JPH0936091A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマを利用したドライエッチング方法に
おいて、従来より開発が進められているフロロカーボン
ガスとCOの混合ガスを用いた場合と同程度のエッチン
グ特性を有すると共に、引火や発火等の危険をなくし、
安全性の確保が容易なエッチング方法を実現する。 【構成】 COを組成式に含むフロロカーボンガスをド
ライエッチングにおけるエッチングガスとして用い、例
えば、ウエハ21上に形成され、レジスト23等のマス
クが形成されたシリコン酸化膜22に、所定のパターン
の開孔24を形成する。
おいて、従来より開発が進められているフロロカーボン
ガスとCOの混合ガスを用いた場合と同程度のエッチン
グ特性を有すると共に、引火や発火等の危険をなくし、
安全性の確保が容易なエッチング方法を実現する。 【構成】 COを組成式に含むフロロカーボンガスをド
ライエッチングにおけるエッチングガスとして用い、例
えば、ウエハ21上に形成され、レジスト23等のマス
クが形成されたシリコン酸化膜22に、所定のパターン
の開孔24を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法、
特に半導体装置を製造する際のプラズマを利用したドラ
イエッチングにおける反応性ガスの種類に関する。
特に半導体装置を製造する際のプラズマを利用したドラ
イエッチングにおける反応性ガスの種類に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より半導体装置の製造においては、
各種の膜を所望の形状に加工するエッチング技術が用い
られており、近年の半導体装置の微細化に供なって益々
その技術の重要度も増している。エッチング技術には種
々の方法があるが、この中でプラズマを利用したドライ
エッチング技術は、その代表的な方法の一つとして知ら
れている。
各種の膜を所望の形状に加工するエッチング技術が用い
られており、近年の半導体装置の微細化に供なって益々
その技術の重要度も増している。エッチング技術には種
々の方法があるが、この中でプラズマを利用したドライ
エッチング技術は、その代表的な方法の一つとして知ら
れている。
【0003】続いて、従来より用いられている一般的な
ドライエッチング技術について説明する。エッチング工
程においては、まず初めにエッチング装置内にガス導入
管から後述する反応ガスが導入される。尚、反応室内は
減圧状態に保たれている。エッチング対象であるウエハ
が載置されたカソード電極に、高周波電源から数百kHz
〜数十Mhz 程度の電圧が印加されると、反応室内に導入
された反応ガスが解離し、反応室内にプラズマ雰囲気が
生成される。よってこの解離した反応ガスの一部が、レ
ジスト等のマスクに覆われずに露出しているシリコン酸
化膜と反応し、これを分解することによってエッチング
が進行する。反応が終了し、組成が変化した反応ガス
は、ガス排出管より排出される。排出されたガスは装置
の外部に流出することなく、吸着処理や燃焼処理、水溶
解等が行われ安全に処理される。
ドライエッチング技術について説明する。エッチング工
程においては、まず初めにエッチング装置内にガス導入
管から後述する反応ガスが導入される。尚、反応室内は
減圧状態に保たれている。エッチング対象であるウエハ
が載置されたカソード電極に、高周波電源から数百kHz
〜数十Mhz 程度の電圧が印加されると、反応室内に導入
された反応ガスが解離し、反応室内にプラズマ雰囲気が
生成される。よってこの解離した反応ガスの一部が、レ
ジスト等のマスクに覆われずに露出しているシリコン酸
化膜と反応し、これを分解することによってエッチング
が進行する。反応が終了し、組成が変化した反応ガス
は、ガス排出管より排出される。排出されたガスは装置
の外部に流出することなく、吸着処理や燃焼処理、水溶
解等が行われ安全に処理される。
【0004】ドライエッチングにおける反応ガスとして
は、エッチング対象に対するエッチング速度が速く、且
つ、レジスト等のエッチングマスクのエッチング速度に
対するエッチング対象のエッチング速度の比(エッチン
グレート)が大きいものが望ましい。よって従来よりこ
れらの性質を満足する反応ガスとして、ClやF等のハ
ロゲン化物と炭素が化学結合したフロロカーボンガスが
用いられており、この中でシリコン酸化膜のエッチング
においては特にCF4、CHF3、C2F6、C3F8、C4
F8等が代表的である。
は、エッチング対象に対するエッチング速度が速く、且
つ、レジスト等のエッチングマスクのエッチング速度に
対するエッチング対象のエッチング速度の比(エッチン
グレート)が大きいものが望ましい。よって従来よりこ
れらの性質を満足する反応ガスとして、ClやF等のハ
ロゲン化物と炭素が化学結合したフロロカーボンガスが
用いられており、この中でシリコン酸化膜のエッチング
においては特にCF4、CHF3、C2F6、C3F8、C4
F8等が代表的である。
【0005】これらのフロロカーボンガスを反応ガスと
して用いた場合には、プラズマ雰囲気中で反応ガスから
カーボン系のラジカル種が解離し、エッチング対象のウ
エハ上に重合膜として堆積する結果、マスクのエッチン
グ速度を低下させ、エッチングレートを大きくする働き
があると考えられている。またその他フロロカーボンガ
スから解離したF等の揮発性のガスがシリコン酸化膜と
反応し、エッチングが進行するのである。
して用いた場合には、プラズマ雰囲気中で反応ガスから
カーボン系のラジカル種が解離し、エッチング対象のウ
エハ上に重合膜として堆積する結果、マスクのエッチン
グ速度を低下させ、エッチングレートを大きくする働き
があると考えられている。またその他フロロカーボンガ
スから解離したF等の揮発性のガスがシリコン酸化膜と
反応し、エッチングが進行するのである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年になっ
て、上記のようなフロロカーボンガスにより解離して生
成されるカーボン系ラジカル種がパーティクルを生じ、
デバイス欠陥を生じさせる原因になるとの指摘がなされ
るようになった。この現象は特にCの元素比率が比較的
大きいフロロカーボンガスを用いた場合に顕著である。
この現象を回避するためには、Cの元素比率が比較的小
さいフロロカーボンガスを用いるべきであるが、逆に上
記の重合膜の堆積速度が遅くなるため、エッチングレー
トを増加させる効果が減少することや、エッチング対象
に対するエッチング速度を低下させる等の課題が生じて
いる。
て、上記のようなフロロカーボンガスにより解離して生
成されるカーボン系ラジカル種がパーティクルを生じ、
デバイス欠陥を生じさせる原因になるとの指摘がなされ
るようになった。この現象は特にCの元素比率が比較的
大きいフロロカーボンガスを用いた場合に顕著である。
この現象を回避するためには、Cの元素比率が比較的小
さいフロロカーボンガスを用いるべきであるが、逆に上
記の重合膜の堆積速度が遅くなるため、エッチングレー
トを増加させる効果が減少することや、エッチング対象
に対するエッチング速度を低下させる等の課題が生じて
いる。
【0007】このような課題を解決するために、例えば
特開平6-163475号公報や日経マイクロデバイス1995年2
月号54頁から61頁には、上記のようなフロロカーボンガ
スにCOを添加する技術が開示されている。
特開平6-163475号公報や日経マイクロデバイス1995年2
月号54頁から61頁には、上記のようなフロロカーボンガ
スにCOを添加する技術が開示されている。
【0008】これらの技術は、反応室内に上記のような
フロロカーボンガスとCOとを導入するものであり、フ
ロロカーボンガスとCOの混合ガス中に含まれるCによ
り、プラズマ中でカーボン系ラジカル種が生成し、エッ
チング対象であるウエハ上に重合膜が堆積される。また
これと共に、混合ガス中のOによりプラズマ中で酸素ラ
ジカル種が生成され、重合膜を酸化させ気化させるた
め、重合膜の堆積速度を低下させ、またCOはO或いは
CO2よりもCの元素比率が高いため、カーボン系ラジ
カル種の堆積の効果が強く現れ、パーティクルの生成が
抑制され、シリコン酸化膜のエッチング速度が向上する
と解されている。
フロロカーボンガスとCOとを導入するものであり、フ
ロロカーボンガスとCOの混合ガス中に含まれるCによ
り、プラズマ中でカーボン系ラジカル種が生成し、エッ
チング対象であるウエハ上に重合膜が堆積される。また
これと共に、混合ガス中のOによりプラズマ中で酸素ラ
ジカル種が生成され、重合膜を酸化させ気化させるた
め、重合膜の堆積速度を低下させ、またCOはO或いは
CO2よりもCの元素比率が高いため、カーボン系ラジ
カル種の堆積の効果が強く現れ、パーティクルの生成が
抑制され、シリコン酸化膜のエッチング速度が向上する
と解されている。
【0009】しかしながら、上記の公報等に記載されて
いる技術を実用化するのには難点がある。これは、従来
より用いられてきたフロロカーボンガスの他に、さらに
COを反応室内に導入する必要があるため、これに係る
装置の付帯設備が増加する点、及びCOは可燃性ガスで
あり、また有毒ガスでもあるため、管理基準が厳しく、
この取扱いについて多大な注意が必要である点等が挙げ
られるためである。特にCOは発火点が摂氏651 度と比
較的低温であるため、常に引火または発火する危険性を
有している。このため反応室内への導入前の取扱いや、
反応室内に導入させる際の流量の制限、エッチング時の
条件の制約等が必要となり、エッチング工程における安
全性を確保を図る上で、大きな障害となっている。
いる技術を実用化するのには難点がある。これは、従来
より用いられてきたフロロカーボンガスの他に、さらに
COを反応室内に導入する必要があるため、これに係る
装置の付帯設備が増加する点、及びCOは可燃性ガスで
あり、また有毒ガスでもあるため、管理基準が厳しく、
この取扱いについて多大な注意が必要である点等が挙げ
られるためである。特にCOは発火点が摂氏651 度と比
較的低温であるため、常に引火または発火する危険性を
有している。このため反応室内への導入前の取扱いや、
反応室内に導入させる際の流量の制限、エッチング時の
条件の制約等が必要となり、エッチング工程における安
全性を確保を図る上で、大きな障害となっている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記のように、従来より
フロロカーボンガスとのCOと混合ガスをエッチングガ
スとして用いる技術が開発されているが、この方法を実
際のプロセスに用いるには安全性を確保する上で、CO
の可燃性の問題が大きな障害となっている。本発明にお
いては、上記の課題を解決すべく、以下のような手段を
用いる。すなわち、反応室内の電極に所定膜が形成され
た半導体基板を載置する工程と、前記反応室内にCOを
組成式中に含むフロロカーボンガスを導入する工程と、
前記電極に高周波電圧を印加し前記反応室内にプラズマ
を生成し前記所定膜をエッチングするドライエッチング
工程を有する半導体装置の製造方法を提供することにあ
り、特に前記反応ガスは、CF3FCOCF2(hexatluo
ropropen oxide)またはCF3COCF3(hexatluoroac
etone )とすることにより、本発明はより効果的とな
る。
フロロカーボンガスとのCOと混合ガスをエッチングガ
スとして用いる技術が開発されているが、この方法を実
際のプロセスに用いるには安全性を確保する上で、CO
の可燃性の問題が大きな障害となっている。本発明にお
いては、上記の課題を解決すべく、以下のような手段を
用いる。すなわち、反応室内の電極に所定膜が形成され
た半導体基板を載置する工程と、前記反応室内にCOを
組成式中に含むフロロカーボンガスを導入する工程と、
前記電極に高周波電圧を印加し前記反応室内にプラズマ
を生成し前記所定膜をエッチングするドライエッチング
工程を有する半導体装置の製造方法を提供することにあ
り、特に前記反応ガスは、CF3FCOCF2(hexatluo
ropropen oxide)またはCF3COCF3(hexatluoroac
etone )とすることにより、本発明はより効果的とな
る。
【0011】
【作用】本発明によれば、COをその組成式中に含むフ
ロロカーボンガスを、ドライエッチングにおけるエッチ
ングガスとして使用する。これにより従来より開発が進
められているフロロカーボンガスとCOをエッチングガ
スとして用いた場合と比べ、そのエッチング速度やエッ
チングレートに遜色がなく、また良好なエッチング特性
を維持しつつ、さらにCOをその組成式に含むフロロカ
ーボンガスは、通常のドライエッチングの使用状態にお
いては、引火や発火する危険は皆無であり、また毒性に
ついてもCOほど高くないため、反応室内への導入前の
取扱いや、反応室内に導入させる際の流量の制限、エッ
チング時の条件の制約等を考慮する必要がなく、通常と
同様にフロロカーボンガスを単独でエッチングガスとし
て用いる場合と同程度の管理で十分なものとした。
ロロカーボンガスを、ドライエッチングにおけるエッチ
ングガスとして使用する。これにより従来より開発が進
められているフロロカーボンガスとCOをエッチングガ
スとして用いた場合と比べ、そのエッチング速度やエッ
チングレートに遜色がなく、また良好なエッチング特性
を維持しつつ、さらにCOをその組成式に含むフロロカ
ーボンガスは、通常のドライエッチングの使用状態にお
いては、引火や発火する危険は皆無であり、また毒性に
ついてもCOほど高くないため、反応室内への導入前の
取扱いや、反応室内に導入させる際の流量の制限、エッ
チング時の条件の制約等を考慮する必要がなく、通常と
同様にフロロカーボンガスを単独でエッチングガスとし
て用いる場合と同程度の管理で十分なものとした。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。本
発明において用いるエッチング装置は、従来より用いら
れているエッチング装置と同様であり、図1の概略図に
示すような装置が用いられる。図1において、反応室1
1内のカソード電極12側に、エッチング対象であるウ
エハ13が載置されている。反応室11には、反応ガス
を導入するガス導入管14と反応が終了した排気ガスを
排出するガス排出管15が設けられている。またカソー
ド電極12にはプラズマを発生させるための高周波電源
16が接続され、またカソード電極12と対抗する位置
には、接地電圧17に接続されたアノード電極18が配
置されている。この接続方法はカソードカップリングと
称されるが、接続関係を上記と反対にしたアノードカッ
プリングと称される方法がとられる場合もある。
発明において用いるエッチング装置は、従来より用いら
れているエッチング装置と同様であり、図1の概略図に
示すような装置が用いられる。図1において、反応室1
1内のカソード電極12側に、エッチング対象であるウ
エハ13が載置されている。反応室11には、反応ガス
を導入するガス導入管14と反応が終了した排気ガスを
排出するガス排出管15が設けられている。またカソー
ド電極12にはプラズマを発生させるための高周波電源
16が接続され、またカソード電極12と対抗する位置
には、接地電圧17に接続されたアノード電極18が配
置されている。この接続方法はカソードカップリングと
称されるが、接続関係を上記と反対にしたアノードカッ
プリングと称される方法がとられる場合もある。
【0013】次に本発明におけるエッチング工程の一例
について説明する。尚、以下の説明においては、ウエハ
上に形成されたシリコン酸化膜に、所定の幅の開孔を形
成する際の、エッチング工程について述べる。
について説明する。尚、以下の説明においては、ウエハ
上に形成されたシリコン酸化膜に、所定の幅の開孔を形
成する際の、エッチング工程について述べる。
【0014】上記に示したエッチング装置内のカソード
電極12には、図2(a)に示すように、シリコン酸化
膜22が表面上に形成され、さらにシリコン酸化膜22
表面上に所定のパターンを有するレジスト23が形成さ
れたウエハ21が載置されている。
電極12には、図2(a)に示すように、シリコン酸化
膜22が表面上に形成され、さらにシリコン酸化膜22
表面上に所定のパターンを有するレジスト23が形成さ
れたウエハ21が載置されている。
【0015】気圧が1 〜500mtorr程度に保たれた反応室
11内に、後に細詳するCOを組成式中に含むフロロカ
ーボンガスが1 〜500sccm 程度でガス導入管14から導
入される。その後、カソード電極12に高周波電源16
から数百kHz 〜数十Mhz 程度の電圧が印加されると、反
応ガスが解離し、プラズマ雰囲気が生成される。よって
この解離した反応ガスの一部が、レジスト23のマスク
に覆われていない部分のシリコン酸化膜22と反応し、
シリコン酸化膜22を分解することによって異方性エッ
チングが進行し、最終的に図2(b)で示すような開孔
24がシリコン酸化膜22に形成される。反応が終了し
組成が変化した反応ガスは、ガス排出管15より排出さ
れる。
11内に、後に細詳するCOを組成式中に含むフロロカ
ーボンガスが1 〜500sccm 程度でガス導入管14から導
入される。その後、カソード電極12に高周波電源16
から数百kHz 〜数十Mhz 程度の電圧が印加されると、反
応ガスが解離し、プラズマ雰囲気が生成される。よって
この解離した反応ガスの一部が、レジスト23のマスク
に覆われていない部分のシリコン酸化膜22と反応し、
シリコン酸化膜22を分解することによって異方性エッ
チングが進行し、最終的に図2(b)で示すような開孔
24がシリコン酸化膜22に形成される。反応が終了し
組成が変化した反応ガスは、ガス排出管15より排出さ
れる。
【0016】本発明の特徴は、従来より開発が進められ
てきたエッチングガスであるフロロカーボンガスとCO
の混合ガスの代わりに、CO自体をその組成式中に含む
フロロカーボンガスを用いる点にある。尚、前述してき
たように、従来よりフロロカーボンガス自体は存在して
いたが、その組成式中にCOを含むガスをエッチングガ
スとして用いることは行われていなかったことを付記し
ておく。
てきたエッチングガスであるフロロカーボンガスとCO
の混合ガスの代わりに、CO自体をその組成式中に含む
フロロカーボンガスを用いる点にある。尚、前述してき
たように、従来よりフロロカーボンガス自体は存在して
いたが、その組成式中にCOを含むガスをエッチングガ
スとして用いることは行われていなかったことを付記し
ておく。
【0017】このCOを組成式中に含むフロロカーボン
ガスの具体例としては、CF3FCOCF2(hexatluoro
propen oxide)やCF3COCF3(hexatluoroacetone
)が代表的である。尚、前者のガスは沸点が摂氏-42
度、後者のガスは沸点が摂氏-26 度であり、常温、常圧
下においてはガス化しておりエッチング装置への導入は
ガス状のまま容易に行うことができる。上記に挙げた2
種類のガスの他、CF3COF、CF3COCOF等、少
なくともF或いはClとCと、さらにCOが化学結合を
有するガスについて本発明に用いることができる。
ガスの具体例としては、CF3FCOCF2(hexatluoro
propen oxide)やCF3COCF3(hexatluoroacetone
)が代表的である。尚、前者のガスは沸点が摂氏-42
度、後者のガスは沸点が摂氏-26 度であり、常温、常圧
下においてはガス化しておりエッチング装置への導入は
ガス状のまま容易に行うことができる。上記に挙げた2
種類のガスの他、CF3COF、CF3COCOF等、少
なくともF或いはClとCと、さらにCOが化学結合を
有するガスについて本発明に用いることができる。
【0018】これらCOをその組成式中に含むフロロカ
ーボンガスを、ドライエッチングにおけるエッチングガ
スとして使用しても、従来より開発が進められているフ
ロロカーボンガスとCOをエッチングガスとして用いた
場合と比べ、そのエッチング速度やエッチングレートに
遜色がないことが、本発明者によって初めて見い出され
た。
ーボンガスを、ドライエッチングにおけるエッチングガ
スとして使用しても、従来より開発が進められているフ
ロロカーボンガスとCOをエッチングガスとして用いた
場合と比べ、そのエッチング速度やエッチングレートに
遜色がないことが、本発明者によって初めて見い出され
た。
【0019】さらにCO自体をその組成式に含むフロロ
カーボンガスは、通常のドライエッチングの使用状態に
おいては、引火や発火する危険はなく、また毒性につい
てもCOほど高くはないので、フロロカーボンガスとC
Oの混合ガスを用いる場合に比べ、安全管理は容易であ
り、反応室内への導入前の取扱いや、反応室内に導入さ
せる際の流量の制限、エッチング時の条件の制約等を考
慮する必要はなく、通常と同様にフロロカーボンガスを
単独でエッチングガスとして用いる場合と同程度の管理
で十分である。
カーボンガスは、通常のドライエッチングの使用状態に
おいては、引火や発火する危険はなく、また毒性につい
てもCOほど高くはないので、フロロカーボンガスとC
Oの混合ガスを用いる場合に比べ、安全管理は容易であ
り、反応室内への導入前の取扱いや、反応室内に導入さ
せる際の流量の制限、エッチング時の条件の制約等を考
慮する必要はなく、通常と同様にフロロカーボンガスを
単独でエッチングガスとして用いる場合と同程度の管理
で十分である。
【0020】上記のようなCOをその組成式中に含むフ
ロロカーボンガスが、フロロカーボンガスとCOの混合
ガスと同様に、そのエッチング速度やエッチングレート
について効果を有するのは、エッチング工程において、
反応室内でのプラズマの生成によって、CO自体がそれ
を含むフロロカーボンガスから分解するため、あたかも
COをその組成式中に含まないCF4やC2F6等のフロ
ロカーボンガスとCOを混合ガスとして反応室内に導入
したのと、同様の状態となっているためであると解され
る。
ロロカーボンガスが、フロロカーボンガスとCOの混合
ガスと同様に、そのエッチング速度やエッチングレート
について効果を有するのは、エッチング工程において、
反応室内でのプラズマの生成によって、CO自体がそれ
を含むフロロカーボンガスから分解するため、あたかも
COをその組成式中に含まないCF4やC2F6等のフロ
ロカーボンガスとCOを混合ガスとして反応室内に導入
したのと、同様の状態となっているためであると解され
る。
【0021】従って従来と同様に、フロロカーボンガス
とCOとの混合ガス中に含まれるCにより、プラズマ中
でカーボン系ラジカル種が生成し、エッチング対象であ
るウエハ上に重合膜が堆積される。一方、混合ガス中の
Oによりプラズマ中で酸素ラジカル種が生成され、重合
膜を酸化させ気化させるため、重合膜の堆積速度を低下
させる働きがあり、またCOはO或いはCO2よりもC
の元素比率が高いため、カーボン系ラジカル種の堆積の
効果が強く現れ、パーティクルの生成が抑制され、シリ
コン酸化膜のエッチング速度が向上するのである。
とCOとの混合ガス中に含まれるCにより、プラズマ中
でカーボン系ラジカル種が生成し、エッチング対象であ
るウエハ上に重合膜が堆積される。一方、混合ガス中の
Oによりプラズマ中で酸素ラジカル種が生成され、重合
膜を酸化させ気化させるため、重合膜の堆積速度を低下
させる働きがあり、またCOはO或いはCO2よりもC
の元素比率が高いため、カーボン系ラジカル種の堆積の
効果が強く現れ、パーティクルの生成が抑制され、シリ
コン酸化膜のエッチング速度が向上するのである。
【0022】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明のドライエッチング方法は、シリコン酸化膜
に開孔を形成する際のエッチングにとどまらず、シリコ
ン窒化膜のエッチングやシリコン膜のエッチング等にも
適用できる。また上記に示したエッチング工程により形
成した開孔は、下地配線や拡散層等とのコンタクトホー
ルやビィアホールに用いることができる他、埋め込み配
線層を形成する際にも層間膜のエッチング方法として用
いることができるのは言うまでもない。さらにエッチン
グレートを向上させるためAr等の他の反応ガスと混合
させて用いることもできる。さらにエッチング対象に供
なって、反応室内の気圧やガスの流量等は適宜選択する
ことも勿論可能である。
が、本発明のドライエッチング方法は、シリコン酸化膜
に開孔を形成する際のエッチングにとどまらず、シリコ
ン窒化膜のエッチングやシリコン膜のエッチング等にも
適用できる。また上記に示したエッチング工程により形
成した開孔は、下地配線や拡散層等とのコンタクトホー
ルやビィアホールに用いることができる他、埋め込み配
線層を形成する際にも層間膜のエッチング方法として用
いることができるのは言うまでもない。さらにエッチン
グレートを向上させるためAr等の他の反応ガスと混合
させて用いることもできる。さらにエッチング対象に供
なって、反応室内の気圧やガスの流量等は適宜選択する
ことも勿論可能である。
【0023】
【発明の効果】本発明においては、プラズマを利用した
ドライエッチング方法において、エッチングガスとして
COを組成式に含むフロロカーボンガスを用いることに
より、従来より開発が進められているフロロカーボンガ
スとCOの混合ガスを用いた場合と同程度のエッチング
性能を有すると共に、引火や発火の危険がないガスを用
いたため、安全確保に関する点は、従来と同様にフロロ
カーボンガスを単独で用いた場合と同程度で済むエッチ
ング方法を実現した。
ドライエッチング方法において、エッチングガスとして
COを組成式に含むフロロカーボンガスを用いることに
より、従来より開発が進められているフロロカーボンガ
スとCOの混合ガスを用いた場合と同程度のエッチング
性能を有すると共に、引火や発火の危険がないガスを用
いたため、安全確保に関する点は、従来と同様にフロロ
カーボンガスを単独で用いた場合と同程度で済むエッチ
ング方法を実現した。
【図1】本発明の実施例に用いるエッチング装置の一例
を示す概略図。
を示す概略図。
【図2】本発明の実施例による半導体製造工程の一例を
示す断面図。
示す断面図。
11 反応室 12 カソード電極 13 ウエハ 14 ガス導入管 15 ガス排出管 16 高周波電源 17 接地電圧 18 アノード電極 21 ウエハ 22 シリコン酸化膜 23 レジスト 24 開孔
Claims (5)
- 【請求項1】 反応室内の電極に所定膜が形成された半
導体基板を載置する工程と、 前記反応室内にCOを組成式中に含むフロロカーボンガ
スを導入する工程と、 前記電極に高周波電圧を印加し前記反応室内にプラズマ
を生成し前記所定膜をエッチングするドライエッチング
工程を有する半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記反応ガスは、CF3FCOCF2(he
xatluoropropen oxide)またはCF3COCF3(hexatl
uoroacetone )であることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項3】 前記所定膜は、シリコン酸化膜またはシ
リコン窒化膜またはシリコン膜であることを特徴とする
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 エッチングマスクが形成された所定膜
を、反応室内に導入された反応ガスの作用によりエッチ
ングするドライエッチング工程を有する半導体装置の製
造方法において、 前記反応ガスに、ハロゲン化物とCとCOが化学結合し
たフロロカーボンガスを用いることを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項5】 前記所定膜は前記反応室内に設けられた
電極上に載置され、前記電極に電圧を印加することによ
り前記反応室内にプラズマが生成され、前記プラズマに
より前記フロロカーボンガスを構成するCOが前記フロ
ロカーボンガスから解離することを特徴とする請求項4
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7183652A JPH0936091A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
TW085108371A TW302509B (ja) | 1995-07-20 | 1996-07-10 | |
KR1019960029111A KR100215601B1 (ko) | 1995-07-20 | 1996-07-19 | 반도체장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7183652A JPH0936091A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0936091A true JPH0936091A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16139556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7183652A Pending JPH0936091A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0936091A (ja) |
KR (1) | KR100215601B1 (ja) |
TW (1) | TW302509B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998001899A1 (fr) * | 1996-07-10 | 1998-01-15 | Daikin Industries, Ltd. | Gaz nettoyant |
JP2000509915A (ja) * | 1997-02-20 | 2000-08-02 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | シリコン用の異方性のフッ素ベースのプラズマエッチング法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11566177B2 (en) * | 2017-02-28 | 2023-01-31 | Central Glass Company, Limited | Dry etching agent, dry etching method and method for producing semiconductor device |
-
1995
- 1995-07-20 JP JP7183652A patent/JPH0936091A/ja active Pending
-
1996
- 1996-07-10 TW TW085108371A patent/TW302509B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-07-19 KR KR1019960029111A patent/KR100215601B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998001899A1 (fr) * | 1996-07-10 | 1998-01-15 | Daikin Industries, Ltd. | Gaz nettoyant |
JP2000509915A (ja) * | 1997-02-20 | 2000-08-02 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | シリコン用の異方性のフッ素ベースのプラズマエッチング法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970008375A (ko) | 1997-02-24 |
KR100215601B1 (ko) | 1999-08-16 |
TW302509B (ja) | 1997-04-11 |
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