JPS5890792A - 半導体光装置の製造方法 - Google Patents
半導体光装置の製造方法Info
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- JPS5890792A JPS5890792A JP56191094A JP19109481A JPS5890792A JP S5890792 A JPS5890792 A JP S5890792A JP 56191094 A JP56191094 A JP 56191094A JP 19109481 A JP19109481 A JP 19109481A JP S5890792 A JPS5890792 A JP S5890792A
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- Japan
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- base
- frame
- base piece
- pieces
- stem
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は自動組立を容易にした半導体装置の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
半導体装置は光を放射まえは受光する方向中位量が装置
のステムのめゐ点もしくは面を基準にして精密に決めら
れていることが望まれる。従来、このような装置を組み
立てるＫは、１つずつ分離され九ステムを使用し、これ
らのステムを順次組立装置に投入することＫより行なっ
ていた。従来の組立方法を第１図のようなステムを使用
した半導体レーザ装置を一例にして説明する。
のステムのめゐ点もしくは面を基準にして精密に決めら
れていることが望まれる。従来、このような装置を組み
立てるＫは、１つずつ分離され九ステムを使用し、これ
らのステムを順次組立装置に投入することＫより行なっ
ていた。従来の組立方法を第１図のようなステムを使用
した半導体レーザ装置を一例にして説明する。
第１図（６）は半導体装置の平面図、同図に）は半導体
装置の一部破断側面図である。（１）はベース、（２）
は取付孔、（３） 、 （４）は外部リード、（５）は
ガラスでリード（３）をベース（１）から絶縁している
。上記ベース（１）や外部リード（３） 、 （４）等
によりステム（ロ）が構成されている。（６）は放熱体
で、予め半導体レーザ素子（７）がろう付けされている
。この放熱体（６）をステム（ロ）に取り付けるには、
まずステム（ロ）を組立装置ら定位置の所に半導体レー
ザ素子（７）から出るレーザ光の発光点が来るようにし
て、ベース（６）Ｋろう付けする。その後金属細線（１
１）で半導体レーザチップ（７）と外部リード（５）を
接続して半導体レーザ装置ができあがる。
装置の一部破断側面図である。（１）はベース、（２）
は取付孔、（３） 、 （４）は外部リード、（５）は
ガラスでリード（３）をベース（１）から絶縁している
。上記ベース（１）や外部リード（３） 、 （４）等
によりステム（ロ）が構成されている。（６）は放熱体
で、予め半導体レーザ素子（７）がろう付けされている
。この放熱体（６）をステム（ロ）に取り付けるには、
まずステム（ロ）を組立装置ら定位置の所に半導体レー
ザ素子（７）から出るレーザ光の発光点が来るようにし
て、ベース（６）Ｋろう付けする。その後金属細線（１
１）で半導体レーザチップ（７）と外部リード（５）を
接続して半導体レーザ装置ができあがる。
しかるに、このような従来の製造方法では、多置土産す
る際に多数のステム（ロ）をそれぞれ１つづつ組立装置
に挿入し、位置合わせしなけＬばならず、自動的に組み
立てるには困難を要する欠点があった。
る際に多数のステム（ロ）をそれぞれ１つづつ組立装置
に挿入し、位置合わせしなけＬばならず、自動的に組み
立てるには困難を要する欠点があった。
この発明はこのような従来の製造方法における欠点を除
去するためになされ友もので、複数のベース片を連成し
たフレームにおける各ベース片の所定位置に半導体素子
を位置決め固定したのち、各ベース片をステムとして分
離独立させることにより、自動組立を容易に行ない得る
半導体装置の製造方法を提供することを目的としている
。
去するためになされ友もので、複数のベース片を連成し
たフレームにおける各ベース片の所定位置に半導体素子
を位置決め固定したのち、各ベース片をステムとして分
離独立させることにより、自動組立を容易に行ない得る
半導体装置の製造方法を提供することを目的としている
。
以下、この発明の一実施例を図面にし九がって説明する
。
。
第２図は複数のベース片を一体に達成したフレームを示
す平面図で、第１図と同一部所には同一符号を付して説
明を省略する。（２１＋）〜（２Ｉｎ）は複数個のベー
ス片で、これらベース片（２１１）（２１ｎ）と各ベー
ス片（２１ｓ）〜（２Ｉｎ）を互に一体に連成する連結
片（１）とＫより、フレーム（至）が形成されている。
す平面図で、第１図と同一部所には同一符号を付して説
明を省略する。（２１＋）〜（２Ｉｎ）は複数個のベー
ス片で、これらベース片（２１１）（２１ｎ）と各ベー
ス片（２１ｓ）〜（２Ｉｎ）を互に一体に連成する連結
片（１）とＫより、フレーム（至）が形成されている。
このフレーム（至）を組立装置に投入し、連続的もしく
はせる。その都度、基準面ＸＸ 、 ＹＹを決めながら
、予め半導体レーザ素子（７）をろう付けした放熱体（
６）（第３図）を第１図の場合と同じように位置決めし
ながら各ベース片（財）の所定位置にろう付けする。
はせる。その都度、基準面ＸＸ 、 ＹＹを決めながら
、予め半導体レーザ素子（７）をろう付けした放熱体（
６）（第３図）を第１図の場合と同じように位置決めし
ながら各ベース片（財）の所定位置にろう付けする。
しかる後、上記各ベース片（ｉｎｓ）〜（２１ｎ）を、
たとえば切断線（２）に沿ってそれぞれ切断して、第３
図に示したようにステム（ロ）として分離独立させれば
、第１図と同等の半導体レーザ装置ができあがる。
たとえば切断線（２）に沿ってそれぞれ切断して、第３
図に示したようにステム（ロ）として分離独立させれば
、第１図と同等の半導体レーザ装置ができあがる。
なお、金属軸ｍ（８）のボンディングはフレーム（至）
の状態で行なってもよいし、分離した後であってもよく
、ここでは限定されるべきものではない。
の状態で行なってもよいし、分離した後であってもよく
、ここでは限定されるべきものではない。
このようにフレーム（ロ）を形成しておけば、組立装置
に投入する際は勿論のこと、１つのベース片（ロ）分ず
つ搬送する際や、ＸＩ 、 ＹＹの画法めをする際にも
自動化が非常に容易となる。自動化の容易さは、上記説
明の工程のみに限らず、フレーム（２）の状態で、たと
えば放熱体（６）および半導体レーザ素子（７）を窓付
キャップ（図示せず）でシールする場合、さらには半導
体レーザ装置の特性を測定する場合にも言えることであ
る。
に投入する際は勿論のこと、１つのベース片（ロ）分ず
つ搬送する際や、ＸＩ 、 ＹＹの画法めをする際にも
自動化が非常に容易となる。自動化の容易さは、上記説
明の工程のみに限らず、フレーム（２）の状態で、たと
えば放熱体（６）および半導体レーザ素子（７）を窓付
キャップ（図示せず）でシールする場合、さらには半導
体レーザ装置の特性を測定する場合にも言えることであ
る。
また、上記実施例では、半導体レーザ装置を例に採った
が、その他の半導体装置についても、同じようにフレー
ムを形成しておくことにより自動組立が容易にできるよ
うになる。
が、その他の半導体装置についても、同じようにフレー
ムを形成しておくことにより自動組立が容易にできるよ
うになる。
このように、この発明による製造方法にしたがえば、複
数のベース片を一連化してなるフレームを形成して半導
体素子を取り付け、しかる後各ペース片をステムとして
分離させるから、自動組立の容易化を図ることができる
効果がある。
数のベース片を一連化してなるフレームを形成して半導
体素子を取り付け、しかる後各ペース片をステムとして
分離させるから、自動組立の容易化を図ることができる
効果がある。
第１図（Ａ）、（ロ）はそれぞれ従来の半導体装置の製
造方法を説明するために例に採った半導体レーザ装置を
示す平面図および一部破断側面図、第２図はこの発明の
一実施例による半導体装置を製造するためのフレームを
示す平面図、第３図は第２図のフレームから製造され九
半導体装置を示す平面図である。 （３） 、 （４）・・・外部リード、（７）・・・半
導体素子、（ホ）・・・連結片、’ （２１１）〜（２
１！ｌ）・・・ベース片、０力・・・ステム、（２）・
・・７レーム。 なお、図中同一符号は同一もしくは相当部分を示す。 代理人 葛野信−（外１名） 第１図 第３図 手続補正書（自発］ 特許１”ｘ長官殿 １、事ｆｉの表示 特願昭 ５６−１９１０９４
号２、発明の名称 半導体装置の製造方法 ３、補正をする者 ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」 ６、補正の内容
造方法を説明するために例に採った半導体レーザ装置を
示す平面図および一部破断側面図、第２図はこの発明の
一実施例による半導体装置を製造するためのフレームを
示す平面図、第３図は第２図のフレームから製造され九
半導体装置を示す平面図である。 （３） 、 （４）・・・外部リード、（７）・・・半
導体素子、（ホ）・・・連結片、’ （２１１）〜（２
１！ｌ）・・・ベース片、０力・・・ステム、（２）・
・・７レーム。 なお、図中同一符号は同一もしくは相当部分を示す。 代理人 葛野信−（外１名） 第１図 第３図 手続補正書（自発］ 特許１”ｘ長官殿 １、事ｆｉの表示 特願昭 ５６−１９１０９４
号２、発明の名称 半導体装置の製造方法 ３、補正をする者 ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」 ６、補正の内容
Claims (1)
- （１）、外部リードを植設した複数のベース片とこれら
ベース片を一体に連成させる連結片とからなるフレーム
を型取りし九のち、このフレームを連続もしくは間欠搬
送しながら、各ベース片に該ベース片の基準点もしくは
基準面を目安にしてそれぞれ半導体素子を順次所定位置
に位置決め固定し、しかる後上記フレームから各ベース
片をそれぞれステふとして分ＩｗＩ′ｌ！ｊＩ立させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191094A JPS5890792A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 半導体光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191094A JPS5890792A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 半導体光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890792A true JPS5890792A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16268746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191094A Pending JPS5890792A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 半導体光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890792A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0607700A3 (en) * | 1992-12-24 | 1994-11-30 | Sharp Kk | Semiconductor laser device. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135984A (en) * | 1980-03-27 | 1981-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of leadless light emitting diode chip |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56191094A patent/JPS5890792A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135984A (en) * | 1980-03-27 | 1981-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of leadless light emitting diode chip |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0607700A3 (en) * | 1992-12-24 | 1994-11-30 | Sharp Kk | Semiconductor laser device. |
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