JPS5913352A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5913352A JPS5913352A JP57122474A JP12247482A JPS5913352A JP S5913352 A JPS5913352 A JP S5913352A JP 57122474 A JP57122474 A JP 57122474A JP 12247482 A JP12247482 A JP 12247482A JP S5913352 A JPS5913352 A JP S5913352A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- radiator plate
- semiconductor element
- semiconductor device
- heat sink
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は両面冷却形半導体素子を用いて半導体装置を
作成する場合にその半導体装置を小形・軽量化すること
ができる半導体装置に関するっ ゛ 〔発明の技術的背景〕 半堺体素子上に設けられた電極のカソード側よりアノー
ド側の方が大きい両面冷却形の整流素子を用いて第１図
に示すようなダイオード１〜４よりなる整流ブリッジを
構成する場合について考える。従来、コンＡ／クトな組
立が要請される場合には両面冷却形素子を実質的に片面
冷却モ使用し、第２図に示すように２つの電気的に絶縁
された放熱板５．６上に共通端子を有する２つの素子１
〜４を押圧して、端子ａとａ１１端子ｂ 、！： ｂ’
とを接続していた。ここで、７〜１０は絶縁板、１１〜
１４はベルベルワッシャ、１５及び１６はそれぞれ上記
ベルベルワッシャ１１〜１４に圧力を加えるための平板
、１ｒ及び１８はそれぞれ締めつけ用？ルトである。
作成する場合にその半導体装置を小形・軽量化すること
ができる半導体装置に関するっ ゛ 〔発明の技術的背景〕 半堺体素子上に設けられた電極のカソード側よりアノー
ド側の方が大きい両面冷却形の整流素子を用いて第１図
に示すようなダイオード１〜４よりなる整流ブリッジを
構成する場合について考える。従来、コンＡ／クトな組
立が要請される場合には両面冷却形素子を実質的に片面
冷却モ使用し、第２図に示すように２つの電気的に絶縁
された放熱板５．６上に共通端子を有する２つの素子１
〜４を押圧して、端子ａとａ１１端子ｂ 、！： ｂ’
とを接続していた。ここで、７〜１０は絶縁板、１１〜
１４はベルベルワッシャ、１５及び１６はそれぞれ上記
ベルベルワッシャ１１〜１４に圧力を加えるための平板
、１ｒ及び１８はそれぞれ締めつけ用？ルトである。
しかし、従来において第１図のような整流ブリッジを構
成する場合には複数の放熱板５．６を互いに電気的に絶
縁して配置する必要がある。
成する場合には複数の放熱板５．６を互いに電気的に絶
縁して配置する必要がある。
また、上記放熱板５，６を水冷する場合には放熱板５と
放熱板６間には直流電圧が印加されているため電食の危
険性があるという欠点があった。
放熱板６間には直流電圧が印加されているため電食の危
険性があるという欠点があった。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
は両面冷却形半導体素子を用いて半導体装置を作成する
場合にその半導体装置を小形・軽量化するようにした半
導体装置を提供することにある。
は両面冷却形半導体素子を用いて半導体装置を作成する
場合にその半導体装置を小形・軽量化するようにした半
導体装置を提供することにある。
両面冷却形半導体素子を半導体装置を作成する場合に半
導体素子の電極面積の大きい側（アノード側）にのみ半
導体素子と放熱板間に電気的絶縁物を介在させるように
して半導体装置の小形・軽量化を計っている。
導体素子の電極面積の大きい側（アノード側）にのみ半
導体素子と放熱板間に電気的絶縁物を介在させるように
して半導体装置の小形・軽量化を計っている。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
この発明に係る半導体装置を用いて第１図に示すような
整流回路を実現すると第３図のようになる。ここで、第
２図のようなｗＩｔ５１２の場合には素子３．４と放熱
板６間の熱抵抗は、素子１．２と放熱板６との熱抵抗よ
り大きい。
整流回路を実現すると第３図のようになる。ここで、第
２図のようなｗＩｔ５１２の場合には素子３．４と放熱
板６間の熱抵抗は、素子１．２と放熱板６との熱抵抗よ
り大きい。
従って、第２図で示されたブリッジで通電できる電流で
通電できる電流は素子３．４の放熱条件で決まり、素子
１．２は熱的に余裕をもって使用されることになる。こ
のような点を考えて、電極面積の大きい素子１．２側の
素子と放熱板５間に絶縁物を介すことＫより、放熱板５
の電位は素子の電位とは無関係とすることができる。
通電できる電流は素子３．４の放熱条件で決まり、素子
１．２は熱的に余裕をもって使用されることになる。こ
のような点を考えて、電極面積の大きい素子１．２側の
素子と放熱板５間に絶縁物を介すことＫより、放熱板５
の電位は素子の電位とは無関係とすることができる。
第３図においては素子１〜４に対する放熱板として１つ
の放熱板５が共通のものとして使用されている。そして
、電極面積が大きいアノード側が上記放熱板５に近い素
子１．２に対してのみ素子と放熱板５間に窒化アルミや
ＳＩＣなどの電気的に絶縁体で熱的には導体である絶縁
物１９を介在させている。まりａ＠ ａ’ ＠ ｂ 、
ｂ’ ＊ｄ 、 ｄ’は銅板の端子で、第１図の端子
Ｃに相当する端子は放熱板５によりなされる。そして、
第３図に示すように１つの放熱板５上に素子１〜４を載
置し、ベルペルワッシャ１１〜Ｉ４を介して平板１５．
１６をがルト１７．１８を上記放熱板５に締めつけるこ
とにより組立てている。
の放熱板５が共通のものとして使用されている。そして
、電極面積が大きいアノード側が上記放熱板５に近い素
子１．２に対してのみ素子と放熱板５間に窒化アルミや
ＳＩＣなどの電気的に絶縁体で熱的には導体である絶縁
物１９を介在させている。まりａ＠ ａ’ ＠ ｂ 、
ｂ’ ＊ｄ 、 ｄ’は銅板の端子で、第１図の端子
Ｃに相当する端子は放熱板５によりなされる。そして、
第３図に示すように１つの放熱板５上に素子１〜４を載
置し、ベルペルワッシャ１１〜Ｉ４を介して平板１５．
１６をがルト１７．１８を上記放熱板５に締めつけるこ
とにより組立てている。
次に、この発明の他の実施例を第４図を用いて説明する
。この実施例においては第１図に示すブリッジを構成す
る場合に、素子１及び３を２つの水冷放熱板２１及び２
２間に直列に接続し、上記素子１と素子３間には電流端
子ａを介在させている。そして、電極面積の大きいアノ
ード側が放熱板２ノに近い素子１に対してのみ放熱板２
１間に電気的に絶縁体で熱的には導体である絶縁物１９
を介在させ、デル） ２３ 、２４とベルペルワッシャ
２５．２６で押圧されて組み立てられている。そして、
２７は、冷却水が通るパイプである。また、素子２．４
に対しても同様に組み立てて所定の端子を接続すると、
第１図に示すようなブリッジを作成することができる。
。この実施例においては第１図に示すブリッジを構成す
る場合に、素子１及び３を２つの水冷放熱板２１及び２
２間に直列に接続し、上記素子１と素子３間には電流端
子ａを介在させている。そして、電極面積の大きいアノ
ード側が放熱板２ノに近い素子１に対してのみ放熱板２
１間に電気的に絶縁体で熱的には導体である絶縁物１９
を介在させ、デル） ２３ 、２４とベルペルワッシャ
２５．２６で押圧されて組み立てられている。そして、
２７は、冷却水が通るパイプである。また、素子２．４
に対しても同様に組み立てて所定の端子を接続すると、
第１図に示すようなブリッジを作成することができる。
上記した素子１〜４の具体例として第５図及び第６図釦
示したようなダイオード、第７図に示したような大電力
用トランジスタがあげられる。ここで、＠５図において
、３ノはｋＪよりなるカソード電極、３２は人！層、３
３はタングステンより表るアノード電極である。また、
第６図において４１及び４２はそれぞ−れ電極端子、４
３はペレット、４４は絶縁筒である。さらに１第７図に
おいて５１は人！よりなるエミッタ電極、５２はタング
ステンよりなるコレクタ電極である。
示したようなダイオード、第７図に示したような大電力
用トランジスタがあげられる。ここで、＠５図において
、３ノはｋＪよりなるカソード電極、３２は人！層、３
３はタングステンより表るアノード電極である。また、
第６図において４１及び４２はそれぞ−れ電極端子、４
３はペレット、４４は絶縁筒である。さらに１第７図に
おいて５１は人！よりなるエミッタ電極、５２はタング
ステンよりなるコレクタ電極である。
以上詳述したようにこの発明によれば、両面冷却形半導
体素子を用いてブリッジ等の半導体装置を作成する場合
に、半導体素子の電極面積の大きい側にのみ半導体素子
と放熱板間に絶縁物を介在させて半導体素子を電気的に
冷却体と絶縁させるようにしたので、半導体装置を小形
・軽微化させることができる。また、放熱板を水冷させ
る場合に放熱板間に直流電圧が印加され、電食が起こる
ため従来は純水を使用しなければならず、その純度の確
保が厄介であったが、その純度を考慮する必要をなくす
ことができる。
体素子を用いてブリッジ等の半導体装置を作成する場合
に、半導体素子の電極面積の大きい側にのみ半導体素子
と放熱板間に絶縁物を介在させて半導体素子を電気的に
冷却体と絶縁させるようにしたので、半導体装置を小形
・軽微化させることができる。また、放熱板を水冷させ
る場合に放熱板間に直流電圧が印加され、電食が起こる
ため従来は純水を使用しなければならず、その純度の確
保が厄介であったが、その純度を考慮する必要をなくす
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はブリッジを示す回路図、第２図（〜及び（Ｂ＋
は第１図に示したブリッジを実現する従来の半導体装置
を示す図、第３図はこの発明の一実施例を示す半導体装
置を示す図、第４図はこの発明の他の実施例を示す半導
体装置を示す図、第５図ないし第７図はそれぞれ半導体
菓子を示す図である。 １〜４・・・半導体菓子、５．６・・・放熱板、７〜１
０・・・絶縁板、１１〜１４・・・ベルペルワッシャ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 豚箱１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 １ Ｍ７図
は第１図に示したブリッジを実現する従来の半導体装置
を示す図、第３図はこの発明の一実施例を示す半導体装
置を示す図、第４図はこの発明の他の実施例を示す半導
体装置を示す図、第５図ないし第７図はそれぞれ半導体
菓子を示す図である。 １〜４・・・半導体菓子、５．６・・・放熱板、７〜１
０・・・絶縁板、１１〜１４・・・ベルペルワッシャ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 豚箱１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 １ Ｍ７図
Claims (1)
- 少くとも１つのｐｎ接合を有し、その両面にそれぞれ面
′積の異る電極を有する半導体素子を複数個、冷却体間
に押圧して使用する半導体装置において、上記半導体素
子の電極面積の大きい側にのみ上記半導体素子と冷却体
間に電気的絶縁物を介在させたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122474A JPS5913352A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122474A JPS5913352A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913352A true JPS5913352A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14836738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57122474A Pending JPS5913352A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913352A (ja) |
-
1982
- 1982-07-14 JP JP57122474A patent/JPS5913352A/ja active Pending
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