JPS59122207A - 電流源 - Google Patents

電流源

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Publication number
JPS59122207A
JPS59122207A JP58235977A JP23597783A JPS59122207A JP S59122207 A JPS59122207 A JP S59122207A JP 58235977 A JP58235977 A JP 58235977A JP 23597783 A JP23597783 A JP 23597783A JP S59122207 A JPS59122207 A JP S59122207A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
coupled
supply voltage
voltage terminal
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58235977A
Other languages
English (en)
Inventor
エム・フアヒ−ム・アクラム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of JPS59122207A publication Critical patent/JPS59122207A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S323/00Electricity: power supply or regulation systems
    • Y10S323/907Temperature compensation of semiconductor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 発明の分野 本発明は、一般に電流源(二関゛し、更に具体的には、
高いインピーダンスを維持しながら発振を補償するよう
(二接続された比較的小さなコンデンサと抵抗を有する
電流源に関する。
背景技術 既知電流源の幾つかはバイアス電圧(:接続されたベー
スを有し、供給電圧の間に結合されたコレクタとエミッ
タを有する第1のNPN )ランジスタからなる。第2
のNPN )ランジスタは第1のトランジスタのコレク
タに接続されたベースと供給電圧の間に結合されたコレ
クタとエミッタとを有する。PNP )ランジスタは供
給電圧の1つと第1及び第2のトランジスタのコレクタ
との間(=結合されて該トランジスタに゛電流を供給す
る。
第1及び第2のNPNトランジスタとPNP )ランジ
スタを含む帰還ループは電流出力に現われる発振を惹起
する。回路を安定化させる1つの良く用いられた方法は
第1トランジスタのベースと接地との間に比較的大きな
コンデンサ、すなわち100ピコフアラドを結合するこ
と(二より与えられた。
池の補償法は第1トランジスタのベースとコレクタヲ結
合し、これによりトランジスタのベースにミラー増倍キ
ャパシタンスを与えることにより得られた。
しかしながら、第2トランジスタのエミッタが接地され
たため、第1トランジスタのコレクタ(二おけるインピ
ーダンスはそれ程高くはなく、又、利得が非常(二低い
ので生成された極の周波数は十分には低くなかった。
従って、第1 トランジスタのコレクタにおける高イン
ピーダンスを通してミラー増倍効果を与えてオンチップ
コンデンサの面積消費が低減される電流源回路が必要と
なる。
発明の要約 以上より、本発明の目的は改良された電流源を与えるこ
とにある。
本発明の池の目的は実質的に面積消費がイへ減された発
振補償コンデンサを有する電流源を与えることにある。
本発明の更に曲の目的はミラーコンデンサにより生成さ
れる極の他に得られるゼロを有する電流源を与えること
にある。
本発明の上記の目的及び他の目的を1つの形で実施する
に際して第1及び第2のNPN )ランジスタを有する
改良された電流源回路が与えられる。第1トランジスタ
のベースにバイアス装置を接続し、回路の出力電流カ\
゛決定される。第2トランジスタのベースは第1)ラン
ジスタのコレクタ(二結合される。第1トランジスタの
ベースと第2トランジスタのエミッタとの間に周波数補
償コンデンサが結合され、第2トランジスタのエミッタ
は更に抵抗体により接地に結合される。この配列はこれ
により作られた極の他にゼロを供給してミラー増倍効果
を維持する。抵抗体は第1トランジスタのコレクタ(1
高インピーダンスを惹起し、より高い一段あたりの利得
を与え、従ってミラーキャパシタンス値が増加する。
本発明の上記の目的及び他の目的2%徴、及び利点は添
付図面と共に与えられる以下の詳細な説明からより十分
(二理解されるであろう。
図面かられかるように、ディスクリート素子と共に集積
回路の形での製造(二連した電流源回路10が示される
。電流源PNP )ランジスタ12 、14 。
1<S 、 18はそれぞれ抵抗体22.24.26 
、28 +二より電圧端子に結合されたエミッタと、相
互接続されたベースとを有する。トランジスタ12のコ
レクタは回路10のための出力としての電流Iを供給す
る。
トランジスタ14のコレクタはノード30に結合され、
該ノードはダイオード32のアイード及びトランジスタ
64のベースに接続される。抵抗体66は電圧端子38
とダイオード52のカソードとの間(二結合される1抵
抗体40はノード30と電圧端子ろ8との間に結合され
、該端子は、例えば、接地される。トランジスタ14と
抵抗体24は抵抗体66゜40及びダイオード32(二
室流Iを与え、該ダ・イオードはトランジスタろ4のバ
イアスを与える。
トランジスタ64はトランジスタ16のコレクタに接続
されたコレクタと電圧端子6B(=接続されたエミッタ
とを有する。トランジスタ42はトランジスタ18のコ
レクタとベースとに接続されたコレクタ及びトランジス
タ54のコレクタに接続されたベースとを有する。トラ
ンジスタ42のエミッタは抵抗体44により電圧端子3
8に結合される。コンデンサ46はトランジスタ′54
のベースとトランジスタ42のエミッタとの間に結合さ
れる。
既知電流源回路においては、コンデンサ46はトランジ
スタ54のベースとコレクタとの間に結合され、これ(
二よりミラー増倍効果の利点が得られ、又、トランジス
タ42のエミッタは直接接地に接続された。トランジス
タ42のエミッタを接地することζ二よ1)、トランジ
スタ64のコレクタはそれ程高くはならなかった。従っ
て、ミラー増倍キャパシタンスは小さく、これζ二より
周波数的に十分小さくない極が与えられた。
トランジスタ64のベースとトランジスタ42のエミッ
タとの間にコンデンサ46を結合することにより、トラ
ンジスタ34のコレクタ及びトランジスタ42のエミッ
タにおける位相関係はほぼ同じになる。抵抗体44を付
加するとトランジスタ34のコレクタにおけるインピー
ダンスははるかに大きくなり、その電圧利得が増加する
。トランジスタ42のベース対エミッタ接合前後の電圧
利得は1であり、従ってミラー増倍効果が維持される。
更に、数(二より粗く決められる。このゼロを適切に選
択することにより、2つの低周波数極の1つの効果が相
殺され、従って実質的に単一極の応答を有するシステム
が生成される。
以上により、実質的に低減された面積消費を必要とする
周波数補償コンデンサを有する改良された電流源回路が
与えられる。コンデンサから得られる極(−加えてゼロ
が生成される一方高インピーダンスが維持される。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の電流源回路の概略図である。。 10・・・電流源回路 12 、14 、16・・・電流源PNP )ランジス
タ22 、24 、26 、28 、36.40 、4
4・・・抵抗体I・・・電流 18.34,42・・・トランジスタ 32・・・ダイオード 30・・・ノード 38・・・電圧端子 46・・・コンデンサ 特許出願人  モトローラ・インコーボレーテニ代理人
 弁理士  玉蟲久

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  第1の供給電圧端子と第2の供給電圧端子と
    を有する電流源にして、 該第1及び第2の供給電圧端子に結合され、バイアス電
    圧を設定するバイアス装置と、制御電極を該装置に結合
    させ、第1電流導通電極を前記第1の供給電圧端子に結
    合させ、第2電流導通電極を前記第2の供給電圧端子に
    結合させた第1トランジスタと、 制御電極を前記第1 トランジスタの前記第1電流導通
    電極に結合させ、第1電流導通電極を、前記第1の供給
    電圧端子(−結合させた第2トランジスタと、 前記第1トランジスタの前記制御電極と前記第2トラン
    ジスタの第2制御電極との間に結合されたコンデンサと
    、 前記第2トランジスタの前記第2電流導通電極と前記第
    2供給電圧端子との間(二結合された第1の抵抗装置、 とからなる電流源回路。
  2. (2)  前記のバイアス装置は、 前記第1トランジスタの前記制御電極と前記第2の供給
    電圧端子との間に結合された第2の抵抗装置と、 前記第2の抵抗装置と前記第1の供給電圧端子との間に
    結合されバイアス電流を前記第2の抵抗装置に供給する
    第5トランジスタと、前記第1の供給電圧端子と前記第
    3トランジスタに結合され前記バイアス電流にほぼ類似
    した出力電流を与える第4トランジスタとからなる特許
    請求の範囲第1項に記載の電流源回路。
JP58235977A 1982-12-27 1983-12-14 電流源 Pending JPS59122207A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US453329 1982-12-27
US06/453,329 US4500831A (en) 1982-12-27 1982-12-27 Current source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59122207A true JPS59122207A (ja) 1984-07-14

Family

ID=23800129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58235977A Pending JPS59122207A (ja) 1982-12-27 1983-12-14 電流源

Country Status (3)

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US (1) US4500831A (ja)
EP (1) EP0115003A1 (ja)
JP (1) JPS59122207A (ja)

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US4500831A (en) 1985-02-19
EP0115003A1 (en) 1984-08-08

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