JPS5884318A - 定電圧回路 - Google Patents
定電圧回路Info
- Publication number
- JPS5884318A JPS5884318A JP18354281A JP18354281A JPS5884318A JP S5884318 A JPS5884318 A JP S5884318A JP 18354281 A JP18354281 A JP 18354281A JP 18354281 A JP18354281 A JP 18354281A JP S5884318 A JPS5884318 A JP S5884318A
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- JP
- Japan
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- current
- voltage
- constant
- circuit
- transistor
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
- G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
- G05F3/227—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the supply voltage
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、′定電圧回路の改良に関する。
従来、定電圧回路は、負荷に対して一定の安定な電圧を
供給する機能を有している。 ′第１図は、従来の゛
定電圧回路の例であるが、トランジスタ１のエミッタ抵
抗２が変化すると、トランジスタ１のエミッタ電流及び
コレクタ電流が変化する８このことの要因は、電源回路
に本来抵インピーダ′ンス′ではあるが、有限の値を有
するラインインビτダンス３が存在し、電源４から電流
が流れたとき、この電源回路で電圧降下を生じるため、
実質的な電圧供給端子である１点の電圧が変動すること
にあり、よって所定の機能動作回路５への供給電圧を変
動させることになる。すなわち、第１図回路構成におけ
るＸ点の電位が変動すると、機能動作回路６の安定な動
んを得ることが困難になる。ここで６は定電圧素子、７
はダイオード、８は定電流源回路を構成するように選定
された抵抗である。なお定電圧素子６としては、シェナ
ーダイオードあるいは複数個のダイオード直列体が用い
られる。
供給する機能を有している。 ′第１図は、従来の゛
定電圧回路の例であるが、トランジスタ１のエミッタ抵
抗２が変化すると、トランジスタ１のエミッタ電流及び
コレクタ電流が変化する８このことの要因は、電源回路
に本来抵インピーダ′ンス′ではあるが、有限の値を有
するラインインビτダンス３が存在し、電源４から電流
が流れたとき、この電源回路で電圧降下を生じるため、
実質的な電圧供給端子である１点の電圧が変動すること
にあり、よって所定の機能動作回路５への供給電圧を変
動させることになる。すなわち、第１図回路構成におけ
るＸ点の電位が変動すると、機能動作回路６の安定な動
んを得ることが困難になる。ここで６は定電圧素子、７
はダイオード、８は定電流源回路を構成するように選定
された抵抗である。なお定電圧素子６としては、シェナ
ーダイオードあるいは複数個のダイオード直列体が用い
られる。
本発明は、このような欠点を除くべくなされたもので、
Ｘ点の電圧変化を抑えたものである。すなわち、本発明
は、上述の第１図示の回路構成をわずかに回路変更する
ことによシ、トランジスタ１に流れる電流を定電流に設
定し、これによシ、機能動作回路６への供給電圧変動が
抑制できるので、定電圧回路として安定な動作を保障す
ることが可能であ−る。以下第２図の本発明実施例の回
路をもとに説明する。
Ｘ点の電圧変化を抑えたものである。すなわち、本発明
は、上述の第１図示の回路構成をわずかに回路変更する
ことによシ、トランジスタ１に流れる電流を定電流に設
定し、これによシ、機能動作回路６への供給電圧変動が
抑制できるので、定電圧回路として安定な動作を保障す
ることが可能であ−る。以下第２図の本発明実施例の回
路をもとに説明する。
第２図の回路構成は、第１図示の回路構成に付加して、
トランジスタ１のエミ、ツタとダイオード７のカソード
を共通に接続したものである。これによって、上記トラ
ンジスタ１Ω電流Ｉ、は、ミラー作用により、ダイオー
ド７に流れる電流Ｉ２ とほぼ同じだけの一定の電流
が流れる（すなわち、Ｉ １／、２ζ１）。このことは
、抵抗２が多少変化してもトランジスタ１に流れる電流
が一定なため影響なく、ラインインピーダンス３に流れ
る電流も一定であるため、実質的な電圧供給端子である
Ｘ点の電圧は、変動しない。ゆえに、この定電圧回路に
接続される所定の機能動作回路６からみると、供給電圧
の電圧変動がなく安定な動作が可能である。ただしこの
回路構成では％ １１とＸ５の関係がＩ、≧Ｉ３であ
るように、エミッタ抵抗１および定電圧素子４の条件を
設定しなければならない。
トランジスタ１のエミ、ツタとダイオード７のカソード
を共通に接続したものである。これによって、上記トラ
ンジスタ１Ω電流Ｉ、は、ミラー作用により、ダイオー
ド７に流れる電流Ｉ２ とほぼ同じだけの一定の電流
が流れる（すなわち、Ｉ １／、２ζ１）。このことは
、抵抗２が多少変化してもトランジスタ１に流れる電流
が一定なため影響なく、ラインインピーダンス３に流れ
る電流も一定であるため、実質的な電圧供給端子である
Ｘ点の電圧は、変動しない。ゆえに、この定電圧回路に
接続される所定の機能動作回路６からみると、供給電圧
の電圧変動がなく安定な動作が可能である。ただしこの
回路構成では％ １１とＸ５の関係がＩ、≧Ｉ３であ
るように、エミッタ抵抗１および定電圧素子４の条件を
設定しなければならない。
また、電流Ｉ、対Ｉ２の比率を変化させるためには、半
導体集積回路においては、トランジスタ１のエミッタ面
積とダイオード７０カソード面積との比が’ ”ｔ／ｘ
＝トランジスターのエミッタ面積／ダイオード７の
カソード面積、なる関係で変化させることができる。
導体集積回路においては、トランジスタ１のエミッタ面
積とダイオード７０カソード面積との比が’ ”ｔ／ｘ
＝トランジスターのエミッタ面積／ダイオード７の
カソード面積、なる関係で変化させることができる。
第３図は、本発明の他の実施例として電流の比率を変化
させる応用例である。トランジスターのエミッタとダイ
オード７のカソードにそれぞれ抵抗を挿入して、その抵
抗比がｓ ’／１ ＝抵抗９／抵抗１０なる関係に
おいて自由に電流を変化させることもできる。このこと
は、電源電流の低減すなわち、定電圧回路自体の電流低
減にも大きな役割シを果し、実用回路としての有用性が
大である。
させる応用例である。トランジスターのエミッタとダイ
オード７のカソードにそれぞれ抵抗を挿入して、その抵
抗比がｓ ’／１ ＝抵抗９／抵抗１０なる関係に
おいて自由に電流を変化させることもできる。このこと
は、電源電流の低減すなわち、定電圧回路自体の電流低
減にも大きな役割シを果し、実用回路としての有用性が
大である。
以上に述べたように、本発明の定電圧回路は、従来の定
電圧回路の一部を構成するトランジスタのペースとエミ
ッタ間に並列にダイオードを接続することにより、トラ
ンジスタの電流を定電流に設定できるために、負荷電流
が変化しても電圧源゛の変動を抑制する効果を有するも
のである。なお゛バイアス供給手段としての抵抗８は、
一般的には定電流源回路を構成し得るすべての回路素子
によっても同じ効果が得られることは自明のことである
０
電圧回路の一部を構成するトランジスタのペースとエミ
ッタ間に並列にダイオードを接続することにより、トラ
ンジスタの電流を定電流に設定できるために、負荷電流
が変化しても電圧源゛の変動を抑制する効果を有するも
のである。なお゛バイアス供給手段としての抵抗８は、
一般的には定電流源回路を構成し得るすべての回路素子
によっても同じ効果が得られることは自明のことである
０
第１図は従来の定電圧回路図、第２図は本発明一実施例
の定電圧回路図、第３図は本発明の別の実施例回路身を
示す図である。 １・・・・・・トランジスタ、２・・・・・・抵抗、３
・・・・・・ラインインピーダンス、４・・・・・・電
源、６・・・・・・機能動作回路、６・・・・・・定電
圧素子、７・・・・・・ダ、イオード、８．９．１０・
・・・・・抵抗。 第１１１ 第２図 第３図
の定電圧回路図、第３図は本発明の別の実施例回路身を
示す図である。 １・・・・・・トランジスタ、２・・・・・・抵抗、３
・・・・・・ラインインピーダンス、４・・・・・・電
源、６・・・・・・機能動作回路、６・・・・・・定電
圧素子、７・・・・・・ダ、イオード、８．９．１０・
・・・・・抵抗。 第１１１ 第２図 第３図
Claims (1)
- 定電流源、ダイオード素子および定電圧素子を具備する
バイアス供給手段と、エミッタ抵抗を有し、かつ、ベー
スを前記定電流源に接続したトランジスタとをそれぞれ
定電圧供給回路部に接続するとともに、前記トランジス
タのエミッタと前記ダイオード素子のカソードとを共通
電位に接続したことを特徴とする定電圧回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18354281A JPS5884318A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 定電圧回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18354281A JPS5884318A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 定電圧回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884318A true JPS5884318A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=16137633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18354281A Pending JPS5884318A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 定電圧回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884318A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336655A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-05 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit |
| JPS5663623A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-30 | Hitachi Ltd | Constant voltage circuit |
-
1981
- 1981-11-16 JP JP18354281A patent/JPS5884318A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336655A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-05 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit |
| JPS5663623A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-30 | Hitachi Ltd | Constant voltage circuit |
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