JPS59151704A - 電気機器の製造法 - Google Patents

電気機器の製造法

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JPS59151704A
JPS59151704A JP2660083A JP2660083A JPS59151704A JP S59151704 A JPS59151704 A JP S59151704A JP 2660083 A JP2660083 A JP 2660083A JP 2660083 A JP2660083 A JP 2660083A JP S59151704 A JPS59151704 A JP S59151704A
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JP
Japan
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imide
polyamide
acid
varnish
diisocyanate
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Pending
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JP2660083A
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English (en)
Inventor
長田 裕一
英二 大森
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、耐熱性にすぐれた電気機器の製造法に関する
最近、電気機器の小型化、軽量化のため9さらに耐熱性
、耐フレオン性等の良好な電気機器が要求されている。
こういった諸物件すべてを満足する被a線としてはポリ
アミドイミド被覆線がある。
しかし、ボリアSトイミド被覆線を用いた電気機器は、
ポリニスゾール、ポ+7エステルイミド。
エポキシ樹脂、N−メチル−2−ピロリドン溶剤形のポ
リアミドイミド等の含浸ワニスで処理して、電気絶縁処
理されるが、ポリアミドイミドを除いて含浸ワニスの耐
熱性が劣るため、ワ  。
ニス処理により耐熱性が低下する問題がある。
またN−メチル−2−ピロリドン溶剤形ポリアミトイS
ドを含浸ワニスとして使用した場合。
ボリアSトイミド被傍線の被覆の一部がフェス処理時に
、N−メチル−2−ピロリドンに溶出するため、P!、
練性が低下したシ、マたその他の電気機器に使用されて
いる絶縁材料に悪影響を及はすことがある。このため、
ポリアミドイミド被覆線と相性のよい含浸ワニスが要望
されている。
本発明者等は、ポリアミドイミド被覆線と相性の良い含
浸ワニスの開発を検討した結果、クレゾール系溶媒に可
溶のポリアミドイミドを含浸ワニスとしてポリアミドイ
ミド被覆線と組み合わせることにより、耐熱性の良好な
電気機器を得られることを見い出して本発明にいたった
本発明は、ポリアミドイミド被横線を用いた電気機器を
、ラクタム、芳香族ジイソシアネー)、#t!無水物基
を有するポリカルボン酸及びインシアヌレート環含有ポ
リイソシアネートを反応させて得られるポリアミドイミ
ドとクレゾール系溶媒とを含むワニスで処理し、加熱硬
化させる杉!夛電気機器の製造法に関する。
本発明に使用するポリアミドイミド被覆線に使用される
ポリアミドイミドは9通常に用いられる酸無水物基を有
するポリカルボン酸と芳香族ジイソシアネートを反応さ
せて得られるものであれば特に制限はない。酸無水物基
を有するポリカルボン酸としては、無水トリメリット酸
ブタントリカルボン酸無水物等があげられる。
芳香族ジイソシアネートとしては、4.4’−ジフェニ
ルメタンジイソシアネート、4.4’−ジフェニルエー
テルジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キ
シリレンジイソシアネート等が好ましい。もちろん、公
知となっている範囲で、酸無水物基を有するポリカルボ
/酸の一部をベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物
ピロメリット酸ジ無水物等に、Mきかえてもよく。
また芳香族ジイソシアネートの一部をトリレンジインシ
アネートの3を体等のポリインシアネートに置きかえて
もよい。ポリアミドイミドの合成条件、ボリアSトイミ
ド被覆線の焼付は条件には特に制限はなく、ポリアミド
イミド被覆線として通常知られている特性の得られる範
囲でよい。
ボリアSトイミド被覆線を用いた電気機器としては例え
ばクーラ、冷凍機、電動工具、電装部品、電子レンジ等
に用いられるモータ、トランスなどがあげられる。
本発明で用いられるインシアヌレート環含有ポリイソ7
アネートはポリイソシアネート化合物の三所化によって
得られ、この反応はインシアネート基と反応しない溶剤
の存在下で、フェノール、ラクタム類のようなインシア
ネート基と反応する成分を加えずに行なわれ9反応を効
果的に進めるためには、ポリイソシアネート化合物の三
量化触媒を使用することが望ましい。
溶剤としては原料としてのポリイソシアネート化合物を
溶解するものであれば脂肪族及び芳香族炭化水素、ノ・
ロダン化芳香族系炭化水素。
エステル系、ケトン系、エーテル系、エチレングリコー
ルモノアルキルモノアセテート系溶剤。
ジメチルスルホオキサイド等の中から任意に選定できる
ポリイソシアネート化合物の三量化触媒としては゛アル
カリ金属アセテート、鉄、マグネシウム、ニッケル、亜
鉛、錫、鉛、ノζナジウム、チタン叫の金属塩及び有機
金属化合物、N−メチルモルホリン、1.8−ジアザビ
シクロ(5,4,0)ウンデセン−7,2−(ジメチル
アミノメチル)−4,6−シメチルフエノールなどのフ
ェノールのマンニッヒ塩基、2−ジメチルアミノエタノ
ール等の第三級アミンなどが使用でき特に制限はない。
ポリイソシアネート化合物の三舖:化の反応温度は例え
ば50〜160℃の範囲で行なわれる。
実際のポリインシアネート化合物の三量化反応は複雑で
あり必ずしもイソシアヌレート環を一分子中に一個のみ
含むインシアネートの付加物だけが選択的に1成するも
のではなく、未反応のインシアネート及びインシアヌレ
ート環を一分子中に二個以上含むインシアネート付加物
との混合物が得られる。本発明においてはこの混合物も
使用できる。
触媒量1反応温度にとくに制限はない。イソシアヌレー
ト環含有ポリイソシアネートの原料としては、脂肪族、
脂環族、芳香族いずれのジイソシアネート化合物でもよ
いが、芳香族ジインシアネート、特に4.4′−ジフェ
ニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネー
ト。
キシリレンジイソシアネート、4.イージフエニルエー
テルジイソシア不一ト等が好ましい。
イン7アヌレート環含有ポリインシアネート−は−9I
TS熱性、可とり性の点から残存インシアネート基の含
有量は10〜70パーセントの範囲が好ましい(原料ジ
イソシアネート中のイノシアネート基含有量を100と
する)。
インシアヌレート環含有ポリイソシアネートは、酸無水
物基を有するポリカルボン酸1.00壱量に対して、0
.01〜0.30当量用いることが耐熱性、可とり件の
点で好ましい。
クレゾール系溶媒可溶化の重要な原料であるラクタムと
しては、一般的にはクレゾール系溶媒中でインシアネー
ト基又は酸無水物基と反応してクレゾール系溶媒に可溶
なものであれば何でもよいが溶解性1反応性及びコスト
面を考慮すれば、ξ−カプロラクタムが好ましい。
ラクタムの使用量は耐熱性、可とう性及び溶解性の改で
酸無水物基を有するポリカルボ/酸1.0当量に対して
0.30〜0.80当1(ラクタムを2官能と考える)
が好ましい。
芳香族ジイソシアネートとしてH,4,4’−ジフェニ
ルメタンンイソシアネート、4.4’−ジフェニルエー
テルジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キ
シリレンジイソシアネート等が好ましい。
酸無水物基を有するポリカルボン酸としては無水トリメ
リット酸、ブタントリカルボン酸無水物等が用いられる
が、特性1価格の点で無水トリメリット酸が好ましい。
インシアネート成分と酸成分の使用量は、酸無水物基を
有するポリカルボン酸1当最に対して芳香族ジインシア
ネートとイソシアヌレート環含有ポリイソシアネートの
当量の和が0.80〜1.50当俄になるように選定す
る。
高分子量の樹脂を得るためには、カルボキシル基及び酸
無水物基に対するインシアネート基 。
の比を1.0付近にすることが特に好ましい。
クレゾール系溶媒としては、クレゾールの他にフェノー
ル、キシレノール等が使用でき混合溶媒でもよい。合成
溶媒の一部には高沸点の芳香族有機溶媒たとえばキシレ
ン、ノ・イゾ・−ルー100(日本石油化学KK)、エ
チレングリコールモノエチルモノアセテート等も使用で
きる。
ラクタム、芳香族ジイソシアネート、酸無水物基を有す
るポリカルボン酸及びイン7アヌレート環含有ポリイソ
シアネートの反応は1例えばクレゾール系溶媒の存在下
で合成温度160〜240℃位で行なわれる。
得られたポリアミドイミド溶液は、上記のクレゾール系
溶媒で適当な粘度になるまで希釈してもよい。その際、
助溶剤として、キシレン。
トルエン等の芳香族炭化水素を併用しても差しつかえな
い。また硬化剤としてエポキシ樹脂たとえばシェル化学
■のエピコート562.815゜828.1001,1
007.アルコキシ変性79ノ樹脂たとえば日立化成工
業−のML−20゜ML−28,フェノールホルムアル
デヒド樹脂りとえば日立化成工業■の、、PR−208
0、PR−2084、VP−51NG等の熱硬イ゛ヒ性
樹脂を併用しても差しつかえない。硬化剤の添加量は、
ボリアSトイミド100重酸部に対して、1〜50重量
部が好ましい。
本発明におけるポリアミドイミド被覆線を用いた電気機
器のフェノによる処理は1通常行なわれる方法によって
行なわれ、浸漬法9滴下法等が採用される。
本発明を以下、比較例、実施例により説明する。部とあ
るのは重量部、チとあるのは重景チである。
比較例1 ポリアミドイミド被横線の製造 日立化成工業■製N−メチルー2−ピロリドン溶剤形ポ
リアミドイミドワニスHI−405を用いて、炉温40
0℃、炉長4mの竪形炉により、直径1+mの1種仕上
げエナメル銅線を得た。
比較例2 含浸ワニス用ポリエステルの合成 無水マレイン酸9.8F(1モル)、無水フタル。
酸141L(1モル)、フロピレンゲリコール170.
6F(2,zsモル)を四つロフラスコに仕込み、ちつ
素ガス吹き込み下に攪拌し、180℃1時間保ち、その
後210〜220℃で反応を続は酸価18,0の不飽和
ポリエステルを得た。
反応生成物にハイドロキノンを0.05 %加え。
ジアリルフタレー)e65(1/−仕込み、溶解し。
淡黄色の均一な樹脂液を作成した。この樹脂液に過酸化
ベンゾイル1%とオクテン酸コバルト0.1係加えワニ
スAを得た。
比較例3 含浸ワニス用ポリエステルイミドの合成無水トリメリッ
ト酸38.45M0.2モル)、4゜4′−ジアミノジ
フェニルメタン19.8F(0,1モル)、Nメチルピ
ロリドン110?を四つ目フラスコに仕込み、ちつ素ガ
ス吹き込み下に、室温から150℃まで昇温し溶解した
のち、150℃〜180℃で2時間反応して均一なイミ
ド酸を含む溶液となった。この溶液を室温まで冷却し、
5倍量のメタノール中に攪拌しながら滴下し反応物を分
離しその後津取し、メタノールで光分洗浄し真空加熱乾
燥し2次式に示す化合物を得た。
この化合物51.8P(0,1モル)、イソフタル酸7
4.7P(0,45モル)、ネオペンチルグリコール6
2.4P(0,6モル)、プロピレングリコール26.
610.35モル)を四つ目フラスコに仕込み、ちつ素
ガス吹き込みドに160 ℃まで昇温(7,1時間反応
させたあと、211)℃まで3時間で昇温し、210℃
で反応を続は酸価を1時間毎に測定し、酸価が5以Fに
なった時、160’Cまで温度を下げ、無水マレイン酸
44.1y−(0,45モル)、ジグロビレングリコー
ル26.8y−(0,2モル)を仕込み、180℃で1
時間反応したあと。
1時間で210℃まで昇温し、210℃で反応を続け、
酸価29の不飽和ポリエステルを得た。この反応生成物
にハイドロキノンを0.05 %加え。
ジアリルフタレート6109−加えて溶解した。この樹
脂液の粘度は、25℃で290センチポアズであった。
この樹脂液100部に対し、過酸化ベンゾイル1.0部
、オクテン酸コバルト(金属含量8チ)を0.1部加え
よく攪拌し均一な溶液、ワニスBを得た。
実施例1 1)イソシアヌレート環含有ポリイソシアネートの合成 トリレンジイソシアネート600.%、ハイゾール10
0 600y−,2−ジメチルアミノエタノール1.8
1をフラスコに入れて140’Cに昇温し、残存イソシ
アネート含有量が50%になるまで反応を進めた。
2)クレゾール系溶媒のボリアSトイミドワニスの作製 実施例1(1)で合成したインシアヌレート項含有ポリ
インシアネート溶液37.010.11当量)、トリメ
リット酸無水物1o o、 s y−(t、os当険)
、c−カプロラクタム33.810.60当t)、4.
4’−シフエテルメタンジイソシアネート113.3 
F (0,91当量)、クレゾール3001を四つロフ
ラスコに仕込み、ちっ素ガス吹き込み下に、温度を21
0’(、に上昇して10時間保温する。これをクレゾー
ルで希釈して不揮発分20%の溶液を得た。これにボリ
アSトイミド樹脂100部に対して3部の割合で。
エポキシ樹脂エピコート828を加えて、ボリアSトイ
ミドワニスCを作製した。
実施例2 実施例1(1)で合成したインシアヌレ−)環含有ポリ
イソシアネート溶液47.I P (0,14当t3゜
トリメリット酸無水物100.8ψ(1,05当量)。
ε−カプロラクタム28.3y−(0,50当り、4゜
4′−ジフェニルメタンジイソシアネート107.5F
(0,86当り、クレゾール180 Fヲ四)ロフラス
コに仕込み、ちっ素ガス吹き込み下に温度を205℃に
上昇して10時間保温する。これをクレゾール/キシレ
ン=8/2(重量比)の溶液を希釈して不揮発分2oチ
の溶液を得た。これにポリアミドイミド樹脂100部に
対して1.5部の割合でアルコキシ変性アミン樹脂ML
−20を加えてポリアミトイミドワニスDを作製した。
比較例1で得られたポリアミドイミド被覆線を用いて、
JISC3003に準じてツイストペフ1作製する。つ
いでツイストペアを、ワニスA、Bに浸漬して取り出し
120℃で3時間加熱し、ツイストペアをワニスC,D
に浸漬して取り出し240℃で1時間加熱した。得られ
た絶縁処理物を260℃の恒温箱中に14日間放置した
あと冷却して、絶縁破壊電圧を測元して初期値に対する
残存率を求めて表1に示した。なお比較としてワニス処
理しないポリアミドイミド被覆線についても試験を行な
い表1に併記した。
表1%性の比較 表1から明らかなように、実施例における電気絶縁処理
物は、比較例の電気絶縁処理物に比べて。
P3m破壊電圧の残存率が極めて高く、含浸ワニスで処
理しない無処理の値と同等であり、含浸ワニスによって
耐熱性を低下させることなく、優れた耐熱性を示す。
本発明になる電気機器の製造法は耐熱性の要求される電
気絶縁の分野に極めて有効であり、工業的に有意義なも
のである。
21−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ボリアSトイミド被檜線を用いた電気機器を、ラク
    タム、芳香族ジイソシアネート、酸無水物基を有するポ
    リカルボン酸及びインシアヌレート項含有ポリイソシア
    ネートを反応させて得られるポリアミドイミドとクレゾ
    ール系溶媒とを含むフェスで処理し、加熱硬化させるこ
    とを特徴とする電気機器の製造法。 2、 ラクタムの使用綾を酸無水物基を有するポリカル
    ボン酸1.0当量に対して、0.30〜0.80当量と
    した特許請求の範囲第1項記載の電気機器の製造法。
JP2660083A 1983-02-18 1983-02-18 電気機器の製造法 Pending JPS59151704A (ja)

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JP2660083A JPS59151704A (ja) 1983-02-18 1983-02-18 電気機器の製造法

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