JPS59155952A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS59155952A JPS59155952A JP3029783A JP3029783A JPS59155952A JP S59155952 A JPS59155952 A JP S59155952A JP 3029783 A JP3029783 A JP 3029783A JP 3029783 A JP3029783 A JP 3029783A JP S59155952 A JPS59155952 A JP S59155952A
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- JP
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- diodes
- terminals
- series resistance
- terminal
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 5
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- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の構造、特に対静電破壊防出を強化
した構造に関する。
した構造に関する。
従来、静電破壊を防止する構造として例えば相補型Ｍ、
０８集積回路内における入力。および出力に対する保護
ダイオード構造において、同一のＰウェル上に２つの端
子を有し、その夫々に保護ダイオードが隣接して設けら
れる場合、第１図の様にある一定の距離りを維持して配
列されている。その断面（Ａ−Ａ’断面）は、第２図の
様になり、端子（通常ボンディングパソド）１と端子２
にそれぞれ接続されたダイオードは、各電位に対する保
護ダイオードの働きをする。この場合の等価回路は第３
図の様になる。この図よシ、ν１１えば、端子１に正電
位、端子２に負電位の静電気が印加されたと仮定すると
、電流経路はダイオード１６（逆方向）、Ｐウェル抵抗
ｒｐ、ダイオード１７（順方向）の順に通過する。従っ
て一般的には逆方向に働らいているダイオード１６（第
１図におけるＮジャンクション３とＰウェル７間）で破
壊が起る。即ち、同一のＰウェルの中に隣接する端子１
と端子２との各保護ダイオードが形成されているため、
両者はＰウェルの抵抗ｒＰを介して電気的に接続され、
しかも直列抵抗ｒ′Ｆが一般的に小さいため、二端子間
における電流制限の働きが出来々くなることが破壊を生
じる太き ・な原因になっている。そこで、破壊強度を
強くするためにＰウェルの直列抵抗ｒＰを大きくするこ
とが考えられる。つまり、二端子間のＰウェルの距１１
Ｌを長くすれば良い。しかし、ここで重要なことは高密
度素子集積回路においてｊｄ、 レイアウトパターン
を大きくできないという制限が伴う。
０８集積回路内における入力。および出力に対する保護
ダイオード構造において、同一のＰウェル上に２つの端
子を有し、その夫々に保護ダイオードが隣接して設けら
れる場合、第１図の様にある一定の距離りを維持して配
列されている。その断面（Ａ−Ａ’断面）は、第２図の
様になり、端子（通常ボンディングパソド）１と端子２
にそれぞれ接続されたダイオードは、各電位に対する保
護ダイオードの働きをする。この場合の等価回路は第３
図の様になる。この図よシ、ν１１えば、端子１に正電
位、端子２に負電位の静電気が印加されたと仮定すると
、電流経路はダイオード１６（逆方向）、Ｐウェル抵抗
ｒｐ、ダイオード１７（順方向）の順に通過する。従っ
て一般的には逆方向に働らいているダイオード１６（第
１図におけるＮジャンクション３とＰウェル７間）で破
壊が起る。即ち、同一のＰウェルの中に隣接する端子１
と端子２との各保護ダイオードが形成されているため、
両者はＰウェルの抵抗ｒＰを介して電気的に接続され、
しかも直列抵抗ｒ′Ｆが一般的に小さいため、二端子間
における電流制限の働きが出来々くなることが破壊を生
じる太き ・な原因になっている。そこで、破壊強度を
強くするためにＰウェルの直列抵抗ｒＰを大きくするこ
とが考えられる。つまり、二端子間のＰウェルの距１１
Ｌを長くすれば良い。しかし、ここで重要なことは高密
度素子集積回路においてｊｄ、 レイアウトパターン
を大きくできないという制限が伴う。
本発明の目的は隣接する二端子間の新規な対静電気強化
構造を提供することにある。
構造を提供することにある。
本発明は、隣接する同一導電型の半導体領域から延在さ
れた隣接する二端子の各保護ダイオードの最短距離の間
に異なる導電型の半導体領域を介在させることによって
、ウェル領域にあってはそのウェルを保護ダイオード部
２分することにより電流制限効果を向上させた半導体装
置を提供するものである。
れた隣接する二端子の各保護ダイオードの最短距離の間
に異なる導電型の半導体領域を介在させることによって
、ウェル領域にあってはそのウェルを保護ダイオード部
２分することにより電流制限効果を向上させた半導体装
置を提供するものである。
本発明について、図面を参照しながらその一実施例を詳
細に駅間するっ 第４図において、端子１と端子２のＰウェル側の保護ダ
イオード３，４は、同一電位であるが、図の様に二端子
間のＰウェルの中央を分離するととによ多端子１と端子
２との最短電流経路は、途中で一旦ウエルを抜は出し、
基板８（距離１）を通過するため、同一ウェル上のみを
通過するよりも、経路上の内部直列抵抗を著しく高める
ことができ、電流制限効果を向上させることができる。
細に駅間するっ 第４図において、端子１と端子２のＰウェル側の保護ダ
イオード３，４は、同一電位であるが、図の様に二端子
間のＰウェルの中央を分離するととによ多端子１と端子
２との最短電流経路は、途中で一旦ウエルを抜は出し、
基板８（距離１）を通過するため、同一ウェル上のみを
通過するよりも、経路上の内部直列抵抗を著しく高める
ことができ、電流制限効果を向上させることができる。
まだ、電流経路の断面（Ｂ−Ｂ’断面）を考えると、第
５図の様になり、断面上Ｐウェルが完全に分離した形と
なる。その等価回路は、第６図の様になる。
５図の様になり、断面上Ｐウェルが完全に分離した形と
なる。その等価回路は、第６図の様になる。
例えば、端子１を正電位、端子２を負電位に静電気を印
加した場合ダイオード２１が逆方向となり、等価的に高
い直列抵抗が入った事になり、静電気印加を逆にした場
合はダイオード２ｏが同様に等価的に高直列抵抗が入っ
た事になる。よって、画工端子間の静電気印加に対して
大きな電流制限の効果が得られる。なお、この構造は一
般の半導体装置にも同様に適用できる。
加した場合ダイオード２１が逆方向となり、等価的に高
い直列抵抗が入った事になり、静電気印加を逆にした場
合はダイオード２ｏが同様に等価的に高直列抵抗が入っ
た事になる。よって、画工端子間の静電気印加に対して
大きな電流制限の効果が得られる。なお、この構造は一
般の半導体装置にも同様に適用できる。
第１図は従来の装置の平面図、第２図はその人−Ａ’断
面図、第３図は端子１．２から見た等価回路、第４図は
本発明の一実施例の平面図、第５図はそのＢ−Ｂ’断面
図、第６図−６は、その端子１．２から見た等価回路で
ある。 １．２・・・・・・端子、３ 、４ 、１２ 、１４・
・・・・・Ｐウェル上におけるダイオード、５，６・・
・・・・コンタクト、７゜１３・・・・・・Ｐウェル、
８ 、１５・・・・・・基板、９・旧・・端子１側のア
ルミ配線、１０・・印・端子２側のアルミ配線、１６・
・・・・・端子１側のダイオード、１７・・・・・・端
子２側ノタイオードｓｒＰ・・・・・・端子１．２間の
Ｐウェル抵抗、１８．１９・・・・・・分離されたＰウ
ェル、２０．２１・・・・・・分離されたＰウェルと基
板のダイオード。 を１拐 登２ソ 茅４−口 芽に図
面図、第３図は端子１．２から見た等価回路、第４図は
本発明の一実施例の平面図、第５図はそのＢ−Ｂ’断面
図、第６図−６は、その端子１．２から見た等価回路で
ある。 １．２・・・・・・端子、３ 、４ 、１２ 、１４・
・・・・・Ｐウェル上におけるダイオード、５，６・・
・・・・コンタクト、７゜１３・・・・・・Ｐウェル、
８ 、１５・・・・・・基板、９・旧・・端子１側のア
ルミ配線、１０・・印・端子２側のアルミ配線、１６・
・・・・・端子１側のダイオード、１７・・・・・・端
子２側ノタイオードｓｒＰ・・・・・・端子１．２間の
Ｐウェル抵抗、１８．１９・・・・・・分離されたＰウ
ェル、２０．２１・・・・・・分離されたＰウェルと基
板のダイオード。 を１拐 登２ソ 茅４−口 芽に図
Claims (1)
- 実質的に同一の電位関係にある半導体領域から取り出さ
れる少なくとも２個の引出し端子と、これら端子の各々
に対して夫々接続されるように前記半導体領域に設けら
れた保護ダイオードとを有し隣接する端子〈夫々接続さ
れている２つの前記保護ダイオードを結ぶ直線上に異な
る電位の半導体領域を介在させたことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029783A JPS59155952A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029783A JPS59155952A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155952A true JPS59155952A (ja) | 1984-09-05 |
| JPH0458697B2 JPH0458697B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12299797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3029783A Granted JPS59155952A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155952A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101950750A (zh) * | 2009-06-29 | 2011-01-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57154879A (en) * | 1981-02-04 | 1982-09-24 | Rca Corp | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP3029783A patent/JPS59155952A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57154879A (en) * | 1981-02-04 | 1982-09-24 | Rca Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101950750A (zh) * | 2009-06-29 | 2011-01-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| US9230952B2 (en) | 2009-06-29 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458697B2 (ja) | 1992-09-18 |
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