JPS5859440A - 感光性重合体組成物 - Google Patents
感光性重合体組成物Info
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- JPS5859440A JPS5859440A JP15751681A JP15751681A JPS5859440A JP S5859440 A JPS5859440 A JP S5859440A JP 15751681 A JP15751681 A JP 15751681A JP 15751681 A JP15751681 A JP 15751681A JP S5859440 A JPS5859440 A JP S5859440A
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- JP
- Japan
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- group
- bisazide
- aromatic
- polar
- polymer composition
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐熱性高分子の浮彫構造を与える新規な感光
性重合体組成物に関するものである。
性重合体組成物に関するものである。
従来、アクリレート基とメタクリレート基の一方又は双
方を含むポリ!と光反応開始剤を含む混合物を用いて浮
彫構造を光学的に製作する際に光反応開始剤として芳香
族アジドを使用する方法が知られている。この芳香族ア
ジドは、光反応性を高め、できるだけ短時間の光照射時
間で浮彫構造・を形成せしめることを目的として添加さ
れている。
方を含むポリ!と光反応開始剤を含む混合物を用いて浮
彫構造を光学的に製作する際に光反応開始剤として芳香
族アジドを使用する方法が知られている。この芳香族ア
ジドは、光反応性を高め、できるだけ短時間の光照射時
間で浮彫構造・を形成せしめることを目的として添加さ
れている。
しかしながら、ポリマをボリアミド酸とし九場合、上記
発明に述べられている芳香族アジドのうち特にビスアジ
ドはポリアミド酸の溶剤(非プロトン性極性溶剤)に対
する溶解性が低かったシ、特にボリアイド酸との相溶性
が低いために塗膜とした時に芳香族アジド自身が分離析
出したシする場合があシ、その添加量には限界がめった
。
発明に述べられている芳香族アジドのうち特にビスアジ
ドはポリアミド酸の溶剤(非プロトン性極性溶剤)に対
する溶解性が低かったシ、特にボリアイド酸との相溶性
が低いために塗膜とした時に芳香族アジド自身が分離析
出したシする場合があシ、その添加量には限界がめった
。
このため光反応性の向上化に際し十分に満足すべき結果
が得られないことが大きな間聰点であった。
が得られないことが大きな間聰点であった。
本発明の目的は前記した従来技術の欠点をなくし友、感
就の高い感光性重合体組成物を提供するにある。
就の高い感光性重合体組成物を提供するにある。
上記目的を達成するため鋭意検討した結果、分子内に極
性基または有機ケイ素基を導入した芳香族ビスアジド瀘
、非プロトン性極性溶媒に対する溶解性も良く、特にポ
リアンド酸との相溶性が大幅に向上し、塗膜からのアジ
ドの分離析出など前記した欠点が改良されることを見い
出した。
性基または有機ケイ素基を導入した芳香族ビスアジド瀘
、非プロトン性極性溶媒に対する溶解性も良く、特にポ
リアンド酸との相溶性が大幅に向上し、塗膜からのアジ
ドの分離析出など前記した欠点が改良されることを見い
出した。
さらに、上記の芳香族ビスアジドと側鎖に不飽和結合を
持つポリアミド酸とから成る感光性重合体組成−の感光
性を樵々検討したところ、素又はアンモニウムイオン、
Yは不飽和結合を有する基、Xは8畠とYをつなぐ3価
の基、Wは水素又はX−Yを表わす。nはl又は2、e
#′is以上100以下の数である。COOR4はアミ
ド基に対してオルト又はパラ位に結合している。)で表
わされるボリアイド酸又はボリアきド酸誘導P−R“−
2〔厘) CPは−N、又は体と、一般式 之 一80mNa、R−は3価の有機基、2は一〇H,−O
R・(R・は低級アルキル基)、−COOH,−COO
R・、−0COR’、−R?−0H(R”はアルキレン
)、−R彎 −0−R@ 、 −R’−COOH,−R
”C0OR・ 、 −R?0COR・ 、−S i R
1、−R”−8iR1から選ばれた基を表わす。〕であ
られされるビスアジド化合物と必要に応じて加える増感
剤とから成る感光性重合体組成物を用い丸糸が前記し九
従来法に比べ、非常に高感度である仁とを見い出した。
持つポリアミド酸とから成る感光性重合体組成−の感光
性を樵々検討したところ、素又はアンモニウムイオン、
Yは不飽和結合を有する基、Xは8畠とYをつなぐ3価
の基、Wは水素又はX−Yを表わす。nはl又は2、e
#′is以上100以下の数である。COOR4はアミ
ド基に対してオルト又はパラ位に結合している。)で表
わされるボリアイド酸又はボリアきド酸誘導P−R“−
2〔厘) CPは−N、又は体と、一般式 之 一80mNa、R−は3価の有機基、2は一〇H,−O
R・(R・は低級アルキル基)、−COOH,−COO
R・、−0COR’、−R?−0H(R”はアルキレン
)、−R彎 −0−R@ 、 −R’−COOH,−R
”C0OR・ 、 −R?0COR・ 、−S i R
1、−R”−8iR1から選ばれた基を表わす。〕であ
られされるビスアジド化合物と必要に応じて加える増感
剤とから成る感光性重合体組成物を用い丸糸が前記し九
従来法に比べ、非常に高感度である仁とを見い出した。
本系で用い九芳香族ビスアジドは極性な大きな化合物と
なっているので、極性ポリマであるポリアミド酸との相
互作用も大きい。このため従来技術で用いられている芳
香族アジドと同量用いて両系の光反応性を比較検討し九
ところ本発明による系1dm倍から数倍活性が高く、こ
の点でも感度向上に大きく貢献した。本発明により、短
時間の無光で陽画の浮彫構造を形成することが可能とな
った。以下本発明について詳細に説明する。
なっているので、極性ポリマであるポリアミド酸との相
互作用も大きい。このため従来技術で用いられている芳
香族アジドと同量用いて両系の光反応性を比較検討し九
ところ本発明による系1dm倍から数倍活性が高く、こ
の点でも感度向上に大きく貢献した。本発明により、短
時間の無光で陽画の浮彫構造を形成することが可能とな
った。以下本発明について詳細に説明する。
(1)で表わされる感光基を有するポリアミド酸又はポ
リアンド酸誘導体の例は特開昭1$ll−411111
で許しく述べられている。好適なR1の例としてしns (式中、結合手はポリ!主−のカルボニル基との結合を
表わし、カルボキシル基は結合手に対してオルト位に位
置する。)などが挙げられるがこれらに限定されない。
リアンド酸誘導体の例は特開昭1$ll−411111
で許しく述べられている。好適なR1の例としてしns (式中、結合手はポリ!主−のカルボニル基との結合を
表わし、カルボキシル基は結合手に対してオルト位に位
置する。)などが挙げられるがこれらに限定されない。
またR”はこれらのうちの8種以上から構成される共重
合体の形であってもさしつかえない。R”、 R”の例
としては一@−4・伽舎・)0び・舎CH・台 −()−co合ハ’E)−COづ* 8J10s& シ
0・づなどが好適であるがこれらに限定されない。また
これらがポリイ建ドとした時の耐熱性に悪影譬を与えな
い範囲で7にノ基、アンド基、カルホキシル基、スルホ
ン酸基を有していてもさしつかえな帆 R4は不飽和結
合を有する基又は水素又はアンモニウムイオンであるが
、このうち不飽和結合を有する基としては。
合体の形であってもさしつかえない。R”、 R”の例
としては一@−4・伽舎・)0び・舎CH・台 −()−co合ハ’E)−COづ* 8J10s& シ
0・づなどが好適であるがこれらに限定されない。また
これらがポリイ建ドとした時の耐熱性に悪影譬を与えな
い範囲で7にノ基、アンド基、カルホキシル基、スルホ
ン酸基を有していてもさしつかえな帆 R4は不飽和結
合を有する基又は水素又はアンモニウムイオンであるが
、このうち不飽和結合を有する基としては。
アルキレン、ヒドロキシアルキレン R? は水素。
メチル基、R16は水素、シアノ基、R1′は水素。
ハロゲン、アルキル基、アルコキシfilR”は水素、
フェニル基をあられ丁、)などが好適な例として挙げら
れるが、これらに限定されない。
フェニル基をあられ丁、)などが好適な例として挙げら
れるが、これらに限定されない。
XIIRとYをつなぐ2価の基であってアルキレン、
−COO−、−CONH−、−Go−、−CM、O−な
どが好適な例としてあげられるが特にこれらに限定され
ない、Wは水素又は−X−Yである。
−COO−、−CONH−、−Go−、−CM、O−な
どが好適な例としてあげられるが特にこれらに限定され
ない、Wは水素又は−X−Yである。
不飽和結合なMする基Yの例としてはXが−COO−、
−CONH−O場合。
−CONH−O場合。
キレン、ヒドロキレアルキレフ ’I Reは水素、メ
チル基 R+1は水素、シアノ基、R11水素、ハロゲ
ン、アルキル基、アルコキシ基、R11は水素。
チル基 R+1は水素、シアノ基、R11水素、ハロゲ
ン、アルキル基、アルコキシ基、R11は水素。
フェニル基をあられす、)などが好適な例として挙げ
(以下余白) られるが、これらに限定されない。
(以下余白) られるが、これらに限定されない。
式(1)で表わされる芳香族ビスアジドの例としては、
(式中PdN、−またはN−8Os−12は−OH,−
OR’(R・は低級アルキル基)、−COOH,−CO
OR@、−0COR・、−R’ −OH(R’はアルキ
レン’) 、−R’−0−R4、−R’−COOH,−
R’C0OR・、−Rマ0ROR’ 、−S I R1
、−R’−8iR1から選択され九基を表わす。)など
が挙げられるが、極性基を有するビスアジドであれば良
く特にこれらに限定されるものではない。
OR’(R・は低級アルキル基)、−COOH,−CO
OR@、−0COR・、−R’ −OH(R’はアルキ
レン’) 、−R’−0−R4、−R’−COOH,−
R’C0OR・、−Rマ0ROR’ 、−S I R1
、−R’−8iR1から選択され九基を表わす。)など
が挙げられるが、極性基を有するビスアジドであれば良
く特にこれらに限定されるものではない。
芳香族ビスアジド〔厘〕の配゛合、割合はポリマ(1)
の側鎖の不飽和結合を有する基Yに対してaoo1蟲量
以上S@量以下の割合で配合されるのが望しくこの範凹
を逸脱すると大幅に感度が低下したbS現像に制約を受
−けたシする。
の側鎖の不飽和結合を有する基Yに対してaoo1蟲量
以上S@量以下の割合で配合されるのが望しくこの範凹
を逸脱すると大幅に感度が低下したbS現像に制約を受
−けたシする。
本感光材料に用いる〔13式で表わされるポリアセト酸
は通常ジアンン化合物と酸二無水物とを当モル量反応さ
せることによって得られるがこの場合に用いる反応溶媒
としてはポリアンド酸の俗解性の面から主に非プロトン
性極性溶媒が望ましい。非プロトン性極性溶媒の例とし
てはN−メチル−冨−ピロリドン、N、N−ジメチルホ
ルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアはド、N−
アセテルー2−ピロリドンなどが挙げられる。
は通常ジアンン化合物と酸二無水物とを当モル量反応さ
せることによって得られるがこの場合に用いる反応溶媒
としてはポリアンド酸の俗解性の面から主に非プロトン
性極性溶媒が望ましい。非プロトン性極性溶媒の例とし
てはN−メチル−冨−ピロリドン、N、N−ジメチルホ
ルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアはド、N−
アセテルー2−ピロリドンなどが挙げられる。
本感光材料は上記の如く調整したボリア建ド酸溶液に一
般式〔夏〕で表わされるビスアジド化合物と必要に応じ
て加える増感剤を加えたワニス状態で用いられる。
般式〔夏〕で表わされるビスアジド化合物と必要に応じ
て加える増感剤を加えたワニス状態で用いられる。
本感光材料にはビスアジドの光反応を活性化せしめる丸
め必要に応じて増感剤を添加しても東いが、その量は〔
1〕と(1) 0総重量のgo@以下であることが望し
く、これより多量用いると現像性および最終硬化膜の特
性に悪影響を及ぼす。好しく用いられる増−剤としては
例えばアントラキノン、2−メチルアントラキノン、2
−エチルアントラキノン、ベンゾキノン、1.2−ナフ
トキノン、1.4−ナフトキノン、1.2−ベンゾアン
トラキノ/、ベンゾフェノン、p、p’−ジメチルベン
ゾフェノン、ミヒラーケトン、2−ニトロフルオレン、
5−ニトロアセナフテン、4−ニトロ 1−す7チルア
建ン、アントロン、1.9−ベンズアントロン、ベンゾ
インエーテル、4.4’−ビス(ジエチルアミノ)ベン
ゾフェノン、ジベンザルアセトンなどが挙げられるがこ
れらに限定されない。
め必要に応じて増感剤を添加しても東いが、その量は〔
1〕と(1) 0総重量のgo@以下であることが望し
く、これより多量用いると現像性および最終硬化膜の特
性に悪影響を及ぼす。好しく用いられる増−剤としては
例えばアントラキノン、2−メチルアントラキノン、2
−エチルアントラキノン、ベンゾキノン、1.2−ナフ
トキノン、1.4−ナフトキノン、1.2−ベンゾアン
トラキノ/、ベンゾフェノン、p、p’−ジメチルベン
ゾフェノン、ミヒラーケトン、2−ニトロフルオレン、
5−ニトロアセナフテン、4−ニトロ 1−す7チルア
建ン、アントロン、1.9−ベンズアントロン、ベンゾ
インエーテル、4.4’−ビス(ジエチルアミノ)ベン
ゾフェノン、ジベンザルアセトンなどが挙げられるがこ
れらに限定されない。
本発明“に用いる支持体の材質としては、例えば金属、
ガラス、半導体(例えばシリコン)、セラミック、プラ
スチック、紙、道電膜(例えばIn*Os)、金属酸化
物絶縁体(例えばT10t。
ガラス、半導体(例えばシリコン)、セラミック、プラ
スチック、紙、道電膜(例えばIn*Os)、金属酸化
物絶縁体(例えばT10t。
TO*Ose SlO*など)、値化ケイ素などが挙げ
られる。
られる。
本発明の感光性重合体組成物は通常の微細加工技術でパ
ターン加工できる。
ターン加工できる。
上記支持体への感光性重合体組成物の塗布にはスピンナ
ーを用いた回転塗布、浸漬、噴霧、印刷などの手段が可
能であり、目的に応じて適宜撰択することができる。塗
布膜厚は塗布手段、感光性重合体組成−のワニスの固形
分濃度、粘度によって調節が可能である。
ーを用いた回転塗布、浸漬、噴霧、印刷などの手段が可
能であり、目的に応じて適宜撰択することができる。塗
布膜厚は塗布手段、感光性重合体組成−のワニスの固形
分濃度、粘度によって調節が可能である。
上記支持体上で墓膜と成った本発明による感光材料に、
フォト!スクを介して紫外線を照射する。次に未露光部
を現儂液で溶解除去することKよりレリーフ・パターン
を得る。光源は紫外線に限らず可視光線、X線、電子線
などでありても嵐い。
フォト!スクを介して紫外線を照射する。次に未露光部
を現儂液で溶解除去することKよりレリーフ・パターン
を得る。光源は紫外線に限らず可視光線、X線、電子線
などでありても嵐い。
現儂液は感光性重合体組成物の溶剤である。
N−メチル−雪−ピロリドン、N−アセチル−2−ピロ
リドン、N、N−ジメチルホルムアオド、N、N−ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチ
ルホスホルトリアミドなどを単独、あるいはメタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、等の感光材料の非溶媒の混合液とし
て用いることができる。
リドン、N、N−ジメチルホルムアオド、N、N−ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチ
ルホスホルトリアミドなどを単独、あるいはメタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、等の感光材料の非溶媒の混合液とし
て用いることができる。
現俸によりて形成したレリーフ・パターンは次いでリン
ス献によりVc#L現像齢媒を除去する。
ス献によりVc#L現像齢媒を除去する。
リンス取に1よ#4像液との混和性の良いメタノール、
エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トル
エン、キシレンなどが好適な例として挙げられる。
エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トル
エン、キシレンなどが好適な例として挙げられる。
上記の処理によって得られたレリーフ・パターンのポリ
オは耐熱ポリイミドの前駆体でめυ、加熱処理すること
によってインド環や他の環状構造を持つ耐熱ポリマとな
る。
オは耐熱ポリイミドの前駆体でめυ、加熱処理すること
によってインド環や他の環状構造を持つ耐熱ポリマとな
る。
上記耐熱ポリマは半導体のバクシベーシ宵ン腺、多漸&
積回路の層間絶縁膜、プリント回路の半田何株−膜、液
晶用配向膜などに供せられる。さらに高耐熱性を生して
耐ドライエツチング性フォトレジスト、耐ドライエツチ
ング性放射線レジストとしての利用も可能である。
積回路の層間絶縁膜、プリント回路の半田何株−膜、液
晶用配向膜などに供せられる。さらに高耐熱性を生して
耐ドライエツチング性フォトレジスト、耐ドライエツチ
ング性放射線レジストとしての利用も可能である。
以下、本発明を実施例により説明する。
実施例1
窒素気流下、3.トジアミノ安息香酸2′−メタクリロ
イルオキシエチルλ5ay(o、otモル)を4L2f
のN−メチル−2−ピロリドン に溶解してアミン溶液
を調合した。攪拌下、水冷に依り液温を約IStに保ち
つつ、ピロメリット駿二無水9) ttp(o、ooi
モル) 3.3’、 4.4’−ベンゾフェノンテトラ
カルポン酸二無水物1.6xI(aoosモル)を粉状
にて徐々に添加した。さらに約15’Cで3時間反応さ
せて粘度の溶液を得た。
イルオキシエチルλ5ay(o、otモル)を4L2f
のN−メチル−2−ピロリドン に溶解してアミン溶液
を調合した。攪拌下、水冷に依り液温を約IStに保ち
つつ、ピロメリット駿二無水9) ttp(o、ooi
モル) 3.3’、 4.4’−ベンゾフェノンテトラ
カルポン酸二無水物1.6xI(aoosモル)を粉状
にて徐々に添加した。さらに約15’Cで3時間反応さ
せて粘度の溶液を得た。
この溶液S 3. S Iに4−ヒドロキシ−2,6−
パラアジトベンサルシクロへキサノンα7 a I (
o、 o 02モル)’e添加した。この時ビスアジド
化合物は室温で数分攪拌しただけで容易に溶解し均一溶
液となりた。
パラアジトベンサルシクロへキサノンα7 a I (
o、 o 02モル)’e添加した。この時ビスアジド
化合物は室温で数分攪拌しただけで容易に溶解し均一溶
液となりた。
このワニスを511m孔のフィルタを用いて加圧口過し
て感光性ワニスを調製した。
て感光性ワニスを調製した。
この感光性ワニスをスピンナでシリコンウェハ上に塗布
し、次いで70℃、30分間乾燥して1.6μ翼の塗膜
を得た。塗膜は均質でありかつ基板に十分密着していた
。この塗膜を縞模様のフオドマスクで密着破覆し、l5
OOWの高圧水銀灯で紫外縁照射した 露光面における
紫外縁強度は36Sy1mの波長で14 m W /
””であった。無光後へ−メチルー2−ピロリドン4容
、エタノールl容から成る混液で現像し、次いでエタノ
ールで洗浄して陽−の浮彫構造を得た。現儂後膜厚の紗
時変化を測定し現像後展厚が塗布膜厚の半分になる照射
量を感度とした時、感度45mJ/cs+sであった0 実施例2〜16 実施例216は表に試料とその調合割付、ポリアミド酸
合成に用いる反応溶媒、現像液等の条件と感度、ビスア
ジドの俗解性、ビスアジドとボリアきド離との相溶性な
どの結果を示し、他の反応条件、操作は下記に示すよう
に行なった。
し、次いで70℃、30分間乾燥して1.6μ翼の塗膜
を得た。塗膜は均質でありかつ基板に十分密着していた
。この塗膜を縞模様のフオドマスクで密着破覆し、l5
OOWの高圧水銀灯で紫外縁照射した 露光面における
紫外縁強度は36Sy1mの波長で14 m W /
””であった。無光後へ−メチルー2−ピロリドン4容
、エタノールl容から成る混液で現像し、次いでエタノ
ールで洗浄して陽−の浮彫構造を得た。現儂後膜厚の紗
時変化を測定し現像後展厚が塗布膜厚の半分になる照射
量を感度とした時、感度45mJ/cs+sであった0 実施例2〜16 実施例216は表に試料とその調合割付、ポリアミド酸
合成に用いる反応溶媒、現像液等の条件と感度、ビスア
ジドの俗解性、ビスアジドとボリアきド離との相溶性な
どの結果を示し、他の反応条件、操作は下記に示すよう
に行なった。
実施例1に示した如く、窒素気流下に約15℃で非ノロ
トン性極性溶媒にジアミン化合物溶解し、ジアミン溶液
調製した。攪拌下に反応ifを約15℃に株ちつつ粉状
に粉砕した酸二無水物を加えた。酸二無水物を加え終え
てからさらに3時間IS’Cで反応させてポリアミド酸
溶液を調製した。
トン性極性溶媒にジアミン化合物溶解し、ジアミン溶液
調製した。攪拌下に反応ifを約15℃に株ちつつ粉状
に粉砕した酸二無水物を加えた。酸二無水物を加え終え
てからさらに3時間IS’Cで反応させてポリアミド酸
溶液を調製した。
調製したボリアイド酸に対してビスアジド化合物を加え
、室温で溶解して均質な静液とした2次いで、5μ凰孔
のフィルタを用いて加圧口過し感光性ワニスを調製した
。
、室温で溶解して均質な静液とした2次いで、5μ凰孔
のフィルタを用いて加圧口過し感光性ワニスを調製した
。
上記の如・<III#&シた感光性ワニスをスピンナに
よってシリコンウェハ上に塗布し、次いで10℃、30
分間加熱乾燥してαi−tμ票厚の塗膜とした。この塗
膜に縞模様のフォトマスクを介し5ooWO為圧水銀灯
を用いて紫外線照射し、現像、リンスして陽画の浮彫構
造を得た。
よってシリコンウェハ上に塗布し、次いで10℃、30
分間加熱乾燥してαi−tμ票厚の塗膜とした。この塗
膜に縞模様のフォトマスクを介し5ooWO為圧水銀灯
を用いて紫外線照射し、現像、リンスして陽画の浮彫構
造を得た。
感度は*儂後膜厚を照射量に対してプロットし、塗布膜
厚に対してAの厚さとなる照射量と定義した。表中の溶
解性とはビスアジドの溶解性を示し、ボリア叱ド酸#I
液に添加後、室温で攪拌して30分以内に溶解するもの
を良好とした。又、相溶性とは感光性ワニスを塗布乾燥
後に塗膜からビスアジドの分離析出のないものを良好ど
した。 2 このようにして得られた浮彫構造体は次にSaO℃に1
時間加熱してもパターンのぼやけなどは見られずに保持
され、耐熱性の絶縁物構造体として提供することができ
た0 尚、表中N−メチル−2−ピロリドンはNMP 、ジメ
チルアセトアミドはD M A cと略称した。
厚に対してAの厚さとなる照射量と定義した。表中の溶
解性とはビスアジドの溶解性を示し、ボリア叱ド酸#I
液に添加後、室温で攪拌して30分以内に溶解するもの
を良好とした。又、相溶性とは感光性ワニスを塗布乾燥
後に塗膜からビスアジドの分離析出のないものを良好ど
した。 2 このようにして得られた浮彫構造体は次にSaO℃に1
時間加熱してもパターンのぼやけなどは見られずに保持
され、耐熱性の絶縁物構造体として提供することができ
た0 尚、表中N−メチル−2−ピロリドンはNMP 、ジメ
チルアセトアミドはD M A cと略称した。
(W、1尽9)
比較例】
実施例1で得られたポリアミド酸ss、jpに4−メチ
ル−2,6−パラアジドベンザルシクロへキサノン0.
?4#(α002モル)を添加した。このビスアジドは
室温で攪拌しても溶解せず、溶液を80℃にSO分加温
することによって均一溶液とした。次にこの溶液をスピ
ンナで墓布し、次いで70℃で30分間乾燥し九。この
時、m!農からはビスアジドが結晶となって析出した。
ル−2,6−パラアジドベンザルシクロへキサノン0.
?4#(α002モル)を添加した。このビスアジドは
室温で攪拌しても溶解せず、溶液を80℃にSO分加温
することによって均一溶液とした。次にこの溶液をスピ
ンナで墓布し、次いで70℃で30分間乾燥し九。この
時、m!農からはビスアジドが結晶となって析出した。
次にこの塗膜を縞模様のフォトマスクで密着被覆し、5
00Wの高圧水銀灯で紫外線照射したdNMPJ容、エ
タノール1容から成る混液z’fA像し、エタノールで
リンスして浮彫構造を得たがビスアジドが析出した部分
ではパターンは明瞭に解像されず、又感度4 S Om
J/fi”と感度も満足すべきものではなかりた。
00Wの高圧水銀灯で紫外線照射したdNMPJ容、エ
タノール1容から成る混液z’fA像し、エタノールで
リンスして浮彫構造を得たがビスアジドが析出した部分
ではパターンは明瞭に解像されず、又感度4 S Om
J/fi”と感度も満足すべきものではなかりた。
比較例2
実施例1で得られたボリアにド酸5Lrslに4.4−
ジアジドベンゾフェノン&5sy(o、oo意モル)全
添加した。このビスアジドは室温で攪拌しても溶解して
屯溶解せず、溶液を80℃に30分加温することによっ
て均一溶液とした。次にこの溶液をスピンナで塗布し、
次いで10℃で30分間乾燥した。この時、IIIJl
[からはビスアジドが結晶となつて析出した。
ジアジドベンゾフェノン&5sy(o、oo意モル)全
添加した。このビスアジドは室温で攪拌しても溶解して
屯溶解せず、溶液を80℃に30分加温することによっ
て均一溶液とした。次にこの溶液をスピンナで塗布し、
次いで10℃で30分間乾燥した。この時、IIIJl
[からはビスアジドが結晶となつて析出した。
次に、この塗膜を縞模様のフォトマスクで密着被覆し、
100W高圧水銀灯で紫外線照射した。
100W高圧水銀灯で紫外線照射した。
NMP4谷、エタノール1容から成る混液で現儂し、エ
タノールでリンスして浮彫構造を得九がビスアジドが析
出した部分ではパタニンは明瞭に解像されなかった。又
、感度も1s o OmJ/x”と極めて低感度であり
た。
タノールでリンスして浮彫構造を得九がビスアジドが析
出した部分ではパタニンは明瞭に解像されなかった。又
、感度も1s o OmJ/x”と極めて低感度であり
た。
以上詳述したように本発明による感光性重合体組成物に
より従来問題点であったビスアジドの分離析出が解決さ
れ、かつ感度の高い材料とすることができた。
より従来問題点であったビスアジドの分離析出が解決さ
れ、かつ感度の高い材料とすることができた。
代理人弁理士 薄 1)利 南、−
第1頁の続き
0発 明 者 横野中
横浜市戸塚区吉田町292番地株
式会社日立製作所生産技術研究
所内
0発 明 者 磯貝時男
横浜市戸塚区吉田町292番地株
式会社日立製作所生産技術研究
所内
0発 明 者 児嶋充雅
日立市東町四丁目13番1号日立
化成工業株式会社山崎工場内
0出 願 人 日立化成工業株式会社
東京都新宿区西新宿2丁目1番
1号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 水素又はアンモニウムイオン、Yは不飽和結合を有する
基、XはR1とYをつなぐ2価の基、Wは水素又はX−
Yを表わす。nはl又は2、Xは6以上100以下の数
である。COOR4はアきド基に対してオルト又はバラ
位に結合している。)で表わされるボリア建ド酸又はボ
リア建ド酸誘導体と、一般式 1 〔璽〕〔Pは
−N$又は−80,N、 、R’は3価の有機基、2は
−OH,−OR’ (R’は低級アルキル基)、−co
oルーC00R−1−0COR・、−R”−0)((R
’はアルキレン)、−R1−〇−R−−R’−COOH
,−R’C0OR’−R’0COR魯、−8iR1、−
R’−8tR1から選ばれた基を表わす。〕であられさ
れるビスアジド化合物と、必要に応じて加える増感剤と
から成る感光性重合体組成物。 1 前記ビスアジド化合物〔冨〕が、前記ポリff(1
)の側鎖の不飽和結合を有する基Yに対してaoold
量以上sai量以下の割合で配合される特許請求範囲第
一項記載の感光性重合体組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15751681A JPS5859440A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 感光性重合体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15751681A JPS5859440A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 感光性重合体組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5859440A true JPS5859440A (ja) | 1983-04-08 |
Family
ID=15651378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15751681A Pending JPS5859440A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 感光性重合体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5859440A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60114857A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 乾式現像用感光性組成物 |
JPS63317553A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-26 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ポリアミド酸系感光性組成物 |
WO2002083659A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Kaneka Corporation | Diamine, dianhydride acide, composition polyimide renfermant un groupe reactif et obtenue au moyen de ces elements, et procedes de production associes |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP15751681A patent/JPS5859440A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60114857A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 乾式現像用感光性組成物 |
JPH045178B2 (ja) * | 1983-11-28 | 1992-01-30 | ||
JPS63317553A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-26 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ポリアミド酸系感光性組成物 |
WO2002083659A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Kaneka Corporation | Diamine, dianhydride acide, composition polyimide renfermant un groupe reactif et obtenue au moyen de ces elements, et procedes de production associes |
US7396898B2 (en) | 2001-04-13 | 2008-07-08 | Kaneka Corporation | Diamine, acid dianhydride, and reactive group containing polyimide composition prepared therefrom and process of preparing them |
CN100425602C (zh) * | 2001-04-13 | 2008-10-15 | 钟渊化学工业株式会社 | 二胺、酸二酐及由其构成的具有反应性基团的聚酰亚胺组合物及其制备方法 |
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