JPS5888130A - ガラス微粒子の製造方法 - Google Patents
ガラス微粒子の製造方法Info
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- JPS5888130A JPS5888130A JP18533981A JP18533981A JPS5888130A JP S5888130 A JPS5888130 A JP S5888130A JP 18533981 A JP18533981 A JP 18533981A JP 18533981 A JP18533981 A JP 18533981A JP S5888130 A JPS5888130 A JP S5888130A
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- Japan
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- glass
- halide
- gas
- doped silica
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/10—Forming beads
- C03B19/1005—Forming solid beads
- C03B19/106—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は大きな粒径を有するシリカガラス粒子の製造に
関するものである。
関するものである。
従来、光フアイバ用シリカガラス特にドープトシリカガ
ラスの製造方法においては、例えば四塩化ケイ素の蒸気
とドーパント例えば四塩化ゲルマニウムの蒸気のような
ガラス形成原料ガスを、火炎バーナ等によって火炎加水
分解又は熱酸化してガラス微粒子を生成していた。この
場合、ガラス微粒子は気相から同相への反応によって生
成されるため、その微粒子の太きさｄ１火炎加水分解（
１０００〜１３００ ℃）の場合で５００〜２０００Ａ
１熱酸化（１ｏｏｏ〜１３００℃）の場合で１００〜５
００Ａと極めて小さかった。
ラスの製造方法においては、例えば四塩化ケイ素の蒸気
とドーパント例えば四塩化ゲルマニウムの蒸気のような
ガラス形成原料ガスを、火炎バーナ等によって火炎加水
分解又は熱酸化してガラス微粒子を生成していた。この
場合、ガラス微粒子は気相から同相への反応によって生
成されるため、その微粒子の太きさｄ１火炎加水分解（
１０００〜１３００ ℃）の場合で５００〜２０００Ａ
１熱酸化（１ｏｏｏ〜１３００℃）の場合で１００〜５
００Ａと極めて小さかった。
一方、ガラス微粒子を火炎またはプラズマ炎中に供給し
て溶融し、気泡のない透明なドープトシリカガラスを高
速度で製造するための該微粒子の大きさは直径１０〜１
５０本ｍ程度が最適であり、これ以下の粒径の場合には
ドープトシリカガラス中に気泡が残留することが、実験
的に明らかにされている。
て溶融し、気泡のない透明なドープトシリカガラスを高
速度で製造するための該微粒子の大きさは直径１０〜１
５０本ｍ程度が最適であり、これ以下の粒径の場合には
ドープトシリカガラス中に気泡が残留することが、実験
的に明らかにされている。
従って、従来の方法で生成したガラス微粒子を、火炎ま
たはプラズマ炎に供給して溶融することによシ、残留気
泡のないドープトシリカガラスを製造することは非常に
困難であるという欠点があった。
たはプラズマ炎に供給して溶融することによシ、残留気
泡のないドープトシリカガラスを製造することは非常に
困難であるという欠点があった。
さらにこのような従来法で得られる粒径の小さいガラス
微粒子から火炎ま九はプラズマ炎によってドープトシリ
カガラスを製造する場合、ガラス微粒子の堆積効率が悪
いという欠点があった。
微粒子から火炎ま九はプラズマ炎によってドープトシリ
カガラスを製造する場合、ガラス微粒子の堆積効率が悪
いという欠点があった。
本発明は以上のような欠点を解決するためになされたも
のであり残留気泡を含塘ない面品質ドープトシリカガラ
スの製造に最適な直径金有するガラス微粒子の製造方法
を提供するものである。
のであり残留気泡を含塘ない面品質ドープトシリカガラ
スの製造に最適な直径金有するガラス微粒子の製造方法
を提供するものである。
本発明につき概説すれば、本発明による第１のガラス微
粒子製造方法は、四塩化ケイ素、四塩化ゲルマニウム等
のハロゲン化物を火炎加水分解反応又は熱酸化反応させ
てガラス微粒子（以下、−次粒子と称す）を生成した後
、前記ガラス微粒子を再度高温度中で四塩化ケイ素、四
塩化ゲルマニウム等のハロゲン化物の雰囲気に曝すもの
である。
粒子製造方法は、四塩化ケイ素、四塩化ゲルマニウム等
のハロゲン化物を火炎加水分解反応又は熱酸化反応させ
てガラス微粒子（以下、−次粒子と称す）を生成した後
、前記ガラス微粒子を再度高温度中で四塩化ケイ素、四
塩化ゲルマニウム等のハロゲン化物の雰囲気に曝すもの
である。
本発明による第２のガラス微粒子の製造方法は５ｉＣ４
、Ｈ！ Ｏ，ルＯと反応しＳｉへ −ドーパント固溶体
を形成しうるガス状添加物より成るドープトシリカガラ
ス形成用ガスにガラス微粒子粉または水晶粉を曝し形成
させたドープトシリカガラス微粒子を再度高温中で同−
又は同穐のドープトシリカガラス形成用ガスに曝すこと
を特徴とするものである。
、Ｈ！ Ｏ，ルＯと反応しＳｉへ −ドーパント固溶体
を形成しうるガス状添加物より成るドープトシリカガラ
ス形成用ガスにガラス微粒子粉または水晶粉を曝し形成
させたドープトシリカガラス微粒子を再度高温中で同−
又は同穐のドープトシリカガラス形成用ガスに曝すこと
を特徴とするものである。
本発明によるガラス微粒子の製造方法によれば、従来法
で生成された一次粒子を、四塩化ケイ素、四塩化ゲルマ
ニウム等のハロゲン化物雰囲気中に曝すので、−次粒子
が核となって粒子の粒成長が著しく促進され、粒径の大
きなガラス粉（以下二次粒子と称す）を得ることができ
る。
で生成された一次粒子を、四塩化ケイ素、四塩化ゲルマ
ニウム等のハロゲン化物雰囲気中に曝すので、−次粒子
が核となって粒子の粒成長が著しく促進され、粒径の大
きなガラス粉（以下二次粒子と称す）を得ることができ
る。
本発明を更に詳しく説明する。
本発明の第１の発明に使用される一次粒子はガラス形成
用ハロゲン化物蒸気を火炎加水分解ないし熱酸化して合
成されたｓ ｉ ｏｘ 微粒子及びドーパント添加５
ｉｆｔ 微粒子であり、それらを溶融してガラス体が得
られる本のであれば特に限定される。
用ハロゲン化物蒸気を火炎加水分解ないし熱酸化して合
成されたｓ ｉ ｏｘ 微粒子及びドーパント添加５
ｉｆｔ 微粒子であり、それらを溶融してガラス体が得
られる本のであれば特に限定される。
本発明による第２の発明において使用される一次粒子は
、ｓｉｃム、Ｈ＊０． 前記＆Ｏと反応しＳｔＯ，−
ドパント固溶体を形成しうるガス状添加物より成るドー
プトシリカガラス形成ガスに曝して合成したドープトシ
リカガラス微粒子、たとえばＳｔｏｗ −０６０ｇ
ガラス微粒子、ＳｉＯ！−Ｇｌ！０１水晶粉等である。
、ｓｉｃム、Ｈ＊０． 前記＆Ｏと反応しＳｔＯ，−
ドパント固溶体を形成しうるガス状添加物より成るドー
プトシリカガラス形成ガスに曝して合成したドープトシ
リカガラス微粒子、たとえばＳｔｏｗ −０６０ｇ
ガラス微粒子、ＳｉＯ！−Ｇｌ！０１水晶粉等である。
前記ガス状添加物は特に限定されないが、たとえば、Ｇ
ｅＣ４、ＰＯＣ４、Ｐｃｔ＠ 、 ＴｉＣ４、ＢＢｇ
。
ｅＣ４、ＰＯＣ４、Ｐｃｔ＠ 、 ＴｉＣ４、ＢＢｇ
。
ＰＣ／、等の一種以上であることができる。
本発明において、第１、第２の発明のいずれも、−次粒
子を偽温度下でハロゲン化物雰囲気中に曝すことにより
、−次粒子の粒成長を促進させるものであるが、ここで
使用するハロゲン化物の椙類は一次粒子の製造に使用し
たハロゲン化物あるいはドーパントを固溶添加する除用
いたドープトシリカガラス形成用ガスと同一のものでも
、別な組成の同種のものであってもよいが、二次粒子の
品質の観点からすると同一のものが望ましい０例えばＳ
ｌｏｗ −Ｇｌ！＋０２ 固溶二次粒子を製造する場
合、−炭粒子製造原料、二次粒子製造原料共に５ｉＣ４
およびＧｅＣムを使用すると、製造される二次粒子中の
Ｇ・へ 濃度分布はほぼ均一であ、るが、二次粒子製造
原料に５ｉｃｋ単独で使用すると製造される二次粒子中
のＧｅへ濃度分布は中心部分にＧｅへが存在しく一次粒
子）、その周囲にはほとんどＧｅへ が存在しない分
布になる。
子を偽温度下でハロゲン化物雰囲気中に曝すことにより
、−次粒子の粒成長を促進させるものであるが、ここで
使用するハロゲン化物の椙類は一次粒子の製造に使用し
たハロゲン化物あるいはドーパントを固溶添加する除用
いたドープトシリカガラス形成用ガスと同一のものでも
、別な組成の同種のものであってもよいが、二次粒子の
品質の観点からすると同一のものが望ましい０例えばＳ
ｌｏｗ −Ｇｌ！＋０２ 固溶二次粒子を製造する場
合、−炭粒子製造原料、二次粒子製造原料共に５ｉＣ４
およびＧｅＣムを使用すると、製造される二次粒子中の
Ｇ・へ 濃度分布はほぼ均一であ、るが、二次粒子製造
原料に５ｉｃｋ単独で使用すると製造される二次粒子中
のＧｅへ濃度分布は中心部分にＧｅへが存在しく一次粒
子）、その周囲にはほとんどＧｅへ が存在しない分
布になる。
このような−次粒子の粒成長させるハロゲン化物は特に
限定されないが、たとえばＳ ｉ Ｃ４、ＧｅＣ４ｅ
ＰＯＣｌｓ ＊ ＰＣＩ４ｔ Ｔｆ Ｃ１ｓ ＋
ＢＢｒｓ Ｗ ＢＯ２等の一種以上（ただし、ケイ素
ハロゲン化物は常に含まれる必要がある）をあげること
かで専る。
限定されないが、たとえばＳ ｉ Ｃ４、ＧｅＣ４ｅ
ＰＯＣｌｓ ＊ ＰＣＩ４ｔ Ｔｆ Ｃ１ｓ ＋
ＢＢｒｓ Ｗ ＢＯ２等の一種以上（ただし、ケイ素
ハロゲン化物は常に含まれる必要がある）をあげること
かで専る。
本発明による一次粒子の粒成長速度は、−次粒子をハロ
ゲン化物雰囲気中に曝す際のハロゲン化物供給ｉｍ（４
Ｉに主原料となるＳ Ｉ Ｃ４） 、雰囲気温凌、反応
時間に主に支配される。従来ハロゲン化物からガラス微
粒子を得るためのハロゲン化物供給方法は、ハロゲン化
物の蒸気をキャリアーガスで供給する方法がとられてい
た０本発明においても、従来の供給法と同じでよいが、
キャリアーガスのＮＩＫ４はハロゲン化物を火炎加水分
解反応させるか、熱酸化反応させるかによって選定する
必要があり、前者の場合にはＡｒ ガス、Ｎガス、後者
の場合にはＯ，ガスを使用した方が反応効率がよく、い
ずれの反応においても、ハロゲン化物の蒸気圧は主原料
となるハロゲン化ケイ素（たとえばＳｉＣム）で２００
〜１０００閾ＨＰ の範囲が最適である。ハロゲン化
ケイ素が２００ ｍｍ Ｈｔ よ抄少ないと、温度の
制御が短かしくな抄、粒成長はしに〈〈なり、反対に１
０００ ｍｍ ＨＰ を超えると、温度の制御がしに
くくなるからである。
ゲン化物雰囲気中に曝す際のハロゲン化物供給ｉｍ（４
Ｉに主原料となるＳ Ｉ Ｃ４） 、雰囲気温凌、反応
時間に主に支配される。従来ハロゲン化物からガラス微
粒子を得るためのハロゲン化物供給方法は、ハロゲン化
物の蒸気をキャリアーガスで供給する方法がとられてい
た０本発明においても、従来の供給法と同じでよいが、
キャリアーガスのＮＩＫ４はハロゲン化物を火炎加水分
解反応させるか、熱酸化反応させるかによって選定する
必要があり、前者の場合にはＡｒ ガス、Ｎガス、後者
の場合にはＯ，ガスを使用した方が反応効率がよく、い
ずれの反応においても、ハロゲン化物の蒸気圧は主原料
となるハロゲン化ケイ素（たとえばＳｉＣム）で２００
〜１０００閾ＨＰ の範囲が最適である。ハロゲン化
ケイ素が２００ ｍｍ Ｈｔ よ抄少ないと、温度の
制御が短かしくな抄、粒成長はしに〈〈なり、反対に１
０００ ｍｍ ＨＰ を超えると、温度の制御がしに
くくなるからである。
このようにハロゲン化物を用いて一次粒子を粒成長させ
るわけであるが、雰囲気温度は火炎加水分解反応と熱酸
化反応によって異なるが３００〜１８００℃の温度で粒
成艇させるのが好ましい、温度が３００℃以下であると
反応時間が長くなつ九り、反応効率が著しく悪くなり粒
成長が促進されなくなる。また１８００℃を超えるとガ
ラス微粒子が生成されなくなるからである。また熱源は
所望の温度が祷られるものであれば酸水素炎、プラズマ
炎、電気炉など特に限定するもので１よない。
るわけであるが、雰囲気温度は火炎加水分解反応と熱酸
化反応によって異なるが３００〜１８００℃の温度で粒
成艇させるのが好ましい、温度が３００℃以下であると
反応時間が長くなつ九り、反応効率が著しく悪くなり粒
成長が促進されなくなる。また１８００℃を超えるとガ
ラス微粒子が生成されなくなるからである。また熱源は
所望の温度が祷られるものであれば酸水素炎、プラズマ
炎、電気炉など特に限定するもので１よない。
反応時間は、ハロゲン化物供給量、雰囲気温度および一
次粒子供給量などを考慮し機能的に定めるのがよい。
次粒子供給量などを考慮し機能的に定めるのがよい。
本発明の第１のガラス微粒子製造方法は、−次粒子製造
と二次粒子製造を連続して行なうことも可能であり、ま
た第１及び第２の発明のいずれも二次粒子製造とシリカ
ガラスあるいはドープトシリカガラスの製造を連続的に
行なうことも可能である。
と二次粒子製造を連続して行なうことも可能であり、ま
た第１及び第２の発明のいずれも二次粒子製造とシリカ
ガラスあるいはドープトシリカガラスの製造を連続的に
行なうことも可能である。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図お・よび第２図は本＠明による方法を実施するだ
めの装置の一例であり、第１図は一次粒子から二次粒子
を製造するための装置の概略図、第２図は一次粒子と二
次粒子を連続的に製造するための装置の概略図である。
めの装置の一例であり、第１図は一次粒子から二次粒子
を製造するための装置の概略図、第２図は一次粒子と二
次粒子を連続的に製造するための装置の概略図である。
＃１４１図において１は一次粒子、２は反応管、３は電
気炉、４は二次粒子、５は二次粒子集結容器、６は排気
口、７は５ｉ（４用容器、８はＧａＣｌ２ 用視９は
反応ガス嘲送用管路である。また第２図において２１．
２２は反応管、２３は二次粒子集結容器、２４は一次粒
子拡散防止用ガス流入口、２５は排気口、２６．２７は
電気炉、２８は一次粒子、２９は二次粒子、３０．３２
はＳｔＣム用容缶容器１．３３はＧｅＣム用容器、３４
．３５は反応ガス輸送用管路である。
気炉、４は二次粒子、５は二次粒子集結容器、６は排気
口、７は５ｉ（４用容器、８はＧａＣｌ２ 用視９は
反応ガス嘲送用管路である。また第２図において２１．
２２は反応管、２３は二次粒子集結容器、２４は一次粒
子拡散防止用ガス流入口、２５は排気口、２６．２７は
電気炉、２８は一次粒子、２９は二次粒子、３０．３２
はＳｔＣム用容缶容器１．３３はＧｅＣム用容器、３４
．３５は反応ガス輸送用管路である。
実施例１
第１図における装置を用い、Ｇ・Ｏｔ を１０モル−添
加した５００〜２０００ Ａの粒径のドープトシリカガ
ラス−次粒子１を流速１０ＣＩＬ／秒、毎分１０ｔの割
合で反応管２に送ね込む一方、ＳＩＣム用容器７及びＧ
ｅＣ／４用容ａ８より反応ガス輸送用管路９を経て、偽
ガスによりｓｉｃ／１４ 及びＧｅＣム の蒸気を反
応管２に送り、前記−次粒子１を５ＩＣｔ４、 Ｇｅ
Ｃ４及びヘ ガスを含む反応ガスに曝した。
加した５００〜２０００ Ａの粒径のドープトシリカガ
ラス−次粒子１を流速１０ＣＩＬ／秒、毎分１０ｔの割
合で反応管２に送ね込む一方、ＳＩＣム用容器７及びＧ
ｅＣ／４用容ａ８より反応ガス輸送用管路９を経て、偽
ガスによりｓｉｃ／１４ 及びＧｅＣム の蒸気を反
応管２に送り、前記−次粒子１を５ＩＣｔ４、 Ｇｅ
Ｃ４及びヘ ガスを含む反応ガスに曝した。
この時の反応ガスの組成は、５ｉＣ４２０モルー１Ｇｅ
Ｃ４２モル％、Ｏ！ ７８モルチで供給量は毎分２ｔと
した。
Ｃ４２モル％、Ｏ！ ７８モルチで供給量は毎分２ｔと
した。
また反応管２の温度は電気炉３により１４００℃に保持
した。
した。
この結果、反応管２の内部で一次粒子の粒成長が進み、
Ｇｅへが添加された二次粒子４が、二次粒子集結容器５
に得られた。得られた二次粒子の粒径を測定したところ
１０〜１００４ｍ”であった。
Ｇｅへが添加された二次粒子４が、二次粒子集結容器５
に得られた。得られた二次粒子の粒径を測定したところ
１０〜１００４ｍ”であった。
このようにして得られた粒径の大角な二次粒子を火炎ま
たはプラズマ炎を用いて溶融し、透明で残留気泡を含−
まないドープトシリカガラスを約２００９／分の高速度
で製造することができた。
たはプラズマ炎を用いて溶融し、透明で残留気泡を含−
まないドープトシリカガラスを約２００９／分の高速度
で製造することができた。
実施ｌ＋Ｉ１２
第２図にお・ける湊岬に吐いて、あらかじめ反応管２１
および２２のｍＷを電気炉２６および２７によって１４
００℃に保持した後、５ＩＣ１４用容姦：（０およびＧ
ｅＣ！４用容器３１より反応ガス輸送用管路３４を経て
、０！ガスによりＳｉＣムおよびＧｅＣ＾の蒸気を反応
管２１に送った０反応管２１の構造は電気炉２６に入る
清ＰｌｒＩｉで２重構造になっており、前菖ピＳｉＣ＆
、 ＧｅＣ’１４および０．ガスを含む反応ガスは２
重管構造の中心管に送った。この時の反応ガスの組成は
５ｉｃ４モルチ、ＧｅＣム２モルチ、へ７８モル嘩で供
給量は毎分２１とした。
および２２のｍＷを電気炉２６および２７によって１４
００℃に保持した後、５ＩＣ１４用容姦：（０およびＧ
ｅＣ！４用容器３１より反応ガス輸送用管路３４を経て
、０！ガスによりＳｉＣムおよびＧｅＣ＾の蒸気を反応
管２１に送った０反応管２１の構造は電気炉２６に入る
清ＰｌｒＩｉで２重構造になっており、前菖ピＳｉＣ＆
、 ＧｅＣ’１４および０．ガスを含む反応ガスは２
重管構造の中心管に送った。この時の反応ガスの組成は
５ｉｃ４モルチ、ＧｅＣム２モルチ、へ７８モル嘩で供
給量は毎分２１とした。
−次粒子拡散防止用ガス流入口２４からＡｒガス５ｔ／
ｍ１ｎ およびヘガス５ｔ／ｍｌｎ の混合ガスを
流入し、反応管２１の内部で生成される一次粒子が拡散
して反応管２１の内面に付着するのを防上した。
ｍ１ｎ およびヘガス５ｔ／ｍｌｎ の混合ガスを
流入し、反応管２１の内部で生成される一次粒子が拡散
して反応管２１の内面に付着するのを防上した。
ｔｆｃｓｔｃｔ４用容器３２およびＧｅＣ４用容器３３
より、反応ガス輸送用管路３５を経てヘガスにょすｓｉ
ｃムおよびＧｅＣ４の蒸気を反応管２２に送った。この
時の組成は前記した一次粒子製造用反応ガスと同一にし
た。
より、反応ガス輸送用管路３５を経てヘガスにょすｓｉ
ｃムおよびＧｅＣ４の蒸気を反応管２２に送った。この
時の組成は前記した一次粒子製造用反応ガスと同一にし
た。
この結果二次粒子集結容器２３に二次粒子２９が連続的
に得られた。得られた二次粒子の粒径を測定したところ
、７〜１８０ ｍ の大きさであった。従来法との比較
のため反応カス帽送用管路３５から反応管２２への蒸気
状原料供給を止め、この時得られた粒子の粒径を測定し
たところ１００〜５００Ａの大きさであった。この結果
は反応管２２の内部で粒径１００〜５００Ａの一次粒子
２８が生成され、反応管２２の内部において一次粒子２
８が核となって粒成長が急激に進み、粒径の大きな二次
粒子が製造されていることを示している本のである。
に得られた。得られた二次粒子の粒径を測定したところ
、７〜１８０ ｍ の大きさであった。従来法との比較
のため反応カス帽送用管路３５から反応管２２への蒸気
状原料供給を止め、この時得られた粒子の粒径を測定し
たところ１００〜５００Ａの大きさであった。この結果
は反応管２２の内部で粒径１００〜５００Ａの一次粒子
２８が生成され、反応管２２の内部において一次粒子２
８が核となって粒成長が急激に進み、粒径の大きな二次
粒子が製造されていることを示している本のである。
このように本発明によるガラス微粒子の製造方法によれ
ば、従来法で得られるガラス微粒子を核として粒成長を
させるので、粒径の大きなガラス粒子を簡単にしかも各
粒子Ｆ′ｉ、琳独で完全に透明なものを製造することが
できる利点がある。
ば、従来法で得られるガラス微粒子を核として粒成長を
させるので、粒径の大きなガラス粒子を簡単にしかも各
粒子Ｆ′ｉ、琳独で完全に透明なものを製造することが
できる利点がある。
また、このようにして製造されたガラス粒子を火炎また
はプラズマ炎に投入してドープトシリカガラスを製造す
れば、残留気泡を含まないドープトシリカガラスが高速
度で効率よく製造できる利点本ある。
はプラズマ炎に投入してドープトシリカガラスを製造す
れば、残留気泡を含まないドープトシリカガラスが高速
度で効率よく製造できる利点本ある。
さらにこのように製造されたドープトシリカガラス金剛
いて光ファイバを製造すれば低価格になるという利点も
ある。
いて光ファイバを製造すれば低価格になるという利点も
ある。
＠１図および第２図り本発明による方法を実施するため
の装置の一例であり、第１図は一次粒子から二次粒子を
製造するための装置の概略図、第２図は一次粒子と二次
粒子を連続的に製造するための装置の概略図である。
の装置の一例であり、第１図は一次粒子から二次粒子を
製造するための装置の概略図、第２図は一次粒子と二次
粒子を連続的に製造するための装置の概略図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ガラス形成用ノ・ロゲン化物の蒸気を火炎加水分
解反応または熱酸化反応せしめることにより合成したガ
ラス微粒子を再度高温中で７・ロゲン化物雰囲気中に曝
すことを特徴とするガラス微粒子の製造方法。 ２、 ５ｔｃｔ４． ｓｏ、 ａｏと反応しＳＩＯ
，−）”−パント固溶体を形成しうるガス状添加物より
成るドープトシリカガラス形成用ガスにガラス微粒子粉
ま九は水晶粉を曝し形成させたドープトシリカガラス微
粒子を再度高温中でノ・ロゲン化雰囲気中に曝すことを
％像とするガラス微粒子の製造方
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18533981A JPS5888130A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | ガラス微粒子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18533981A JPS5888130A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | ガラス微粒子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888130A true JPS5888130A (ja) | 1983-05-26 |
Family
ID=16169064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18533981A Pending JPS5888130A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | ガラス微粒子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5888130A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1106582A2 (en) * | 1999-12-10 | 2001-06-13 | Corning Incorporated | Silica soot and process for producing it |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5243810A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-06 | Fujikura Ltd | Process for preparing silica glass |
| JPS5510412A (en) * | 1978-07-06 | 1980-01-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of anhydrous glass base material for optical fiber |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP18533981A patent/JPS5888130A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1106582A2 (en) * | 1999-12-10 | 2001-06-13 | Corning Incorporated | Silica soot and process for producing it |
| EP1106582A3 (en) * | 1999-12-10 | 2001-10-24 | Corning Incorporated | Silica soot and process for producing it |
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