JPS59161655U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59161655U
JPS59161655U JP5567983U JP5567983U JPS59161655U JP S59161655 U JPS59161655 U JP S59161655U JP 5567983 U JP5567983 U JP 5567983U JP 5567983 U JP5567983 U JP 5567983U JP S59161655 U JPS59161655 U JP S59161655U
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JP
Japan
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JP5567983U
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English (en)
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青木　一道
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日本電気株式会社
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係るダイオードの使用に適した保護回
路を有するＣＭＯＳインバータの回路図である。 Ｑｌ・・・・・・Ｐチャンネルトランジスタ、Ｑ２・・
・・・・Ｎチャンネルトランジスタ、Ｄｌ、　Ｄ２．　
Ｄｌ３゜Ｄ４．Ｄ５・・・・・・低耐圧ダイオード、Ｄ
Ｂ、　Ｄ？。 ＤＢ、　Ｄ９．　ＤＩ　Ｏ・・・・・・高耐圧ダイオー
ド、Ｄｌｌ。 Ｄｉ　２．Ｄｉ　３・・・・・・ＣＭＯ３構造に寄生す
るダイオード。 第２図は本考案の第１の実施例を示す平面図、第３図は
第２図のｘ−ｘ’線に沿った断面図、第４図は第２の実
施例の断面図である。 １・・・・・・シリコン酸化膜、２・・・・・・Ｐ＋型
不純物領域、３・・・・・・電極接続部、４・・・・・
・Ｎ型不純物領域、５・・・・・・電極、６・・・・・
・Ｎ型基板、７・曲・ウェル。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. Ｐ＋型不純物領域と該Ｐ＋型不純物領域の一部と接する
    不純物濃度が２Ｘ１０”ｃｍ　　”以上ＩＸＩＱ１８ｃ
    ｍ　、”以下のＮ十型不純物領域と、前記Ｐ＋型不純物
    領域の他の部分と接するより不純物濃度の低いＮ型不純
    物領域と、前記Ｐ＋型不純物領域の前記能の部分の近傍
    に形成された電極とを有することを特徴とする半導体装
    置。
JP5567983U 1983-04-14 1983-04-14 半導体装置 Pending JPS59161655U (ja)

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ID=30186011

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