JPH0936091A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマを利用したドライエッチング方法に
おいて、従来より開発が進められているフロロカーボン
ガスとＣＯの混合ガスを用いた場合と同程度のエッチン
グ特性を有すると共に、引火や発火等の危険をなくし、
安全性の確保が容易なエッチング方法を実現する。 【構成】 ＣＯを組成式に含むフロロカーボンガスをド
ライエッチングにおけるエッチングガスとして用い、例
えば、ウエハ２１上に形成され、レジスト２３等のマス
クが形成されたシリコン酸化膜２２に、所定のパターン
の開孔２４を形成する。
おいて、従来より開発が進められているフロロカーボン
ガスとＣＯの混合ガスを用いた場合と同程度のエッチン
グ特性を有すると共に、引火や発火等の危険をなくし、
安全性の確保が容易なエッチング方法を実現する。 【構成】 ＣＯを組成式に含むフロロカーボンガスをド
ライエッチングにおけるエッチングガスとして用い、例
えば、ウエハ２１上に形成され、レジスト２３等のマス
クが形成されたシリコン酸化膜２２に、所定のパターン
の開孔２４を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法、
特に半導体装置を製造する際のプラズマを利用したドラ
イエッチングにおける反応性ガスの種類に関する。
特に半導体装置を製造する際のプラズマを利用したドラ
イエッチングにおける反応性ガスの種類に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体装置の製造においては、
各種の膜を所望の形状に加工するエッチング技術が用い
られており、近年の半導体装置の微細化に供なって益々
その技術の重要度も増している。エッチング技術には種
々の方法があるが、この中でプラズマを利用したドライ
エッチング技術は、その代表的な方法の一つとして知ら
れている。
各種の膜を所望の形状に加工するエッチング技術が用い
られており、近年の半導体装置の微細化に供なって益々
その技術の重要度も増している。エッチング技術には種
々の方法があるが、この中でプラズマを利用したドライ
エッチング技術は、その代表的な方法の一つとして知ら
れている。
【０００３】続いて、従来より用いられている一般的な
ドライエッチング技術について説明する。エッチング工
程においては、まず初めにエッチング装置内にガス導入
管から後述する反応ガスが導入される。尚、反応室内は
減圧状態に保たれている。エッチング対象であるウエハ
が載置されたカソード電極に、高周波電源から数百kHz
〜数十Mhz 程度の電圧が印加されると、反応室内に導入
された反応ガスが解離し、反応室内にプラズマ雰囲気が
生成される。よってこの解離した反応ガスの一部が、レ
ジスト等のマスクに覆われずに露出しているシリコン酸
化膜と反応し、これを分解することによってエッチング
が進行する。反応が終了し、組成が変化した反応ガス
は、ガス排出管より排出される。排出されたガスは装置
の外部に流出することなく、吸着処理や燃焼処理、水溶
解等が行われ安全に処理される。
ドライエッチング技術について説明する。エッチング工
程においては、まず初めにエッチング装置内にガス導入
管から後述する反応ガスが導入される。尚、反応室内は
減圧状態に保たれている。エッチング対象であるウエハ
が載置されたカソード電極に、高周波電源から数百kHz
〜数十Mhz 程度の電圧が印加されると、反応室内に導入
された反応ガスが解離し、反応室内にプラズマ雰囲気が
生成される。よってこの解離した反応ガスの一部が、レ
ジスト等のマスクに覆われずに露出しているシリコン酸
化膜と反応し、これを分解することによってエッチング
が進行する。反応が終了し、組成が変化した反応ガス
は、ガス排出管より排出される。排出されたガスは装置
の外部に流出することなく、吸着処理や燃焼処理、水溶
解等が行われ安全に処理される。
【０００４】ドライエッチングにおける反応ガスとして
は、エッチング対象に対するエッチング速度が速く、且
つ、レジスト等のエッチングマスクのエッチング速度に
対するエッチング対象のエッチング速度の比（エッチン
グレート）が大きいものが望ましい。よって従来よりこ
れらの性質を満足する反応ガスとして、ＣｌやＦ等のハ
ロゲン化物と炭素が化学結合したフロロカーボンガスが
用いられており、この中でシリコン酸化膜のエッチング
においては特にＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4
Ｆ8等が代表的である。
は、エッチング対象に対するエッチング速度が速く、且
つ、レジスト等のエッチングマスクのエッチング速度に
対するエッチング対象のエッチング速度の比（エッチン
グレート）が大きいものが望ましい。よって従来よりこ
れらの性質を満足する反応ガスとして、ＣｌやＦ等のハ
ロゲン化物と炭素が化学結合したフロロカーボンガスが
用いられており、この中でシリコン酸化膜のエッチング
においては特にＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4
Ｆ8等が代表的である。
【０００５】これらのフロロカーボンガスを反応ガスと
して用いた場合には、プラズマ雰囲気中で反応ガスから
カーボン系のラジカル種が解離し、エッチング対象のウ
エハ上に重合膜として堆積する結果、マスクのエッチン
グ速度を低下させ、エッチングレートを大きくする働き
があると考えられている。またその他フロロカーボンガ
スから解離したＦ等の揮発性のガスがシリコン酸化膜と
反応し、エッチングが進行するのである。
して用いた場合には、プラズマ雰囲気中で反応ガスから
カーボン系のラジカル種が解離し、エッチング対象のウ
エハ上に重合膜として堆積する結果、マスクのエッチン
グ速度を低下させ、エッチングレートを大きくする働き
があると考えられている。またその他フロロカーボンガ
スから解離したＦ等の揮発性のガスがシリコン酸化膜と
反応し、エッチングが進行するのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年になっ
て、上記のようなフロロカーボンガスにより解離して生
成されるカーボン系ラジカル種がパーティクルを生じ、
デバイス欠陥を生じさせる原因になるとの指摘がなされ
るようになった。この現象は特にＣの元素比率が比較的
大きいフロロカーボンガスを用いた場合に顕著である。
この現象を回避するためには、Ｃの元素比率が比較的小
さいフロロカーボンガスを用いるべきであるが、逆に上
記の重合膜の堆積速度が遅くなるため、エッチングレー
トを増加させる効果が減少することや、エッチング対象
に対するエッチング速度を低下させる等の課題が生じて
いる。
て、上記のようなフロロカーボンガスにより解離して生
成されるカーボン系ラジカル種がパーティクルを生じ、
デバイス欠陥を生じさせる原因になるとの指摘がなされ
るようになった。この現象は特にＣの元素比率が比較的
大きいフロロカーボンガスを用いた場合に顕著である。
この現象を回避するためには、Ｃの元素比率が比較的小
さいフロロカーボンガスを用いるべきであるが、逆に上
記の重合膜の堆積速度が遅くなるため、エッチングレー
トを増加させる効果が減少することや、エッチング対象
に対するエッチング速度を低下させる等の課題が生じて
いる。
【０００７】このような課題を解決するために、例えば
特開平6-163475号公報や日経マイクロデバイス1995年2
月号54頁から61頁には、上記のようなフロロカーボンガ
スにＣＯを添加する技術が開示されている。
特開平6-163475号公報や日経マイクロデバイス1995年2
月号54頁から61頁には、上記のようなフロロカーボンガ
スにＣＯを添加する技術が開示されている。
【０００８】これらの技術は、反応室内に上記のような
フロロカーボンガスとＣＯとを導入するものであり、フ
ロロカーボンガスとＣＯの混合ガス中に含まれるＣによ
り、プラズマ中でカーボン系ラジカル種が生成し、エッ
チング対象であるウエハ上に重合膜が堆積される。また
これと共に、混合ガス中のＯによりプラズマ中で酸素ラ
ジカル種が生成され、重合膜を酸化させ気化させるた
め、重合膜の堆積速度を低下させ、またＣＯはＯ或いは
ＣＯ2よりもＣの元素比率が高いため、カーボン系ラジ
カル種の堆積の効果が強く現れ、パーティクルの生成が
抑制され、シリコン酸化膜のエッチング速度が向上する
と解されている。
フロロカーボンガスとＣＯとを導入するものであり、フ
ロロカーボンガスとＣＯの混合ガス中に含まれるＣによ
り、プラズマ中でカーボン系ラジカル種が生成し、エッ
チング対象であるウエハ上に重合膜が堆積される。また
これと共に、混合ガス中のＯによりプラズマ中で酸素ラ
ジカル種が生成され、重合膜を酸化させ気化させるた
め、重合膜の堆積速度を低下させ、またＣＯはＯ或いは
ＣＯ2よりもＣの元素比率が高いため、カーボン系ラジ
カル種の堆積の効果が強く現れ、パーティクルの生成が
抑制され、シリコン酸化膜のエッチング速度が向上する
と解されている。
【０００９】しかしながら、上記の公報等に記載されて
いる技術を実用化するのには難点がある。これは、従来
より用いられてきたフロロカーボンガスの他に、さらに
ＣＯを反応室内に導入する必要があるため、これに係る
装置の付帯設備が増加する点、及びＣＯは可燃性ガスで
あり、また有毒ガスでもあるため、管理基準が厳しく、
この取扱いについて多大な注意が必要である点等が挙げ
られるためである。特にＣＯは発火点が摂氏651 度と比
較的低温であるため、常に引火または発火する危険性を
有している。このため反応室内への導入前の取扱いや、
反応室内に導入させる際の流量の制限、エッチング時の
条件の制約等が必要となり、エッチング工程における安
全性を確保を図る上で、大きな障害となっている。
いる技術を実用化するのには難点がある。これは、従来
より用いられてきたフロロカーボンガスの他に、さらに
ＣＯを反応室内に導入する必要があるため、これに係る
装置の付帯設備が増加する点、及びＣＯは可燃性ガスで
あり、また有毒ガスでもあるため、管理基準が厳しく、
この取扱いについて多大な注意が必要である点等が挙げ
られるためである。特にＣＯは発火点が摂氏651 度と比
較的低温であるため、常に引火または発火する危険性を
有している。このため反応室内への導入前の取扱いや、
反応室内に導入させる際の流量の制限、エッチング時の
条件の制約等が必要となり、エッチング工程における安
全性を確保を図る上で、大きな障害となっている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記のように、従来より
フロロカーボンガスとのＣＯと混合ガスをエッチングガ
スとして用いる技術が開発されているが、この方法を実
際のプロセスに用いるには安全性を確保する上で、ＣＯ
の可燃性の問題が大きな障害となっている。本発明にお
いては、上記の課題を解決すべく、以下のような手段を
用いる。すなわち、反応室内の電極に所定膜が形成され
た半導体基板を載置する工程と、前記反応室内にＣＯを
組成式中に含むフロロカーボンガスを導入する工程と、
前記電極に高周波電圧を印加し前記反応室内にプラズマ
を生成し前記所定膜をエッチングするドライエッチング
工程を有する半導体装置の製造方法を提供することにあ
り、特に前記反応ガスは、ＣＦ3ＦＣＯＣＦ2（hexatluo
ropropen oxide）またはＣＦ3ＣＯＣＦ3（hexatluoroac
etone ）とすることにより、本発明はより効果的とな
る。
フロロカーボンガスとのＣＯと混合ガスをエッチングガ
スとして用いる技術が開発されているが、この方法を実
際のプロセスに用いるには安全性を確保する上で、ＣＯ
の可燃性の問題が大きな障害となっている。本発明にお
いては、上記の課題を解決すべく、以下のような手段を
用いる。すなわち、反応室内の電極に所定膜が形成され
た半導体基板を載置する工程と、前記反応室内にＣＯを
組成式中に含むフロロカーボンガスを導入する工程と、
前記電極に高周波電圧を印加し前記反応室内にプラズマ
を生成し前記所定膜をエッチングするドライエッチング
工程を有する半導体装置の製造方法を提供することにあ
り、特に前記反応ガスは、ＣＦ3ＦＣＯＣＦ2（hexatluo
ropropen oxide）またはＣＦ3ＣＯＣＦ3（hexatluoroac
etone ）とすることにより、本発明はより効果的とな
る。
【００１１】
【作用】本発明によれば、ＣＯをその組成式中に含むフ
ロロカーボンガスを、ドライエッチングにおけるエッチ
ングガスとして使用する。これにより従来より開発が進
められているフロロカーボンガスとＣＯをエッチングガ
スとして用いた場合と比べ、そのエッチング速度やエッ
チングレートに遜色がなく、また良好なエッチング特性
を維持しつつ、さらにＣＯをその組成式に含むフロロカ
ーボンガスは、通常のドライエッチングの使用状態にお
いては、引火や発火する危険は皆無であり、また毒性に
ついてもＣＯほど高くないため、反応室内への導入前の
取扱いや、反応室内に導入させる際の流量の制限、エッ
チング時の条件の制約等を考慮する必要がなく、通常と
同様にフロロカーボンガスを単独でエッチングガスとし
て用いる場合と同程度の管理で十分なものとした。
ロロカーボンガスを、ドライエッチングにおけるエッチ
ングガスとして使用する。これにより従来より開発が進
められているフロロカーボンガスとＣＯをエッチングガ
スとして用いた場合と比べ、そのエッチング速度やエッ
チングレートに遜色がなく、また良好なエッチング特性
を維持しつつ、さらにＣＯをその組成式に含むフロロカ
ーボンガスは、通常のドライエッチングの使用状態にお
いては、引火や発火する危険は皆無であり、また毒性に
ついてもＣＯほど高くないため、反応室内への導入前の
取扱いや、反応室内に導入させる際の流量の制限、エッ
チング時の条件の制約等を考慮する必要がなく、通常と
同様にフロロカーボンガスを単独でエッチングガスとし
て用いる場合と同程度の管理で十分なものとした。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。本
発明において用いるエッチング装置は、従来より用いら
れているエッチング装置と同様であり、図１の概略図に
示すような装置が用いられる。図１において、反応室１
１内のカソード電極１２側に、エッチング対象であるウ
エハ１３が載置されている。反応室１１には、反応ガス
を導入するガス導入管１４と反応が終了した排気ガスを
排出するガス排出管１５が設けられている。またカソー
ド電極１２にはプラズマを発生させるための高周波電源
１６が接続され、またカソード電極１２と対抗する位置
には、接地電圧１７に接続されたアノード電極１８が配
置されている。この接続方法はカソードカップリングと
称されるが、接続関係を上記と反対にしたアノードカッ
プリングと称される方法がとられる場合もある。
発明において用いるエッチング装置は、従来より用いら
れているエッチング装置と同様であり、図１の概略図に
示すような装置が用いられる。図１において、反応室１
１内のカソード電極１２側に、エッチング対象であるウ
エハ１３が載置されている。反応室１１には、反応ガス
を導入するガス導入管１４と反応が終了した排気ガスを
排出するガス排出管１５が設けられている。またカソー
ド電極１２にはプラズマを発生させるための高周波電源
１６が接続され、またカソード電極１２と対抗する位置
には、接地電圧１７に接続されたアノード電極１８が配
置されている。この接続方法はカソードカップリングと
称されるが、接続関係を上記と反対にしたアノードカッ
プリングと称される方法がとられる場合もある。
【００１３】次に本発明におけるエッチング工程の一例
について説明する。尚、以下の説明においては、ウエハ
上に形成されたシリコン酸化膜に、所定の幅の開孔を形
成する際の、エッチング工程について述べる。
について説明する。尚、以下の説明においては、ウエハ
上に形成されたシリコン酸化膜に、所定の幅の開孔を形
成する際の、エッチング工程について述べる。
【００１４】上記に示したエッチング装置内のカソード
電極１２には、図２（ａ）に示すように、シリコン酸化
膜２２が表面上に形成され、さらにシリコン酸化膜２２
表面上に所定のパターンを有するレジスト２３が形成さ
れたウエハ２１が載置されている。
電極１２には、図２（ａ）に示すように、シリコン酸化
膜２２が表面上に形成され、さらにシリコン酸化膜２２
表面上に所定のパターンを有するレジスト２３が形成さ
れたウエハ２１が載置されている。
【００１５】気圧が1 〜500mtorr程度に保たれた反応室
１１内に、後に細詳するＣＯを組成式中に含むフロロカ
ーボンガスが1 〜500sccm 程度でガス導入管１４から導
入される。その後、カソード電極１２に高周波電源１６
から数百kHz 〜数十Mhz 程度の電圧が印加されると、反
応ガスが解離し、プラズマ雰囲気が生成される。よって
この解離した反応ガスの一部が、レジスト２３のマスク
に覆われていない部分のシリコン酸化膜２２と反応し、
シリコン酸化膜２２を分解することによって異方性エッ
チングが進行し、最終的に図２（ｂ）で示すような開孔
２４がシリコン酸化膜２２に形成される。反応が終了し
組成が変化した反応ガスは、ガス排出管１５より排出さ
れる。
１１内に、後に細詳するＣＯを組成式中に含むフロロカ
ーボンガスが1 〜500sccm 程度でガス導入管１４から導
入される。その後、カソード電極１２に高周波電源１６
から数百kHz 〜数十Mhz 程度の電圧が印加されると、反
応ガスが解離し、プラズマ雰囲気が生成される。よって
この解離した反応ガスの一部が、レジスト２３のマスク
に覆われていない部分のシリコン酸化膜２２と反応し、
シリコン酸化膜２２を分解することによって異方性エッ
チングが進行し、最終的に図２（ｂ）で示すような開孔
２４がシリコン酸化膜２２に形成される。反応が終了し
組成が変化した反応ガスは、ガス排出管１５より排出さ
れる。
【００１６】本発明の特徴は、従来より開発が進められ
てきたエッチングガスであるフロロカーボンガスとＣＯ
の混合ガスの代わりに、ＣＯ自体をその組成式中に含む
フロロカーボンガスを用いる点にある。尚、前述してき
たように、従来よりフロロカーボンガス自体は存在して
いたが、その組成式中にＣＯを含むガスをエッチングガ
スとして用いることは行われていなかったことを付記し
ておく。
てきたエッチングガスであるフロロカーボンガスとＣＯ
の混合ガスの代わりに、ＣＯ自体をその組成式中に含む
フロロカーボンガスを用いる点にある。尚、前述してき
たように、従来よりフロロカーボンガス自体は存在して
いたが、その組成式中にＣＯを含むガスをエッチングガ
スとして用いることは行われていなかったことを付記し
ておく。
【００１７】このＣＯを組成式中に含むフロロカーボン
ガスの具体例としては、ＣＦ3ＦＣＯＣＦ2（hexatluoro
propen oxide）やＣＦ3ＣＯＣＦ3（hexatluoroacetone
）が代表的である。尚、前者のガスは沸点が摂氏-42
度、後者のガスは沸点が摂氏-26 度であり、常温、常圧
下においてはガス化しておりエッチング装置への導入は
ガス状のまま容易に行うことができる。上記に挙げた２
種類のガスの他、ＣＦ3ＣＯＦ、ＣＦ3ＣＯＣＯＦ等、少
なくともＦ或いはＣｌとＣと、さらにＣＯが化学結合を
有するガスについて本発明に用いることができる。
ガスの具体例としては、ＣＦ3ＦＣＯＣＦ2（hexatluoro
propen oxide）やＣＦ3ＣＯＣＦ3（hexatluoroacetone
）が代表的である。尚、前者のガスは沸点が摂氏-42
度、後者のガスは沸点が摂氏-26 度であり、常温、常圧
下においてはガス化しておりエッチング装置への導入は
ガス状のまま容易に行うことができる。上記に挙げた２
種類のガスの他、ＣＦ3ＣＯＦ、ＣＦ3ＣＯＣＯＦ等、少
なくともＦ或いはＣｌとＣと、さらにＣＯが化学結合を
有するガスについて本発明に用いることができる。
【００１８】これらＣＯをその組成式中に含むフロロカ
ーボンガスを、ドライエッチングにおけるエッチングガ
スとして使用しても、従来より開発が進められているフ
ロロカーボンガスとＣＯをエッチングガスとして用いた
場合と比べ、そのエッチング速度やエッチングレートに
遜色がないことが、本発明者によって初めて見い出され
た。
ーボンガスを、ドライエッチングにおけるエッチングガ
スとして使用しても、従来より開発が進められているフ
ロロカーボンガスとＣＯをエッチングガスとして用いた
場合と比べ、そのエッチング速度やエッチングレートに
遜色がないことが、本発明者によって初めて見い出され
た。
【００１９】さらにＣＯ自体をその組成式に含むフロロ
カーボンガスは、通常のドライエッチングの使用状態に
おいては、引火や発火する危険はなく、また毒性につい
てもＣＯほど高くはないので、フロロカーボンガスとＣ
Ｏの混合ガスを用いる場合に比べ、安全管理は容易であ
り、反応室内への導入前の取扱いや、反応室内に導入さ
せる際の流量の制限、エッチング時の条件の制約等を考
慮する必要はなく、通常と同様にフロロカーボンガスを
単独でエッチングガスとして用いる場合と同程度の管理
で十分である。
カーボンガスは、通常のドライエッチングの使用状態に
おいては、引火や発火する危険はなく、また毒性につい
てもＣＯほど高くはないので、フロロカーボンガスとＣ
Ｏの混合ガスを用いる場合に比べ、安全管理は容易であ
り、反応室内への導入前の取扱いや、反応室内に導入さ
せる際の流量の制限、エッチング時の条件の制約等を考
慮する必要はなく、通常と同様にフロロカーボンガスを
単独でエッチングガスとして用いる場合と同程度の管理
で十分である。
【００２０】上記のようなＣＯをその組成式中に含むフ
ロロカーボンガスが、フロロカーボンガスとＣＯの混合
ガスと同様に、そのエッチング速度やエッチングレート
について効果を有するのは、エッチング工程において、
反応室内でのプラズマの生成によって、ＣＯ自体がそれ
を含むフロロカーボンガスから分解するため、あたかも
ＣＯをその組成式中に含まないＣＦ4やＣ2Ｆ6等のフロ
ロカーボンガスとＣＯを混合ガスとして反応室内に導入
したのと、同様の状態となっているためであると解され
る。
ロロカーボンガスが、フロロカーボンガスとＣＯの混合
ガスと同様に、そのエッチング速度やエッチングレート
について効果を有するのは、エッチング工程において、
反応室内でのプラズマの生成によって、ＣＯ自体がそれ
を含むフロロカーボンガスから分解するため、あたかも
ＣＯをその組成式中に含まないＣＦ4やＣ2Ｆ6等のフロ
ロカーボンガスとＣＯを混合ガスとして反応室内に導入
したのと、同様の状態となっているためであると解され
る。
【００２１】従って従来と同様に、フロロカーボンガス
とＣＯとの混合ガス中に含まれるＣにより、プラズマ中
でカーボン系ラジカル種が生成し、エッチング対象であ
るウエハ上に重合膜が堆積される。一方、混合ガス中の
Ｏによりプラズマ中で酸素ラジカル種が生成され、重合
膜を酸化させ気化させるため、重合膜の堆積速度を低下
させる働きがあり、またＣＯはＯ或いはＣＯ2よりもＣ
の元素比率が高いため、カーボン系ラジカル種の堆積の
効果が強く現れ、パーティクルの生成が抑制され、シリ
コン酸化膜のエッチング速度が向上するのである。
とＣＯとの混合ガス中に含まれるＣにより、プラズマ中
でカーボン系ラジカル種が生成し、エッチング対象であ
るウエハ上に重合膜が堆積される。一方、混合ガス中の
Ｏによりプラズマ中で酸素ラジカル種が生成され、重合
膜を酸化させ気化させるため、重合膜の堆積速度を低下
させる働きがあり、またＣＯはＯ或いはＣＯ2よりもＣ
の元素比率が高いため、カーボン系ラジカル種の堆積の
効果が強く現れ、パーティクルの生成が抑制され、シリ
コン酸化膜のエッチング速度が向上するのである。
【００２２】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明のドライエッチング方法は、シリコン酸化膜
に開孔を形成する際のエッチングにとどまらず、シリコ
ン窒化膜のエッチングやシリコン膜のエッチング等にも
適用できる。また上記に示したエッチング工程により形
成した開孔は、下地配線や拡散層等とのコンタクトホー
ルやビィアホールに用いることができる他、埋め込み配
線層を形成する際にも層間膜のエッチング方法として用
いることができるのは言うまでもない。さらにエッチン
グレートを向上させるためＡｒ等の他の反応ガスと混合
させて用いることもできる。さらにエッチング対象に供
なって、反応室内の気圧やガスの流量等は適宜選択する
ことも勿論可能である。
が、本発明のドライエッチング方法は、シリコン酸化膜
に開孔を形成する際のエッチングにとどまらず、シリコ
ン窒化膜のエッチングやシリコン膜のエッチング等にも
適用できる。また上記に示したエッチング工程により形
成した開孔は、下地配線や拡散層等とのコンタクトホー
ルやビィアホールに用いることができる他、埋め込み配
線層を形成する際にも層間膜のエッチング方法として用
いることができるのは言うまでもない。さらにエッチン
グレートを向上させるためＡｒ等の他の反応ガスと混合
させて用いることもできる。さらにエッチング対象に供
なって、反応室内の気圧やガスの流量等は適宜選択する
ことも勿論可能である。
【００２３】
【発明の効果】本発明においては、プラズマを利用した
ドライエッチング方法において、エッチングガスとして
ＣＯを組成式に含むフロロカーボンガスを用いることに
より、従来より開発が進められているフロロカーボンガ
スとＣＯの混合ガスを用いた場合と同程度のエッチング
性能を有すると共に、引火や発火の危険がないガスを用
いたため、安全確保に関する点は、従来と同様にフロロ
カーボンガスを単独で用いた場合と同程度で済むエッチ
ング方法を実現した。
ドライエッチング方法において、エッチングガスとして
ＣＯを組成式に含むフロロカーボンガスを用いることに
より、従来より開発が進められているフロロカーボンガ
スとＣＯの混合ガスを用いた場合と同程度のエッチング
性能を有すると共に、引火や発火の危険がないガスを用
いたため、安全確保に関する点は、従来と同様にフロロ
カーボンガスを単独で用いた場合と同程度で済むエッチ
ング方法を実現した。
【図１】本発明の実施例に用いるエッチング装置の一例
を示す概略図。
を示す概略図。
【図２】本発明の実施例による半導体製造工程の一例を
示す断面図。
示す断面図。
１１ 反応室 １２ カソード電極 １３ ウエハ １４ ガス導入管 １５ ガス排出管 １６ 高周波電源 １７ 接地電圧 １８ アノード電極 ２１ ウエハ ２２ シリコン酸化膜 ２３ レジスト ２４ 開孔
Claims (5)
- 【請求項１】 反応室内の電極に所定膜が形成された半
導体基板を載置する工程と、 前記反応室内にＣＯを組成式中に含むフロロカーボンガ
スを導入する工程と、 前記電極に高周波電圧を印加し前記反応室内にプラズマ
を生成し前記所定膜をエッチングするドライエッチング
工程を有する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記反応ガスは、ＣＦ3ＦＣＯＣＦ2（he
xatluoropropen oxide）またはＣＦ3ＣＯＣＦ3（hexatl
uoroacetone ）であることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項３】 前記所定膜は、シリコン酸化膜またはシ
リコン窒化膜またはシリコン膜であることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 エッチングマスクが形成された所定膜
を、反応室内に導入された反応ガスの作用によりエッチ
ングするドライエッチング工程を有する半導体装置の製
造方法において、 前記反応ガスに、ハロゲン化物とＣとＣＯが化学結合し
たフロロカーボンガスを用いることを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記所定膜は前記反応室内に設けられた
電極上に載置され、前記電極に電圧を印加することによ
り前記反応室内にプラズマが生成され、前記プラズマに
より前記フロロカーボンガスを構成するＣＯが前記フロ
ロカーボンガスから解離することを特徴とする請求項４
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7183652A JPH0936091A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
| TW085108371A TW302509B (ja) | 1995-07-20 | 1996-07-10 | |
| KR1019960029111A KR100215601B1 (ko) | 1995-07-20 | 1996-07-19 | 반도체장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7183652A JPH0936091A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936091A true JPH0936091A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16139556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7183652A Pending JPH0936091A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936091A (ja) |
| KR (1) | KR100215601B1 (ja) |
| TW (1) | TW302509B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001899A1 (fr) * | 1996-07-10 | 1998-01-15 | Daikin Industries, Ltd. | Gaz nettoyant |
| JP2000509915A (ja) * | 1997-02-20 | 2000-08-02 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | シリコン用の異方性のフッ素ベースのプラズマエッチング法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11566177B2 (en) * | 2017-02-28 | 2023-01-31 | Central Glass Company, Limited | Dry etching agent, dry etching method and method for producing semiconductor device |
-
1995
- 1995-07-20 JP JP7183652A patent/JPH0936091A/ja active Pending
-
1996
- 1996-07-10 TW TW085108371A patent/TW302509B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-07-19 KR KR1019960029111A patent/KR100215601B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001899A1 (fr) * | 1996-07-10 | 1998-01-15 | Daikin Industries, Ltd. | Gaz nettoyant |
| JP2000509915A (ja) * | 1997-02-20 | 2000-08-02 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | シリコン用の異方性のフッ素ベースのプラズマエッチング法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970008375A (ko) | 1997-02-24 |
| KR100215601B1 (ko) | 1999-08-16 |
| TW302509B (ja) | 1997-04-11 |
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