JPS5859440A - 感光性重合体組成物 - Google Patents
感光性重合体組成物Info
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- JPS5859440A JPS5859440A JP15751681A JP15751681A JPS5859440A JP S5859440 A JPS5859440 A JP S5859440A JP 15751681 A JP15751681 A JP 15751681A JP 15751681 A JP15751681 A JP 15751681A JP S5859440 A JPS5859440 A JP S5859440A
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- group
- bisazide
- aromatic
- polar
- polymer composition
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐熱性高分子の浮彫構造を与える新規な感光
性重合体組成物に関するものである。
性重合体組成物に関するものである。
従来、アクリレート基とメタクリレート基の一方又は双
方を含むポリ！と光反応開始剤を含む混合物を用いて浮
彫構造を光学的に製作する際に光反応開始剤として芳香
族アジドを使用する方法が知られている。この芳香族ア
ジドは、光反応性を高め、できるだけ短時間の光照射時
間で浮彫構造・を形成せしめることを目的として添加さ
れている。
方を含むポリ！と光反応開始剤を含む混合物を用いて浮
彫構造を光学的に製作する際に光反応開始剤として芳香
族アジドを使用する方法が知られている。この芳香族ア
ジドは、光反応性を高め、できるだけ短時間の光照射時
間で浮彫構造・を形成せしめることを目的として添加さ
れている。
しかしながら、ポリマをボリアミド酸とし九場合、上記
発明に述べられている芳香族アジドのうち特にビスアジ
ドはポリアミド酸の溶剤（非プロトン性極性溶剤）に対
する溶解性が低かったシ、特にボリアイド酸との相溶性
が低いために塗膜とした時に芳香族アジド自身が分離析
出したシする場合があシ、その添加量には限界がめった
。
発明に述べられている芳香族アジドのうち特にビスアジ
ドはポリアミド酸の溶剤（非プロトン性極性溶剤）に対
する溶解性が低かったシ、特にボリアイド酸との相溶性
が低いために塗膜とした時に芳香族アジド自身が分離析
出したシする場合があシ、その添加量には限界がめった
。
このため光反応性の向上化に際し十分に満足すべき結果
が得られないことが大きな間聰点であった。
が得られないことが大きな間聰点であった。
本発明の目的は前記した従来技術の欠点をなくし友、感
就の高い感光性重合体組成物を提供するにある。
就の高い感光性重合体組成物を提供するにある。
上記目的を達成するため鋭意検討した結果、分子内に極
性基または有機ケイ素基を導入した芳香族ビスアジド瀘
、非プロトン性極性溶媒に対する溶解性も良く、特にポ
リアンド酸との相溶性が大幅に向上し、塗膜からのアジ
ドの分離析出など前記した欠点が改良されることを見い
出した。
性基または有機ケイ素基を導入した芳香族ビスアジド瀘
、非プロトン性極性溶媒に対する溶解性も良く、特にポ
リアンド酸との相溶性が大幅に向上し、塗膜からのアジ
ドの分離析出など前記した欠点が改良されることを見い
出した。
さらに、上記の芳香族ビスアジドと側鎖に不飽和結合を
持つポリアミド酸とから成る感光性重合体組成−の感光
性を樵々検討したところ、素又はアンモニウムイオン、
Ｙは不飽和結合を有する基、Ｘは８畠とＹをつなぐ３価
の基、Ｗは水素又はＸ−Ｙを表わす。ｎはｌ又は２、ｅ
＃′ｉｓ以上１００以下の数である。ＣＯＯＲ４はアミ
ド基に対してオルト又はパラ位に結合している。）で表
わされるボリアイド酸又はボリアきド酸誘導Ｐ−Ｒ“−
２〔厘） ＣＰは−Ｎ、又は体と、一般式 之 一８０ｍＮａ、Ｒ−は３価の有機基、２は一〇Ｈ，−Ｏ
Ｒ・（Ｒ・は低級アルキル基）、−ＣＯＯＨ，−ＣＯＯ
Ｒ・、−０ＣＯＲ’、−Ｒ？−０Ｈ（Ｒ”はアルキレン
）、−Ｒ彎 −０−Ｒ＠ 、 −Ｒ’−ＣＯＯＨ，−Ｒ
”Ｃ０ＯＲ・ 、 −Ｒ？０ＣＯＲ・ 、−Ｓ ｉ Ｒ
１、−Ｒ”−８ｉＲ１から選ばれた基を表わす。〕であ
られされるビスアジド化合物と必要に応じて加える増感
剤とから成る感光性重合体組成物を用い丸糸が前記し九
従来法に比べ、非常に高感度である仁とを見い出した。
持つポリアミド酸とから成る感光性重合体組成−の感光
性を樵々検討したところ、素又はアンモニウムイオン、
Ｙは不飽和結合を有する基、Ｘは８畠とＹをつなぐ３価
の基、Ｗは水素又はＸ−Ｙを表わす。ｎはｌ又は２、ｅ
＃′ｉｓ以上１００以下の数である。ＣＯＯＲ４はアミ
ド基に対してオルト又はパラ位に結合している。）で表
わされるボリアイド酸又はボリアきド酸誘導Ｐ−Ｒ“−
２〔厘） ＣＰは−Ｎ、又は体と、一般式 之 一８０ｍＮａ、Ｒ−は３価の有機基、２は一〇Ｈ，−Ｏ
Ｒ・（Ｒ・は低級アルキル基）、−ＣＯＯＨ，−ＣＯＯ
Ｒ・、−０ＣＯＲ’、−Ｒ？−０Ｈ（Ｒ”はアルキレン
）、−Ｒ彎 −０−Ｒ＠ 、 −Ｒ’−ＣＯＯＨ，−Ｒ
”Ｃ０ＯＲ・ 、 −Ｒ？０ＣＯＲ・ 、−Ｓ ｉ Ｒ
１、−Ｒ”−８ｉＲ１から選ばれた基を表わす。〕であ
られされるビスアジド化合物と必要に応じて加える増感
剤とから成る感光性重合体組成物を用い丸糸が前記し九
従来法に比べ、非常に高感度である仁とを見い出した。
本系で用い九芳香族ビスアジドは極性な大きな化合物と
なっているので、極性ポリマであるポリアミド酸との相
互作用も大きい。このため従来技術で用いられている芳
香族アジドと同量用いて両系の光反応性を比較検討し九
ところ本発明による系１ｄｍ倍から数倍活性が高く、こ
の点でも感度向上に大きく貢献した。本発明により、短
時間の無光で陽画の浮彫構造を形成することが可能とな
った。以下本発明について詳細に説明する。
なっているので、極性ポリマであるポリアミド酸との相
互作用も大きい。このため従来技術で用いられている芳
香族アジドと同量用いて両系の光反応性を比較検討し九
ところ本発明による系１ｄｍ倍から数倍活性が高く、こ
の点でも感度向上に大きく貢献した。本発明により、短
時間の無光で陽画の浮彫構造を形成することが可能とな
った。以下本発明について詳細に説明する。
（１）で表わされる感光基を有するポリアミド酸又はポ
リアンド酸誘導体の例は特開昭１＄ｌｌ−４１１１１１
で許しく述べられている。好適なＲ１の例としてしｎｓ （式中、結合手はポリ！主−のカルボニル基との結合を
表わし、カルボキシル基は結合手に対してオルト位に位
置する。）などが挙げられるがこれらに限定されない。
リアンド酸誘導体の例は特開昭１＄ｌｌ−４１１１１１
で許しく述べられている。好適なＲ１の例としてしｎｓ （式中、結合手はポリ！主−のカルボニル基との結合を
表わし、カルボキシル基は結合手に対してオルト位に位
置する。）などが挙げられるがこれらに限定されない。
またＲ”はこれらのうちの８種以上から構成される共重
合体の形であってもさしつかえない。Ｒ”、 Ｒ”の例
としては一＠−４・伽舎・）０び・舎ＣＨ・台 −（）−ｃｏ合ハ’Ｅ）−ＣＯづ＊ ８Ｊ１０ｓ＆ シ
０・づなどが好適であるがこれらに限定されない。また
これらがポリイ建ドとした時の耐熱性に悪影譬を与えな
い範囲で７にノ基、アンド基、カルホキシル基、スルホ
ン酸基を有していてもさしつかえな帆 Ｒ４は不飽和結
合を有する基又は水素又はアンモニウムイオンであるが
、このうち不飽和結合を有する基としては。
合体の形であってもさしつかえない。Ｒ”、 Ｒ”の例
としては一＠−４・伽舎・）０び・舎ＣＨ・台 −（）−ｃｏ合ハ’Ｅ）−ＣＯづ＊ ８Ｊ１０ｓ＆ シ
０・づなどが好適であるがこれらに限定されない。また
これらがポリイ建ドとした時の耐熱性に悪影譬を与えな
い範囲で７にノ基、アンド基、カルホキシル基、スルホ
ン酸基を有していてもさしつかえな帆 Ｒ４は不飽和結
合を有する基又は水素又はアンモニウムイオンであるが
、このうち不飽和結合を有する基としては。
アルキレン、ヒドロキシアルキレン Ｒ？ は水素。
メチル基、Ｒ１６は水素、シアノ基、Ｒ１′は水素。
ハロゲン、アルキル基、アルコキシｆｉｌＲ”は水素、
フェニル基をあられ丁、）などが好適な例として挙げら
れるが、これらに限定されない。
フェニル基をあられ丁、）などが好適な例として挙げら
れるが、これらに限定されない。
ＸＩＩＲとＹをつなぐ２価の基であってアルキレン、
−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−Ｇｏ−、−ＣＭ、Ｏ−な
どが好適な例としてあげられるが特にこれらに限定され
ない、Ｗは水素又は−Ｘ−Ｙである。
−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−Ｇｏ−、−ＣＭ、Ｏ−な
どが好適な例としてあげられるが特にこれらに限定され
ない、Ｗは水素又は−Ｘ−Ｙである。
不飽和結合なＭする基Ｙの例としてはＸが−ＣＯＯ−、
−ＣＯＮＨ−Ｏ場合。
−ＣＯＮＨ−Ｏ場合。
キレン、ヒドロキレアルキレフ ’Ｉ Ｒｅは水素、メ
チル基 Ｒ＋１は水素、シアノ基、Ｒ１１水素、ハロゲ
ン、アルキル基、アルコキシ基、Ｒ１１は水素。
チル基 Ｒ＋１は水素、シアノ基、Ｒ１１水素、ハロゲ
ン、アルキル基、アルコキシ基、Ｒ１１は水素。
フェニル基をあられす、）などが好適な例として挙げ
（以下余白） られるが、これらに限定されない。
（以下余白） られるが、これらに限定されない。
式（１）で表わされる芳香族ビスアジドの例としては、
（式中ＰｄＮ、−またはＮ−８Ｏｓ−１２は−ＯＨ，−
ＯＲ’（Ｒ・は低級アルキル基）、−ＣＯＯＨ，−ＣＯ
ＯＲ＠、−０ＣＯＲ・、−Ｒ’ −ＯＨ（Ｒ’はアルキ
レン’） 、−Ｒ’−０−Ｒ４、−Ｒ’−ＣＯＯＨ，−
Ｒ’Ｃ０ＯＲ・、−Ｒマ０ＲＯＲ’ 、−Ｓ Ｉ Ｒ１
、−Ｒ’−８ｉＲ１から選択され九基を表わす。）など
が挙げられるが、極性基を有するビスアジドであれば良
く特にこれらに限定されるものではない。
ＯＲ’（Ｒ・は低級アルキル基）、−ＣＯＯＨ，−ＣＯ
ＯＲ＠、−０ＣＯＲ・、−Ｒ’ −ＯＨ（Ｒ’はアルキ
レン’） 、−Ｒ’−０−Ｒ４、−Ｒ’−ＣＯＯＨ，−
Ｒ’Ｃ０ＯＲ・、−Ｒマ０ＲＯＲ’ 、−Ｓ Ｉ Ｒ１
、−Ｒ’−８ｉＲ１から選択され九基を表わす。）など
が挙げられるが、極性基を有するビスアジドであれば良
く特にこれらに限定されるものではない。
芳香族ビスアジド〔厘〕の配゛合、割合はポリマ（１）
の側鎖の不飽和結合を有する基Ｙに対してａｏｏ１蟲量
以上Ｓ＠量以下の割合で配合されるのが望しくこの範凹
を逸脱すると大幅に感度が低下したｂＳ現像に制約を受
−けたシする。
の側鎖の不飽和結合を有する基Ｙに対してａｏｏ１蟲量
以上Ｓ＠量以下の割合で配合されるのが望しくこの範凹
を逸脱すると大幅に感度が低下したｂＳ現像に制約を受
−けたシする。
本感光材料に用いる〔１３式で表わされるポリアセト酸
は通常ジアンン化合物と酸二無水物とを当モル量反応さ
せることによって得られるがこの場合に用いる反応溶媒
としてはポリアンド酸の俗解性の面から主に非プロトン
性極性溶媒が望ましい。非プロトン性極性溶媒の例とし
てはＮ−メチル−冨−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアはド、Ｎ−
アセテルー２−ピロリドンなどが挙げられる。
は通常ジアンン化合物と酸二無水物とを当モル量反応さ
せることによって得られるがこの場合に用いる反応溶媒
としてはポリアンド酸の俗解性の面から主に非プロトン
性極性溶媒が望ましい。非プロトン性極性溶媒の例とし
てはＮ−メチル−冨−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアはド、Ｎ−
アセテルー２−ピロリドンなどが挙げられる。
本感光材料は上記の如く調整したボリア建ド酸溶液に一
般式〔夏〕で表わされるビスアジド化合物と必要に応じ
て加える増感剤を加えたワニス状態で用いられる。
般式〔夏〕で表わされるビスアジド化合物と必要に応じ
て加える増感剤を加えたワニス状態で用いられる。
本感光材料にはビスアジドの光反応を活性化せしめる丸
め必要に応じて増感剤を添加しても東いが、その量は〔
１〕と（１） ０総重量のｇｏ＠以下であることが望し
く、これより多量用いると現像性および最終硬化膜の特
性に悪影響を及ぼす。好しく用いられる増−剤としては
例えばアントラキノン、２−メチルアントラキノン、２
−エチルアントラキノン、ベンゾキノン、１．２−ナフ
トキノン、１．４−ナフトキノン、１．２−ベンゾアン
トラキノ／、ベンゾフェノン、ｐ、ｐ’−ジメチルベン
ゾフェノン、ミヒラーケトン、２−ニトロフルオレン、
５−ニトロアセナフテン、４−ニトロ １−す７チルア
建ン、アントロン、１．９−ベンズアントロン、ベンゾ
インエーテル、４．４’−ビス（ジエチルアミノ）ベン
ゾフェノン、ジベンザルアセトンなどが挙げられるがこ
れらに限定されない。
め必要に応じて増感剤を添加しても東いが、その量は〔
１〕と（１） ０総重量のｇｏ＠以下であることが望し
く、これより多量用いると現像性および最終硬化膜の特
性に悪影響を及ぼす。好しく用いられる増−剤としては
例えばアントラキノン、２−メチルアントラキノン、２
−エチルアントラキノン、ベンゾキノン、１．２−ナフ
トキノン、１．４−ナフトキノン、１．２−ベンゾアン
トラキノ／、ベンゾフェノン、ｐ、ｐ’−ジメチルベン
ゾフェノン、ミヒラーケトン、２−ニトロフルオレン、
５−ニトロアセナフテン、４−ニトロ １−す７チルア
建ン、アントロン、１．９−ベンズアントロン、ベンゾ
インエーテル、４．４’−ビス（ジエチルアミノ）ベン
ゾフェノン、ジベンザルアセトンなどが挙げられるがこ
れらに限定されない。
本発明“に用いる支持体の材質としては、例えば金属、
ガラス、半導体（例えばシリコン）、セラミック、プラ
スチック、紙、道電膜（例えばＩｎ＊Ｏｓ）、金属酸化
物絶縁体（例えばＴ１０ｔ。
ガラス、半導体（例えばシリコン）、セラミック、プラ
スチック、紙、道電膜（例えばＩｎ＊Ｏｓ）、金属酸化
物絶縁体（例えばＴ１０ｔ。
ＴＯ＊Ｏｓｅ ＳｌＯ＊など）、値化ケイ素などが挙げ
られる。
られる。
本発明の感光性重合体組成物は通常の微細加工技術でパ
ターン加工できる。
ターン加工できる。
上記支持体への感光性重合体組成物の塗布にはスピンナ
ーを用いた回転塗布、浸漬、噴霧、印刷などの手段が可
能であり、目的に応じて適宜撰択することができる。塗
布膜厚は塗布手段、感光性重合体組成−のワニスの固形
分濃度、粘度によって調節が可能である。
ーを用いた回転塗布、浸漬、噴霧、印刷などの手段が可
能であり、目的に応じて適宜撰択することができる。塗
布膜厚は塗布手段、感光性重合体組成−のワニスの固形
分濃度、粘度によって調節が可能である。
上記支持体上で墓膜と成った本発明による感光材料に、
フォト！スクを介して紫外線を照射する。次に未露光部
を現儂液で溶解除去することＫよりレリーフ・パターン
を得る。光源は紫外線に限らず可視光線、Ｘ線、電子線
などでありても嵐い。
フォト！スクを介して紫外線を照射する。次に未露光部
を現儂液で溶解除去することＫよりレリーフ・パターン
を得る。光源は紫外線に限らず可視光線、Ｘ線、電子線
などでありても嵐い。
現儂液は感光性重合体組成物の溶剤である。
Ｎ−メチル−雪−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロ
リドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアオド、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチ
ルホスホルトリアミドなどを単独、あるいはメタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、等の感光材料の非溶媒の混合液とし
て用いることができる。
リドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアオド、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチ
ルホスホルトリアミドなどを単独、あるいはメタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、等の感光材料の非溶媒の混合液とし
て用いることができる。
現俸によりて形成したレリーフ・パターンは次いでリン
ス献によりＶｃ＃Ｌ現像齢媒を除去する。
ス献によりＶｃ＃Ｌ現像齢媒を除去する。
リンス取に１よ＃４像液との混和性の良いメタノール、
エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トル
エン、キシレンなどが好適な例として挙げられる。
エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トル
エン、キシレンなどが好適な例として挙げられる。
上記の処理によって得られたレリーフ・パターンのポリ
オは耐熱ポリイミドの前駆体でめυ、加熱処理すること
によってインド環や他の環状構造を持つ耐熱ポリマとな
る。
オは耐熱ポリイミドの前駆体でめυ、加熱処理すること
によってインド環や他の環状構造を持つ耐熱ポリマとな
る。
上記耐熱ポリマは半導体のバクシベーシ宵ン腺、多漸＆
積回路の層間絶縁膜、プリント回路の半田何株−膜、液
晶用配向膜などに供せられる。さらに高耐熱性を生して
耐ドライエツチング性フォトレジスト、耐ドライエツチ
ング性放射線レジストとしての利用も可能である。
積回路の層間絶縁膜、プリント回路の半田何株−膜、液
晶用配向膜などに供せられる。さらに高耐熱性を生して
耐ドライエツチング性フォトレジスト、耐ドライエツチ
ング性放射線レジストとしての利用も可能である。
以下、本発明を実施例により説明する。
実施例１
窒素気流下、３．トジアミノ安息香酸２′−メタクリロ
イルオキシエチルλ５ａｙ（ｏ、ｏｔモル）を４Ｌ２ｆ
のＮ−メチル−２−ピロリドン に溶解してアミン溶液
を調合した。攪拌下、水冷に依り液温を約ＩＳｔに保ち
つつ、ピロメリット駿二無水９） ｔｔｐ（ｏ、ｏｏｉ
モル） ３．３’、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラ
カルポン酸二無水物１．６ｘＩ（ａｏｏｓモル）を粉状
にて徐々に添加した。さらに約１５’Ｃで３時間反応さ
せて粘度の溶液を得た。
イルオキシエチルλ５ａｙ（ｏ、ｏｔモル）を４Ｌ２ｆ
のＮ−メチル−２−ピロリドン に溶解してアミン溶液
を調合した。攪拌下、水冷に依り液温を約ＩＳｔに保ち
つつ、ピロメリット駿二無水９） ｔｔｐ（ｏ、ｏｏｉ
モル） ３．３’、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラ
カルポン酸二無水物１．６ｘＩ（ａｏｏｓモル）を粉状
にて徐々に添加した。さらに約１５’Ｃで３時間反応さ
せて粘度の溶液を得た。
この溶液Ｓ ３． Ｓ Ｉに４−ヒドロキシ−２，６−
パラアジトベンサルシクロへキサノンα７ ａ Ｉ （
ｏ、 ｏ ０２モル）’ｅ添加した。この時ビスアジド
化合物は室温で数分攪拌しただけで容易に溶解し均一溶
液となりた。
パラアジトベンサルシクロへキサノンα７ ａ Ｉ （
ｏ、 ｏ ０２モル）’ｅ添加した。この時ビスアジド
化合物は室温で数分攪拌しただけで容易に溶解し均一溶
液となりた。
このワニスを５１１ｍ孔のフィルタを用いて加圧口過し
て感光性ワニスを調製した。
て感光性ワニスを調製した。
この感光性ワニスをスピンナでシリコンウェハ上に塗布
し、次いで７０℃、３０分間乾燥して１．６μ翼の塗膜
を得た。塗膜は均質でありかつ基板に十分密着していた
。この塗膜を縞模様のフオドマスクで密着破覆し、ｌ５
ＯＯＷの高圧水銀灯で紫外縁照射した 露光面における
紫外縁強度は３６Ｓｙ１ｍの波長で１４ ｍ Ｗ ／
””であった。無光後へ−メチルー２−ピロリドン４容
、エタノールｌ容から成る混液で現像し、次いでエタノ
ールで洗浄して陽−の浮彫構造を得た。現儂後膜厚の紗
時変化を測定し現像後展厚が塗布膜厚の半分になる照射
量を感度とした時、感度４５ｍＪ／ｃｓ＋ｓであった０ 実施例２〜１６ 実施例２１６は表に試料とその調合割付、ポリアミド酸
合成に用いる反応溶媒、現像液等の条件と感度、ビスア
ジドの俗解性、ビスアジドとボリアきド離との相溶性な
どの結果を示し、他の反応条件、操作は下記に示すよう
に行なった。
し、次いで７０℃、３０分間乾燥して１．６μ翼の塗膜
を得た。塗膜は均質でありかつ基板に十分密着していた
。この塗膜を縞模様のフオドマスクで密着破覆し、ｌ５
ＯＯＷの高圧水銀灯で紫外縁照射した 露光面における
紫外縁強度は３６Ｓｙ１ｍの波長で１４ ｍ Ｗ ／
””であった。無光後へ−メチルー２−ピロリドン４容
、エタノールｌ容から成る混液で現像し、次いでエタノ
ールで洗浄して陽−の浮彫構造を得た。現儂後膜厚の紗
時変化を測定し現像後展厚が塗布膜厚の半分になる照射
量を感度とした時、感度４５ｍＪ／ｃｓ＋ｓであった０ 実施例２〜１６ 実施例２１６は表に試料とその調合割付、ポリアミド酸
合成に用いる反応溶媒、現像液等の条件と感度、ビスア
ジドの俗解性、ビスアジドとボリアきド離との相溶性な
どの結果を示し、他の反応条件、操作は下記に示すよう
に行なった。
実施例１に示した如く、窒素気流下に約１５℃で非ノロ
トン性極性溶媒にジアミン化合物溶解し、ジアミン溶液
調製した。攪拌下に反応ｉｆを約１５℃に株ちつつ粉状
に粉砕した酸二無水物を加えた。酸二無水物を加え終え
てからさらに３時間ＩＳ’Ｃで反応させてポリアミド酸
溶液を調製した。
トン性極性溶媒にジアミン化合物溶解し、ジアミン溶液
調製した。攪拌下に反応ｉｆを約１５℃に株ちつつ粉状
に粉砕した酸二無水物を加えた。酸二無水物を加え終え
てからさらに３時間ＩＳ’Ｃで反応させてポリアミド酸
溶液を調製した。
調製したボリアイド酸に対してビスアジド化合物を加え
、室温で溶解して均質な静液とした２次いで、５μ凰孔
のフィルタを用いて加圧口過し感光性ワニスを調製した
。
、室温で溶解して均質な静液とした２次いで、５μ凰孔
のフィルタを用いて加圧口過し感光性ワニスを調製した
。
上記の如・＜ＩＩＩ＃＆シた感光性ワニスをスピンナに
よってシリコンウェハ上に塗布し、次いで１０℃、３０
分間加熱乾燥してαｉ−ｔμ票厚の塗膜とした。この塗
膜に縞模様のフォトマスクを介し５ｏｏＷＯ為圧水銀灯
を用いて紫外線照射し、現像、リンスして陽画の浮彫構
造を得た。
よってシリコンウェハ上に塗布し、次いで１０℃、３０
分間加熱乾燥してαｉ−ｔμ票厚の塗膜とした。この塗
膜に縞模様のフォトマスクを介し５ｏｏＷＯ為圧水銀灯
を用いて紫外線照射し、現像、リンスして陽画の浮彫構
造を得た。
感度は＊儂後膜厚を照射量に対してプロットし、塗布膜
厚に対してＡの厚さとなる照射量と定義した。表中の溶
解性とはビスアジドの溶解性を示し、ボリア叱ド酸＃Ｉ
液に添加後、室温で攪拌して３０分以内に溶解するもの
を良好とした。又、相溶性とは感光性ワニスを塗布乾燥
後に塗膜からビスアジドの分離析出のないものを良好ど
した。 ２ このようにして得られた浮彫構造体は次にＳａＯ℃に１
時間加熱してもパターンのぼやけなどは見られずに保持
され、耐熱性の絶縁物構造体として提供することができ
た０ 尚、表中Ｎ−メチル−２−ピロリドンはＮＭＰ 、ジメ
チルアセトアミドはＤ Ｍ Ａ ｃと略称した。
厚に対してＡの厚さとなる照射量と定義した。表中の溶
解性とはビスアジドの溶解性を示し、ボリア叱ド酸＃Ｉ
液に添加後、室温で攪拌して３０分以内に溶解するもの
を良好とした。又、相溶性とは感光性ワニスを塗布乾燥
後に塗膜からビスアジドの分離析出のないものを良好ど
した。 ２ このようにして得られた浮彫構造体は次にＳａＯ℃に１
時間加熱してもパターンのぼやけなどは見られずに保持
され、耐熱性の絶縁物構造体として提供することができ
た０ 尚、表中Ｎ−メチル−２−ピロリドンはＮＭＰ 、ジメ
チルアセトアミドはＤ Ｍ Ａ ｃと略称した。
（Ｗ、１尽９）
比較例】
実施例１で得られたポリアミド酸ｓｓ、ｊｐに４−メチ
ル−２，６−パラアジドベンザルシクロへキサノン０．
？４＃（α００２モル）を添加した。このビスアジドは
室温で攪拌しても溶解せず、溶液を８０℃にＳＯ分加温
することによって均一溶液とした。次にこの溶液をスピ
ンナで墓布し、次いで７０℃で３０分間乾燥し九。この
時、ｍ！農からはビスアジドが結晶となって析出した。
ル−２，６−パラアジドベンザルシクロへキサノン０．
？４＃（α００２モル）を添加した。このビスアジドは
室温で攪拌しても溶解せず、溶液を８０℃にＳＯ分加温
することによって均一溶液とした。次にこの溶液をスピ
ンナで墓布し、次いで７０℃で３０分間乾燥し九。この
時、ｍ！農からはビスアジドが結晶となって析出した。
次にこの塗膜を縞模様のフォトマスクで密着被覆し、５
００Ｗの高圧水銀灯で紫外線照射したｄＮＭＰＪ容、エ
タノール１容から成る混液ｚ’ｆＡ像し、エタノールで
リンスして浮彫構造を得たがビスアジドが析出した部分
ではパターンは明瞭に解像されず、又感度４ Ｓ Ｏｍ
Ｊ／ｆｉ”と感度も満足すべきものではなかりた。
００Ｗの高圧水銀灯で紫外線照射したｄＮＭＰＪ容、エ
タノール１容から成る混液ｚ’ｆＡ像し、エタノールで
リンスして浮彫構造を得たがビスアジドが析出した部分
ではパターンは明瞭に解像されず、又感度４ Ｓ Ｏｍ
Ｊ／ｆｉ”と感度も満足すべきものではなかりた。
比較例２
実施例１で得られたボリアにド酸５Ｌｒｓｌに４．４−
ジアジドベンゾフェノン＆５ｓｙ（ｏ、ｏｏ意モル）全
添加した。このビスアジドは室温で攪拌しても溶解して
屯溶解せず、溶液を８０℃に３０分加温することによっ
て均一溶液とした。次にこの溶液をスピンナで塗布し、
次いで１０℃で３０分間乾燥した。この時、ＩＩＩＪｌ
［からはビスアジドが結晶となつて析出した。
ジアジドベンゾフェノン＆５ｓｙ（ｏ、ｏｏ意モル）全
添加した。このビスアジドは室温で攪拌しても溶解して
屯溶解せず、溶液を８０℃に３０分加温することによっ
て均一溶液とした。次にこの溶液をスピンナで塗布し、
次いで１０℃で３０分間乾燥した。この時、ＩＩＩＪｌ
［からはビスアジドが結晶となつて析出した。
次に、この塗膜を縞模様のフォトマスクで密着被覆し、
１００Ｗ高圧水銀灯で紫外線照射した。
１００Ｗ高圧水銀灯で紫外線照射した。
ＮＭＰ４谷、エタノール１容から成る混液で現儂し、エ
タノールでリンスして浮彫構造を得九がビスアジドが析
出した部分ではパタニンは明瞭に解像されなかった。又
、感度も１ｓ ｏ ＯｍＪ／ｘ”と極めて低感度であり
た。
タノールでリンスして浮彫構造を得九がビスアジドが析
出した部分ではパタニンは明瞭に解像されなかった。又
、感度も１ｓ ｏ ＯｍＪ／ｘ”と極めて低感度であり
た。
以上詳述したように本発明による感光性重合体組成物に
より従来問題点であったビスアジドの分離析出が解決さ
れ、かつ感度の高い材料とすることができた。
より従来問題点であったビスアジドの分離析出が解決さ
れ、かつ感度の高い材料とすることができた。
代理人弁理士 薄 １）利 南、−
第１頁の続き
０発 明 者 横野中
横浜市戸塚区吉田町２９２番地株
式会社日立製作所生産技術研究
所内
０発 明 者 磯貝時男
横浜市戸塚区吉田町２９２番地株
式会社日立製作所生産技術研究
所内
０発 明 者 児嶋充雅
日立市東町四丁目１３番１号日立
化成工業株式会社山崎工場内
０出 願 人 日立化成工業株式会社
東京都新宿区西新宿２丁目１番
１号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 水素又はアンモニウムイオン、Ｙは不飽和結合を有する
基、ＸはＲ１とＹをつなぐ２価の基、Ｗは水素又はＸ−
Ｙを表わす。ｎはｌ又は２、Ｘは６以上１００以下の数
である。ＣＯＯＲ４はアきド基に対してオルト又はバラ
位に結合している。）で表わされるボリア建ド酸又はボ
リア建ド酸誘導体と、一般式 １ 〔璽〕〔Ｐは
−Ｎ＄又は−８０，Ｎ、 、Ｒ’は３価の有機基、２は
−ＯＨ，−ＯＲ’ （Ｒ’は低級アルキル基）、−ｃｏ
ｏルーＣ００Ｒ−１−０ＣＯＲ・、−Ｒ”−０）（（Ｒ
’はアルキレン）、−Ｒ１−〇−Ｒ−−Ｒ’−ＣＯＯＨ
，−Ｒ’Ｃ０ＯＲ’−Ｒ’０ＣＯＲ魯、−８ｉＲ１、−
Ｒ’−８ｔＲ１から選ばれた基を表わす。〕であられさ
れるビスアジド化合物と、必要に応じて加える増感剤と
から成る感光性重合体組成物。 １ 前記ビスアジド化合物〔冨〕が、前記ポリｆｆ（１
）の側鎖の不飽和結合を有する基Ｙに対してａｏｏｌｄ
量以上ｓａｉ量以下の割合で配合される特許請求範囲第
一項記載の感光性重合体組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15751681A JPS5859440A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 感光性重合体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15751681A JPS5859440A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 感光性重合体組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5859440A true JPS5859440A (ja) | 1983-04-08 |
Family
ID=15651378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15751681A Pending JPS5859440A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 感光性重合体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5859440A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60114857A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 乾式現像用感光性組成物 |
| JPS63317553A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-26 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ポリアミド酸系感光性組成物 |
| WO2002083659A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Kaneka Corporation | Diamine, dianhydride acide, composition polyimide renfermant un groupe reactif et obtenue au moyen de ces elements, et procedes de production associes |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP15751681A patent/JPS5859440A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60114857A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 乾式現像用感光性組成物 |
| JPH045178B2 (ja) * | 1983-11-28 | 1992-01-30 | ||
| JPS63317553A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-26 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ポリアミド酸系感光性組成物 |
| WO2002083659A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Kaneka Corporation | Diamine, dianhydride acide, composition polyimide renfermant un groupe reactif et obtenue au moyen de ces elements, et procedes de production associes |
| US7396898B2 (en) | 2001-04-13 | 2008-07-08 | Kaneka Corporation | Diamine, acid dianhydride, and reactive group containing polyimide composition prepared therefrom and process of preparing them |
| CN100425602C (zh) * | 2001-04-13 | 2008-10-15 | 钟渊化学工业株式会社 | 二胺、酸二酐及由其构成的具有反应性基团的聚酰亚胺组合物及其制备方法 |
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