JPS5875863A - ハイブリツド回路モジユ−ル及びその製造方法 - Google Patents
ハイブリツド回路モジユ−ル及びその製造方法Info
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- JPS5875863A JPS5875863A JP17857582A JP17857582A JPS5875863A JP S5875863 A JPS5875863 A JP S5875863A JP 17857582 A JP17857582 A JP 17857582A JP 17857582 A JP17857582 A JP 17857582A JP S5875863 A JPS5875863 A JP S5875863A
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- circuit board
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- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はハイブリッド回路モジュール及びその製造方法
に関するものであって、特に独特な相互接続部構成を有
するハイブリッド回路モジュール及びその製造方法に関
するものである。
に関するものであって、特に独特な相互接続部構成を有
するハイブリッド回路モジュール及びその製造方法に関
するものである。
回路組立技術としての費用効果特性及び信頼性の為に、
自動車用エレクトロニクス等の様な大量生産市場に於い
てバイブ゛リッド回路技術が広く使用される様になって
きた。更に、ハイブリッド処理技術に於いて新たな開発
が成され、略完全な形で自動化を行なうことが可能とな
り、その為にコストが低減化され、且つ歩留及び信頼性
が向上されている。
自動車用エレクトロニクス等の様な大量生産市場に於い
てバイブ゛リッド回路技術が広く使用される様になって
きた。更に、ハイブリッド処理技術に於いて新たな開発
が成され、略完全な形で自動化を行なうことが可能とな
り、その為にコストが低減化され、且つ歩留及び信頼性
が向上されている。
ハイブリッド回路モジュールの従来の製造方法によれば
、熱可塑性の外部ハウジングを典型的には約０．７６ｓ
ｎ （０，０３０インチ）の厚さ・を有する予め打抜
き加工したリードフレームのフィンガーの周りにモール
ド成形し、リードフレームフィンガーの各々の一部を該
ハウジングの外側に延在させて外部回路へ本回路モジュ
ールを接続させる為のコネクタビンを設け、一方各リー
ドフレームフィンガーの第２の部分を該ハウジングから
内側へ延在させて本リードフレームを内部に挿着したハ
イブリッド回路基板へ付着させる為の相互接続部を設け
るものである。この様な内部の相互接続部は、典型的に
約０．１３−■ （０，００５インチ）の厚さを有する
薄いタブに溶着させることによって基板と接続されるも
のであり、またタブは予め基板上に形成されている取付
はパッドへりフロー半田付されている。この様な薄いタ
ブは、ハイブリッド回路の動“作中に発生する熱膨張に
よって生じられる応力を吸収する為に必要な柔軟性を与
えるものである。
、熱可塑性の外部ハウジングを典型的には約０．７６ｓ
ｎ （０，０３０インチ）の厚さ・を有する予め打抜
き加工したリードフレームのフィンガーの周りにモール
ド成形し、リードフレームフィンガーの各々の一部を該
ハウジングの外側に延在させて外部回路へ本回路モジュ
ールを接続させる為のコネクタビンを設け、一方各リー
ドフレームフィンガーの第２の部分を該ハウジングから
内側へ延在させて本リードフレームを内部に挿着したハ
イブリッド回路基板へ付着させる為の相互接続部を設け
るものである。この様な内部の相互接続部は、典型的に
約０．１３−■ （０，００５インチ）の厚さを有する
薄いタブに溶着させることによって基板と接続されるも
のであり、またタブは予め基板上に形成されている取付
はパッドへりフロー半田付されている。この様な薄いタ
ブは、ハイブリッド回路の動“作中に発生する熱膨張に
よって生じられる応力を吸収する為に必要な柔軟性を与
えるものである。
本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、改良
された構成を有するハイブリッド回路モジュール及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。本発明によれ
ば、従来のハイブリッド回路モジュールに於いて通常必
要とされている薄いタブを設ける必要性を除去しており
、即ち本発明の構成に於いては、モジュールの外側に配
設される第１部分と、該第１部分と一体的構成を有する
と共にモジュールハウジングの内側に配設され且つ該第
１部分よりも厚さの薄い第２部分とを有するリードフレ
ームを使用するものである。
された構成を有するハイブリッド回路モジュール及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。本発明によれ
ば、従来のハイブリッド回路モジュールに於いて通常必
要とされている薄いタブを設ける必要性を除去しており
、即ち本発明の構成に於いては、モジュールの外側に配
設される第１部分と、該第１部分と一体的構成を有する
と共にモジュールハウジングの内側に配設され且つ該第
１部分よりも厚さの薄い第２部分とを有するリードフレ
ームを使用するものである。
本発明方法によれば、リードフレームのこの厚さの薄い
内側部分は、初期的状態に於いて複数個の個別的な相互
接続片として形成されるものではなく、平坦な薄板とし
て形成されるものである。
内側部分は、初期的状態に於いて複数個の個別的な相互
接続片として形成されるものではなく、平坦な薄板とし
て形成されるものである。
次いで、リードフレームをハイブリッド回路基板へ付着
させる前の生産工程中に於いてオンラインで個々の打抜
型によって薄板から打抜き形成することによって内側相
互接続片を形成する。本発明の好適実施例によれば、打
抜き工程中にこれら個別的な相互接続片はハイブリッド
回路基板上の適宜の位置に於いて曲折成形され、取付は
パッドへスポット的にリフロー半田付される。尚、相互
接続片を回路基板へ付着させる工程は、モジュールのハ
ウジングを形成する前又は後に行なうことが可能である
。
させる前の生産工程中に於いてオンラインで個々の打抜
型によって薄板から打抜き形成することによって内側相
互接続片を形成する。本発明の好適実施例によれば、打
抜き工程中にこれら個別的な相互接続片はハイブリッド
回路基板上の適宜の位置に於いて曲折成形され、取付は
パッドへスポット的にリフロー半田付される。尚、相互
接続片を回路基板へ付着させる工程は、モジュールのハ
ウジングを形成する前又は後に行なうことが可能である
。
上述した如（、本発明方法に於いては、別体の薄い取付
はタブを使用する必要性を除去している。
はタブを使用する必要性を除去している。
更に、本発明の方法に於いては、一連の溶着操作を取除
いており、且つ個々の部分の配置により良い制御を与え
ることが可能であり、また生産ラインに柔軟性を与える
ことを可能としている。
いており、且つ個々の部分の配置により良い制御を与え
ることが可能であり、また生産ラインに柔軟性を与える
ことを可能としている。
本発明の１特徴によれば、ハイブリッド回路モジュール
を提供するものであって、該モジュールが、（ａ’）ハ
イブリッド回路基板、（ｂ）第１部分及び第２部分を具
備し前記第２部分が前記第１部分と一体的であり且つ前
記基板へ付着させる為の前記第１部分より一層薄い相互
接続手段を有しているリードフレーム、（Ｃ）前記第１
部分が外側へ延在し且つ前記相互接続手段が内側へ配設
される様に前記リードフレームの周りに形成したハウジ
ング、を有するものである。
を提供するものであって、該モジュールが、（ａ’）ハ
イブリッド回路基板、（ｂ）第１部分及び第２部分を具
備し前記第２部分が前記第１部分と一体的であり且つ前
記基板へ付着させる為の前記第１部分より一層薄い相互
接続手段を有しているリードフレーム、（Ｃ）前記第１
部分が外側へ延在し且つ前記相互接続手段が内側へ配設
される様に前記リードフレームの周りに形成したハウジ
ング、を有するものである。
本発明の別の特徴によれば、ハイブリッド回路モジュー
ルの製造方法を提供するものであって、該方法が、（ａ
）第１部分及びハイブリッド回路基板へ隣接した第２部
分を具備し前記第２部分が前記第１部分よりも薄い薄板
を有しているリードフレームを用意し、（ｂ）前記薄板
を打抜き形成して複数個の相互接続片を形成し、（０）
前記相互接続片を前記ハイブリッド回路基板へ付着させ
、（ｄ ）前記リードフレームと前記基板の周りにハウ
ジングを形成して前記リードフレームの前記第１部分を
前記基板の外側へ延在させ且つ前記相互接続片を前記ハ
ウジングの内側へ配設させる上記各工程を有するもので
ある。
ルの製造方法を提供するものであって、該方法が、（ａ
）第１部分及びハイブリッド回路基板へ隣接した第２部
分を具備し前記第２部分が前記第１部分よりも薄い薄板
を有しているリードフレームを用意し、（ｂ）前記薄板
を打抜き形成して複数個の相互接続片を形成し、（０）
前記相互接続片を前記ハイブリッド回路基板へ付着させ
、（ｄ ）前記リードフレームと前記基板の周りにハウ
ジングを形成して前記リードフレームの前記第１部分を
前記基板の外側へ延在させ且つ前記相互接続片を前記ハ
ウジングの内側へ配設させる上記各工程を有するもので
ある。
以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の１Ｉ
Ｉｌについて詳細に説明する。第１図は従来技術に基づ
いて製造されたハイブリッド回路モジュール１０を示し
ている。特定の一様の厚さ、−例えば約０．７６−−
（０，０３０インチ）の厚さを有する予め打抜き形成さ
れたリードフレーム１４のフィンガーの周りに熱可塑性
物質からなるモジュールハウジング１２が形成されてい
る。リードフレーム１４の一部１４ａはハウジング１２
の外側へ設けられており、外部回路へ本モジュールを接
続させる為の複数個のコネクタビンを形成している。
Ｉｌについて詳細に説明する。第１図は従来技術に基づ
いて製造されたハイブリッド回路モジュール１０を示し
ている。特定の一様の厚さ、−例えば約０．７６−−
（０，０３０インチ）の厚さを有する予め打抜き形成さ
れたリードフレーム１４のフィンガーの周りに熱可塑性
物質からなるモジュールハウジング１２が形成されてい
る。リードフレーム１４の一部１４ａはハウジング１２
の外側へ設けられており、外部回路へ本モジュールを接
続させる為の複数個のコネクタビンを形成している。
リードフレーム１４の第２部分１４ｂはハウジング１２
から内側へ延在しており、リードフレーム１４を内部に
挿着したハイブリッド回路基板１６へ付着させる為の相
互接続部を形成している。
から内側へ延在しており、リードフレーム１４を内部に
挿着したハイブリッド回路基板１６へ付着させる為の相
互接続部を形成している。
内側相互接続部１４ｂは相互接続部１４ｂを取付はタブ
１８へ溶着させることによって基板１６へ付着されてい
る。尚、取付はタブ１８はリードフレーム１４よりも著
しく厚さが薄く構成されている。典型的には、取付はタ
ブ１８は約０ｊ３−１＜ ｏ、ｏｏｓインチ）の厚さを
有している。取付はタブ１８は、基板１６上に形成され
た取付はパッド（不図示）ヘリ７０−半田付させること
によって基板１６へ付着乃至は接続される。
１８へ溶着させることによって基板１６へ付着されてい
る。尚、取付はタブ１８はリードフレーム１４よりも著
しく厚さが薄く構成されている。典型的には、取付はタ
ブ１８は約０ｊ３−１＜ ｏ、ｏｏｓインチ）の厚さを
有している。取付はタブ１８は、基板１６上に形成され
た取付はパッド（不図示）ヘリ７０−半田付させること
によって基板１６へ付着乃至は接続される。
一本発明によれば、第１図に示した様なリードフレーム
と取付はタブの二重構造とすることの必要性を取除いて
おり、その代りに複合構成を有するリードフレームを使
用している。
と取付はタブの二重構造とすることの必要性を取除いて
おり、その代りに複合構成を有するリードフレームを使
用している。
第２図及び第３図に示した如く、本発明によれば、リー
ドフレーム１００は熱可塑性物質で構成されるハイブリ
ッド回路ハウジング１０２の外部へ延在する第１部分１
００ａと、ハウジング１０２から内側へ延在する第２部
分１ｏｏｂとを有している。第１部分１００ａは、複数
個のコネクタピン１０４を有しており、これらのビンは
第１厚さ、好ましくは第１図に示した従来装置のリード
フレーム１０のものと同じ厚さを有している。第２部分
１００ｂは、第１部分１００ａよりも厚さの薄い薄板１
０５を有しており、好ましくは、第１ａｌｌに示した取
付はタブ１４と同等の厚さを有している。好適寅簡例に
於いては、リードフレーム１００を錫メッキした青銅で
構成マる。
ドフレーム１００は熱可塑性物質で構成されるハイブリ
ッド回路ハウジング１０２の外部へ延在する第１部分１
００ａと、ハウジング１０２から内側へ延在する第２部
分１ｏｏｂとを有している。第１部分１００ａは、複数
個のコネクタピン１０４を有しており、これらのビンは
第１厚さ、好ましくは第１図に示した従来装置のリード
フレーム１０のものと同じ厚さを有している。第２部分
１００ｂは、第１部分１００ａよりも厚さの薄い薄板１
０５を有しており、好ましくは、第１ａｌｌに示した取
付はタブ１４と同等の厚さを有している。好適寅簡例に
於いては、リードフレーム１００を錫メッキした青銅で
構成マる。
本発明の１実施例によれば、ハウジング１０２をリード
フレーム１００の周りに形成する。次いで、公知の従来
技術を使用して薄板１０５を打抜き形成して、複数個の
個別的な接続片１０６を形成する。次いで、第３図に示
した如く、これらの個別的な接続片１０６を曲折成形し
、下方に存在するハイブリッド回路基板１０８上に形成
されている取付はパッド（不図示）へスポット的にリフ
ロー半田付する。この打抜き工程の過程中に、接続片１
０６を曲折成形させることが望ましい。好適実施例に於
いては、基板１０８を磁器鋼で構成する。
フレーム１００の周りに形成する。次いで、公知の従来
技術を使用して薄板１０５を打抜き形成して、複数個の
個別的な接続片１０６を形成する。次いで、第３図に示
した如く、これらの個別的な接続片１０６を曲折成形し
、下方に存在するハイブリッド回路基板１０８上に形成
されている取付はパッド（不図示）へスポット的にリフ
ロー半田付する。この打抜き工程の過程中に、接続片１
０６を曲折成形させることが望ましい。好適実施例に於
いては、基板１０８を磁器鋼で構成する。
本発明の別の実施例に於いては、モジュールハウジング
１０２を形成する前に、個別的な接続片１０６を薄板１
０５から打−抜き形成し、曲折成形して、基板１０８の
取付はパッドへ接続させる。
１０２を形成する前に、個別的な接続片１０６を薄板１
０５から打−抜き形成し、曲折成形して、基板１０８の
取付はパッドへ接続させる。
次いで、上述した如く、リードフレーム１００及び基板
１０８の周りにハウジング１０２を形成する。
１０８の周りにハウジング１０２を形成する。
第４図及び第５図は、本発明方法に基づいて個別的な相
互接続片１０６を形成する状態を示している。第４図は
、これから打抜き形成されて個別的な接続片１０６を形
成すべき薄板１０５を示している。コネクタビン１０４
はハウジング１０２を貫通して相互接続片１０６へ延在
しており、相互接続片１０６は下方に存在する回路基板
１０８上に形成されている取付はパッドへ接続されるべ
く薄板１０５から打抜き形成されている。１４図から理
解される如く、本発明方法は異なったレイアウトを有す
る下方に存在する基板上の取付はパッドの位置に適合さ
せて興なプた打抜片を使用する事が可能である様な柔軟
性を与えるものである。
互接続片１０６を形成する状態を示している。第４図は
、これから打抜き形成されて個別的な接続片１０６を形
成すべき薄板１０５を示している。コネクタビン１０４
はハウジング１０２を貫通して相互接続片１０６へ延在
しており、相互接続片１０６は下方に存在する回路基板
１０８上に形成されている取付はパッドへ接続されるべ
く薄板１０５から打抜き形成されている。１４図から理
解される如く、本発明方法は異なったレイアウトを有す
る下方に存在する基板上の取付はパッドの位置に適合さ
せて興なプた打抜片を使用する事が可能である様な柔軟
性を与えるものである。
以上、本発明の具体的構成に付いて詳細に説明したが、
本発明はこれら具体例に限定されるべきものでは無く、
本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種々の変形が
可能である事は勿論である。
本発明はこれら具体例に限定されるべきものでは無く、
本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種々の変形が
可能である事は勿論である。
第１図は従来技術に基づいて形成されたハイブリッド回
路モジュールを示した部分断面図、第２図は本発明方法
に基づいて形成されたリードフレームの一部平面図、第
３図は本発明方法に基づいて形成されたハイブリッド回
路モジュールの部分断面図、第４１は本発明方法に基づ
いて個別的な相互接続片を形成すべく打抜き成形がなさ
れるべきリードフレーム薄板を有するハイブリッド回路
モジュールを示した説明図、第５図は本発明方法に基づ
いてハイブリッド回路基板上の取付はパッドへ付着され
るべき打抜き成形された相互接続片を有するハイブリッ
ド回路モジュールの説明図、である。 （符号の説明） １００ ： リードフレーム １００ａ： 第１部分 １００ｂ： 第２部分 １０２ ： ハウジング １０５ ： 薄板 １０６ ： 接続片 １０８ ： ハイブリッド回路基板 特許出願人 フェアチアイルド カメラアンド イ
ンストルメント コーポレーション 図面の浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ、／ Ｃ３ 手続補正書 昭和５７年１１月１１日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願 第 １７
８５７５ ＠２、発明の名称 ハイブリッド回路
モジュール及びその製造方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ５、補正命令の日付 、 自 発 ６、補正により増加する発明の数 な し７、補正
の対象 委 任 状９図 面８、補正の内容
別駆の通り
路モジュールを示した部分断面図、第２図は本発明方法
に基づいて形成されたリードフレームの一部平面図、第
３図は本発明方法に基づいて形成されたハイブリッド回
路モジュールの部分断面図、第４１は本発明方法に基づ
いて個別的な相互接続片を形成すべく打抜き成形がなさ
れるべきリードフレーム薄板を有するハイブリッド回路
モジュールを示した説明図、第５図は本発明方法に基づ
いてハイブリッド回路基板上の取付はパッドへ付着され
るべき打抜き成形された相互接続片を有するハイブリッ
ド回路モジュールの説明図、である。 （符号の説明） １００ ： リードフレーム １００ａ： 第１部分 １００ｂ： 第２部分 １０２ ： ハウジング １０５ ： 薄板 １０６ ： 接続片 １０８ ： ハイブリッド回路基板 特許出願人 フェアチアイルド カメラアンド イ
ンストルメント コーポレーション 図面の浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ、／ Ｃ３ 手続補正書 昭和５７年１１月１１日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願 第 １７
８５７５ ＠２、発明の名称 ハイブリッド回路
モジュール及びその製造方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ５、補正命令の日付 、 自 発 ６、補正により増加する発明の数 な し７、補正
の対象 委 任 状９図 面８、補正の内容
別駆の通り
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ハイブリッド回路モジュールに於いて、（ａ）ハイ
ブリッド回路基板、 （ｂ）第１部分と第２部分とを具備し前記第２部分が前
記第１部分と一体的であ ると共に前記基板へ接続する為に前記 第１部分よりも薄い相互接続手段を有 しているリードフレーム、 （Ｃ）前記第１部分が外側へ突出し且つ前記相互接続手
段が内側へ配置される様 に前記リードフレームの周りに形成し たハウジング、 とを有することを特徴とするモジュール。 ２、上記Ｍ１項に於いて、前記相互接続手段が複数個の
相互接続片を有することを特徴とするモジュール。 ３、上記第１項又は第２項に於いて、前記第１部分が複
数個のコネクタピンを有することを特徴とするモジュー
ル。 ４、上記１２項又は第３項に於いて、前記相互接続片が
約０．１３１−の厚さであり、且つ前記コネクタピンが
約０．７６＋ｎの厚さであることを特徴とするモジュー
ル。 ５、上記第１項乃至第４項の内の何れか１項に於いて、
前記リードフレームが錫メッキした青銅であることを特
徴とするモジュール。 ６、上記第１項乃至第４項の内の何れか１項に於いて、
前記基板が磁器鋼であることを特徴とするモジュール。 ７、ハイブリッド回路モジュールを製造する方法に於い
て、 （ａ ）第１１１分及びハイブリッド回路基板に隣接し
た第２部分とを具備し前記第 ２ｉＩ１分が前記第１部分よりも薄い薄板を有するリー
ドフレームを用意し、 （ｂ）前記薄板を打抜き加工して複数個の相互接続片を
形成し、 （ｌ前記相互接続片を前記ハイブリッド回路基板へ付着
させ、 （ｄ ）前記リードフレームの前記第１部分が外側で前
記相互接続片が内側に配設 される様に前記リードフレーム及び前 記基板の周囲にハウジングを形成する、上記各工程を有
することを特徴とする方法。 ８、上記第７項に於いて、前記第１部分が複数個のコネ
クタビンを有することを特徴とする方法。 ９、上記第８項に於いて、前記コネクタビンが約０．７
６− の厚さであり、且つ前記相互接続片が約０．１
３−履の厚さであることを特徴とする方法。 １０、上記第７項乃至第９項の内の何れか１項に於いて
、前記リードフレームが錫メッキした青銅であることを
特徴とする方法。 １１、上記第７項乃至第１０項の内の何れか１項に於い
て、工程（ｄ ）を工程（ａ ）と工程（ｂ ）との閣
で実施することを特徴とする方法。 １２、上記第７項乃至第１０項の内の何れか１項に於い
て、工程（ｄ ）を工程（Ｃ）の後に実施することを特
徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US31003081A | 1981-10-13 | 1981-10-13 | |
| US310030 | 1981-10-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875863A true JPS5875863A (ja) | 1983-05-07 |
Family
ID=23200707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17857582A Pending JPS5875863A (ja) | 1981-10-13 | 1982-10-13 | ハイブリツド回路モジユ−ル及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0077276A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5875863A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01102952A (ja) * | 1986-10-09 | 1989-04-20 | Amp Inc | 半導体チップキャリヤー装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2591394B1 (fr) * | 1985-12-11 | 1988-08-12 | Ducellier & Cie | Organe lamellaire de liaison electrique de deux circuits |
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| JPS5745964A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of hybrid integrated circuit |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP17857582A patent/JPS5875863A/ja active Pending
- 1982-10-13 EP EP82401881A patent/EP0077276A3/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01102952A (ja) * | 1986-10-09 | 1989-04-20 | Amp Inc | 半導体チップキャリヤー装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0077276A2 (en) | 1983-04-20 |
| EP0077276A3 (en) | 1986-03-26 |
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