JPS59142253A - 1,4−ジアミノ−2,3−ジフエノキシアントラキノンの製造方法 - Google Patents

1,4−ジアミノ−2,3−ジフエノキシアントラキノンの製造方法

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JPS59142253A
JPS59142253A JP1583583A JP1583583A JPS59142253A JP S59142253 A JPS59142253 A JP S59142253A JP 1583583 A JP1583583 A JP 1583583A JP 1583583 A JP1583583 A JP 1583583A JP S59142253 A JPS59142253 A JP S59142253A
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JP
Japan
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chloride
diamino
quaternary ammonium
phenol
compounds
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Pending
Application number
JP1583583A
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English (en)
Inventor
Makoto Hattori
誠 服部
Masao Nishikuri
西栗 正夫
Akira Takeshita
明 竹下
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Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、1.4−ジアミノ−2,3−ジフェノキシア
ントラキノンの新規な製造方法に関するものである。
1.4−ジアミノ−2,3−ジフェノキシアントラキノ
ンは、ポリエステル繊維用紫色分散染料として重要な化
合物である。従来からこの化合物は、1,4−ジアミノ
−2,8−ジクロルアントラキノンをフェノール溶媒中
で脱酸剤存在下に加熱反応させる事により製造されてい
る(たとえばFBレポート宛86189)。
しかしながらこの方法は、フェノールを大量に使用する
ので、その回収に多大な労力とエネルギーを要するとい
う欠点を有する。また反応に高温(165°C〜200
°C)を要するため副生物が少なくなく、鮮明な色相の
目的物を得るには精製が必要である。その結果収率は9
0%またはそれ以下に低下する。
本発明者らは、上記欠点を克服するため、少量のフェノ
ールで、鮮明な色相の目的物を収率よく得る方法につき
鋭意検討した結果、反応を水性媒体中、第4級アンモニ
ウム化合物または第4級ホスホニウム化合物の存在下に
行なう事により目的が達せられる事を見いだし、本発明
を完成させた。
すなわち、本発明は、1.4−ジアミノ−2゜3−ジハ
ロゲノアントラキノンを水性媒体中、脱酸剤の存在下、
第4級アンモニウム化合物および/または第4級ホスホ
ニウム化合物の存在下にフェノールと反応させる事を特
徴とする1゜4−ジアミノ−2,3−ジフェノキシアン
トラキノンの製造方法である。
本発明において用いられる1、4−ジアミノ−2,3−
ジハロゲノアントラキノンとしては、1.4−ジアミノ
−2,3−ジクロルアントラキノンおよび1.4−ジア
ミノ−2,8−ジブロムアントラキノンが挙げられる。
本発明において用いられる第4級アンモニウム化合物と
しては一般式(I)またはΦ)で示される第4級アンモ
ニウム化合物があげられる。
(式中、R+ 、 R2は炭素数1−24のアルキル基
または任意に置換されていてもよいベンジル基、R3,
R4は炭素数1−10のアルキル基、Xはアニオン残基
を示す。) (式中、R5は炭素数1−24のアルキル基、R6は水
素原子またはメチル基、Xは前記の意味を有する。) 一般式中アニオンの残基としては、塩素、臭素、ヨウ素
の他、硫酸塩、リン酸塩、酢酸塩、メチル硫酸塩、エチ
4ル硫酸塩、硫酸水素塩の残基があげられる。
第4級アンモニウム化合物の具体例としてζよ、たとえ
ば次の化合物があげら、れる。
テトラメチルアンモニウムクロリド、テトラエチルアン
モニウムクロリド、テトラ−n−プロピルアンモニウム
クロリド、テトラ−n −ブチルアンモニウムクロリド
、テトラメチルアンモニウムメチル硫酸塩、テトラエチ
ルアンモニウムエチル硫酸塩、トリエチルプロピルアン
モニウムクロリド、オクチルトリメチルアンモニウムク
ロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘ
キサテシルトリメチルアンモニウムクロリド、オクタデ
シルトリメチルアンモニウムクロリド、テトラコシルト
リメチルアンモニウムクロリド、ジオクタデシルジメチ
ルアンモニウムクロリド、ジオクタデシルジメチルアン
モニウムクロリド、トリオクチルメチルアンモニウムク
ロリド等のテトラアルキル4級アンモニウム化合物。
ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド、ベンジルト
リエチルアンモニウムクロリド、ベンジルトリプロピル
アンモニウムクロリド、ベンジルエチルジプロピルアン
モニウムクロリド、ドデシルジメチルベンジルアンモニ
ウムクロリド、o、、mまたはp−メトキシペンシルト
リエチルアンモニウムクロリド、o、m、p−クロロベ
ンジルトリエチルアンモニウムクロリド、オクチルベン
ジルジメチルアンモニウムクロリド、ジエチルジベンジ
ルアンモニウムクロリド等のベンジルトリアルキルアン
モニウム化合物およびジベンジルジアルキルアンモニウ
ム化合物。
N−メチルピリジニウムクロリド、N−エチルピリジニ
ウムクロリド、N−ブチルピリジニウムクロリド、N−
ドデシルピリジニウムクロリド、N−tフタデシルピリ
ジニウムクロリド、N−メチルピコリニウムクロリド、
N−ブチルピコリニウムクロリド、N−ドテシルピコリ
ニウムクロリド等のN−アルキルピリジニウム化合物お
よびN−アルキルピコリニウム化合物。
およびこれらクロリドに対応するプロミド、アイオダイ
ド、硫酸塩、リン酸塩、硫酸水素塩、酢酸塩、メチル硫
酸塩、エチル硫酸塩、またはこれらの混合物。
工nにはベンジルトリメチルアンモニウムクロリド、ペ
ンシルトリエチルアンモニウムクロリト等のベンジルト
リアルキルアンモニウム化合物が好ましく用いられる。
第4級アンモニウム化合物の使用量は、用いる第4級ア
ンモニウム化合物によっても異なるが、一般に、第4級
アンモニウム化合物と水性媒体の合計に対する第4級ア
ンモニウム化合物の割合として10−90重量%であり
、テトラアルキルアンモニウム化合物の場合には3〇−
90重量%、好ましくは40−80重量%、ベンジルト
リアルキルアンモニウム化合物の場合には10−85重
量%、好ましくは15−80重量%、N−アルキルピリ
ジニウム化合物またはN−アルキルピコリニウム化合物
の場合には10−60重量%、好ましくは10−50重
量%である。
たとえばペンシルトリエチルアンモニウムクロIJトの
場合、20−85重量%、好ましくは80−80重量%
である。第4級アンモニウム化合物の親油性がこれより
強い場合、使用量は更に少なくてよく、また逆に親油性
が弱い場合にはこれよりも多く使用することが好ましい
本発明において使用する第4級ホスホニウム化合物とし
ては一般式l)で示される第4級ホスホニウム化合物が
あげられる。    1(式中、R7,R8,R9,R
lo  は炭素数1−24のアルキル基またはフェニル
基を示し、またR7はペンシル基であってもよく、Xは
アニオン残基を示す。) 一般式中アニオンの残基としては、塩素、臭素、ヨウ素
の他、硫酸塩、リン酸塩、酢酸塩、硫酸水素塩の残基が
あげられる。
第4級ホスホニウム化合物の具体例として番よテトラメ
チルホスホニウムクロリド、テトラエチルホスホニウム
クロリド、テトラブチルホスホニウムクロリド、オクチ
ルトリエチルホスホニウムクロリド、ヘキサデシルトリ
エチルホスホニウムクロリド、ヘキサデシルトリエチル
ホスホニウムクロリド、ドテシルトリメチルホスホニウ
ムクロリド、トリオクチルエチルホスホニウムクロリド ホニウムクロリド等のテトラアルキルホスホニウム化合
物。
ヘンシルトリエチルホスホニウムクロリド、ベンジルト
リブチルホスホニウムクロリド等のベンジルトリアルキ
ルホスホニウム化合物メチルトリフェニルホスホニウム
クロリド、エチルトリノエニルホスホニウムクロリド等
のアルキルトリフェニルホスホニウム化合物テトラフェ
ニルホスホニウムクロリドおよびこれらクロリドに対応
するプロミド、アイ、オタ゛イド、硫酸塩、リン酸塩、
酢酸塩、硫酸水素塩あるいはそれらの混合物。
第4級ホスホニウム化合物の使用型番よ、用シAる第4
級ホスホニウム化合物によっても異なるが、一般に、第
4級ホスホニウム化合物と水性媒体の合計に対する第4
級ホスホニウム化合物の割合としてio−so重量%で
あり、テトラアルキルホスホニウム化合物の場合には2
〇−80重量%、好ましくは2 5 −7 5重量%、
ベンジルトリアルキルホスホニウム化合物の場合には1
5−75重量%、好ましくは20−70重量%、アルキ
ルトリフェニルホスホニウム化合物の場合には10−6
0重量%、好ましく番よ15−50重量%である。
たとえばメチルトリフェニルホスホニウムプロZドの場
合、20−50重量%、好ましくζよ2 5−4 5重
量%である。第4級ホスホニウム化合物の親油性がこれ
より強し)場合、添加型番よ更に少なくてよく、たとえ
ばテトラフエニルホスポニウムクロリ1への場合には1
0−40重量%か好ましく、また、逆に親油性か弱い場
合にはこれよりも多く使用することが好ましし)。
第4級ホスホニウム化合物と第4級アンモニウム化合物
を併用することもてきる。
第4級アンモニウム化合物および/または第4級ホスホ
ニウム化合物を含む水性媒体の使用量は、出発原料に対
し2−30重量倍が適当である。
本発明において使用する脱酸剤としては、アルカリ金属
またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩
、リン酸水素塩、炭酸水素塩、あるいは酢酸塩か挙げら
れる。脱酸剤の具体例と]ッては、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、炭酸カリウム、リン酸カリウム、酢酸
カリウム、炭酸ナトリウム、リン酸す°トリウム、酢酸
ナトリウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、
炭酸水素ナトリウム、リン酸水素カリウム等が挙げられ
る。これらのうち、工業的には水酸化カリウム、水酸化
ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、リン酸カ
リウム、リン酸ナトリウム等のアルカリ金属の水酸化物
、炭酸塩もしくはリン酸塩が好ましく用いられる。
これらの使用量は、出発原料に対して少くとも2当量で
ある。
本発明において反応温度は80°C以上、好ましくは9
0°C〜140°Cである。反応は通常2−48時間で
終了する。
本発明において使用した第4級アンモニウム化合物ある
いは第4級ホスホニウム化合物は、P液からアルカリを
用いることにより第4級アンモニウム化合物あるいは第
4級ホスホニウム化合物としてそのまま、または第4級
アンモニウムハイドロオキサイドあるいは第4級ホスホ
ニウムハイドロオキサイドとして有機溶媒により抽出分
離後、酸性水により逆抽出することにより無駄なく回収
再利用することができる。
本発明においてフェノールの使用量は、1゜4−ジアミ
ノ−2,3−ジハロゲノアントラキノンに対し少くとも
2モル比、好ましくは2゜2〜6モル比である。
本発明方法によれば、使用するフェノールおよび脱酸剤
の量はかなり少なくて済み、また反応条件も温和であり
、得られた1、4−ジアミノ−2,8−ジフェノキシア
ントラキノンの純度は高く、収率はほぼ定量的である。
さらに、得られtこ染料の色相は公知法によるものに比
較して赤味、紳明である。
−本発明において使用した第4級アンモニウム−化合物
あるいは第4級ホスホニウム化合物は、P液からアルカ
リを用いることにより第4級アンモニウム化合物あるい
は第4級ホスホニウム化合物としてそのまま、または第
4級アンモニウムハイドロオキサイドあるいは第4級ホ
スホニウムハイドロオキサイドとして有機溶媒により抽
出分離後、酸性水により逆抽出することにより無駄なく
回収再利用することができる。
以上のように本発明のもたらす効果は多大であり、その
工業的価値は高い。
次に実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
r0化f瞥φ庫梶穀weμx〃彌を廣幻J81111!
1Afl;lI7#I、/ 膚1”fW’m1li3鍍
1/U実施例1 ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド2841部、
及び水7.7部の混合物に1,4−ジアミノ−2,8−
ジクロルアントラキノン8.07部、47%水酸化カリ
ウム水溶液5.26部、及びフェノール5.65部を仕
込み、攪拌しながら加熱し、100°Cで20時間保温
しノこ。クロマ1−グラフィーにより出発物質の消失を
確認した後、反応混合物を熱Rr濾過し、次いで温水で
十分に洗浄した後、乾燥して1,4−ジアミノ−2,8
−ジフェノキシアントラキノン4.1 部を得tこ。
このものを用いてポリエステル繊維を染色したところ、
従来法によるものに比べ赤味、鮮明な色相の染色物が得
られた。
ベンジルトリエチルアンモニウムクロリドの代りをこ、
テトラブチルアンモニウムプロミド、オクチルトリメチ
ルアンモニウムクロリド、又はN−ブチルピリジニウム
クロリドを用いたきころ、いずれも同様の結果が得られ
た。
実施例2 メチルトリフェニルホスホニウムプロミド19.8部、
及び水19.8部の混合物に、1.4−ジアミノ−2,
3−ジブロムアントラキノン8.96部、リン酸カリウ
ム3.1部、及びフェノール8.77部を仕込み、攪拌
しながら加圧下に加熱し、125°Cで15時間保温し
た。クロマトグラフィーにより出発物質の消失を確認し
た後、反応混合物を熱時濾過し、次いで温水で十分に洗
浄した後、乾燥して1,4−ジアミノ−2,8−ジフェ
ノキシアントラキノン4.1 部を得た。
このものを用いてポリエステル繊維を染色したところ、
従来法によるものに比べ赤味、鮮明な色相の染色物が得
られた。
メチルトリフェニルホスホニウムプロミドの代りに、テ
トラブチルホスホニウムプロミド又はテトラフェニルホ
スホニウムクロリドを用いたところ、いずれも同様の結
果が得られた。
手続補正書(自発) 1、 事件の表示 昭和58年 特許願第15885号 2、 発明の名称 ■、4−ジアミノー2.8−ジフヱノキシアントラキノ
ンの製造方法 8、補正をする者 事件との関係  特許出願人 住 所  大阪市東区北浜5丁目15番地名 称 (2
09)住友化学工業株式会社代表者  土 方    
武 4、代理人 住 所  大阪市東区北浜5丁目15番地5、補正の対
象 6、補正の内容 (1)明細書箱5負第1−2行の、「メチル硫酸塩、・
・・・・・残基があげられる。」とあるを下記のように
訂正する。
「メチル硫酸塩、エチル硫酸塩、硫酸水素塩、リン酸水
素塩、リン酸二水素塩、炭酸塩、炭酸水素塩、亜硫酸塩
、亜硫酸水素塩、青酸塩、シアン酸塩、チオシアン酸塩
、硝酸塩の残基、および水酸基があげられる。」 (2)同第7頁第2−5行の、「およびこれら・・・・
・・混合物。」とあるを、下記のように「j正する。
[およびこれらクロリドに対応するプロミド、アイオタ
イド、ハイドロオキサイド、硫酸塩、リン酸塩、硫酸水
素塩、酢酸塩、メチル硫酸塩、エチル硫酸塩、リン酸水
素塩、リン酸二水素塩、炭酸塩、炭酸水素塩、亜硫酸塩
、亜硫酸水素塩、青酸塩、シアン酸塩、チオシアン酸塩
、硝酸塩またはこれらの混合物。」(3)同第8頁終行
から第9頁第2行の、「一般式中アニオン・・・・・・
あげられる。」とあるを下記のように訂正する。
「−一般式中アニオンの残基としては、塩素、臭素、ヨ
ウ累の他、硫酸塩、リン酸塩、酢酸塩、硫酸水素塩1、
リン酸水素塩、リン酸二水素塩、炭酸塩、炭酸水素酸、
地価、酸塩、亜硫酸水素塩、青酸塩、シアン酸塩、チオ
シアン酸塩、硝酸塩の残基、および水酸基があげられる
。−1 (4)同第9頁終行から第1O負第3行の、「テトラフ
ェニルホスホニウムクロリド・・・・・・混合物。」と
あるを下記のように訂正する。
[テトラフェニルホスホニウムクロリドおよびこれらク
ロリドに対応するプロミド、アイオダイド、ハイドロオ
キサイド、硫酸塩、リン酸塩、酢酸塩、硫酸水素塩、リ
ン酸水素塩、リン酸二水素塩、炭酸塩、炭酸水素塩、亜
硫酸塩、亜硫酸水素塩、青酸塩、シアン酸塩、チオシア
ン酸塩、硝酸塩、あるいはそれらの混合物。」 (5)同第12頁第9−17行の、[本発明において・
・・・・・できる。」を削除する。、。
以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.4−ジアミノ−2,3−ジハロゲノアントラキノン
    を水性媒体中、脱酸剤の存在下、第4級アンモニウム化
    合物および/または第4級ホスホニウム化合物の存在下
    にフェノールと反応させる事を特徴とする1、4−ジア
    ミノ−2,8−ジフェノキシアントラキノンの製造方法
    。 \
JP1583583A 1983-02-01 1983-02-01 1,4−ジアミノ−2,3−ジフエノキシアントラキノンの製造方法 Pending JPS59142253A (ja)

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