JPS5914469A - ポリツシング装置 - Google Patents
ポリツシング装置Info
- Publication number
- JPS5914469A JPS5914469A JP57119486A JP11948682A JPS5914469A JP S5914469 A JPS5914469 A JP S5914469A JP 57119486 A JP57119486 A JP 57119486A JP 11948682 A JP11948682 A JP 11948682A JP S5914469 A JPS5914469 A JP S5914469A
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- Japan
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- work
- polishing
- pad
- workpiece
- surface plate
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- Pending
Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
- B24D7/14—Zonally-graded wheels; Composite wheels comprising different abrasives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ポリッシング装置に関し、特に一工程で、
ｌ−’ ＋７ツシング作業を完遂する高性能ポリッシン
グ装置に係る。
ｌ−’ ＋７ツシング作業を完遂する高性能ポリッシン
グ装置に係る。
ポリッシング装置は、ロータリーテーブル上の定盤に研
磨粒又はポリッシングパッドを敷き、回転自在に支承さ
れたワークホルダーにワークを装着し、ロータリーテー
ブル上に載蓋してワークを研磨し、鏡面に仕上げる装置
である。
磨粒又はポリッシングパッドを敷き、回転自在に支承さ
れたワークホルダーにワークを装着し、ロータリーテー
ブル上に載蓋してワークを研磨し、鏡面に仕上げる装置
である。
通常ラップされエツチングされたワークを鏡面に仕上げ
る工程は、第１にワーク素材表面を平面化するためのポ
リッシュ量を多くする工程と、第２にワーク表面の粗さ
く微少なスクラッチ）を減らす面仕上工程とに分離して
考えた方が理解しやすい。第１の平面化工程は、切断さ
れたワーク表面の深い傷を取ることが主目的であるから
、鞭くｉ租曳を瓦いパ・／ｌ”を逼ひワー２し連像を相
打’？Ｊａｈｌ］圧ノアも大としてポリッシング量を早
く大きくすることが肝要である。第２０面仕上工程は全
体としては平面であるが面粗さが大きいワーク表面を微
細な面粗さにまで平滑化する工程で、きくけ必要としな
い。
る工程は、第１にワーク素材表面を平面化するためのポ
リッシュ量を多くする工程と、第２にワーク表面の粗さ
く微少なスクラッチ）を減らす面仕上工程とに分離して
考えた方が理解しやすい。第１の平面化工程は、切断さ
れたワーク表面の深い傷を取ることが主目的であるから
、鞭くｉ租曳を瓦いパ・／ｌ”を逼ひワー２し連像を相
打’？Ｊａｈｌ］圧ノアも大としてポリッシング量を早
く大きくすることが肝要である。第２０面仕上工程は全
体としては平面であるが面粗さが大きいワーク表面を微
細な面粗さにまで平滑化する工程で、きくけ必要としな
い。
従来は、ロータリーテーブル上全面一様なパッドを敷い
た定盤で平面化の工程を先ず行い、次により微細なＩ＼
°リドを敷いた別のポリッシング装置又は定盤と付は変
え面粗度の微細化工程を行っていた。ところで定盤面は
外周は周速が大きく内周に近付くに従って周速は小さく
なる。
た定盤で平面化の工程を先ず行い、次により微細なＩ＼
°リドを敷いた別のポリッシング装置又は定盤と付は変
え面粗度の微細化工程を行っていた。ところで定盤面は
外周は周速が大きく内周に近付くに従って周速は小さく
なる。
従って外周は平面化工程に好適であるが面仕上工程には
適当でなく、反対に内周は平面化工程には能率的でない
ものである。しかし全面一様な粒度をもつ従来のポリッ
シング装置ではこの点を利用することは不可能であった
。
適当でなく、反対に内周は平面化工程には能率的でない
ものである。しかし全面一様な粒度をもつ従来のポリッ
シング装置ではこの点を利用することは不可能であった
。
この発明は以上の点に鑑み、工程の能率化と仕上り面の
質の向上と操作手数の省略との三者を共に向上させるこ
とを目的とする。
質の向上と操作手数の省略との三者を共に向上させるこ
とを目的とする。
以下、この発明の実施例を示す図面と共に詳細に説明す
る。
る。
第１図はこの発明の実施例の要部平面図、第２図は同側
面図である。両図を参照して、定盤（１）はロータリー
テーブル（１０）の上面に同芯円ツシングパッド（１３
）を敷き詰めて成るものである。ワークホルダー（２）
はポールジヨイント（３）等によって回転揺動弁自在に
支承され、支柱（４）を回動するアーム（５）によって
移行せしめられる。
面図である。両図を参照して、定盤（１）はロータリー
テーブル（１０）の上面に同芯円ツシングパッド（１３
）を敷き詰めて成るものである。ワークホルダー（２）
はポールジヨイント（３）等によって回転揺動弁自在に
支承され、支柱（４）を回動するアーム（５）によって
移行せしめられる。
７−り（０１は例えば半導体チップ素材のシリコンウェ
ハーなどであり、ワークホルダー（２）に吸着・接着な
どで取付され、ワークホルダー（２１ト共に定盤上に降
ろされポリッシング工程に入る。
ハーなどであり、ワークホルダー（２）に吸着・接着な
どで取付され、ワークホルダー（２１ト共に定盤上に降
ろされポリッシング工程に入る。
ポリ１．７シングエ程は、平面化の荒仕上する１次工程
は、ワーク（２１）が荒いポリッシングパッド（１１）
の範囲に納る位置に降ろされ、定盤の周速によってワー
クも自転しながら行われる。
は、ワーク（２１）が荒いポリッシングパッド（１１）
の範囲に納る位置に降ろされ、定盤の周速によってワー
クも自転しながら行われる。
このときポリッシングパッド（１１）は荒い面粗度であ
り、面積も大きいので研磨粒の“切れ味“も長く保たれ
、且つ周速も大きＶ・ので能率よく平面化工程が進行す
る。平面化行程が終ると、続いて、或いは研磨粒の洗浄
を行って、中粒のポリッシングパッド（１２）の範囲（
２２）にワークが降ろされ、１次の平面化工程で生じた
荒い仕上面を細くする２次工程に入る。同様にして３次
の鏡面化仕上工程に入り、ワークが仕上げられるもので
ある。内周のポリッシングパッド（１３）の範囲（Ｚ３
）Ｋワークが至ったとぎは微細む沖 な菌雑斥と小さな周速で行われるので、ポリッシング量
はわずかでよく、仕上面の粗度か細く仕−ヒげられる必
要のある３次工程には好適なものである。２次工程は１
次工程と３次工程の中間的性格をもつので、中間の範囲
（２２）にあるのも又好適である。
り、面積も大きいので研磨粒の“切れ味“も長く保たれ
、且つ周速も大きＶ・ので能率よく平面化工程が進行す
る。平面化行程が終ると、続いて、或いは研磨粒の洗浄
を行って、中粒のポリッシングパッド（１２）の範囲（
２２）にワークが降ろされ、１次の平面化工程で生じた
荒い仕上面を細くする２次工程に入る。同様にして３次
の鏡面化仕上工程に入り、ワークが仕上げられるもので
ある。内周のポリッシングパッド（１３）の範囲（Ｚ３
）Ｋワークが至ったとぎは微細む沖 な菌雑斥と小さな周速で行われるので、ポリッシング量
はわずかでよく、仕上面の粗度か細く仕−ヒげられる必
要のある３次工程には好適なものである。２次工程は１
次工程と３次工程の中間的性格をもつので、中間の範囲
（２２）にあるのも又好適である。
以上の結果、ポリッシング能率と仕上面の質と共に満足
されるものであり、しかもワークはワークホルダーに付
けたままにして全工程を終ることができ、操作手数も省
力化できるものでもある。
されるものであり、しかもワークはワークホルダーに付
けたままにして全工程を終ることができ、操作手数も省
力化できるものでもある。
なお、ワークの付外しは、ワークの欠けや曲り、及びワ
ークホルダーの正規位置へ取付得たか否かなど自動化し
た場合に兎角問題が生じやすいが、この発明によりはワ
ークは取付したままで全工程を終るので、自動化する場
合にも好適であり、より省力化に貢献する所が大きい。
ークホルダーの正規位置へ取付得たか否かなど自動化し
た場合に兎角問題が生じやすいが、この発明によりはワ
ークは取付したままで全工程を終るので、自動化する場
合にも好適であり、より省力化に貢献する所が大きい。
以上実施例では、ポリッシングパッド（１１）（１２，
）（１３）を用いる例を示したが、（１１） （１２）
（１３）の間に間仕切を設け、間仕切の中に研磨粒を
流して行う手段も同様の効果を有する。
）（１３）を用いる例を示したが、（１１） （１２）
（１３）の間に間仕切を設け、間仕切の中に研磨粒を
流して行う手段も同様の効果を有する。
この場合は、１次、２次、３次の工程の間に研磨粒の洗
浄が不可欠となるが、ワークを取付したままのワークホ
ルダーを洗浄液に浸ける手段が可能なので省力化への影
響は少い。
浄が不可欠となるが、ワークを取付したままのワークホ
ルダーを洗浄液に浸ける手段が可能なので省力化への影
響は少い。
又、実施例は荒・中・仕上の３回工程を例としたが２回
又は４回以上の工程も可能であることは言うまでもない
。
又は４回以上の工程も可能であることは言うまでもない
。
この発明は一枚の定盤に１瞳の異る複数のボ ゛リツシ
ングパッドを装着して成ることを％徴とするポリッシン
グ装置であるから、ポリッシング工程に最適の面机償と
速度を選択的に且つワークを取付したまま得られるので
、ポリッシング工程の仕上り速度は向上し、仕上り精度
も良好で且つ操作手数も省ける、好妙な装置を得られる
ものである。
ングパッドを装着して成ることを％徴とするポリッシン
グ装置であるから、ポリッシング工程に最適の面机償と
速度を選択的に且つワークを取付したまま得られるので
、ポリッシング工程の仕上り速度は向上し、仕上り精度
も良好で且つ操作手数も省ける、好妙な装置を得られる
ものである。
第１図は本発明一実施例の平面図、第２図は同じく側面
図である。 １・・・定盤 ２・・・ワークホルダー３・・・ボール
ジヨイント ４・・・支柱 ５・・・アーム１０・・・
ロータリーテーブル
図である。 １・・・定盤 ２・・・ワークホルダー３・・・ボール
ジヨイント ４・・・支柱 ５・・・アーム１０・・・
ロータリーテーブル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 及υ゛面雑■ 一枚の定盤に、硬さの異る複数のポリッシングパッドを
装着して成ることを特徴とするポリッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119486A JPS5914469A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | ポリツシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119486A JPS5914469A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | ポリツシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914469A true JPS5914469A (ja) | 1984-01-25 |
Family
ID=14762462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119486A Pending JPS5914469A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | ポリツシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914469A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0622155A1 (en) * | 1993-04-30 | 1994-11-02 | Motorola, Inc. | Polishing pad and a method of polishing a semiconductor substrate |
| US5575707A (en) * | 1994-10-11 | 1996-11-19 | Ontrak Systems, Inc. | Polishing pad cluster for polishing a semiconductor wafer |
| JPH1083977A (ja) * | 1996-08-16 | 1998-03-31 | Applied Materials Inc | 機械化学的ポリッシング装置用のポリッシングパッドへの透明窓の形成 |
| KR19990006073A (ko) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 김영환 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
| US5968843A (en) * | 1996-12-18 | 1999-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of planarizing a semiconductor topography using multiple polish pads |
| WO2001098027A1 (en) * | 2000-06-19 | 2001-12-27 | Struers A/S | A multi-zone grinding and/or polishing sheet |
| US6336845B1 (en) | 1997-11-12 | 2002-01-08 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for polishing semiconductor wafers |
-
1982
- 1982-07-08 JP JP57119486A patent/JPS5914469A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0622155A1 (en) * | 1993-04-30 | 1994-11-02 | Motorola, Inc. | Polishing pad and a method of polishing a semiconductor substrate |
| US5575707A (en) * | 1994-10-11 | 1996-11-19 | Ontrak Systems, Inc. | Polishing pad cluster for polishing a semiconductor wafer |
| EP0919330A1 (en) * | 1994-10-11 | 1999-06-02 | Ontrak Systems, Inc. | Polishing pad cluster for polishing a semiconductor wafer |
| JPH1083977A (ja) * | 1996-08-16 | 1998-03-31 | Applied Materials Inc | 機械化学的ポリッシング装置用のポリッシングパッドへの透明窓の形成 |
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| KR19990006073A (ko) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 김영환 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
| US6336845B1 (en) | 1997-11-12 | 2002-01-08 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for polishing semiconductor wafers |
| US6416385B2 (en) | 1997-11-12 | 2002-07-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for polishing semiconductor wafers |
| US6517418B2 (en) | 1997-11-12 | 2003-02-11 | Lam Research Corporation | Method of transporting a semiconductor wafer in a wafer polishing system |
| WO2001098027A1 (en) * | 2000-06-19 | 2001-12-27 | Struers A/S | A multi-zone grinding and/or polishing sheet |
| US7004823B2 (en) | 2000-06-19 | 2006-02-28 | Struers A/S | Multi-zone grinding and/or polishing sheet |
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