JPS587043B2 - セイトクセイサ−ミスタノセイゾウホウホウ - Google Patents
セイトクセイサ−ミスタノセイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS587043B2 JPS587043B2 JP8085875A JP8085875A JPS587043B2 JP S587043 B2 JPS587043 B2 JP S587043B2 JP 8085875 A JP8085875 A JP 8085875A JP 8085875 A JP8085875 A JP 8085875A JP S587043 B2 JPS587043 B2 JP S587043B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- positive temperature
- sheet
- coefficient thermistor
- distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Resistance Heating (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高い耐電圧特性を持つ正特性サーミスタの製造
法に関するものである。
法に関するものである。
従来正特性サーミスタをつくるに当っては、通常のディ
スク形サーミスタと同様に、成形機を用いて円板状に原
料粉末を粉体成形した後、１３００℃附近で焼結し、両
端面に電極を加工する方法がとられて来た。
スク形サーミスタと同様に、成形機を用いて円板状に原
料粉末を粉体成形した後、１３００℃附近で焼結し、両
端面に電極を加工する方法がとられて来た。
正特性サーミスタの電気抵抗は、第１図に示すようにそ
の材質で決まるキュリ一温度以上で急激に増加するので
、これを厚いディスク形、または端面を強制冷却した形
にして電圧を印加し自己加熱させる時、発熱の集中現象
、すなわちピンチ効果が発生して、第２図に示すように
局部的な温度上昇および電界密度の集中現象が起る。
の材質で決まるキュリ一温度以上で急激に増加するので
、これを厚いディスク形、または端面を強制冷却した形
にして電圧を印加し自己加熱させる時、発熱の集中現象
、すなわちピンチ効果が発生して、第２図に示すように
局部的な温度上昇および電界密度の集中現象が起る。
正特性サーミスタはセラミックであるために熱伝導度が
小さく、放熱板を両端面に取付けても内部の熱エネルギ
を十分に外部に取出すことができないばかりでなく、端
面を強制冷却することによって、内部のピンチ効果はさ
らに加速されて耐圧劣化を促進させることになる。
小さく、放熱板を両端面に取付けても内部の熱エネルギ
を十分に外部に取出すことができないばかりでなく、端
面を強制冷却することによって、内部のピンチ効果はさ
らに加速されて耐圧劣化を促進させることになる。
本発明の目的は、上記のような欠点を持たない正特性サ
ーミスタの製造方法を提供することにあり、しかも犬幅
に生産を合理化した製造方法を提供することにある。
ーミスタの製造方法を提供することにあり、しかも犬幅
に生産を合理化した製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明は、常温抵抗率また
はキュリ一温度の異なる正特性サーミスタ原料粉末ある
いは常温抵抗率およびキュリ一温度が共に異る原料粉末
をバインダでシート状に圧延し、これを２層以上重ね合
わせて密着させた後、切断して任意の寸法に加工するこ
とにより、動作時の正特性サーミスタの内部温度分布お
よび電界密度分布が均一化された正特性サーミスタを製
造するものである。
はキュリ一温度の異なる正特性サーミスタ原料粉末ある
いは常温抵抗率およびキュリ一温度が共に異る原料粉末
をバインダでシート状に圧延し、これを２層以上重ね合
わせて密着させた後、切断して任意の寸法に加工するこ
とにより、動作時の正特性サーミスタの内部温度分布お
よび電界密度分布が均一化された正特性サーミスタを製
造するものである。
耐電圧特性を上げるためには、正特性サーミスタの外側
の層に比べて内側の層の常温抵抗率を下げる方法または
キュリ一温度を上げる方法あるいはこの両者を同時に行
なう方法のいずれをとってもよい。
の層に比べて内側の層の常温抵抗率を下げる方法または
キュリ一温度を上げる方法あるいはこの両者を同時に行
なう方法のいずれをとってもよい。
正特性サーミスタの層を２層以上にする方法として、個
別につくったディスク状またはディスク状に近い正特性
サーミスタを目的に応じて多層に重ね合わせて、お互が
熱的および電気的に十分接触するようにする方法もある
が、組立加工に手間がかかつてわずらわしい。
別につくったディスク状またはディスク状に近い正特性
サーミスタを目的に応じて多層に重ね合わせて、お互が
熱的および電気的に十分接触するようにする方法もある
が、組立加工に手間がかかつてわずらわしい。
そこでこの発明では、１ヶの正特性サーミスクの中に常
温抵抗率またはキュリ一温度の異なる層を２層以上に形
成するようにするものである。
温抵抗率またはキュリ一温度の異なる層を２層以上に形
成するようにするものである。
以下板状およびハネカム形正特性サーミスタを代表にと
って説明する。
って説明する。
まず通常の厚膜素子の基板をつくる時と同様にバインダ
ーを用いて正特性サーミスタの原料粉末をペースト状に
した後、平面状に流して乾燥させ、可とう性を有するシ
ート状のものにする。
ーを用いて正特性サーミスタの原料粉末をペースト状に
した後、平面状に流して乾燥させ、可とう性を有するシ
ート状のものにする。
このシートは目的に応じて常温抵抗率またはキュリ一温
度の異なるもの、あるいは両者の異なるものを２種以上
準備する。
度の異なるもの、あるいは両者の異なるものを２種以上
準備する。
次で目的に応じて２種以上のシート状の原料１，２を重
ね合わして第３図に示すように圧接し、さらに適当な形
状に打抜いた後、通常のディスク形正特性サーミスタと
同様に約１３００℃で焼結した後、両面に電極を加工し
て本発明の正特性サーミスク素子が出来上がる。
ね合わして第３図に示すように圧接し、さらに適当な形
状に打抜いた後、通常のディスク形正特性サーミスタと
同様に約１３００℃で焼結した後、両面に電極を加工し
て本発明の正特性サーミスク素子が出来上がる。
この場合シート状原料１は、シート状原料２より常温抵
抗率が低いもの、またはキュリ一温度の高い材料から成
るものを選ぶ。
抗率が低いもの、またはキュリ一温度の高い材料から成
るものを選ぶ。
打抜工程に際して多数の小孔をあけて焼結すると、端面
部と中心部の特性に分布を持たした第４図に示すような
ハネカム形正特性サーミスタにすることができる。
部と中心部の特性に分布を持たした第４図に示すような
ハネカム形正特性サーミスタにすることができる。
上記したように、本発明によれば正特性サーミスタ内部
に常温抵抗率またはキュリ一温度の異なる層あるいは両
者の共に異なる層を簡単に２層以上形成することができ
るような製造方法で、第５図ａに示すような常温抵抗率
（キュリ一温度の場合は通常中心部のキュリ一温度を高
くする）の分布を持った正特性サーミスタを製造した場
合、これに電圧を印加して自己加熱させる時、同図ｂの
ような動作温度の分布および同図Ｃのような電界密度の
分布となって、第２図に示す従来のものに比べて高い電
圧を印加することができると同時に、大きい熱出力を取
出すことが可能となる。
に常温抵抗率またはキュリ一温度の異なる層あるいは両
者の共に異なる層を簡単に２層以上形成することができ
るような製造方法で、第５図ａに示すような常温抵抗率
（キュリ一温度の場合は通常中心部のキュリ一温度を高
くする）の分布を持った正特性サーミスタを製造した場
合、これに電圧を印加して自己加熱させる時、同図ｂの
ような動作温度の分布および同図Ｃのような電界密度の
分布となって、第２図に示す従来のものに比べて高い電
圧を印加することができると同時に、大きい熱出力を取
出すことが可能となる。
第１図は正特性サーミスタの温度と電気抵抗の関係を示
す特性曲線図、第２図ａは従来のディスク形正特性サー
ミスタに電圧を印加して自己加熱させた場合に生じる内
部の温度分布図、第２図ｂは同じく電界密度を示す分布
図、第３図は本発明の多層成形方法の一工程を示す図、
第４図はハネカム状に加工した正特性サーミスタの構造
を示す図で、ａは平面図ｂは一部断面で示す側面図、第
５図ａは、この発明によってつくられた正特性サーミス
ク内部の常温抵抗率の分布図、ｂ，ｃは電圧を印加して
自己加熱させた時の動作温度の分布図および電界密度の
分布図である。 １，２・・・・・ウート状の正特性サーミスタ原料。
す特性曲線図、第２図ａは従来のディスク形正特性サー
ミスタに電圧を印加して自己加熱させた場合に生じる内
部の温度分布図、第２図ｂは同じく電界密度を示す分布
図、第３図は本発明の多層成形方法の一工程を示す図、
第４図はハネカム状に加工した正特性サーミスタの構造
を示す図で、ａは平面図ｂは一部断面で示す側面図、第
５図ａは、この発明によってつくられた正特性サーミス
ク内部の常温抵抗率の分布図、ｂ，ｃは電圧を印加して
自己加熱させた時の動作温度の分布図および電界密度の
分布図である。 １，２・・・・・ウート状の正特性サーミスタ原料。
Claims (1)
- １ 組成の異なる正特性サーミスタ原料粉末をそれぞれ
バインダを用いて可とう性のシート状材料にする工程と
、この工程によって作られた２種以上の組成の異なるシ
ート状材料を重ねて圧着する工程と、圧着されたシート
状材料をあらかじめ定めた形状に打抜く工程と、この打
抜かれた材料を焼結する工程とから成る正特性サーミス
クの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8085875A JPS587043B2 (ja) | 1975-07-02 | 1975-07-02 | セイトクセイサ−ミスタノセイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8085875A JPS587043B2 (ja) | 1975-07-02 | 1975-07-02 | セイトクセイサ−ミスタノセイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS525459A JPS525459A (en) | 1977-01-17 |
| JPS587043B2 true JPS587043B2 (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=13730028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8085875A Expired JPS587043B2 (ja) | 1975-07-02 | 1975-07-02 | セイトクセイサ−ミスタノセイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587043B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5497839A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-02 | Tdk Electronics Co Ltd | Honeycombbshaped heater and making method thereof |
| JPS55124973A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-26 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing positive temperature coefficient thermistor heater |
| JPS5757503U (ja) * | 1980-09-20 | 1982-04-05 |
-
1975
- 1975-07-02 JP JP8085875A patent/JPS587043B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS525459A (en) | 1977-01-17 |
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