄膜を前記シフト化剤と接触させる方法と
しては次の方法がある。その一つの方法はシフト化剤を
その可溶性溶媒に均一に溶解させ、その溶液に基板上に
設けた前記有機薄膜を浸漬（ディッピング）する方法で
ある。他の方法にはこの溶液を有機薄膜上に均一にスプ
レーする方法がある。伺、シフト化剤のこの溶液中の濃
度は０．８〜８０．（１’ｔ％好ましくは１．０〜ＩＱ
、９ｗｔ％である。
上に設けた第■族金属を含有するフタロシアニン化合物
を有する有機薄膜を前記シフト化剤と接触させる方法と
しては次の方法がある。その一つの方法はシフト化剤を
その可溶性溶媒に均一に溶解させ、その溶液に基板上に
設けた前記有機薄膜を浸漬（ディッピング）する方法で
ある。他の方法にはこの溶液を有機薄膜上に均一にスプ
レーする方法がある。伺、シフト化剤のこの溶液中の濃
度は０．８〜８０．（１’ｔ％好ましくは１．０〜ＩＱ
、９ｗｔ％である。
以下本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれ
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
実施例１
チタニウム・フタロシアニン（Ｔｉ Ｐｃ ）を２Ｘ１
０ トルの真空下で約４００〜５００℃に加熱しパイ
レックス（登録商標、以下略）基板上に真空蒸着した。
０ トルの真空下で約４００〜５００℃に加熱しパイ
レックス（登録商標、以下略）基板上に真空蒸着した。
水晶振動式膜厚計による真空蒸着膜厚測定結果から膜厚
は１８５０Ａであり、ＵＶ −ＶＩ８スペクトロメータ
ー（高滓ＵＶ２ ｔ ｏＡ）を用いて吸収曲線を求める
と、最大吸収波長は７２０ｎｍである事が判明した。ト
リクロルエチレン溶液に上記のチタニウム・フタロシア
ニン薄膜をディッピングし十分乾燥した後吸収曲線を観
察すると、最大吸収波長は７２０ｎｍと変化していなか
った。
は１８５０Ａであり、ＵＶ −ＶＩ８スペクトロメータ
ー（高滓ＵＶ２ ｔ ｏＡ）を用いて吸収曲線を求める
と、最大吸収波長は７２０ｎｍである事が判明した。ト
リクロルエチレン溶液に上記のチタニウム・フタロシア
ニン薄膜をディッピングし十分乾燥した後吸収曲線を観
察すると、最大吸収波長は７２０ｎｍと変化していなか
った。
次に８−ヒドロキシキノリン１ｗｔ％を均一に溶解させ
たトリクロルエチレン溶液に上記のチタニウム・フタロ
シアニン薄膜を短時間ディッピングし、風乾後２５０℃
、ＩＨ熱風乾燥した。ＵＶ−ＶＩＳ吸収スペクトルを観
察すると最大吸収波長は第１図の如く８２５ｎｍであっ
た。
たトリクロルエチレン溶液に上記のチタニウム・フタロ
シアニン薄膜を短時間ディッピングし、風乾後２５０℃
、ＩＨ熱風乾燥した。ＵＶ−ＶＩＳ吸収スペクトルを観
察すると最大吸収波長は第１図の如く８２５ｎｍであっ
た。
上記記録媒体に中心波長８８０１ｍの半導体ろ、露光部
の薄膜が昇華しビット（穴）が形成されていることをＳ
ＥＭ観察により確認しｔコ。半導体レーザー光に対する
配録感度は７５ ｍＪ／ａｗ２であった。チタニウム・
フタロシアニンのＴＯ曲線（理学電機製 ＣＭ−８０８
５）を観察すると第８図の如く、約４００℃から昇華に
よると思われる減量が生じていた。
の薄膜が昇華しビット（穴）が形成されていることをＳ
ＥＭ観察により確認しｔコ。半導体レーザー光に対する
配録感度は７５ ｍＪ／ａｗ２であった。チタニウム・
フタロシアニンのＴＯ曲線（理学電機製 ＣＭ−８０８
５）を観察すると第８図の如く、約４００℃から昇華に
よると思われる減量が生じていた。
実施例２
実施例１と同様の方法でパイ、レックス基板ＵＶ−ＶＩ
８吸収スペクトルを観察すると一大吸収波長は７２５
ｎｍであった。ヘプタン溶液を上記のナマリ・フタロシ
アニン薄膜に均一に吹き付けた後、ＵＶ−ＶＩ８スペク
トルを観察すると、吹き付は前と吸収波長の位置は変ら
ず、８２０〜８８０ ｎｍに吸収ピークは見られなかっ
た。
８吸収スペクトルを観察すると一大吸収波長は７２５
ｎｍであった。ヘプタン溶液を上記のナマリ・フタロシ
アニン薄膜に均一に吹き付けた後、ＵＶ−ＶＩ８スペク
トルを観察すると、吹き付は前と吸収波長の位置は変ら
ず、８２０〜８８０ ｎｍに吸収ピークは見られなかっ
た。
次に２．２′−ビピリジン１ｗｔ％を均一に溶解させｔ
こへブタン溶液を上記のナマリ・フタロシアニン薄膜に
均一に吹き付け、風乾後１００℃、０．５Ｂ熱風乾燥し
た。ＵＶ−ＶＩ８スペクトルを観察するとｓ ｇ ｏ
ｎｍに吸収ピークが見られた。上記記録媒体に中心波長
８８０ ｎｍの半導体レーザーを照射した所照射部の薄
膜が昇華しビットが形成されていることが光学顕微鏡の
観察により確認された。
こへブタン溶液を上記のナマリ・フタロシアニン薄膜に
均一に吹き付け、風乾後１００℃、０．５Ｂ熱風乾燥し
た。ＵＶ−ＶＩ８スペクトルを観察するとｓ ｇ ｏ
ｎｍに吸収ピークが見られた。上記記録媒体に中心波長
８８０ ｎｍの半導体レーザーを照射した所照射部の薄
膜が昇華しビットが形成されていることが光学顕微鏡の
観察により確認された。
この半導体レーザー光に対する記録感度は９０ｍ Ｊ／
ＣＩｌ＋ ２であった。ナマリ・フタロシアニンのＴ
Ｇ曲線（理学電機製 ０Ｎ−８０８５）を測定すると、
第３図の如く、約８５０℃付近から昇華によるものと思
われる減量が生じていた。
ＣＩｌ＋ ２であった。ナマリ・フタロシアニンのＴ
Ｇ曲線（理学電機製 ０Ｎ−８０８５）を測定すると、
第３図の如く、約８５０℃付近から昇華によるものと思
われる減量が生じていた。
実施例３
実施例１と同様の方法でポリメタアクリレート基板上に
チタニウム・フタロシアニンＵＶ−ＶＩＳ吸収スペクト
ルを観察すると７２０ ｎｍに最大吸収波長が見られた
。 トリクロルエチレン溶液を均一に吹き付けた後、Ｕ
Ｖ−ＶＩ８スペクトルを観察すると、吸収ピークの位置
は変らずしかも８２０〜８Ｂ０ｎｌＴｌに吸収ピークは
見られなかった。次にインドール１，５ｗｔ％を均一に
溶解させたトリクロルエチレン溶液を上記のチタニウム
゛・フタロシアニン薄膜に均一に吹き付け、風乾後１０
０℃、０．５■熱風乾燥しＵＶ−ＶＩ８スペクトルを観
察すると最大吸収波長は第２図の如＜ ８２５ ｎｍで
あった。上記記録媒体に中心波長ｓａｏｎｍの半導体レ
ーザーを照射した所、照射部の薄膜が昇華しビットが形
成されていることを光学顕微鏡で観察した。この半導体
レーザー光に対する記録感度は６゜ｍＪ／傭２であった
。
チタニウム・フタロシアニンＵＶ−ＶＩＳ吸収スペクト
ルを観察すると７２０ ｎｍに最大吸収波長が見られた
。 トリクロルエチレン溶液を均一に吹き付けた後、Ｕ
Ｖ−ＶＩ８スペクトルを観察すると、吸収ピークの位置
は変らずしかも８２０〜８Ｂ０ｎｌＴｌに吸収ピークは
見られなかった。次にインドール１，５ｗｔ％を均一に
溶解させたトリクロルエチレン溶液を上記のチタニウム
゛・フタロシアニン薄膜に均一に吹き付け、風乾後１０
０℃、０．５■熱風乾燥しＵＶ−ＶＩ８スペクトルを観
察すると最大吸収波長は第２図の如＜ ８２５ ｎｍで
あった。上記記録媒体に中心波長ｓａｏｎｍの半導体レ
ーザーを照射した所、照射部の薄膜が昇華しビットが形
成されていることを光学顕微鏡で観察した。この半導体
レーザー光に対する記録感度は６゜ｍＪ／傭２であった
。
実施例４
実施例１と同様の方法で、パイレックス基溶液中に短時
間ディッピングした後ＵＶ−ＶＩＳ吸収スペクトルを観
察すると、ディッピング前後で吸収ピークの位置は変ら
す、しがも、８２０〜８８０ ｎ ｍに吸収ピークは見
られなかつ１こ。次にベンゾトリアゾール２ｗｔ％を均
一に溶解させたアセＩ・ン溶液を一ヒ記チタニウノ・・
フタロシアニン溶液に均一に吹き付け、風乾後１００℃
、０．５ Ｈ熱風乾燥し、ＵＶ−ＶＩ８スペクトルを観
察すると、最大吸収波長は８８０ ｎｍであった。
間ディッピングした後ＵＶ−ＶＩＳ吸収スペクトルを観
察すると、ディッピング前後で吸収ピークの位置は変ら
す、しがも、８２０〜８８０ ｎ ｍに吸収ピークは見
られなかつ１こ。次にベンゾトリアゾール２ｗｔ％を均
一に溶解させたアセＩ・ン溶液を一ヒ記チタニウノ・・
フタロシアニン溶液に均一に吹き付け、風乾後１００℃
、０．５ Ｈ熱風乾燥し、ＵＶ−ＶＩ８スペクトルを観
察すると、最大吸収波長は８８０ ｎｍであった。
上記記録媒体に中心波長８８ Ｑ ｎｍの半導体レーザ
ーを照射した所、露光部の薄膜が昇華しビットが形成さ
れていることをＳ Ｅ Ｍで観察した。この半導体レー
ザー光に対する配録感度は８５ ｍＪ／ａ＋＋２であっ
た。
ーを照射した所、露光部の薄膜が昇華しビットが形成さ
れていることをＳ Ｅ Ｍで観察した。この半導体レー
ザー光に対する配録感度は８５ ｍＪ／ａ＋＋２であっ
た。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の実施例１、実施例
８に於けるフタロシアニン蒸着膜の（１７） 吸光度（０〜２ Ａｂｓ、 ）と波長との関係を示すも
のである。 第８図はチタニウム・フタロシアニン及びナマリ・フタ
ロシアニンのＴＯ曲線を示したものである。理学電機製
０Ｎ−８０８５を用い、サンプルｔ ｉ ５ ｒｒｌｙ
−、リファレンスＡ７２０ａ 、 昇温スピードｌＯ
℃／馴の条件下で測定したものである。 （１８完）
８に於けるフタロシアニン蒸着膜の（１７） 吸光度（０〜２ Ａｂｓ、 ）と波長との関係を示すも
のである。 第８図はチタニウム・フタロシアニン及びナマリ・フタ
ロシアニンのＴＯ曲線を示したものである。理学電機製
０Ｎ−８０８５を用い、サンプルｔ ｉ ５ ｒｒｌｙ
−、リファレンスＡ７２０ａ 、 昇温スピードｌＯ
℃／馴の条件下で測定したものである。 （１８完）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ）基板上に記録層を設け、情報をレーザー光線により
記録し、かつ読取る配録媒体において、該記録層を第■
族金属を含有するフタロシアニン化合物並びにキノリン
誘導体、インドール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体
、ビピリジン誘導体おまびフェナントロリン誘導体より
成る群から選ばれた１種又は２穐以上のシフト化剤とか
ら成る有機薄膜で構成したことを特徴とする光学記録媒
体。 ２）光学記録媒体の記録層を調製するに当り、基板上に
設けた第■族金属を含有するフタロシアニン化合物を有
する有機薄膜を、溶媒中に溶かしたキノリン誘導体、イ
ンドール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、ビピリジ
ン誘導体およびフェナントロリン誘導体より成る群から
選ばれた１種又は２種以上のシフト化剤と接触させるこ
とを特徴とする光学記録媒体の製造方法。 ８）第■族金属がＴｉ％Ｓｎおよび／またはＰｂである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項の光学記録媒体
。 ４）第■族金属がＴｉ、８ｎオヨヒ／マ１コバＰｂであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項の光学記録媒
体の製造方法。 ５）基板がその表面に金属反射層を有することを特徴と
する特許請求の範囲第１項の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127344A JPS5916785A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 記録媒体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127344A JPS5916785A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 記録媒体及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916785A true JPS5916785A (ja) | 1984-01-27 |
Family
ID=14957596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57127344A Pending JPS5916785A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 記録媒体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916785A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985004372A1 (en) * | 1984-03-30 | 1985-10-10 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US5112046A (en) * | 1991-03-12 | 1992-05-12 | Thorpe James F | Billiard cue device |
| US6020105A (en) * | 1996-10-08 | 2000-02-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Information recording medium |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57127344A patent/JPS5916785A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985004372A1 (en) * | 1984-03-30 | 1985-10-10 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US5112046A (en) * | 1991-03-12 | 1992-05-12 | Thorpe James F | Billiard cue device |
| US6020105A (en) * | 1996-10-08 | 2000-02-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Information recording medium |
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