JPS5911605A - Magnetic recording element - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 気材料の連続層を与える主表面を有する非磁気基板を含
む磁気記録素子に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A magnetic recording element includes a non-magnetic substrate having a major surface providing a continuous layer of a gaseous material.

（デイジタル型の）磁気記録装置は、伝達ヘッド（また
は書込み／読出しヘッド）が、（ディジタル）データを
記録するように磁気記録素子上の小領域を磁化し、デー
タを読出す磁化領域を走査するために用いられる。従来
、唯一の商業的に有用な装置は素子の主要表面に平行な
磁化容易軸を有する縦方向磁気記録を素子上に用いる。(Digital) magnetic recording devices have a transmission head (or write/read head) that magnetizes a small area on a magnetic recording element to record (digital) data and scans the magnetized area to read data. used for To date, the only commercially available devices use longitudinal magnetic recording on the device with the easy axis of magnetization parallel to the major surface of the device.

縦方向磁気記録では、透磁性が大きい材料のコアを有す
る環状のヘッドを使用し、狭い間隙を設け、この間隙を
フラックスと結合関係にある磁気記録素子の移動方向に
横断して置く。コアに巻付けたコイルに加えた電流パル
スは、間隙の一端、間隙付近の磁気部分、および間隙の
他端を含む通路に沼って閉鎖するコア内に磁気フラック
スのラインを発生する。この方法で磁気層を通過するフ
ラックスは、その影響でデータを記録する。データを読
出す際に素子上の磁化領域が間隙を越えて移動する場合
、フラックスラインがコイルを通過し内蔵情報を表示す
る電気信号を誘起する結果として、コアを介してフラッ
クスの密閉が実現される。Longitudinal magnetic recording uses an annular head with a core of highly permeable material and a narrow gap placed across the direction of movement of the magnetic recording element in coupling relationship with the flux. A current pulse applied to a coil wound around the core generates a line of magnetic flux within the core that swamps and closes a passageway that includes one end of the gap, the magnetic portion near the gap, and the other end of the gap. The flux passing through the magnetic layer in this way records data under its influence. If the magnetized region on the element moves across the gap when reading data, a flux seal is achieved through the core as a result of the flux line passing through the coil and inducing an electrical signal that displays the built-in information. Ru.

この種の縦方向磁気記録装置の欠点は、素子が、限られ
た直線ビット密度だけを取扱えることにある。この制限
は、磁気層の磁化領域を磁気的に素子の縦方向に置いた
ために生じる。この縦方向記録方法は、情報トラックの
直線儂当りに貯えられる接合点の数が制限される結果と
して、ビット境界で一定の最大減磁界を示す。A disadvantage of this type of longitudinal magnetic recording device is that the device can only handle a limited linear bit density. This limitation arises because the magnetized regions of the magnetic layer are magnetically placed in the longitudinal direction of the element. This longitudinal recording method exhibits a constant maximum demagnetizing field at the bit boundaries as a result of the limited number of junctions that can be stored per linear section of the information track.

縦方向磁気記録によって設けられるものよりもかなり高
い直線ビット密度を達成するために、原則として磁気記
録の垂直方法を使用することができる。垂直磁気記録に
おいて、磁気素子表面に垂直方向に向いた磁区を生じる
ように、磁気層の平面において磁気層を縦方向に通過す
る代りに、磁気フラックスは上部から下部まで磁気層を
横断して通過する。この記録方法はビット境界で最小減
磁界を示し、その結果、縦方向磁気記録装置における接
合点の数と比較して、磁気素子の直ａｃｍ当りの一層大
きい数の垂直方向に向いた接合点を収容することができ
る。In principle, perpendicular methods of magnetic recording can be used to achieve linear bit densities considerably higher than those provided by longitudinal magnetic recording. In perpendicular magnetic recording, instead of passing longitudinally through the magnetic layer in the plane of the magnetic layer, the magnetic flux passes across the magnetic layer from top to bottom, resulting in magnetic domains oriented perpendicular to the magnetic element surface. do. This recording method exhibits a minimum demagnetizing field at the bit boundaries, resulting in a greater number of vertically oriented junctions per vertical acm of magnetic element compared to the number of junctions in longitudinal magnetic recording devices. can be accommodated.

一ヒ記から明らかなように、垂直磁気記録は縦方向磁気
記録よりも大きい直線書込み密度を伴う。As is clear from the above, perpendicular magnetic recording involves a greater linear writing density than longitudinal magnetic recording.

しかし、縦方向磁気記録が大規模に市販品として使用さ
れているのに対して、垂直磁気記録はまだ試験段階であ
る。しかし、垂直磁化を商品規模で使用していない理由
のひとつは、垂直磁気記録の利点を十分に実現できる適
当な記録材料がまだ手に入らないからである。However, while longitudinal magnetic recording is used commercially on a large scale, perpendicular magnetic recording is still in the experimental stage. However, one of the reasons why perpendicular magnetization has not been used on a commercial scale is that suitable recording materials that can fully realize the advantages of perpendicular magnetic recording are not yet available.

アイ・イー・イー・トランスアクションズ・オン・マグ
ネチツクス、第Ｍａｇ　−１７巻、第６号、１９８１年
１１月、第８１７２〜７４頁（１）に記載されたスギタ
らＫよる論文「真空蒸着によるＣｏ　−Ｃｒ垂直記録媒
体」には、蒸着したＣｏ□−ｘＣｒＸフィルムの用途と
して垂直磁気記録が記述されている。この種のフィルム
の飽和磁化（σ８）はｘ（ｘ）０．２５にてσ　ｚＯ）
の値が増大すると共に極めて減少する。The article by Sugita et al. K. published in IE Transactions on Magnetics, Vol. 17, No. 6, November 1981, pp. 8172-74 (1), “Co -Cr Perpendicular Recording Media'' describes perpendicular magnetic recording as an application of the vapor-deposited Co□-xCrX film. The saturation magnetization (σ8) of this type of film is σ zO) at x (x) 0.25
decreases significantly as the value of increases.

高いσ８値は低濃度のＣｒを用いて得られる。垂直記録
材料としてＣｏ　−Ｃｒフィルムを使用するには、高い
σ８値のほかに高い保磁力Ｈ８が必要である。High σ8 values are obtained using low concentrations of Cr. The use of Co--Cr films as perpendicular recording materials requires a high coercive force H8 in addition to a high σ8 value.

さらに、磁化は基板面に垂直でなければならない。Furthermore, the magnetization must be perpendicular to the substrate plane.

これら特別な要求は比較的高濃度のＣｒを使用する場合
にのみ実現される。これは、σ８がまだあまり減少して
おらず、しかも、垂直対称の要求をすでに満足している
ため、最適温度を見出す必要があることを示している。These special requirements are only realized when using relatively high concentrations of Cr. This indicates that it is necessary to find the optimum temperature because σ8 has not yet decreased much and has already satisfied the requirement of vertical symmetry.

この種のノくラメ−ターの最適な組合せは多方面の刊行
物に記載されてきた。Optimal combinations of parameters of this type have been described in various publications.

第１表 参　　照　　σ　（−）　　　σ　（ｅｍｖ’ｃｍ３）
　　　Ｈｏ（ｋＡ／ｍ　）ｓ　　　　　　　　　　　　
Ｒ上 スギタら　（ＩＪ　　　　２８０　　　　　　　６０　
　　　　　５６マエダら　（２１２１０２４２４−８２
コバヤシら（８）　　　　８１７　　　　　　１００　
　　　　　８０（注：σ　はフィルムに対し垂直方向に
測定したＲ↓ 残留磁気を示す）。See Table 1 σ (-) σ (emv'cm3)
Ho(kA/m)s
R Uesugita et al. (IJ 280 60
56 Maeda et al. (212102424-82
Kobayashi et al. (8) 817 100
80 (Note: σ indicates R↓ remanence measured perpendicular to the film).

参照：マエダら、日本国のジャーナル・オン・アプライ
ド・フィジックス、２０　、１９８１．１Ｌ４６７〜Ｌ
４６９員（２）、およびケイ・コバヤシら、ジャーナル
・オン・アプライド・フィジックス、５２．１９８１年
８月、第２４５８〜５５頁（８）。Reference: Maeda et al., Japanese Journal on Applied Physics, 20, 1981.1L467-L
469 members (2), and K. Kobayashi et al., Journal on Applied Physics, 52. August 1981, pp. 2458-55 (8).

本発明の目的はかなり改良された嚇性を有する垂直記録
方法のための記録媒体を提供することである。It is an object of the present invention to provide a recording medium for perpendicular recording methods with considerably improved recording properties.

この目的は上記種類の記録媒体によって達成され、層が
１原子％以上、多くて５原子％までの分量のｐｔを含有
することを特徴とする。This object is achieved by a recording medium of the type mentioned above, characterized in that the layer contains an amount of pt of at least 1 atomic % and at most up to 5 atomic %.

前記少量のｐｔをＣｏ　−Ｃｒ合金、特に１５〜８０原
子％のＣｒを含むＣｏ　−Ｃｒ合金に添加すると、１０
０％以上の飽和磁化σ８の増加となり、垂直異方性およ
び高い値の保持力を維持する。これら合金の公称組成を
次に示す。When the small amount of pt is added to a Co-Cr alloy, especially a Co-Cr alloy containing 15 to 80 at.% Cr, 10
The saturation magnetization σ8 increases by 0% or more, and perpendicular anisotropy and high coercive force are maintained. The nominal compositions of these alloys are shown below.

Ｃ０Ｏ−ＸＣｒｘＰｔｙ（式中、０　（ｘ　（ｌおよび
０．０１　（ｙ　（０，０５である）。C0O-XCrxPty, where 0 (x (l and 0.01 (y) is 0,05).

以下、本発明の実施例を図面に基づき説明する。・第１
ａ図および第１ｂ図は伝達ヘッド１１および記録素子１
４を備えた垂直記録用装置の側面図およびこの装置に使
用する伝達ヘッドの断面図である。高導磁性の材料、例
えば８０原子％のニッケルおよび２０原子％の鉄から成
るニッケルー鉄合金のＵ形コアｌは、分子蒸着技術、例
えばスパッタリングによって、基板２に薄層を形成して
設ける。コア１は中間のコア部分５を介して相互に連結
する伝達リム８およびフラックスリターンリム４を有す
る。第１ｂ図に示すように、伝達リム８の領域ではコア
１０層厚はｄ工であり、フラックスリターンリム４の領
域ではｄ２であり、ｄｇ’＞ｄｏであるが、また伝達リ
ム８の端部の幅はＷ□であり、フラックスリターンリム
４の端部の幅はｗ２である。従ってリム８の端部の断面
積（これば単位表面積当りの達成できるビット密度を決
定する）はＷ１ａ工であり、リム４の断面積はｗ２ｄ２
である。Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.・First
Figures a and 1b show the transmission head 11 and recording element 1.
FIG. 4 is a side view of a device for perpendicular recording equipped with 4 and a sectional view of a transmission head used in this device. A U-shaped core I of a highly magnetically conductive material, for example a nickel-iron alloy consisting of 80 atom % nickel and 20 atom % iron, is provided in a thin layer on the substrate 2 by molecular vapor deposition techniques, for example sputtering. The core 1 has a transmission rim 8 and a flux return rim 4 which are interconnected via an intermediate core section 5 . As shown in FIG. 1b, in the region of the transmission rim 8 the core 10 layer thickness is d, and in the region of the flux return rim 4 it is d2, dg'>do, but also at the end of the transmission rim 8. The width of the flux return rim 4 is W□, and the width of the end of the flux return rim 4 is w2. Therefore, the cross-sectional area of the end of rim 8 (which determines the achievable bit density per unit surface area) is W1a, and the cross-sectional area of rim 4 is W2d2.
It is.

コイル６を伝達リム８０周りに設ける。コイル６を付勢
するときリム番が書込まないために、Ｗ２ｄ。A coil 6 is provided around a transmission rim 80. W2d because the rim number is not written when the coil 6 is energized.

はＷｌｄｌよりもかなり大きくなければならず、少なく
とも５〜１０倍の大きさが好ましい。記録素子１４が第
１ａ図に示すように、速度Ｖで紙面に垂直に動くと、０
．１〜１μｍである伝達リムＢの端部の厚さ寸法ｄ□は
、直線傭当りのフラックス接合数を決定する。次いで２
〜２０μｍである伝達リム８０幅寸法Ｗ□は、記録素子
に書込まれるトラックの幅を決定する。操作中に、コア
ｌは例えば移動磁気記録素子１４より上の高さｂである
。must be significantly larger than Wldl, preferably at least 5-10 times larger. When the recording element 14 moves perpendicularly to the plane of the paper at a speed V as shown in FIG.
．． The thickness dimension d□ of the end of the transmission rim B, which is 1-1 μm, determines the number of flux connections per straight line. then 2
The transmission rim 80 width dimension W□, which is ~20 μm, determines the width of the track written to the recording element. During operation, the core l is, for example, at a height b above the moving magnetic recording element 14.

いわゆるインコンタクト記録の場合、ｂはゼロである。In the case of so-called in-contact recording, b is zero.

磁気記録素子１４は垂直磁気異方性を有する磁気層７を
与える非磁気基板８を有する磁気ディスクまたはテープ
である。The magnetic recording element 14 is a magnetic disk or tape having a non-magnetic substrate 8 providing a magnetic layer 7 with perpendicular magnetic anisotropy.

データコード電流をコイル６に加える場合（１０巻の゛
コイルを示す）、磁気フラックスのための閉路をリム８
内に発生し、コア部分５、リム番、大きい断面積を有す
る空気間隙Ｓ１、磁気層７、もどり路８、現実の記録を
生じるリム８に向い合っている磁気層７、小さい断面積
の空気間隙Ｓ２を介して、リム８に戻る。When applying the data code current to coil 6 (a 10-turn coil is shown), a closed circuit for the magnetic flux is created at rim 8.
The core part 5, the rim number, the air gap S1 with a large cross-section, the magnetic layer 7, the return path 8, the magnetic layer 7 facing the rim 8, which produces the actual recording, the air with a small cross-section It returns to the rim 8 via the gap S2.

所望の方法で電流極性を逆転すると、磁気層７において
垂直の向い合っている磁化を有する領域を形成する。Reversing the current polarity in the desired manner forms regions with perpendicular opposing magnetizations in the magnetic layer 7.

伝達リム８とフラックスリターンリム４との間の距離は
、書込み工程中に直接リム８からリム４にフラックスが
横切ることを十分に妨げる距離である。さらに、距離Ｓ
は例えば伝達リム８０周りにコイル６を収容するための
空間を与える。垂直磁気記録を最適に用いることができ
るために１寸法Ｗ□は２〜ｚＯμｍが好ましく、この場
合５μｍの寸法が特性値であり、一方、寸法ｄ□は０．
１〜１μｍ’ｈ’好ましく、この場合（１，２μｍの寸
法が特性値である。The distance between the transfer rim 8 and the flux return rim 4 is sufficient to prevent flux from traversing directly from the rim 8 to the rim 4 during the writing process. Furthermore, the distance S
provides a space for accommodating the coil 6 around the transmission rim 80, for example. In order to optimally use perpendicular magnetic recording, one dimension W□ is preferably 2 to zO μm, in which case a dimension of 5 μm is a characteristic value, while a dimension d□ is 0.0 μm.
1-1 .mu.m'h' is preferred, in which case (dimensions of 1.2 .mu.m are characteristic values).

第２図は、Ｘ方向で測定した書込みフィールドＨ（これ
は連結ワイヤ９．１０を介してコイル６を伺勢する際に
ヘッド１１によって発生する）を示す。伝達リム８の位
置に相当する領域Ｒ０において、書込みフィールドは極
めて高いが、フラックスリターンリム４の位置に相当す
る領域Ｒ８において、書込みフィールドは書込みのない
位置よりもはるかに低い。鋭角を有する書込みフィール
ドでは特異性が強く誤まって書込むことがあるので、フ
ラックスリターンリム４のコーナー１２゜１８をさらに
丸くする。読出し操作による読出し情報は、フシツクス
リターンリム４の１捕獲」断面が太きいと平均し、伝達
リム８によって読出される信号に少しも有効に寄与しな
いであろう。FIG. 2 shows the writing field H, which is generated by the head 11 when biasing the coil 6 via the connecting wire 9.10, measured in the X direction. In the region R0, which corresponds to the position of the transfer rim 8, the written field is quite high, but in the region R8, which corresponds to the position of the flux return rim 4, the written field is much lower than in the position without writing. The corners 12.degree. 18 of the flux return rim 4 are further rounded, since a writing field with an acute angle may have strong idiosyncrasies and cause erroneous writing. The readout information by the readout operation will average out if the 1-capture cross section of the fuss return rim 4 is thick and will not contribute any usefully to the signal read out by the transfer rim 8.

本発明によれば、磁気層７は少量のｐｔを添加したＣｏ
　−Ｃｒ合金を有する。この層の厚さは約５００ｎｍで
ある。According to the invention, the magnetic layer 7 is made of Co with a small amount of pt added.
-It has a Cr alloy. The thickness of this layer is approximately 500 nm.

マエダらによって記述された研究論文（２１には、蒸着
したＣｏ　　Ｃｒフィルムにおいて、六方相に加女て正
方（ｈｃｐ　）相を形成できることが論鉦された。ｈｃ
ｐ相と正方相の微結晶に同時に起る核生成と成長は、ｈ
ｃｐ相の結晶が基板表面に垂直＋ｔｌ＋　Ｃをもつ成長
方向を有するミクロ構造を生成するため厄介である。こ
の厄介な正方相を低い基板温度を用いて押えることがで
きる（１８０〜１５０℃）。In the research paper described by Maeda et al. (21), it was discussed that the hexagonal phase can be combined with the tetragonal (hcp) phase to form in the deposited CoCr film.hc
Simultaneous nucleation and growth of p-phase and tetragonal phase microcrystals occur at h
This is problematic because cp phase crystals produce microstructures with a growth direction with +tl+C perpendicular to the substrate surface. This troublesome tetragonal phase can be suppressed using low substrate temperatures (180-150°C).

基板の加熱は常に蒸着中に起るため、この種の低い基板
温度の正しい調整はむしろ困難である。マエダら（２）
により記述されたように、この種の低い基板温度は、所
望のｈｃｐ相を犠牲にして上記相の他にｆｃｃ相が形成
する危険を伴う。前記ｆｃｃ相の存在は、基板に垂直の
成長方向〔１０１〕を導くので極めて厄介であり、これ
によってｈｃｐ相の垂直な磁気答易軸が失われる。Correct adjustment of such low substrate temperatures is rather difficult, since heating of the substrate always occurs during deposition. Maeda et al. (2)
As described by, this kind of low substrate temperature carries the risk of the formation of an fcc phase in addition to the above-mentioned phases at the expense of the desired hcp phase. The presence of the fcc phase is extremely troublesome as it leads to a growth direction [101] perpendicular to the substrate, which results in the loss of the perpendicular magnetic susceptibility axis of the hcp phase.

本発明は核生成と成長の速度がＰｔの添加によりかなり
影響される事実に基づくものである。The invention is based on the fact that the rate of nucleation and growth is significantly influenced by the addition of Pt.

特に四方相とｆｃｃ相の生成を押えるため１％以上のｐ
ｔを添加して成功した。Ｘ線照射による金属フィルムの
研究によれば、微結晶の配向は六方Ｃ軸が基板に垂直で
ある方向に相当する。意外なことに、飽和磁化は極めて
増加する（２％のｐｔを添加するだけで１００％以上ま
で増加する）。In particular, P of 1% or more is used to suppress the formation of tetragonal and fcc phases.
The addition of t was successful. According to studies of metal films by X-ray irradiation, the orientation of the microcrystals corresponds to the direction in which the hexagonal C-axis is perpendicular to the substrate. Surprisingly, the saturation magnetization increases significantly (up to more than 100% by adding only 2% pt).

第８図は磁気測定の結果例を示す。さらにこの結果を第
２表に示す。FIG. 8 shows an example of the results of magnetic measurement. Further, the results are shown in Table 2.

第２表 ＣＯ□−ｘＣｒｘＰｔｙ　　σＳ（ｍＴ）Ｈｏ、ｋＶｍ
Ｈｏｌ、帽ｘ＝ｏ、２５　ｙ＝０．０５　５２　　８８
　　５６０．２！３　０．０５　８８　１２０　　４８
０．２５　０．０ｉｌｌ　　８８　１００　　４８．０
．２２　０．０８１０５　　７２　　４００．２８　０
．０８　７２　　６４　　　Ｂ２０．１８　０．０８　
７５　　８０　　４００．２２　０．０２　６２　　８
０　　４００．１８　０．０２　６８　　７２　　２８
比較のために、次の値： ｅ８−４ｇｍＴ　；　Ｈｏ、＝２８ｋＡ／ｍ　；　Ｈ，
、、＝２８ｋＡ７ｍを示すＣＯ□−ＸＣｒＸＰｔｙ合金
（ｘ＝０．２５およびＹ＝　０．０１　）を用いる。Table 2 CO□-xCrxPty σS (mT) Ho, kVm
Hol, hat x=o, 25 y=0.05 52 88
560.2!3 0.05 88 120 48
0.25 0.0ill 88 100 48.0
．． 22 0.08105 72 400.28 0
．． 08 72 64 B20.18 0.08
75 80 400.22 0.02 62 8
0 400.18 0.02 68 72 28
For comparison, the following values: e8-4gmT; Ho, = 28 kA/m; H,
A CO□-XCrXPty alloy (x=0.25 and Y=0.01) exhibiting ,,=28kA7m is used.

第８図はポリエステル合成樹脂の非磁気キャリヤ上に蒸
着した５００ｎｍ厚さのＣｏＯ，７８ＣｒＯ，２２Ｐｔ
Ｏ，０２層の室温でのヒステリシスループを示す図であ
る。垂直残留磁気の値σ□ユは平行残留磁気の値σ８い
をかなり越え、これは問題の合金を垂直記録法に極めて
よく適合させる。Figure 8 shows 500 nm thick CoO, 78CrO, 22Pt deposited on a non-magnetic carrier of polyester synthetic resin.
FIG. 3 is a diagram showing a hysteresis loop of the O,02 layer at room temperature. The value of the perpendicular remanence σ□Y significantly exceeds the value of the parallel remanence σ8, which makes the alloy in question extremely well suited for perpendicular recording methods.

層が１原子％以下のｐｔを含む場合、σ　はＲ工 σＲ１１よりも大きくない。If the layer contains 1 atomic % or less of pt, σ is It is not larger than σR11.

層の製造法を次に示す。金属のＣｏ　、　Ｃｒおよびｐ
ｔの蒸気混合物を、超高真空鐘に設置した石英基板上に
蒸着した。８個の各電子ビーム蒸発器によって蒸気混合
物が得られ、この蒸発速度は石英結晶オシレータによっ
て独立して制御することができる。基板温度は約２５０
℃である。８発生源（蒸発器）の幾何学的配置は、各コ
ーナーに発生源を有する正三角形に特徴がある。基板は
発生源から約８０儂の三角形の中心より上に垂直に存在
する、基板表面上の垂線に関して、蒸気フラックスの入
射角は約１５度である一蒸着速度は１０〜２０Ａ／秒で
変化する。蒸着のための超高真空系の基礎圧力は１．８
ＸＩＯ−８Ｐａ（１，８ｘｌＯ−”ｋｇｆ／（２”）よ
り良く、蒸着中はｌ　Ｘ　１　（１−Ｑ　Ｐａ　（ｌ　
Ｘ　ｌ　Ｏ−１０−１ｌ／２”）であった。The method for manufacturing the layer is shown below. Metals Co, Cr and p
A vapor mixture of t was deposited onto a quartz substrate placed in an ultra-high vacuum chamber. A vapor mixture is obtained by each of the eight electron beam evaporators, the evaporation rate of which can be independently controlled by a quartz crystal oscillator. The substrate temperature is about 250
It is ℃. The geometry of the eight sources (evaporators) is characterized by an equilateral triangle with a source at each corner. The substrate lies vertically above the center of the triangle about 80 degrees from the source; the angle of incidence of the vapor flux is about 15 degrees with respect to the normal on the substrate surface; the deposition rate varies from 10 to 20 A/sec. . The basic pressure of ultra-high vacuum system for vapor deposition is 1.8
XIO-8Pa (1,8xlO-"kgf/(2")) during vapor deposition.
X l O-10-1 l/2'').

上記方法は蒸着層の組成を変化させる場合、実験室規模
の実験に極めて適している。しかし、工場規模の生産に
は、一定の組成を決定する場合、所望の組成の合金から
成る単一蒸着源を使用するとよい。蒸着の他に、基板に
磁気層を設けるためにスパッタリングを用いることがで
きる。The above method is very suitable for laboratory scale experiments when changing the composition of the deposited layer. However, for factory-scale production, if a fixed composition is determined, a single source of alloy of the desired composition may be used. Besides vapor deposition, sputtering can be used to provide the magnetic layer on the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１ａ図は記録素子および伝達ヘッドを有する垂直型の
データ内蔵装置の側面図、 第１ｂ図は第１ａ図の伝達ヘッドにおける線Ｉｂ　−Ｉ
ｂの断面図、 第２図は第１図の伝達ヘッドを付勢した際のＸ軸に沿っ
た磁界Ｈを示すグラフであり、第８図は第１の２象限に
おけるＣｏ　−Ｃｒ　−Ｐｔ合金のσ−Ｈループを示す
グラフである。 ■・・・コア　　　　　　　２・・・基板８・・・伝達
リム ４・・・フラックスリターンリム ５・・・コア部分　　　　　６・・・コイル７・・・磁
気層 ８・・・非磁気基板またはもどり路 ９．１０・・・連結ワイヤ　　１１・・・ヘッド１２　
、１８・・・コーナー　　１４・・・記録素子。 特許出願人　　　エヌ・Ｋ−・フィリップス・フルーイ
ランベンファブリケン 同　弁理士　　　杉　　　村　　　興　　　作２７２ ＦＩＧ、３FIG. 1a is a side view of a vertical data-embedded device having a recording element and a transmission head, and FIG. 1b is a line Ib-I in the transmission head of FIG. 1a.
Fig. 2 is a graph showing the magnetic field H along the X axis when the transmission head of Fig. 1 is energized, and Fig. 8 is a graph showing the magnetic field H along the It is a graph which shows a (sigma)-H loop of. ■... Core 2... Substrate 8... Transmission rim 4... Flux return rim 5... Core part 6... Coil 7... Magnetic layer 8... Non-magnetic substrate or return path 9.10... Connection wire 11... Head 12
, 18... Corner 14... Recording element. Patent applicant N.K. Phillips Fluiran Benfabriken Patent attorney Ko Sugimura 272 FIG, 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 Ｌ　主成分としてｃｏおよびＣｒを有する磁気材料の連
続層を与え、この層が主表面に対し横断した磁気異方性
を示す前記主表面を有する非磁気基板を含む磁気記録素
子において、磁気材料がさらに１原子％以上、多くて５
原子％までの分量のｐｔを含有することを特徴とする磁
気記録素子。 ２　層が１５〜８０原子％のＣｒを含む特許請求の範囲
第１項記載の磁気記録素子。[Claims]L: Magnetic recording comprising a non-magnetic substrate having a major surface which is provided with a continuous layer of magnetic material having Co and Cr as principal components, said layer exhibiting magnetic anisotropy transverse to said major surface. In the device, the magnetic material further contains 1 atomic % or more, at most 5
A magnetic recording element characterized in that it contains pt in an amount of up to atomic percent. 2. The magnetic recording element according to claim 1, wherein the layer contains 15 to 80 atom % of Cr.