JPS5856370A - モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法Info
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- JPS5856370A JPS5856370A JP56153761A JP15376181A JPS5856370A JP S5856370 A JPS5856370 A JP S5856370A JP 56153761 A JP56153761 A JP 56153761A JP 15376181 A JP15376181 A JP 15376181A JP S5856370 A JPS5856370 A JP S5856370A
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はnmaaλ$基板上に発光領域を複数設けてな
るモノクリック半導体発光素子及びその製造方法に関す
る。
るモノクリック半導体発光素子及びその製造方法に関す
る。
[11−V族化合物半導体を材料とする可視から赤外穢
にかけての発光素子は、各種実用化されているが,同一
基板上(複数の素子を龜つ発光素子アレイはその応用に
あわせ九製造方法の改良が特に必要と考えられる分野で
ある。
にかけての発光素子は、各種実用化されているが,同一
基板上(複数の素子を龜つ発光素子アレイはその応用に
あわせ九製造方法の改良が特に必要と考えられる分野で
ある。
モノンリック発光素子アレイは、情報処理装置の小型、
高密度化およびLgDプリンターの光源として重要であ
る.4?に光プリンターとしての光源として発光素子ア
レイけ、16素子/龍、発光のパラツキ±tosatの
特性を要求され、しかも隣接 ゛した素子への光のも
れは許されない。
高密度化およびLgDプリンターの光源として重要であ
る.4?に光プリンターとしての光源として発光素子ア
レイけ、16素子/龍、発光のパラツキ±tosatの
特性を要求され、しかも隣接 ゛した素子への光のも
れは許されない。
第1図に、従来よく行なわれているモノシリック発光木
子アレイの構造を示した。1−2はn型GaAs基板、
1−3は、n型GaAs或いはGaA7人3エビタキシ
ャル11,1−4はノンドープのGaJAsエビタキシ
ャルーで、絶縁lll−7およびp側電極1−6で覆わ
れた部分以外Kp型ドーパントを拡散し、9m111−
5を形成している。n型GaAs或いはGaAlAsエ
ピタキシャル11−3で発光した光に対し、GaAJA
s l 1 4け1lls[トHナラf、 A輝度の微
小点発光が1〜8の様に得られるととくなる。
子アレイの構造を示した。1−2はn型GaAs基板、
1−3は、n型GaAs或いはGaA7人3エビタキシ
ャル11,1−4はノンドープのGaJAsエビタキシ
ャルーで、絶縁lll−7およびp側電極1−6で覆わ
れた部分以外Kp型ドーパントを拡散し、9m111−
5を形成している。n型GaAs或いはGaAlAsエ
ピタキシャル11−3で発光した光に対し、GaAJA
s l 1 4け1lls[トHナラf、 A輝度の微
小点発光が1〜8の様に得られるととくなる。
しかし、この構造は、p型ドーハントを拡散して、n型
GaAs或いはGaAj入$1l−3Kp−n接合を作
成している為に% 1−3のGaAsあもいけGaAl
入81入夫1られた組成のところに接合を作ることは困
難である。この丸めに1発光波長および光出力の安定化
が難しく、また、隣接した素子間での元のもれについて
は完全に防ぐことは不可能である等の欠屯があっ九。
GaAs或いはGaAj入$1l−3Kp−n接合を作
成している為に% 1−3のGaAsあもいけGaAl
入81入夫1られた組成のところに接合を作ることは困
難である。この丸めに1発光波長および光出力の安定化
が難しく、また、隣接した素子間での元のもれについて
は完全に防ぐことは不可能である等の欠屯があっ九。
本発明は上記した点に僑み1発光波長及び光出力が゛安
定で、素子間の分嶋を確実に行えるモノシリツク半導体
発光累子及びその製造方法を提供するものである。
定で、素子間の分嶋を確実に行えるモノシリツク半導体
発光累子及びその製造方法を提供するものである。
以下に1本発明−実施例のシングルへテロ接合型発光素
子構造断面を第2図に示した。 GaAlAs−GaA
s系材料を用いて以下説明する。
子構造断面を第2図に示した。 GaAlAs−GaA
s系材料を用いて以下説明する。
@2図において、2−1はp型電極、2−2はp型Ga
As基板% 2−3はn型高抵抗GaAsエピタキシャ
ル−,2−4はp型GaA/Asエピタキシャル層2−
5はn 1IIGaA/As xピJl ヤ’/ a(
A/層2−6tfn側電極、2−7は発光領域よ抄取出
された光を示している。p型GaAs基板2−2上のn
型高抵抗GaAsエピタキシャル層2←3により、電流
狭径を行ないかつ、隣接した素子間での元のもれは防げ
ることとなった。また、発光波長は、2−4のGakl
l A@の組成で確実に決ま轢、隣接する素子での発光
波長のバラツキは少ないことが判った。
As基板% 2−3はn型高抵抗GaAsエピタキシャ
ル−,2−4はp型GaA/Asエピタキシャル層2−
5はn 1IIGaA/As xピJl ヤ’/ a(
A/層2−6tfn側電極、2−7は発光領域よ抄取出
された光を示している。p型GaAs基板2−2上のn
型高抵抗GaAsエピタキシャル層2←3により、電流
狭径を行ないかつ、隣接した素子間での元のもれは防げ
ることとなった。また、発光波長は、2−4のGakl
l A@の組成で確実に決ま轢、隣接する素子での発光
波長のバラツキは少ないことが判った。
また、本発明の他の実権例のダブルへテロ発光接合型発
光素子構造断面を第3図に示した。3−1はn側オーミ
ック電極、3−2はp型GaAa基板、3−3はn型高
抵抗GaAsエピタキシャル−13−4はp型GaAJ
Aa エピタキシャA/ Ill、3−5はp型()a
A/As エピタキシャル4%3−61d n 型Ga
AJAsエピタキシャル11.3−7はn側オーミック
電極、3−8は、発光領域より取抄出された元を示して
いる。p−n接合を液相成長により作っている為に先の
シングルへテロ発光素子と同様に、発光波長および光出
力は均一であることが判り九。
光素子構造断面を第3図に示した。3−1はn側オーミ
ック電極、3−2はp型GaAa基板、3−3はn型高
抵抗GaAsエピタキシャル−13−4はp型GaAJ
Aa エピタキシャA/ Ill、3−5はp型()a
A/As エピタキシャル4%3−61d n 型Ga
AJAsエピタキシャル11.3−7はn側オーミック
電極、3−8は、発光領域より取抄出された元を示して
いる。p−n接合を液相成長により作っている為に先の
シングルへテロ発光素子と同様に、発光波長および光出
力は均一であることが判り九。
本発明(よるシングルハテロ発元接合型発光素子の製造
方法を第4図1a)〜(d)に示した。GaAJAs−
GaAs系材料を用いて以下説明する。
方法を第4図1a)〜(d)に示した。GaAJAs−
GaAs系材料を用いて以下説明する。
第4図(a) K示す様に、4−2に示すp fJIG
aAs Jji板上に4−3のn型高抵抗(〜o、sQ
) GaAs エピタキシャル1を成長し、しかる後
に第4図(b)に示す。
aAs Jji板上に4−3のn型高抵抗(〜o、sQ
) GaAs エピタキシャル1を成長し、しかる後
に第4図(b)に示す。
4−9の部分をLツチング除去し、さら(第4図(C)
に示す4−4のp 111GaA/fiLs エピタキ
シャル4.4−5のn 1!!!GaAlAs エピタ
キシャル1−を順次種層1させて、さらに@4図<(1
) K示す、4−1.4−7のオーミック性電極を作成
すること(より、4−3のnmt高抵抗GaAsヱピタ
キシャルINKよね隣接する接合部への光のもれはなく
、電流狭 が行なえ、さらに4−5のn型りa入1km
エピタキシャル1によ秒元を取り出すことができる。
に示す4−4のp 111GaA/fiLs エピタキ
シャル4.4−5のn 1!!!GaAlAs エピタ
キシャル1−を順次種層1させて、さらに@4図<(1
) K示す、4−1.4−7のオーミック性電極を作成
すること(より、4−3のnmt高抵抗GaAsヱピタ
キシャルINKよね隣接する接合部への光のもれはなく
、電流狭 が行なえ、さらに4−5のn型りa入1km
エピタキシャル1によ秒元を取り出すことができる。
ま九ダブルへテロ接合型発光素子の製造方法にオイテ、
第5図ra) 〜(d) K示す様vc、5〜aのn型
窩抵抗Gapsエピタキクヤル層の一部をエツチング除
去して、第4図と同様に、5−6のn型GaAlAsエ
ピタキシャル−により光を取抄出すことが出来る。
第5図ra) 〜(d) K示す様vc、5〜aのn型
窩抵抗Gapsエピタキクヤル層の一部をエツチング除
去して、第4図と同様に、5−6のn型GaAlAsエ
ピタキシャル−により光を取抄出すことが出来る。
この方法は、電流狭 および光しヤへ−に必要な厚さの
薄いn型高抵抗GaAsエピタキシャル−の一部をエツ
チング除去するのみでおり、第1図に示した拡散により
接合を作成する工程に比べて。
薄いn型高抵抗GaAsエピタキシャル−の一部をエツ
チング除去するのみでおり、第1図に示した拡散により
接合を作成する工程に比べて。
発yt、波長および光出力の均一化が容易であり、拡散
による発光波長のバラツキおよび光出力のバラツキによ
る素子歩留り低下は見られない。
による発光波長のバラツキおよび光出力のバラツキによ
る素子歩留り低下は見られない。
第11凶は従来の発九累子アレイの素子構造を示す断面
図、第2図は本発明の一実施例のシングルへテロ素子構
造を示す断面図、第3図は本発明の他の実施例のダブル
へテロ素子構造を示す断面図、・利41凶(a)〜(d
)は第2図の製造方法を示す工程断面図、第5図(a)
〜(d)・は第3図の製造方法を示す工程断面図である
。 2−2及び3−2はp型GaAs基板、2−3及び3−
3はn型高抵抗GaAsエピタキシャル噛、2−4及び
3−4は、p型GaAj?As エピタキシーy ル4
.3−5はp型Gaλ1Lsxビタキシャルー、2−5
及び3−6はn型GaAlAs xピタキシャル1.2
−1゜3−1.2−6及び3−7けオーム性電極。
図、第2図は本発明の一実施例のシングルへテロ素子構
造を示す断面図、第3図は本発明の他の実施例のダブル
へテロ素子構造を示す断面図、・利41凶(a)〜(d
)は第2図の製造方法を示す工程断面図、第5図(a)
〜(d)・は第3図の製造方法を示す工程断面図である
。 2−2及び3−2はp型GaAs基板、2−3及び3−
3はn型高抵抗GaAsエピタキシャル噛、2−4及び
3−4は、p型GaAj?As エピタキシーy ル4
.3−5はp型Gaλ1Lsxビタキシャルー、2−5
及び3−6はn型GaAlAs xピタキシャル1.2
−1゜3−1.2−6及び3−7けオーム性電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 +1) E)型GaAs基板上にp+!!を層及びn型
層を積−し九発光領斌を複数設け、該発光領域を取ねま
くようにn型GaAs基板上喘を設けたことを特徴とす
るモノシリツク半導体発光素子。 (21m−し九p型及びn!II層はへテロ接合をなし
ていることを特徴とした前記特許請求の範囲第1項記載
のモノシリツク半導体発光素子。 (3)積層したn型層及びn型層はダブルへテロ構造を
なしていることを特徴とする特許 範囲第1項記載のモノシリツク半導体発光素子。 (4)p型GaAs基板上にn mGaAs高抵抗層を
エピタキシャル成長によ抄形成し、このn型GaAs高
抵抗1の一部分を除去し、その除去し九p型Gm入l基
板上Kp型層及びnfi−を順次積−して発光領域を杉
成することを特徴とするモノシリツク半導体発光素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56153761A JPS5856370A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56153761A JPS5856370A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5856370A true JPS5856370A (ja) | 1983-04-04 |
Family
ID=15569548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56153761A Pending JPS5856370A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5856370A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6070782A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
JPS6076177A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モノリシツク発光ダイオ−ドアレイ |
US5260588A (en) * | 1991-05-21 | 1993-11-09 | Eastman Kodak Company | Light-emitting diode array |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50156889A (ja) * | 1974-05-13 | 1975-12-18 | ||
JPS516684A (en) * | 1974-07-08 | 1976-01-20 | Hitachi Ltd | Handotaisochino seizohoho |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56153761A patent/JPS5856370A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50156889A (ja) * | 1974-05-13 | 1975-12-18 | ||
JPS516684A (en) * | 1974-07-08 | 1976-01-20 | Hitachi Ltd | Handotaisochino seizohoho |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6070782A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
JPS6076177A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モノリシツク発光ダイオ−ドアレイ |
US5260588A (en) * | 1991-05-21 | 1993-11-09 | Eastman Kodak Company | Light-emitting diode array |
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