JPS5856370A - モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS5856370A JPS5856370A JP56153761A JP15376181A JPS5856370A JP S5856370 A JPS5856370 A JP S5856370A JP 56153761 A JP56153761 A JP 56153761A JP 15376181 A JP15376181 A JP 15376181A JP S5856370 A JPS5856370 A JP S5856370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- light
- layer
- semiconductor light
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229930091051 Arenine Natural products 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はｎｍａａλ＄基板上に発光領域を複数設けてな
るモノクリック半導体発光素子及びその製造方法に関す
る。
るモノクリック半導体発光素子及びその製造方法に関す
る。
［１１−Ｖ族化合物半導体を材料とする可視から赤外穢
にかけての発光素子は、各種実用化されているが，同一
基板上（複数の素子を龜つ発光素子アレイはその応用に
あわせ九製造方法の改良が特に必要と考えられる分野で
ある。
にかけての発光素子は、各種実用化されているが，同一
基板上（複数の素子を龜つ発光素子アレイはその応用に
あわせ九製造方法の改良が特に必要と考えられる分野で
ある。
モノンリック発光素子アレイは、情報処理装置の小型、
高密度化およびＬｇＤプリンターの光源として重要であ
る．４？に光プリンターとしての光源として発光素子ア
レイけ、１６素子／龍、発光のパラツキ±ｔｏｓａｔの
特性を要求され、しかも隣接 ゛した素子への光のも
れは許されない。
高密度化およびＬｇＤプリンターの光源として重要であ
る．４？に光プリンターとしての光源として発光素子ア
レイけ、１６素子／龍、発光のパラツキ±ｔｏｓａｔの
特性を要求され、しかも隣接 ゛した素子への光のも
れは許されない。
第１図に、従来よく行なわれているモノシリック発光木
子アレイの構造を示した。１−２はｎ型ＧａＡｓ基板、
１−３は、ｎ型ＧａＡｓ或いはＧａＡ７人３エビタキシ
ャル１１，１−４はノンドープのＧａＪＡｓエビタキシ
ャルーで、絶縁ｌｌｌ−７およびｐ側電極１−６で覆わ
れた部分以外Ｋｐ型ドーパントを拡散し、９ｍ１１１−
５を形成している。ｎ型ＧａＡｓ或いはＧａＡｌＡｓエ
ピタキシャル１１−３で発光した光に対し、ＧａＡＪＡ
ｓ ｌ １ ４け１ｌｌｓ［トＨナラｆ、 Ａ輝度の微
小点発光が１〜８の様に得られるととくなる。
子アレイの構造を示した。１−２はｎ型ＧａＡｓ基板、
１−３は、ｎ型ＧａＡｓ或いはＧａＡ７人３エビタキシ
ャル１１，１−４はノンドープのＧａＪＡｓエビタキシ
ャルーで、絶縁ｌｌｌ−７およびｐ側電極１−６で覆わ
れた部分以外Ｋｐ型ドーパントを拡散し、９ｍ１１１−
５を形成している。ｎ型ＧａＡｓ或いはＧａＡｌＡｓエ
ピタキシャル１１−３で発光した光に対し、ＧａＡＪＡ
ｓ ｌ １ ４け１ｌｌｓ［トＨナラｆ、 Ａ輝度の微
小点発光が１〜８の様に得られるととくなる。
しかし、この構造は、ｐ型ドーハントを拡散して、ｎ型
ＧａＡｓ或いはＧａＡｊ入＄１ｌ−３Ｋｐ−ｎ接合を作
成している為に％ １−３のＧａＡｓあもいけＧａＡｌ
入８１入夫１られた組成のところに接合を作ることは困
難である。この丸めに１発光波長および光出力の安定化
が難しく、また、隣接した素子間での元のもれについて
は完全に防ぐことは不可能である等の欠屯があっ九。
ＧａＡｓ或いはＧａＡｊ入＄１ｌ−３Ｋｐ−ｎ接合を作
成している為に％ １−３のＧａＡｓあもいけＧａＡｌ
入８１入夫１られた組成のところに接合を作ることは困
難である。この丸めに１発光波長および光出力の安定化
が難しく、また、隣接した素子間での元のもれについて
は完全に防ぐことは不可能である等の欠屯があっ九。
本発明は上記した点に僑み１発光波長及び光出力が゛安
定で、素子間の分嶋を確実に行えるモノシリツク半導体
発光累子及びその製造方法を提供するものである。
定で、素子間の分嶋を確実に行えるモノシリツク半導体
発光累子及びその製造方法を提供するものである。
以下に１本発明−実施例のシングルへテロ接合型発光素
子構造断面を第２図に示した。 ＧａＡｌＡｓ−ＧａＡ
ｓ系材料を用いて以下説明する。
子構造断面を第２図に示した。 ＧａＡｌＡｓ−ＧａＡ
ｓ系材料を用いて以下説明する。
＠２図において、２−１はｐ型電極、２−２はｐ型Ｇａ
Ａｓ基板％ ２−３はｎ型高抵抗ＧａＡｓエピタキシャ
ル−，２−４はｐ型ＧａＡ／Ａｓエピタキシャル層２−
５はｎ １ＩＩＧａＡ／Ａｓ ｘピＪｌ ヤ’／ ａ（
Ａ／層２−６ｔｆｎ側電極、２−７は発光領域よ抄取出
された光を示している。ｐ型ＧａＡｓ基板２−２上のｎ
型高抵抗ＧａＡｓエピタキシャル層２←３により、電流
狭径を行ないかつ、隣接した素子間での元のもれは防げ
ることとなった。また、発光波長は、２−４のＧａｋｌ
ｌ Ａ＠の組成で確実に決ま轢、隣接する素子での発光
波長のバラツキは少ないことが判った。
Ａｓ基板％ ２−３はｎ型高抵抗ＧａＡｓエピタキシャ
ル−，２−４はｐ型ＧａＡ／Ａｓエピタキシャル層２−
５はｎ １ＩＩＧａＡ／Ａｓ ｘピＪｌ ヤ’／ ａ（
Ａ／層２−６ｔｆｎ側電極、２−７は発光領域よ抄取出
された光を示している。ｐ型ＧａＡｓ基板２−２上のｎ
型高抵抗ＧａＡｓエピタキシャル層２←３により、電流
狭径を行ないかつ、隣接した素子間での元のもれは防げ
ることとなった。また、発光波長は、２−４のＧａｋｌ
ｌ Ａ＠の組成で確実に決ま轢、隣接する素子での発光
波長のバラツキは少ないことが判った。
また、本発明の他の実権例のダブルへテロ発光接合型発
光素子構造断面を第３図に示した。３−１はｎ側オーミ
ック電極、３−２はｐ型ＧａＡａ基板、３−３はｎ型高
抵抗ＧａＡｓエピタキシャル−１３−４はｐ型ＧａＡＪ
Ａａ エピタキシャＡ／ Ｉｌｌ、３−５はｐ型（）ａ
Ａ／Ａｓ エピタキシャル４％３−６１ｄ ｎ 型Ｇａ
ＡＪＡｓエピタキシャル１１．３−７はｎ側オーミック
電極、３−８は、発光領域より取抄出された元を示して
いる。ｐ−ｎ接合を液相成長により作っている為に先の
シングルへテロ発光素子と同様に、発光波長および光出
力は均一であることが判り九。
光素子構造断面を第３図に示した。３−１はｎ側オーミ
ック電極、３−２はｐ型ＧａＡａ基板、３−３はｎ型高
抵抗ＧａＡｓエピタキシャル−１３−４はｐ型ＧａＡＪ
Ａａ エピタキシャＡ／ Ｉｌｌ、３−５はｐ型（）ａ
Ａ／Ａｓ エピタキシャル４％３−６１ｄ ｎ 型Ｇａ
ＡＪＡｓエピタキシャル１１．３−７はｎ側オーミック
電極、３−８は、発光領域より取抄出された元を示して
いる。ｐ−ｎ接合を液相成長により作っている為に先の
シングルへテロ発光素子と同様に、発光波長および光出
力は均一であることが判り九。
本発明（よるシングルハテロ発元接合型発光素子の製造
方法を第４図１ａ）〜（ｄ）に示した。ＧａＡＪＡｓ−
ＧａＡｓ系材料を用いて以下説明する。
方法を第４図１ａ）〜（ｄ）に示した。ＧａＡＪＡｓ−
ＧａＡｓ系材料を用いて以下説明する。
第４図（ａ） Ｋ示す様に、４−２に示すｐ ｆＪＩＧ
ａＡｓ Ｊｊｉ板上に４−３のｎ型高抵抗（〜ｏ、ｓＱ
） ＧａＡｓ エピタキシャル１を成長し、しかる後
に第４図（ｂ）に示す。
ａＡｓ Ｊｊｉ板上に４−３のｎ型高抵抗（〜ｏ、ｓＱ
） ＧａＡｓ エピタキシャル１を成長し、しかる後
に第４図（ｂ）に示す。
４−９の部分をＬツチング除去し、さら（第４図（Ｃ）
に示す４−４のｐ １１１ＧａＡ／ｆｉＬｓ エピタキ
シャル４．４−５のｎ １！！！ＧａＡｌＡｓ エピタ
キシャル１−を順次種層１させて、さらに＠４図＜（１
） Ｋ示す、４−１．４−７のオーミック性電極を作成
すること（より、４−３のｎｍｔ高抵抗ＧａＡｓヱピタ
キシャルＩＮＫよね隣接する接合部への光のもれはなく
、電流狭 が行なえ、さらに４−５のｎ型りａ入１ｋｍ
エピタキシャル１によ秒元を取り出すことができる。
に示す４−４のｐ １１１ＧａＡ／ｆｉＬｓ エピタキ
シャル４．４−５のｎ １！！！ＧａＡｌＡｓ エピタ
キシャル１−を順次種層１させて、さらに＠４図＜（１
） Ｋ示す、４−１．４−７のオーミック性電極を作成
すること（より、４−３のｎｍｔ高抵抗ＧａＡｓヱピタ
キシャルＩＮＫよね隣接する接合部への光のもれはなく
、電流狭 が行なえ、さらに４−５のｎ型りａ入１ｋｍ
エピタキシャル１によ秒元を取り出すことができる。
ま九ダブルへテロ接合型発光素子の製造方法にオイテ、
第５図ｒａ） 〜（ｄ） Ｋ示す様ｖｃ、５〜ａのｎ型
窩抵抗Ｇａｐｓエピタキクヤル層の一部をエツチング除
去して、第４図と同様に、５−６のｎ型ＧａＡｌＡｓエ
ピタキシャル−により光を取抄出すことが出来る。
第５図ｒａ） 〜（ｄ） Ｋ示す様ｖｃ、５〜ａのｎ型
窩抵抗Ｇａｐｓエピタキクヤル層の一部をエツチング除
去して、第４図と同様に、５−６のｎ型ＧａＡｌＡｓエ
ピタキシャル−により光を取抄出すことが出来る。
この方法は、電流狭 および光しヤへ−に必要な厚さの
薄いｎ型高抵抗ＧａＡｓエピタキシャル−の一部をエツ
チング除去するのみでおり、第１図に示した拡散により
接合を作成する工程に比べて。
薄いｎ型高抵抗ＧａＡｓエピタキシャル−の一部をエツ
チング除去するのみでおり、第１図に示した拡散により
接合を作成する工程に比べて。
発ｙｔ、波長および光出力の均一化が容易であり、拡散
による発光波長のバラツキおよび光出力のバラツキによ
る素子歩留り低下は見られない。
による発光波長のバラツキおよび光出力のバラツキによ
る素子歩留り低下は見られない。
第１１凶は従来の発九累子アレイの素子構造を示す断面
図、第２図は本発明の一実施例のシングルへテロ素子構
造を示す断面図、第３図は本発明の他の実施例のダブル
へテロ素子構造を示す断面図、・利４１凶（ａ）〜（ｄ
）は第２図の製造方法を示す工程断面図、第５図（ａ）
〜（ｄ）・は第３図の製造方法を示す工程断面図である
。 ２−２及び３−２はｐ型ＧａＡｓ基板、２−３及び３−
３はｎ型高抵抗ＧａＡｓエピタキシャル噛、２−４及び
３−４は、ｐ型ＧａＡｊ？Ａｓ エピタキシーｙ ル４
．３−５はｐ型Ｇａλ１Ｌｓｘビタキシャルー、２−５
及び３−６はｎ型ＧａＡｌＡｓ ｘピタキシャル１．２
−１゜３−１．２−６及び３−７けオーム性電極。
図、第２図は本発明の一実施例のシングルへテロ素子構
造を示す断面図、第３図は本発明の他の実施例のダブル
へテロ素子構造を示す断面図、・利４１凶（ａ）〜（ｄ
）は第２図の製造方法を示す工程断面図、第５図（ａ）
〜（ｄ）・は第３図の製造方法を示す工程断面図である
。 ２−２及び３−２はｐ型ＧａＡｓ基板、２−３及び３−
３はｎ型高抵抗ＧａＡｓエピタキシャル噛、２−４及び
３−４は、ｐ型ＧａＡｊ？Ａｓ エピタキシーｙ ル４
．３−５はｐ型Ｇａλ１Ｌｓｘビタキシャルー、２−５
及び３−６はｎ型ＧａＡｌＡｓ ｘピタキシャル１．２
−１゜３−１．２−６及び３−７けオーム性電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１） Ｅ）型ＧａＡｓ基板上にｐ＋！！を層及びｎ型
層を積−し九発光領斌を複数設け、該発光領域を取ねま
くようにｎ型ＧａＡｓ基板上喘を設けたことを特徴とす
るモノシリツク半導体発光素子。 （２１ｍ−し九ｐ型及びｎ！ＩＩ層はへテロ接合をなし
ていることを特徴とした前記特許請求の範囲第１項記載
のモノシリツク半導体発光素子。 （３）積層したｎ型層及びｎ型層はダブルへテロ構造を
なしていることを特徴とする特許 範囲第１項記載のモノシリツク半導体発光素子。 （４）ｐ型ＧａＡｓ基板上にｎ ｍＧａＡｓ高抵抗層を
エピタキシャル成長によ抄形成し、このｎ型ＧａＡｓ高
抵抗１の一部分を除去し、その除去し九ｐ型Ｇｍ入ｌ基
板上Ｋｐ型層及びｎｆｉ−を順次積−して発光領域を杉
成することを特徴とするモノシリツク半導体発光素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56153761A JPS5856370A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56153761A JPS5856370A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856370A true JPS5856370A (ja) | 1983-04-04 |
Family
ID=15569548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56153761A Pending JPS5856370A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856370A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6070782A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
| JPS6076177A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モノリシツク発光ダイオ−ドアレイ |
| US5260588A (en) * | 1991-05-21 | 1993-11-09 | Eastman Kodak Company | Light-emitting diode array |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156889A (ja) * | 1974-05-13 | 1975-12-18 | ||
| JPS516684A (en) * | 1974-07-08 | 1976-01-20 | Hitachi Ltd | Handotaisochino seizohoho |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56153761A patent/JPS5856370A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156889A (ja) * | 1974-05-13 | 1975-12-18 | ||
| JPS516684A (en) * | 1974-07-08 | 1976-01-20 | Hitachi Ltd | Handotaisochino seizohoho |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6070782A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
| JPS6076177A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モノリシツク発光ダイオ−ドアレイ |
| US5260588A (en) * | 1991-05-21 | 1993-11-09 | Eastman Kodak Company | Light-emitting diode array |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5048035A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP3697609B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0897468A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH10173224A (ja) | 化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2002009335A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP3511213B2 (ja) | 光半導体デバイス | |
| JP2875124B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH07176788A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPS5856370A (ja) | モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH0327577A (ja) | 発光ダイオ―ドアレイ | |
| JPH05218498A (ja) | 横方向に接合を有する発光ダイオード | |
| JPH0818100A (ja) | 化合物半導体発光ダイオード | |
| JP2002151733A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP2001015805A (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ | |
| JP2937439B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS61171184A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS63107075A (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR100289730B1 (ko) | 반도체레이저소자의제조방법 | |
| JPS6252984A (ja) | 自己整合電流狭窄型半導体発光素子 | |
| JPH05335625A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2003264313A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0677531A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPS61139082A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH02181980A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH10256599A (ja) | 半導体発光素子 |