JPS5892869A - 配線パターンの欠陥判定方法およびその装置 - Google Patents

配線パターンの欠陥判定方法およびその装置

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JPS5892869A
JPS5892869A JP56189333A JP18933381A JPS5892869A JP S5892869 A JPS5892869 A JP S5892869A JP 56189333 A JP56189333 A JP 56189333A JP 18933381 A JP18933381 A JP 18933381A JP S5892869 A JPS5892869 A JP S5892869A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の利用分野 本発明は、パターンの欠陥判定方法に関し1%にプリン
ト基板や半導体集積回路等の配線パターンにおける断線
やショートを判定するためのパターンの欠陥判定方法に
関するものである。
(2)従来技術 従来、プリント基板や半導体集積回路の配線パターンの
欠陥の検出方法として、(1)パターン比較法%(2)
欠陥特徴抽出法などが提案されている。このうち、方法
(1)では設計データから発生したパターン又は隣接パ
ターンと被検査パターンと比較して差異がある部分を欠
陥とすること、方法(2)では予め欠陥の特徴を定めて
おき、その特徴のある部分を欠陥とすることに特徴があ
る。これら従来の方法は、いずれもパターン内の欠陥自
体を抽出するものであり、その欠陥の致命性を判定する
までには至っていない。
(3)発明の目的 本発明の目的は、上述した配線パターン等における欠陥
の抽出のみならず、その欠陥の致命性をも容易に判定で
きる新規なパターンの欠陥判定方法を提供することにあ
る。
(4)発明の総括説明 この目的を達成するために、本発明のパターンの欠陥判
定方法では、正常な配線パターン内の複数の端点の位置
を予め記憶しておき、検査時に横置対象となる配線パタ
ーンの縮小パターンと拡大パターンとを求め、それぞれ
のパターン内の前記端点の連結状態を調べて、断線とシ
ョート及び半断線、半ショートを判定することを特徴と
するものである。
(5)実施例 以下1本発明を実施例を参照して詳細に説明する。第1
図は本発明のパターン欠陥判定方法を採用できる検査装
置の全体の構成を示し、 IJ−jラインセンサ等の撮
像装置、2は撮像装置の光電変換を行なうタイミング信
号2a、各回路の基本処理タイミング信号2b、2C,
及び判定のタイミン\  1 グ侶号2dを発生するパルス発生回路、3はXYステー
ジ5上の被検査物7を撮像した時の映像信゛号ISを二
値化する回路、4は回路3からの二値のパターン信号3
Sを処理する本発明にかかわる判定回路、6は表示装置
である。
先ず、判定回路4におけるパターンの欠陥判定方法の原
理について説明する。第2図は正常な2つの配線パター
ンA、Rを示しておシ、予めそれらの端点a1.a、と
bl l b、の位置、およびal * alが同一配
線パターンA内に、またbIsb、がAとは異なる同一
配線パターンB内にあることを記憶しておく。第3図■
は、第2図の正常配線パターンに対応する被検査パター
ンA′、B′の1例を示す。この場合、パターンA′、
B′に存在する欠陥をc、dで示しである。これらのパ
ターンを境界から等距離だけ縮小、あ暮いは拡大またパ
ターンを第3図囚、(C)Kそれぞれ示す。パターンを
縮小すると、正常な配線パターンでは端点a−,I a
tが連結しているのに対して、断線あるいは一部が欠損
した配、線パターンでは、第3@■に示す如く端点a、
とa、とが完全に分離した形となる。一方、パターンを
拡大すると、正常配線パター ンでは端点”t9.”’
tのみが互いに連結しているのに対し、ショートあるい
は異常近接部をもつパターンでは、第3図(0に示す如
く端点a1 + atが他のパターン上の端点b1.b
、Iにも連結した形となる。つまり、これら縮小パター
ンと拡大パターンにおいて、予め設定された端点a1 
e at m bl e Jの連結状態を調べれば。
各パターンの欠陥を認識することができる。
配線パターンの縮小および拡大の方法を第4図囚、(ト
)を用いて説明する。第41囚は2値化された配馴パタ
ーンの一例を示しており、ここでは配線パターン部を@
″1”、その他の部分を10″′として2値化表示する
ことにする。この2値パターンから1図中点線で表わし
た3×3絵素の大きさをもつ部分パターンPをX、Y各
方向に1絵素ずつ位置をずらしながら順次切り出してゆ
き、この部分パターごンを構成する9個の絵素のすべて
が状態″′1″の場合のみ、出力毎号が@1″′となる
ように信号変換すると、この出力信号によ少、入力の配
線パターンに対してX、Y方向それぞれに一絵素分ずつ
縮小された第4図の)に示す2値パターンを得ることが
できる。−絵素拡大されたパターンは、入力され7C2
値パターンのul”、′0”を反転したパターンを作り
、この反転パターンに対して上記の縮小処理を行ない、
得られた信号の″1”と10”を再度反転することによ
シ、得ることができる。この場合、縮小あるいは拡大す
る絵素数は、第31囚の欠陥c、dの発生部分における
配線パターンの残9寸法!、、あるいけパターン間隔1
3aをどこ1で許容するかによって予め決定しておく。
例えば、縮小絵素数をN、4大絵素数をMとすると、被
検査パターン上で残シ寸法が(2N+1)絵素以上ある
場合、および隣接パターンとの最小間隔幅が(2M+1
)絵素ある場合には、断線、又はショートに判定されな
いことになる。
次に端点の連結状態を調べる具体的な方法の一例につい
て説明する。第51囚のパターンA“とB“は、縮小又
は拡大処理を終了した後の2櫃パターンを示し*  a
l + al s bl * Jはそれぞれの予め定め
られている端点に該当する絵素を示す。このとき、パタ
ーンA“におけるalとa、。
パターンB“におけるbl とす、がそれぞれ連結して
いるか否かを調べるために、記憶回路で以下に述べるよ
うにパターン内の各絵素に番号付けを行ない、それぞれ
の端点に対応する絵素の番号の一致、不一致を判定する
。この番号付けは、各々の孤立した配線パターン上の絵
素にそれぞれ同一の番号をもたせることを目的としてお
り、番号付けの方法は、入カバターンから第5図(4)
の領域Qに示したような部分パターンを順次切り出し、
そのパターン内の個々の絵素の状態によシ、新たな絵素
番号を発生するか従前の番号を伝ばんさせるかを決定す
るものである。第5図■は上記の部分パターンQの説明
図であり、記号は各絵素に対応している。今、切シ出さ
れた1つの部分パターンにおいてTh P、に位置する
絵素がパターン内部の絵素、すなわち状態@1”の場合
にのみP1@P@*P1.P、の各絵素の状態を調べ*
P@に対応する絵素に対して以下のように番号を割りつ
ける。
すなわちh Pt * Pg e Pa * Paがす
べて加”の場合Th P、に対応する絵素に新しい番号
を付け。
Pt = Pg −Ps −Paの内のいずれかが′1
”の場合は次のような規則で既にある番号を伝ばんさせ
る。+IIP、、P、、P、、P、の内、状態61”の
絵素がすべて同一の番号をもっている場合bP6に対応
する絵素にもこれらの絵素と同じ番号をつける。(21
P1 、 Pt 、Ps −P4の内。
状態@1″の絵素が異なる番号をもつ場合、それらの番
号のうちの最小値をP、に対応する絵素につける。この
場合、上記絵素に対して異なる番号をもつ絵素が実際に
は連結していることを示すための同1直テーブルをメモ
リ内に作成しておく。第、 6図は、第5図(4)に示
す入カバターンに対して番号付けを行なった結果を示す
。部分パターンQの代表絵素P、が図中のa、b、dの
位置に来たとき:新たな絵素番号が発生する。絵素pH
がCに1□(1゜ 来たとき1部分パターンQ内のP、、P4に対応する番
号はP、=2.P、=1となることから。
P、=1と番号付けされると開時に1番号2と1の絵素
が連結していることを示す同値テーブルが作成される。
この同値テーブルは、上述の例の場合1例えばテーブル
上のアドレス2の欄に1という数値を格納する形式で作
成する。すなわち、前記のようKPs 、Pt −Ps
 −P4 のうち状態″′1”の絵素が異なる番号をも
つ場合、それらの番号の最小値を求め、その値と異なる
値をアドレス、最小値をデータとして同値テーブルを作
成する。このような処理を行なうことによシ、第5図囚
の端点a1 + at + bl m btの絵素がそ
れぞれ番号1,2,3.3をもつことが判る。また。
al とa、は違う番号をもっているけれども、上記同
値テーブルを参照することにより1これらが互いに連結
しており、実質的に同一番号をもっていることが判る。
b、とb2は同じ番号をもっていることから互いに連結
していることが判明する。
第7図は、クロック2C,2dに同期して動作する上記
原理を実現するための判定回路4の具体的回路構成の1
例を示す。図において、3sは第1図の二値化回路3か
ら出力される二値ツクターンは号である。このパターン
信号3SFi、後述するシフトレジスタ及び判定ロジッ
ク回路から成る縮小処理回路11によってN絵素分縮小
された後。
番号付は回路12に入力される。番号付は回路12は、
後述するようにシフトレジスタと番号の更新及び伝ばん
を決定するための判定ロジック回路から成り、既に述べ
た方法により、入カパターシの各絵素に対して番号の割
りっけを行ない、必要に応じてメモリ18に同値テーブ
ルを作る。番号付けされたパターン信号は比較回路13
において、メモリ17から出力される端点辞書パターン
と比較され、それぞれのパターンの端点に位置する絵素
の番号がメモリ19に格納される。なお。
メモリ17からのデータ読出しはアドレス回路22によ
り、またメモリ19へのデータ格納アドレスは、端点辞
書パターンの予め定められている端点の番号により決定
される。14は;くターン信号3St−M絵素分拡大さ
れたパターン信号に変換する拡大処理回路であり、その
出力は上記縮小処理回路の出力処理と同様に番号付は回
路15.比較回路16で処理され、メモ!720.21
にそれぞれの同値テーブルと端点絵素の番号データが格
納される。このようにして、ある一定の検査範囲内の配
線パターンの処理が終了した後、すなわち。
第1回のパルス発生回路からの判定タイミング信号2e
を受けた時点で、電子計算機等ゐデータ処理装置で構成
されているflll制御回路25によって。
メモリ18,19,20,21.23を参照した断線、
ショートの判定処理が行なわれる。23はメモリ17に
格納舌れている端点辞書パターン内の端点番号を同一配
線パターンごとにグループ分けして記憶するためのメモ
リでおる。
第8図は、制御回路25で行なわれる処理をフローチャ
ートで表現したものである。先ず、ルーチン200で断
線フラグ、ショートフラグをクリアする。次に、ルーチ
ン201,202で、メモリ23内の第1グループ、す
なわち第1番目の配線パターンの各端点の辞書の番号を
読みだす。ルーチン203ではメモリ19内の上記番号
に泡応するアドレスに格納されている値を読みだし、メ
モリ18に格納されている同値テーブルを参照しながら
、それらの値がすべて同一となるかどうか判定する。、
同一とならない場合、ルーチン204で断線フラグをた
てルーチン205に進む。同一でおる場合は、そのまま
ルーチン205に進む。
ルーチン205では、第1グループの各端点の辞書の番
号に対応するメモリ21内のアドレスの内いる値とを、
メモリ20に格納されている閾値テーブルを参照しなが
ら、同一であるか判定し、もし同一のものがある場合、
ルーチン206に進み。
ショートフラグをたて、ルーチン207に進む。
同一のものがない場合は、ルーチン207にそのまま進
み、すべてのグループ、すなわち、すべての配線パター
ンをチェックしたかどうかを判定する。すべてをチェッ
クしていない場合は、ルーチン208でパラメータ)上
:、を更新してルーチン202に戻シ1次のグループの
端点の連結関係のチェックを上記と同じ“流れで行なう
。そしてすべてのグループのチェックが終了した後、ル
ーチン209で断線フラグ、ショートフラグをチェック
して。
断線フラグ、またはショートフラグに11”がたってい
る場合には、ルーチン210に進んで表示装置に表示指
命信号4bを送って断線、及びショートの存在を表示し
、ルーチン211に進む。断線、ショートフラグが“0
”の場合は、直接ルーチン211に進む。ルーチン21
1では1次の検査位置を信号4aでXYテーブルに送り
、テーブルを移動する。ルーチン212ではアドレス回
路22に信号25Cで次の検査のための先頭アドレスを
セットする。このようにして1本処理を終了する。
次に縮小処理回路11の具体的構成を第9図によって説
明する。この回路は直列接続されたNぺの縮小ユニット
lla〜llnからなり、各ユニットは3×3絵素の部
分パターンを切シ出すための2本のシフトレジスタから
なる回路110と。
部分パターンを判定する判定ロジック回路111から成
る。切り出し回路110は、例えば、第10図に示す如
く、1水平走査ライン分の2値情報を一時的に記憶でき
る2本のシフトレジスタ112.113と1部分パター
ンを一時的に記憶できる2ビツトのシフトレジスタ11
4,115゜116から成シ、出力a1 *  a* 
* a3 e a4 *a6嘗 a、、aフ争a@*a
@が第4図で述べた3×3絵素の部分パターンPの二値
信号となる。
第11図は判定ロジック回路111の構成図であり、9
.入力のANDゲート117から成シ、上記の部分パタ
ーンの二値信号a、〜a、がすべて“1”の場合のみ出
力信号″″1”が出力される。
以上のような構成によシ、前述の縮小方法を具体化でき
る。拡大処理回路14は、前述のように1第9図の入力
及び出力部にインバータを各1つ付は加えた回路構成と
なる。なお1段数は、拡大絵素がM絵素の場合(11M
段の拡大ユニットが必要である。
−第12図は1番号性は回路12の構成例を示したもの
である。仁の回路は、大きく別けて1部分パターンを切
)だす回路120と1番号の更新及び伝はんを判定する
回路121からなる。第13図は、回路120の具体的
な回路構成例である。
2値入力信号115は、ゲート回路122によシ、入力
が″1”の場合は11”1人力が@0”の場合は′″2
L−1”に変換されたLビットの出力信号123となる
。124は一水平走査ライン分の絵素情報を一時的に記
憶できるシフトレジスタ。
125.126は部分パターンを一時的に記憶できるレ
ジスタであシ、これらはLピントの2値信号で表わされ
る第6図で説明した絵素の番号を伝はんするために、深
さ方向Lビットで構成されている。出力信号す、〜b、
は、第5図(ト)のP、〜P、にそれぞれ対応する部分
パターンの信号となる。入力信号b6は1回路121で
番号付けされた部分パターンの代表絵素P、の値を表わ
すもので、1クロンクおくれて入力される。第14図は
回路121の具体的な構成例である。先ず1回路 7の
個々の動作について説明すると1回路128は最小値検
出回路であり、入力1〜b、のうちの最小値を信号14
5として出力する。回路127は比較回路であり、その
出力146は、入力す。
が“1”の場合のみ′1”となり、そうでないとき′″
0”となる。回路141は選択回路であり。
信号146が′1”のとき回路128の出力信号145
を選択し、信号147として出力する。信号146が”
o”のときは固定値″@ 2L  1 #の値を出力す
る。回路140は比較回路であシ、信号145が“2L
−1”の値に一致した場合にのみ、その出力信号148
が“1”となり、ANDゲート148を開く。回路、1
42はカウント回路であり、信号146と148(DA
Nr)出力149が@1”となった回数を記憶する。回
路143けゲート回路であシ、信号149が@1”のと
きけカウンタ出力150を選択し、信号149が@0”
のときは信号147を選択する。ゲート回路143の出
力は信号b6、又はデータ信号31Dとなる。  。
回路129は″チプ歳りサであり・第7図のメモリ18
のアドレス信号31Aとしてb1〜b。
の値を順次出力する。なお、信号146が11”の場合
のみ、これが書込み信号31Wとなってメモリ18のア
ドレスb1〜b、にデータ31Dが書き込まれる。
上記回路構成において、tず1番号の更新の場合、すな
わちs b!l = 1 * J = J = k)8
=b4=2’−1の場合のデータの流れを説明する。こ
の場合、信号146は“1”、信号145は″2L−1
”となるため、信号149が′1”となってカウント回
路内のカウント値が+1される。信号149が′1”と
なったことにより、このカウント値がゲート回路143
で選択され、信号31Dおよびb6の値となる。メモリ
18には、アドレス2L−1にこのカウント値が格納さ
れる。次に、番号の伝ばんの場合、すなわち、 b、 
=1.Min(b、 −bs −bs −b4 )””
B”!q2L −1の場合のデータの流れを説明する。
この場合、信号146は″1”、信号145の値は@B
”となるため、信号148は10”、信号147は@B
”−となる。その結果、信号149は@0”となりカウ
ント値はそのままであり、ゲート回路143により信号
147の値@B”が信号31D、beO値となる。そし
て、メモリ18上のアドレスb。
〜b4に同一データ″″B″′が格納される。なお。
b、笑1の場合は、信号146すなわち、ライト信号3
1WがIO″であるので、メモリ18にはデータは書き
込まれない。以上、説明したように。
第12図の回路によシ5番号付けを実現化することがで
きる。
第15図は、比較回路13の具体的な構成例である。信
号30は番号付は回路12からのLビットの出力信号で
あシ、信号33はメモリ17から出力される端点辞書パ
ターンの信号でるる。この端点辞書パターンは、端点位
置に予めだめられた番号が付けられており、端点以外の
位置は0である。先ず回路の個々の動作について説明す
る。回路131は比較回路であり、入力信号33が0”
の場合のみ出力信号132が@1”となり、インバータ
13iで反転した信号32Wは”0″となる。従って入
力信号33が′″0”以外、すなわち。
辞書端点番号がある場合のみ、信号32Wが′1″とな
る。信号32Wはメモリ19へのデータ32Dの誉き込
み信号となっておシ、これが11#のときのみ、メモリ
19の所定アドレス32Aにデータ32Dが誉き込まれ
る。第15図に示した回路により、辞書の端点番号に対
応する記憶回路19のアドレスに1回路12で番号付け
された端点の番号を誉き込むことがで巷る。
第7図の番号付は回、路15.比較回路16け回路12
9回路13と全く同様な構成でよい。
(6)  まとめ 以上説明したごとく本発明は、予め正常な各配線パター
ン内の複数の端点の位置を記憶しておき。
検査時に配線パターンの縮小パターンと拡大パターンを
求め、それぞれのパターン内の前記端点の連結状態を調
べて、断線とショートを判定することを特徴とするため
、予め定められた欠陥の致命度の限界以上のものの存在
は容易に検出でき、;クターン検査装置において極めて
有効な、方法である。
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明のパターン欠陥判定方法を採用できる
検査装置の全体構成を示す図、第2図は。 本発明の詳細な説明するための正常な配線パターンを示
す図、第3図(イ)、 (B)、 (C’)は、本発明
の詳細な説明するものであシ、囚は第2図に対応する配
線パターンに欠陥がある場合の図、■は■を縮小した場
合の図、(CIFi囚を拡大した場合の図、第4図囚、
■は配線パターンを縮小する方法を説明するための図、
第5図(4)、@は番号付けを行なう方法を説明するも
ので1凱(4)は配線パターンを示した図、■は1部分
パターンを示した図、第6図は。 第5図囚を番号付けした結果を示す図、第7図は。 第1図の判定回路4の具体的構成で示した図、第8図は
第7図の制御回路25で行なう処理のフローチャート、
第9図は第7図の縮小処理回路12の構成を示した図、
第10図は第9図の110の具体的構成を示した図、第
11図は第9因の111の具体的構成を示した図、第1
2図は第7図の番号付は回路13の構成を示し元図、第
13図は第12図の120の具体、―構成′を示した図
、第14図は第12図の121の具体的構成を示した図
。 第15図は第7図の比較回路13の具体的構成を示した
図である。 ′%  l  図 第7図 第  3   図 (A) vi4図 第  IZ   図 IZ 茅 !3  図 43 41  メt 44 ノ5 第14図 篤 lタ 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 配線パターンの断#!、ショートを判定する装置
    において、予め正常な各配線パターン内6必要な端点の
    位置を記憶しておき、検査時、各配線パターンごとに上
    記端点の連結状態を調べ、1つでも連結していない端点
    がある場合を断線。 他の配線パターンの端点に連結している端点がある場合
    をショートどするパターンの欠陥判定方6法。 2 検査時に配線パターンの縮小パターンと拡大パター
    ンを求め、それぞれのパターン内の端点の連結状態を調
    べ、縮小パターン内に1つでも連結していない端点があ
    る場合を断線、拡大ノくターン内に他の配線パターンの
    端点に連結している端点がある場合をショートとする第
    1項記載のパターンの欠陥判定方法。
JP56189333A 1981-11-27 1981-11-27 配線パターンの欠陥判定方法およびその装置 Granted JPS5892869A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60215286A (ja) * 1983-12-30 1985-10-28 ピーツシュ、アクチエンゲゼルシャフト 対象物における面模様をオプトエレクトロニクス検査する方法とその装置
US5241499A (en) * 1989-12-22 1993-08-31 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Non-volatile split gate eprom memory cell and self-aligned field insulation process for obtaining the above cell

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60215286A (ja) * 1983-12-30 1985-10-28 ピーツシュ、アクチエンゲゼルシャフト 対象物における面模様をオプトエレクトロニクス検査する方法とその装置
US5241499A (en) * 1989-12-22 1993-08-31 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Non-volatile split gate eprom memory cell and self-aligned field insulation process for obtaining the above cell
US5330938A (en) * 1989-12-22 1994-07-19 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Method of making non-volatile split gate EPROM memory cell and self-aligned field insulation

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JPH0371659B2 (ja) 1991-11-14

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