JP3251810B2 - 集積回路装置の実装方法 - Google Patents
集積回路装置の実装方法Info
- Publication number
- JP3251810B2 JP3251810B2 JP13521895A JP13521895A JP3251810B2 JP 3251810 B2 JP3251810 B2 JP 3251810B2 JP 13521895 A JP13521895 A JP 13521895A JP 13521895 A JP13521895 A JP 13521895A JP 3251810 B2 JP3251810 B2 JP 3251810B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- integrated circuit
- electrode
- film
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路装置の実装方
法に関し、特に配線基板上の搭載密度を向上させた実装
方法に関する。
法に関し、特に配線基板上の搭載密度を向上させた実装
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路技術の進展に伴い、１チップの
集積度が大規模化し、入出力端子数も増大する傾向にあ
る。このような多端子の集積回路にあっては、ＱＦＰ
（QuadFlat Package）と呼ばれる４辺にリードを有する
樹脂パッケージや、ＰＧＡ（Pin Grid Array）と呼ばれ
るパッケージ底面にアレイ状の端子を有するパッケージ
が使用されている。
集積度が大規模化し、入出力端子数も増大する傾向にあ
る。このような多端子の集積回路にあっては、ＱＦＰ
（QuadFlat Package）と呼ばれる４辺にリードを有する
樹脂パッケージや、ＰＧＡ（Pin Grid Array）と呼ばれ
るパッケージ底面にアレイ状の端子を有するパッケージ
が使用されている。
【０００３】これらのパッケージは通常の配線基板への
実装手段である半田付けが可能なレベルまでリード間隔
を広げるため、必然的にパッケージが大きくなり、配線
基板上の占有面積が大きいという問題がある。そこでベ
アチップレベルの実装が可能なＴＡＢ（Tape Automated
Bonding）方式が採用される場合がある。
実装手段である半田付けが可能なレベルまでリード間隔
を広げるため、必然的にパッケージが大きくなり、配線
基板上の占有面積が大きいという問題がある。そこでベ
アチップレベルの実装が可能なＴＡＢ（Tape Automated
Bonding）方式が採用される場合がある。
【０００４】ＴＡＢ方式は、よく知られたＴＡＢテープ
のインナーリードに集積回路チップをボンディングし、
電気的検査を行った後アウターリード部でテープよりカ
ットし、必要であればリードフォーミングして配線基板
に実装している。
のインナーリードに集積回路チップをボンディングし、
電気的検査を行った後アウターリード部でテープよりカ
ットし、必要であればリードフォーミングして配線基板
に実装している。
【０００５】図８はＴＡＢ方式の基板実装を示した断面
図である。集積回路チップ１００はバンプ電極１０２を
介してＴＡＢテープのインナーリード１０４に接続され
ている。複数のインナーリード１０４は整列された状態
でサポートリング１０６により絶縁的に保持されてお
り、アウターリード１０８が配線基板１１０の導体配線
１１２に接続されている。
図である。集積回路チップ１００はバンプ電極１０２を
介してＴＡＢテープのインナーリード１０４に接続され
ている。複数のインナーリード１０４は整列された状態
でサポートリング１０６により絶縁的に保持されてお
り、アウターリード１０８が配線基板１１０の導体配線
１１２に接続されている。
【０００６】このＴＡＢ方式は、ＱＦＰよりは占有面積
的に小さいものの、チップ１００の周辺にリードを張り
出している分、実装面積がチップ面積より広くなってい
る。配線基板の高密度実装が進むとこのリード部分の占
有面積が無視できなくなってきている。
的に小さいものの、チップ１００の周辺にリードを張り
出している分、実装面積がチップ面積より広くなってい
る。配線基板の高密度実装が進むとこのリード部分の占
有面積が無視できなくなってきている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように配線基板
の実装密度が上がるにつれて、ＴＡＢ方式のリード部分
の実装密度も無視できなくなってきている。本発明は上
記事情に鑑みてなされたもので、テープを使用しながら
チップサイズレベルの実装が可能な集積回路の実装方法
を提供しようとするものである。
の実装密度が上がるにつれて、ＴＡＢ方式のリード部分
の実装密度も無視できなくなってきている。本発明は上
記事情に鑑みてなされたもので、テープを使用しながら
チップサイズレベルの実装が可能な集積回路の実装方法
を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の集積回路装置の実装方法は、配線基板の集積
回路装置搭載領域内にに複数のバンプ電極を形成する工
程と、可撓性フィルムの主面に中央部より端部に向けて
形成された複数の配線導体と、前記配線導体の各々に形
成され、前記中央部に形成された第１の電極及び前記端
部に形成された第２の電極とを有する配線フィルムの前
記第１の電極を、前記配線基板の対応する前記バンプ電
極に接続する工程と、上面に複数の第３の電極を有する
集積回路装置の下面を接着剤を介して前記配線フィルム
上のほぼ中央部に載置する工程と、前記配線フィルムの
前記端部を前記集積回路装置の周縁に沿って折り曲げ、
前記配線フィルムの前記第２の電極を前記集積回路装置
の対応する第３の電極に接続する工程とを具備するする
ことを特徴としている。
に本発明の集積回路装置の実装方法は、配線基板の集積
回路装置搭載領域内にに複数のバンプ電極を形成する工
程と、可撓性フィルムの主面に中央部より端部に向けて
形成された複数の配線導体と、前記配線導体の各々に形
成され、前記中央部に形成された第１の電極及び前記端
部に形成された第２の電極とを有する配線フィルムの前
記第１の電極を、前記配線基板の対応する前記バンプ電
極に接続する工程と、上面に複数の第３の電極を有する
集積回路装置の下面を接着剤を介して前記配線フィルム
上のほぼ中央部に載置する工程と、前記配線フィルムの
前記端部を前記集積回路装置の周縁に沿って折り曲げ、
前記配線フィルムの前記第２の電極を前記集積回路装置
の対応する第３の電極に接続する工程とを具備するする
ことを特徴としている。
【０００９】このとき前記配線基板に前記複数のバンプ
電極を形成する際に、前記バンプ電極の頭部が突出する
厚さの絶縁フィルムを前記バンプ電極領域を避けて前記
基板上に併せて形成することが望ましい。
電極を形成する際に、前記バンプ電極の頭部が突出する
厚さの絶縁フィルムを前記バンプ電極領域を避けて前記
基板上に併せて形成することが望ましい。
【００１０】また本発明の他の実装方法は、可撓性フィ
ルムの主面に中央部より端部に向けて形成された複数の
配線導体と、前記配線導体の各々に形成され、前記中央
部に形成された第１の電極及び前記端部に形成された第
２の電極とを有する配線フィルムの前記第１の電極にバ
ンブ電極を形成する工程と、前記配線フィルムの前記バ
ンプ電極を、配線基板に形成された複数の第３の電極の
各々に対応させて接続する工程と、上面に複数の第４の
電極を有する集積回路装置の下面を接着剤を介して前記
配線フィルムのほぼ中央部に載置する工程と、前記配線
フィルムを前記集積回路装置の周縁に沿って折り曲げ、
前記配線フィルムの対応する前記第２の電極を前記集積
回路装置の第４の電極に接続する工程とを具備するする
ことを特徴としている。
ルムの主面に中央部より端部に向けて形成された複数の
配線導体と、前記配線導体の各々に形成され、前記中央
部に形成された第１の電極及び前記端部に形成された第
２の電極とを有する配線フィルムの前記第１の電極にバ
ンブ電極を形成する工程と、前記配線フィルムの前記バ
ンプ電極を、配線基板に形成された複数の第３の電極の
各々に対応させて接続する工程と、上面に複数の第４の
電極を有する集積回路装置の下面を接着剤を介して前記
配線フィルムのほぼ中央部に載置する工程と、前記配線
フィルムを前記集積回路装置の周縁に沿って折り曲げ、
前記配線フィルムの対応する前記第２の電極を前記集積
回路装置の第４の電極に接続する工程とを具備するする
ことを特徴としている。
【００１１】このとき前記配線フィルムの前記バンプ電
極を、配線基板に形成された複数の第３の電極の各々に
対応させて接続する際に、前記バンプ電極の頭部が露出
する程度の厚さの絶縁フィルムを前記バンプ電極領域を
避けて前記配線フィルムと前記配線基板の間に介在させ
ることが望ましい。
極を、配線基板に形成された複数の第３の電極の各々に
対応させて接続する際に、前記バンプ電極の頭部が露出
する程度の厚さの絶縁フィルムを前記バンプ電極領域を
避けて前記配線フィルムと前記配線基板の間に介在させ
ることが望ましい。
【００１２】
【作用】上記のように本発明においては、可撓性フィル
ムによる配線フィルムを予め配線基板に接続する。この
とき接続領域は後に搭載する集積回路チップの裏面に収
まる範囲に設定される。しかる後、集積回路チップを前
記配線フィルム上に搭載し、前記フィルムを折り曲げて
集積回路チップを包みこみ、チップ上面の電極と接続し
ている。これにより集積回路チップの接続領域はそのチ
ップサイズ以内とすることができ、配線基板の実装密度
を向上させることができる。
ムによる配線フィルムを予め配線基板に接続する。この
とき接続領域は後に搭載する集積回路チップの裏面に収
まる範囲に設定される。しかる後、集積回路チップを前
記配線フィルム上に搭載し、前記フィルムを折り曲げて
集積回路チップを包みこみ、チップ上面の電極と接続し
ている。これにより集積回路チップの接続領域はそのチ
ップサイズ以内とすることができ、配線基板の実装密度
を向上させることができる。
【００１３】このときバンプ電極の頭部が露出する程度
の厚さの絶縁フィルムを、配線基板と配線フィルムの間
に介在させると、集積回路チップが配線基板にしっかり
と固定されるので、集積回路チップと配線フィルムの配
線導体とのボンディングが良好に行える。
の厚さの絶縁フィルムを、配線基板と配線フィルムの間
に介在させると、集積回路チップが配線基板にしっかり
と固定されるので、集積回路チップと配線フィルムの配
線導体とのボンディングが良好に行える。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。 （実施例１）図１は本発明の第１の実施例に係る集積回
路装置の実装方法により実装された実装体の模式的な断
面図を示し、図２、図３はその実装工程を段階的に示し
た実装体の断面図である。図４はこの実装に使用される
配線フィルムを模式的に示した平面図（底面図）であ
る。配線は左側１／４領域のみ記載したが、全領域に同
様に形成されることはいうまでもない。
る。 （実施例１）図１は本発明の第１の実施例に係る集積回
路装置の実装方法により実装された実装体の模式的な断
面図を示し、図２、図３はその実装工程を段階的に示し
た実装体の断面図である。図４はこの実装に使用される
配線フィルムを模式的に示した平面図（底面図）であ
る。配線は左側１／４領域のみ記載したが、全領域に同
様に形成されることはいうまでもない。
【００１５】即ち配線基板１２の配線導体１４上に接着
されたポリイミド等の絶縁フィルム１６の接続孔の中に
形成された金バンプ１８と、ポリイミド等の絶縁フィル
ム２０の片面に接着された金メッキ銅配線２２とが熱圧
着接合され、集積回路チップ１０は絶縁性接着剤２４を
介して前記絶縁フィルム２０で包み込まれ、集積回路チ
ップ１０のバンプ電極２６と、金メッキ銅配線２２とが
熱圧着接合されている。なお配線導体１４は、金バンプ
１４に夫々分離されて個々に接続されるが、図の煩雑化
を避けるために、１本の配線のごとく図示されている。
されたポリイミド等の絶縁フィルム１６の接続孔の中に
形成された金バンプ１８と、ポリイミド等の絶縁フィル
ム２０の片面に接着された金メッキ銅配線２２とが熱圧
着接合され、集積回路チップ１０は絶縁性接着剤２４を
介して前記絶縁フィルム２０で包み込まれ、集積回路チ
ップ１０のバンプ電極２６と、金メッキ銅配線２２とが
熱圧着接合されている。なお配線導体１４は、金バンプ
１４に夫々分離されて個々に接続されるが、図の煩雑化
を避けるために、１本の配線のごとく図示されている。
【００１６】本実施例の実装方法を図２、図３を参照し
て説明する。まずガラスエポキシ系あるいはポリイミド
系等の配線基板基板１２の表層に銅の配線導体１４が貼
着されている。この基板は内層に配線導体を含む多層基
板であってもよい。この配線導体１４の上に接続孔１５
が穿孔されたポリイミド絶縁フィルム１６が接着されて
いる（図２（ａ））。この接続孔１５は後に搭載される
集積回路チップの搭載領域内に形成される。次に接続孔
１５の内部に選択的に金メッキを堆積させて金バンプ１
８を形成する。金バンプ１８はポリイミド絶縁フィルム
１６の表面より突出するように形成するのが好ましい
（図２（ｂ））。
て説明する。まずガラスエポキシ系あるいはポリイミド
系等の配線基板基板１２の表層に銅の配線導体１４が貼
着されている。この基板は内層に配線導体を含む多層基
板であってもよい。この配線導体１４の上に接続孔１５
が穿孔されたポリイミド絶縁フィルム１６が接着されて
いる（図２（ａ））。この接続孔１５は後に搭載される
集積回路チップの搭載領域内に形成される。次に接続孔
１５の内部に選択的に金メッキを堆積させて金バンプ１
８を形成する。金バンプ１８はポリイミド絶縁フィルム
１６の表面より突出するように形成するのが好ましい
（図２（ｂ））。
【００１７】続いてポリイミド絶縁フィルム２０に銅配
線２２が貼着された配線フィルムを準備する。図４にこ
の配線フィルムの平面図を示すが、通常のＴＡＢテープ
と同様なプロセスにより製造することができる。銅配線
２２の表面には金メッキが施されている。なおこの金メ
ッキは錫メッキに代えてもよい。配線フィルムの中央部
のポリイミドフィルム２０には、前記金バンプ１８に対
応する開口部３０が設けられ、銅配線２２が露出するよ
うになっている。ポリイミドフィルムが半透明であるこ
とと、この開口部３０を通じて下部の基板が直視できる
ので位置合せも容易である。
線２２が貼着された配線フィルムを準備する。図４にこ
の配線フィルムの平面図を示すが、通常のＴＡＢテープ
と同様なプロセスにより製造することができる。銅配線
２２の表面には金メッキが施されている。なおこの金メ
ッキは錫メッキに代えてもよい。配線フィルムの中央部
のポリイミドフィルム２０には、前記金バンプ１８に対
応する開口部３０が設けられ、銅配線２２が露出するよ
うになっている。ポリイミドフィルムが半透明であるこ
とと、この開口部３０を通じて下部の基板が直視できる
ので位置合せも容易である。
【００１８】個々の銅配線はこの開口部３０で終端する
のが一般的であるが、図４の左上コーナー部に示すよう
に、他の縁面と連続的に形成される場合もある。ただし
図３の断面図においては、図の煩雑化を避ける目的で銅
配線２２は１本の線のように図示している。この開口部
３０と金バンプ１８とを位置合わせしてボンデイングツ
ール２８を押し当てて熱圧着する（図３（ａ））。
のが一般的であるが、図４の左上コーナー部に示すよう
に、他の縁面と連続的に形成される場合もある。ただし
図３の断面図においては、図の煩雑化を避ける目的で銅
配線２２は１本の線のように図示している。この開口部
３０と金バンプ１８とを位置合わせしてボンデイングツ
ール２８を押し当てて熱圧着する（図３（ａ））。
【００１９】続いて集積回路チップ１０を配線フィルム
の中央部に接着剤２４を介してマウントする。接着剤２
４はエポキシ系、ポリイミド系等の耐熱性の接着剤を使
用するのが望ましい（図３（ｂ））。
の中央部に接着剤２４を介してマウントする。接着剤２
４はエポキシ系、ポリイミド系等の耐熱性の接着剤を使
用するのが望ましい（図３（ｂ））。
【００２０】次に配線フィルムの端部のポリイミドフィ
ルム部２０ａを保持して、１辺づつチップ１０を包み込
むように成形し、チップ１０の電極２６と、配線フィル
ムの銅配線２２とを熱圧着ボンディングする。このとき
集積回路チップ１０は、ポリイミドフィルム１６を介し
て配線基板１２にしっかり固定されているのでボンディ
ングも容易に行える。
ルム部２０ａを保持して、１辺づつチップ１０を包み込
むように成形し、チップ１０の電極２６と、配線フィル
ムの銅配線２２とを熱圧着ボンディングする。このとき
集積回路チップ１０は、ポリイミドフィルム１６を介し
て配線基板１２にしっかり固定されているのでボンディ
ングも容易に行える。
【００２１】このボンディング終了後は他の辺のボンデ
ィングの邪魔にならないようにポリイミドフィルム部２
０ａを垂直に折り曲げ、場合によってはこの段階で折り
曲げ部３２の近傍でリードカットを行っても良い。リー
ドカットは、ボンディング部、チップに悪影響を及ぼさ
ない手段であれば何れでもよいが、例えばレーザーカッ
トでカットする（図３（ｃ））。
ィングの邪魔にならないようにポリイミドフィルム部２
０ａを垂直に折り曲げ、場合によってはこの段階で折り
曲げ部３２の近傍でリードカットを行っても良い。リー
ドカットは、ボンディング部、チップに悪影響を及ぼさ
ない手段であれば何れでもよいが、例えばレーザーカッ
トでカットする（図３（ｃ））。
【００２２】このリードボンディングを各辺に対して実
施して図１に示すような実装体が得られる。この実装方
法であれば、配線基板１２との接続箇所がチップ１０の
裏面に収まるので配線基板の実装密度を上げることが可
能になる。配線フィルムの基板との接続箇所は、図４に
示すようにチップの周縁部だけでなく中央部も使用する
ことができるので、配線エリアを広げることが可能とな
る。このチップ中央部もボンディングエリアに利用する
考え方は、チップ上面のボンディングにも適用すること
ができる。
施して図１に示すような実装体が得られる。この実装方
法であれば、配線基板１２との接続箇所がチップ１０の
裏面に収まるので配線基板の実装密度を上げることが可
能になる。配線フィルムの基板との接続箇所は、図４に
示すようにチップの周縁部だけでなく中央部も使用する
ことができるので、配線エリアを広げることが可能とな
る。このチップ中央部もボンディングエリアに利用する
考え方は、チップ上面のボンディングにも適用すること
ができる。
【００２３】本実施例では金バンプ１８を配線基板１０
側に設けたが、配線フィルム側に設けるようにしてもよ
い。 （実施例２）図１に示す実装体の実装方法としては、種
々の変形が考えられる。図５は第１の実施例の図２
（ｂ），図３（ａ）の工程の変形例である。本実施例で
は、配線フィルムの配線基板１０との接続部分には半田
バンプ３８が形成されている。この半田バンプは例えば
半田クリームの印刷により形成することができる。
側に設けたが、配線フィルム側に設けるようにしてもよ
い。 （実施例２）図１に示す実装体の実装方法としては、種
々の変形が考えられる。図５は第１の実施例の図２
（ｂ），図３（ａ）の工程の変形例である。本実施例で
は、配線フィルムの配線基板１０との接続部分には半田
バンプ３８が形成されている。この半田バンプは例えば
半田クリームの印刷により形成することができる。
【００２４】配線基板１２の配線導体１４上にはソルダ
ーレジスト３４が設けられ、接続の為の開口部３６が開
口されている。この開口部３６に対応する半田バンプ３
８を位置合せして、上部よりホットツール（図示せず）
にて熱圧着することにより接合することができる。位置
合せはポリイミドフィルム２０に透孔部を設け、配線基
板側に位置合わせマークを設ける等して適宜行うことが
できる。
ーレジスト３４が設けられ、接続の為の開口部３６が開
口されている。この開口部３６に対応する半田バンプ３
８を位置合せして、上部よりホットツール（図示せず）
にて熱圧着することにより接合することができる。位置
合せはポリイミドフィルム２０に透孔部を設け、配線基
板側に位置合わせマークを設ける等して適宜行うことが
できる。
【００２５】その後の工程は実施例１に同じであるが、
集積回路チップ側のバンプ電極は、半田バンプ３８より
も融点の低い半田（合金）を用いて温度差を持たせるこ
とが望ましい。例えば半田バンプ３８にＳｎ系合金を用
いた場合には、チップ電極にはＩｎ系合金を用いる。ま
たこの場合も集積回路チップ１０は、ポリイミドフィル
ム３４を介して配線基板１２にしっかり固定されている
のでボンディングも容易に行える。 （実施例３）図６は第１の実施例の図２（ａ），
（ｂ），図３（ａ）の工程のさらに他の変形例である。
本実施例では、配線フィルムの配線導体２２上には導電
性樹脂バンプ３８が形成されている。このバンプ３８は
例えば銀ペーストを印刷、乾燥させ、必要であれば重ね
刷りすることにより形成することができる。
集積回路チップ側のバンプ電極は、半田バンプ３８より
も融点の低い半田（合金）を用いて温度差を持たせるこ
とが望ましい。例えば半田バンプ３８にＳｎ系合金を用
いた場合には、チップ電極にはＩｎ系合金を用いる。ま
たこの場合も集積回路チップ１０は、ポリイミドフィル
ム３４を介して配線基板１２にしっかり固定されている
のでボンディングも容易に行える。 （実施例３）図６は第１の実施例の図２（ａ），
（ｂ），図３（ａ）の工程のさらに他の変形例である。
本実施例では、配線フィルムの配線導体２２上には導電
性樹脂バンプ３８が形成されている。このバンプ３８は
例えば銀ペーストを印刷、乾燥させ、必要であれば重ね
刷りすることにより形成することができる。
【００２６】これを開口部４２が穿孔された両面接着テ
ープ４０を介して、配線基板１２と位置合せ後熱圧着す
る。両面接着テープにより配線フィルムと配線基板１２
とが接着されるとともに、導電性樹脂バンプ３８が配線
基板１２の配線導体１４（銅、または銅に金メッキ）に
圧接保持されることにより導通が保たれる。
ープ４０を介して、配線基板１２と位置合せ後熱圧着す
る。両面接着テープにより配線フィルムと配線基板１２
とが接着されるとともに、導電性樹脂バンプ３８が配線
基板１２の配線導体１４（銅、または銅に金メッキ）に
圧接保持されることにより導通が保たれる。
【００２７】このとき両面接着テープ４０の基材として
は、例えばポリイミド樹脂が好ましく、接着剤は未硬化
若しくは半硬化状態の熱硬化性樹脂が好ましい。その後
は第１の実施例と同様に集積回路チップを接続するが、
チップ電極１０のバンプは、前記両面接着テープの耐熱
温度より低い融点の合金を選択することが望ましい。 （実施例４）実施例１〜３では、集積回路チップ１０か
らの配線はすべて配線フィルムを通じて行っていたが、
配線ピッチが狭くなった場合には、配線も細くなり電源
や接地の配線抵抗が問題になる場合がある。
は、例えばポリイミド樹脂が好ましく、接着剤は未硬化
若しくは半硬化状態の熱硬化性樹脂が好ましい。その後
は第１の実施例と同様に集積回路チップを接続するが、
チップ電極１０のバンプは、前記両面接着テープの耐熱
温度より低い融点の合金を選択することが望ましい。 （実施例４）実施例１〜３では、集積回路チップ１０か
らの配線はすべて配線フィルムを通じて行っていたが、
配線ピッチが狭くなった場合には、配線も細くなり電源
や接地の配線抵抗が問題になる場合がある。
【００２８】本実施例はこのような場合の改善策であ
り、配線抵抗を下げたい部分を他の接続手段、例えばワ
イヤボンディングで行った例である。このように部分的
に従来技術を併用しても、相対的に実装密度を向上させ
ることができる。またこの場合も集積回路チップ１０
は、ポリイミドフィルム３４を介して配線基板１２にし
っかり固定されているのでボンディングも容易に行え
る。
り、配線抵抗を下げたい部分を他の接続手段、例えばワ
イヤボンディングで行った例である。このように部分的
に従来技術を併用しても、相対的に実装密度を向上させ
ることができる。またこの場合も集積回路チップ１０
は、ポリイミドフィルム３４を介して配線基板１２にし
っかり固定されているのでボンディングも容易に行え
る。
【００２９】以上いくつかの実施例を紹介したが、本発
明は上記実施例に限られるものではない。配線フィルム
を先に配線基板に接続した後集積回路チップを搭載し、
配線フィルムでチップを包み込む方法であれば、これら
実施例を組み合わせしてもよく一部を等価な手段に置き
換えることもできる。
明は上記実施例に限られるものではない。配線フィルム
を先に配線基板に接続した後集積回路チップを搭載し、
配線フィルムでチップを包み込む方法であれば、これら
実施例を組み合わせしてもよく一部を等価な手段に置き
換えることもできる。
【００３０】
【発明の効果】本発明の実装方法をとることにより、配
線基板上の集積回路装置の占有面積をほぼチップ面積に
することができる。従来のＴＡＢ方式の場合、集積回路
チップ周辺部分での接続となるが、本発明ではチップ下
面が利用できることで、配線の自由度が増し、適正配線
が可能になる。
線基板上の集積回路装置の占有面積をほぼチップ面積に
することができる。従来のＴＡＢ方式の場合、集積回路
チップ周辺部分での接続となるが、本発明ではチップ下
面が利用できることで、配線の自由度が増し、適正配線
が可能になる。
【００３１】接続部の確認も、配線基板と配線フィルム
の間、および配線フィルムと集積回路チップの間の両方
とも、接続部が陰に隠れることがなく上面より目視等で
容易に行える。
の間、および配線フィルムと集積回路チップの間の両方
とも、接続部が陰に隠れることがなく上面より目視等で
容易に行える。
【図１】本発明の第１の実施例に係る実装方法により接
続された集積回路装置実装体のの断面図。
続された集積回路装置実装体のの断面図。
【図２】本発明の第１の実施例の実装方法を段階的に示
した実装体の断面図。
した実装体の断面図。
【図３】図２の次の段階を示した実装体の断面図。
【図４】本発明の第１の実施例に使用される配線フィル
ムの平面（底面）図。
ムの平面（底面）図。
【図５】本発明の第２の実施例の実装方法の特徴的な段
階を示した実装体の断面図。
階を示した実装体の断面図。
【図６】本発明の第３の実施例の実装方法の特徴的な段
階を示した実装体の断面図。
階を示した実装体の断面図。
【図７】本発明の第４の実施例の実装方法の特徴的な段
階を示した実装体の断面図。
階を示した実装体の断面図。
【図８】従来のＴＡＢ実装法を示した実装体の断面図。
１０…集積回路チップ、１２…基板、１４…配線導体、
１６…絶縁フィルム、１８…金バンプ、２０…絶縁フィ
ルム、２２…配線導体、２４…接着剤、２６…バンプ電
極
１６…絶縁フィルム、１８…金バンプ、２０…絶縁フィ
ルム、２２…配線導体、２４…接着剤、２６…バンプ電
極
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 23/12
Claims (4)
- 【請求項１】 配線基板の集積回路装置搭載領域内に複
数のバンプ電極を形成する工程と、 可撓性フィルムの主面に中央部より端部に向けて形成さ
れた複数の配線導体と、前記配線導体の各々に形成さ
れ、前記中央部に形成された第１の電極及び前記端部に
形成された第２の電極とを有する配線フィルムの前記第
１の電極を、前記配線基板の対応する前記バンプ電極に
接続する工程と、 上面に複数の第３の電極を有する集積回路装置の下面を
接着剤を介して前記配線フィルム上のほぼ中央部に載置
する工程と、 前記配線フィルムの前記端部を前記集積回路装置の周縁
に沿って折り曲げ、前記配線フィルムの前記第２の電極
を前記集積回路装置の対応する第３の電極に接続する工
程と、 を具備するすることを特徴とする集積回路装置の実装方
法。 - 【請求項２】 前記配線基板に前記複数のバンプ電極を
形成する際に、前記バンプ電極の頭部が突出する厚さの
絶縁フィルムを、前記基板上の前記集積回路装置搭載領
域に、前記バンプ電極領域を除いて形成することを特徴
とする請求項１記載の集積回路装置の実装方法。 - 【請求項３】 可撓性フィルムの主面に中央部より端部
に向けて形成された複数の配線導体と、前記配線導体の
各々に形成され、前記中央部に形成された第１の電極及
び前記端部に形成された第２の電極とを有する配線フィ
ルムの前記第１の電極にバンプ電極を形成する工程と、 前記配線フィルムの前記バンプ電極を、配線基板に形成
された複数の第３の電極の各々に対応させて接続する工
程と、 上面に複数の第４の電極を有する集積回路装置の下面を
接着剤を介して前記配線フィルムのほぼ中央部に載置す
る工程と、 前記配線フィルムを前記集積回路装置の周縁に沿って折
り曲げ、前記配線フィルムの前記第２の電極を前記集積
回路装置の対応する第４の電極に接続する工程と、 を具備するすることを特徴とする集積回路装置の実装方
法。 - 【請求項４】 前記配線フィルムの前記バンプ電極を、
配線基板に形成された複数の第３の電極の各々に対応さ
せて接続する際に、前記バンプ電極の頭部が露出する程
度の厚さの絶縁フィルムを、前記集積回路装置搭載領域
に対応し前記バンプ電極領域を除いた領域の前記絶縁フ
ィルムと前記配線基板との間に介在させることを特徴と
する請求項３記載の集積回路装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13521895A JP3251810B2 (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 集積回路装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13521895A JP3251810B2 (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 集積回路装置の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330361A JPH08330361A (ja) | 1996-12-13 |
| JP3251810B2 true JP3251810B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=15146596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13521895A Expired - Fee Related JP3251810B2 (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 集積回路装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3251810B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250694A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置実装用テープキャリアの製造方法 |
| JP6950195B2 (ja) * | 2017-02-16 | 2021-10-13 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 金属接合部、接合体、半導体装置及び半導体素子 |
-
1995
- 1995-06-01 JP JP13521895A patent/JP3251810B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08330361A (ja) | 1996-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6037665A (en) | Mounting assembly of integrated circuit device and method for production thereof | |
| US5739588A (en) | Semiconductor device | |
| JP2001015679A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06224246A (ja) | 半導体素子用高多端子化パッケージ | |
| US6242283B1 (en) | Wafer level packaging process of semiconductor | |
| US6020626A (en) | Semiconductor device | |
| US20020096750A1 (en) | Package for semiconductor chip having thin recess portion and thick plane portion | |
| JP2000286294A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0697237A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001250876A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH11191602A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH01303730A (ja) | 半導体素子の実装構造とその製造方法 | |
| JP3251810B2 (ja) | 集積回路装置の実装方法 | |
| JP2803656B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000243875A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2982703B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JP2000124356A (ja) | 半導体パッケ―ジ用部材，半導体パッケ―ジ及び半導体パッケ―ジ製造方法 | |
| JP2986661B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58134450A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2652222B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2822987B2 (ja) | 電子回路パッケージ組立体およびその製造方法 | |
| JP2784209B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2917932B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2000299399A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2782374B2 (ja) | 電子部品搭載装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011030 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071116 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081116 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091116 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |