JPS5893296A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPS5893296A JPS5893296A JP19051781A JP19051781A JPS5893296A JP S5893296 A JPS5893296 A JP S5893296A JP 19051781 A JP19051781 A JP 19051781A JP 19051781 A JP19051781 A JP 19051781A JP S5893296 A JPS5893296 A JP S5893296A
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- Japan
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- varnish
- conductor wiring
- wiring
- film
- conductor
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＬＳＩパンケージ等に使用される多層配線基
板の製造方法に関する。
板の製造方法に関する。
従来この種配線基板の絶縁層の形成には以下にのべる３
種の方法が使用されている。第１の方法は、光硬化型の
ガラス・セラミックペーストを、スルーホールパターン
を有するスクリーンによって任意のパターンに印刷し、
焼成する方法である。
種の方法が使用されている。第１の方法は、光硬化型の
ガラス・セラミックペーストを、スルーホールパターン
を有するスクリーンによって任意のパターンに印刷し、
焼成する方法である。
この方法は、スクリーン印刷によって形成できる最小の
スルーホール寸法が２００μｍＸ２００μｍ程度である
ため、パッケージの高密度化のために要請される１５０
μ？？１Ｘ１５０μ？ｎ以下のスルーホールを形成でき
たいという欠点がある。また、ガラス・セラミック系の
絶縁ペーストの焼成を大気雰囲気で行々う場合には、配
線用の導体に高価な貴金属を使用しなければ力ら々い。
スルーホール寸法が２００μｍＸ２００μｍ程度である
ため、パッケージの高密度化のために要請される１５０
μ？？１Ｘ１５０μ？ｎ以下のスルーホールを形成でき
たいという欠点がある。また、ガラス・セラミック系の
絶縁ペーストの焼成を大気雰囲気で行々う場合には、配
線用の導体に高価な貴金属を使用しなければ力ら々い。
配線導体に卑金属を使用した場合には、酸素や水蒸気を
含まない雰囲気で焼成し々ければならない等の欠点があ
る。
含まない雰囲気で焼成し々ければならない等の欠点があ
る。
第２の方法は、光硬化型のガラス・セラミックペース）
を！布し、スルーホールパターンヲ有スるマスクを用い
て露光現像した後焼成する方法である。この場合は微細
々スルーホールを形成することは可能であるが、高温焼
成に伴なう前述の欠点は解決されない。
を！布し、スルーホールパターンヲ有スるマスクを用い
て露光現像した後焼成する方法である。この場合は微細
々スルーホールを形成することは可能であるが、高温焼
成に伴なう前述の欠点は解決されない。
第３の方法は、ポリアミドカルボン酸系のワニスを塗布
乾燥後、表面に感光性フォトレジストフィルムを貼シ付
けて、任意のパターンを有するマスクを用いて上記フォ
トレジストフィルムを露光現像してスルーホールに対応
する部分を開［１し、該レジストフィルムをエツチング
レジストプとじて前記ワニスをエツチングすることによ
ってスルーホールを形成した後加熱硬化させてポリイミ
ド被膜を形成する方法である。この方法は、エツチング
レジストを形成するために余分な工程を必要とする欠点
がある。
乾燥後、表面に感光性フォトレジストフィルムを貼シ付
けて、任意のパターンを有するマスクを用いて上記フォ
トレジストフィルムを露光現像してスルーホールに対応
する部分を開［１し、該レジストフィルムをエツチング
レジストプとじて前記ワニスをエツチングすることによ
ってスルーホールを形成した後加熱硬化させてポリイミ
ド被膜を形成する方法である。この方法は、エツチング
レジストを形成するために余分な工程を必要とする欠点
がある。
本発明の目的は、上述の従来の欠点を解決し、簡単な工
程で微細なスルーホールの形成が可能彦多層配線基板の
製造方法を提供することにある。
程で微細なスルーホールの形成が可能彦多層配線基板の
製造方法を提供することにある。
本発明の製造方法は、第１の導体配線が形成された配線
基板の表面に光硬化型の感光性を有するポリアミドカル
ボン酸系のワニスを塗布乾燥し、該ワニスの所望個所を
マスクして露光させたのち、現像用有機溶剤によって前
記ワニスの未露光部分を洗浄除去し、残ったワニスを加
熱硬化させてボ（８） リアミドカルボン酸をポリイミドに変えることによって
前記未露光部分にスルーホールを有する絶縁被膜を形成
し、該絶縁被膜上に第２の導体配線を形成して、前記第
１の導体配線と上記第２の導体配線とを前記スルーホー
ル部において接続することを牛〒徴とする。
基板の表面に光硬化型の感光性を有するポリアミドカル
ボン酸系のワニスを塗布乾燥し、該ワニスの所望個所を
マスクして露光させたのち、現像用有機溶剤によって前
記ワニスの未露光部分を洗浄除去し、残ったワニスを加
熱硬化させてボ（８） リアミドカルボン酸をポリイミドに変えることによって
前記未露光部分にスルーホールを有する絶縁被膜を形成
し、該絶縁被膜上に第２の導体配線を形成して、前記第
１の導体配線と上記第２の導体配線とを前記スルーホー
ル部において接続することを牛〒徴とする。
次に、本発明について、図面を参照して詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例における第１工程を示す断
面図で、セラミック基板１０上に形成された第１の導体
配線１２上に、光硬化型の感光性をもったボリア）゛ド
カルボン酸系ワニス１４を塗布する。上記ワニス１４は
、例えば「フォトニース」という商標で東し株式会社か
ら市販されているワニスを使用することができる。セラ
ミック基板１０の代りに、鉄又はアルミニウムなどの金
属板をポリイミド被膜等の絶縁物で被覆したものを基板
として用いても養い。導体配線１２は、セラミックへの
密着性を良好ならしめるため、スパッタデポジションに
よって厚さ１０００オンダスト（４） ロームのチタン睨を形成し、その上に同じくスパッタデ
ポジションによって厚さ５０００オングストロームの銅
膜を形成し、さらに電解メッキによって厚さ６μｍの銅
メッキ層と、銅表面保膜の為に無電解メッキにより形成
された厚さ３０００オングストロームの金メッキ膜で形
成することが望ましい。しかし、銅メッキ膜の選択エツ
チング法。
面図で、セラミック基板１０上に形成された第１の導体
配線１２上に、光硬化型の感光性をもったボリア）゛ド
カルボン酸系ワニス１４を塗布する。上記ワニス１４は
、例えば「フォトニース」という商標で東し株式会社か
ら市販されているワニスを使用することができる。セラ
ミック基板１０の代りに、鉄又はアルミニウムなどの金
属板をポリイミド被膜等の絶縁物で被覆したものを基板
として用いても養い。導体配線１２は、セラミックへの
密着性を良好ならしめるため、スパッタデポジションに
よって厚さ１０００オンダスト（４） ロームのチタン睨を形成し、その上に同じくスパッタデ
ポジションによって厚さ５０００オングストロームの銅
膜を形成し、さらに電解メッキによって厚さ６μｍの銅
メッキ層と、銅表面保膜の為に無電解メッキにより形成
された厚さ３０００オングストロームの金メッキ膜で形
成することが望ましい。しかし、銅メッキ膜の選択エツ
チング法。
金の選択メッキ法、金ペーストをスクリーン印刷した後
焼成する方法等で形成してもよい。前記ワニス１４の塗
布は、スピンコーティングと乾燥を数回くり返すことに
よって２０μｍの膜厚に形成することができる。上記乾
燥は８０゛Ｃ±８ ’Ｃで各２０〜３０分間程度で行な
う。その他、スプレーコーティングやローラーコーティ
ング等によって塗布しても良い。
焼成する方法等で形成してもよい。前記ワニス１４の塗
布は、スピンコーティングと乾燥を数回くり返すことに
よって２０μｍの膜厚に形成することができる。上記乾
燥は８０゛Ｃ±８ ’Ｃで各２０〜３０分間程度で行な
う。その他、スプレーコーティングやローラーコーティ
ング等によって塗布しても良い。
第２図は、第２工程を示す。すなわち、上記ワニス１４
の上ニスルーホールパターンヲ有スルマスク１６を１に
いて、紫外光１８によって露光する。
の上ニスルーホールパターンヲ有スルマスク１６を１に
いて、紫外光１８によって露光する。
本実施例では、水銀ランプの光源を使用し、−平方セン
チメートル当り１ （ｌ Ｏミリジュール程度の露光を
行々っだ。上記露光によりワニス１４の露光部分が硬化
する。スルーホールに対応する部分はマスクされて未露
光である。
チメートル当り１ （ｌ Ｏミリジュール程度の露光を
行々っだ。上記露光によりワニス１４の露光部分が硬化
する。スルーホールに対応する部分はマスクされて未露
光である。
第３図は、第３工程を示す。す力わち、ワニス１４の未
露光部分をキシレンを主成分とする現像用有機溶剤で洗
浄除去して、第１の導体１２上のスルーホール部を露出
させる。第４工程において、ワニス１４を加熱すること
によりポリイミド被膜に変える。本実施例では、１３０
℃で３０分間加熱した後、引続いて２００℃で８０分間
、３００℃で３０分間、３５０℃で８０分間というよう
に段階的に順次加熱した。
露光部分をキシレンを主成分とする現像用有機溶剤で洗
浄除去して、第１の導体１２上のスルーホール部を露出
させる。第４工程において、ワニス１４を加熱すること
によりポリイミド被膜に変える。本実施例では、１３０
℃で３０分間加熱した後、引続いて２００℃で８０分間
、３００℃で３０分間、３５０℃で８０分間というよう
に段階的に順次加熱した。
第４図は、第５工程を示す。すなわち、ポリイミド化し
た絶縁層１４′上に第２の導体配線２０を形成する。第
２の導体配線２０の形成は、ポリイミドの面Ｊ熱温度以
下で行なうため、高温焼成を要する金ペーストや銅ペー
ストを用いることはできない。従って、本実施例では、
ＤＣマグネトロンスハッタにより厚さ１０００オングス
トローム（７）チタン膜をデポジットした後、ＤＣマグ
ネトロンスパッタによって厚さ５０００オングストロー
ムの銅膜をデポジットし、感光性レジストを用いた選択
めっき法によって銅の電解メッキを行い、厚さ６μｍの
配線パターンを形成した後、前記感光ｉ生しジストを剥
離し、前記ＤＣＣマグネトロンスパッタデボジノトシた
４＋！６１１艮とチタン膜を１ツチング静去した後、前
記銅メツキ配線パターンの表面保護のため、無電１解金
メツキにより〜さ３０００オングストロームの金膜を形
成するという選択めっき法を採用した。その他選択エツ
チング法によることも可能である。要するに前記ポリイ
ミドの耐熱温度以下で導体配線２０を形成すれば良い。
た絶縁層１４′上に第２の導体配線２０を形成する。第
２の導体配線２０の形成は、ポリイミドの面Ｊ熱温度以
下で行なうため、高温焼成を要する金ペーストや銅ペー
ストを用いることはできない。従って、本実施例では、
ＤＣマグネトロンスハッタにより厚さ１０００オングス
トローム（７）チタン膜をデポジットした後、ＤＣマグ
ネトロンスパッタによって厚さ５０００オングストロー
ムの銅膜をデポジットし、感光性レジストを用いた選択
めっき法によって銅の電解メッキを行い、厚さ６μｍの
配線パターンを形成した後、前記感光ｉ生しジストを剥
離し、前記ＤＣＣマグネトロンスパッタデボジノトシた
４＋！６１１艮とチタン膜を１ツチング静去した後、前
記銅メツキ配線パターンの表面保護のため、無電１解金
メツキにより〜さ３０００オングストロームの金膜を形
成するという選択めっき法を採用した。その他選択エツ
チング法によることも可能である。要するに前記ポリイ
ミドの耐熱温度以下で導体配線２０を形成すれば良い。
上記絶縁層１４′上に形成されだＩ） Ｃマグネトロン
スパッタ・デポジションによるチタン膜は、ポリイミド
被膜との密着性が良好であシ、通常のパターン形成の各
工程や、Ｌ Ｓ Ｉチップ搭載の工程において剥離しな
い程度の強度を有する。
スパッタ・デポジションによるチタン膜は、ポリイミド
被膜との密着性が良好であシ、通常のパターン形成の各
工程や、Ｌ Ｓ Ｉチップ搭載の工程において剥離しな
い程度の強度を有する。
第５図は、第４図に示した多層配線基板の上に、さらに
、上記同様にして絶縁層１４″を形成［７、その上に導
体配線４０を形成したＬＳＩパソケー（７） ジを示す断面図である。導体配線４０の所要個所は、ス
ルーホールを介して前記第２の導体配線２０に接続され
、また、導体配線４０のあるものはＬＳＩチップ４２を
接着するだめのパッドとなっており、さらに、導体配線
４０のあるものはＬＳＩチップからの引出し線４４を筬
続するだめのパッドとなっている。
、上記同様にして絶縁層１４″を形成［７、その上に導
体配線４０を形成したＬＳＩパソケー（７） ジを示す断面図である。導体配線４０の所要個所は、ス
ルーホールを介して前記第２の導体配線２０に接続され
、また、導体配線４０のあるものはＬＳＩチップ４２を
接着するだめのパッドとなっており、さらに、導体配線
４０のあるものはＬＳＩチップからの引出し線４４を筬
続するだめのパッドとなっている。
以上のように、本発明においては、導体配線が形成され
た配線基板上に光硬化型の感光性を有するポリアミドカ
ルボン酸系のワニスを塗布し、該ワニスの所要個所をマ
スクして露光させ、未露光部分を有機溶剤によって洗浄
除去してスルーホールを形成したのちに加熱してポリイ
ミドに変えて絶縁層を形成し、この絶縁層上に第２の導
体配線を前記ポリイミドの側熱温度以下で形成するとい
う方法を採用したから、少ない工程で微細なスルーホー
ルの形成が可能である。すなわち、高密度化された多層
配線基鈑゛を提供することができるという効果がある。
た配線基板上に光硬化型の感光性を有するポリアミドカ
ルボン酸系のワニスを塗布し、該ワニスの所要個所をマ
スクして露光させ、未露光部分を有機溶剤によって洗浄
除去してスルーホールを形成したのちに加熱してポリイ
ミドに変えて絶縁層を形成し、この絶縁層上に第２の導
体配線を前記ポリイミドの側熱温度以下で形成するとい
う方法を採用したから、少ない工程で微細なスルーホー
ルの形成が可能である。すなわち、高密度化された多層
配線基鈑゛を提供することができるという効果がある。
（８）
第１図は本発明の一実施例における第１工程を示す断面
図、第２図は上記実施例の第２工程を示す断面図、第３
図は」−記実施例の第３工程を示す断面図、第４図は上
記実施例の第５工程を示す断面図、第５図は本発明によ
って製造したＬＳＩノくノケージの一例を示す断面図で
ある。 図において、１０・・・セラミック基板、１２・・・第
１の導体配線、１４・・・光硬化型の感光性を有するホ
リアミドカルポン酸系ワニス、１４’ 、 １４″・・
・ポリイミド化した絶縁層、１６・・・マスク、１８・
・・紫外光、２０・・・第２の導体配、線、４０・・・
導体配線、４２・・・ＬＳＩチップ、４４・・Ｔ、 Ｓ
Ｉチップの引出し線。 代理人 弁理士住田俊宗 第１図 ｐ 第２図 第３図 ２
図、第２図は上記実施例の第２工程を示す断面図、第３
図は」−記実施例の第３工程を示す断面図、第４図は上
記実施例の第５工程を示す断面図、第５図は本発明によ
って製造したＬＳＩノくノケージの一例を示す断面図で
ある。 図において、１０・・・セラミック基板、１２・・・第
１の導体配線、１４・・・光硬化型の感光性を有するホ
リアミドカルポン酸系ワニス、１４’ 、 １４″・・
・ポリイミド化した絶縁層、１６・・・マスク、１８・
・・紫外光、２０・・・第２の導体配、線、４０・・・
導体配線、４２・・・ＬＳＩチップ、４４・・Ｔ、 Ｓ
Ｉチップの引出し線。 代理人 弁理士住田俊宗 第１図 ｐ 第２図 第３図 ２
Claims (1)
- 第１の導体配線が形成された配線基板の表面に光硬化型
の感光性を有するポリアミドカルボン酸系のワニスを塗
布乾燥し、該ワニスの所望個所をマスクして露光させた
のち、現像用有機溶剤によって前記ワニスの未露光部分
を洗浄除去し、残ったワニスを加熱硬化させてポリアミ
ドカルボン酸をポリイミドに変えることによって前記未
露光部分にスルーボールを有する絶縁被膜を形成し、該
絶縁被膜上に第２の導体配線を形成して、前記第１の導
体配線と上記第２の導体配線とを前記スルーホール部に
おいて接続することを特徴とする多層配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19051781A JPS5893296A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19051781A JPS5893296A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893296A true JPS5893296A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16259401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19051781A Pending JPS5893296A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893296A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025596A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Nec Corp | 多層配線基板の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638038A (en) * | 1979-08-01 | 1981-04-13 | Toray Ind Inc | Photosensitive polyimide precursor |
| JPS56138993A (en) * | 1980-04-01 | 1981-10-29 | Nippon Telegraph & Telephone | Method of producing multilayer printed cirucit board |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP19051781A patent/JPS5893296A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638038A (en) * | 1979-08-01 | 1981-04-13 | Toray Ind Inc | Photosensitive polyimide precursor |
| JPS56138993A (en) * | 1980-04-01 | 1981-10-29 | Nippon Telegraph & Telephone | Method of producing multilayer printed cirucit board |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025596A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Nec Corp | 多層配線基板の製造方法 |
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