JPS5854678A - 太陽電池素子 - Google Patents
太陽電池素子Info
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- JPS5854678A JPS5854678A JP56152181A JP15218181A JPS5854678A JP S5854678 A JPS5854678 A JP S5854678A JP 56152181 A JP56152181 A JP 56152181A JP 15218181 A JP15218181 A JP 15218181A JP S5854678 A JPS5854678 A JP S5854678A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池素子の改良に関する。
太陽電池素子は、太陽エネルギーを直接電気エネルギー
に変換する素子で１通常、単結晶シリコン、多結晶シリ
コン、アモルファスシリコン５ＧｊＬＡａ系■−■族化
合物半導体、Ｃｄ８等の光電変換反応を呈する物質を基
板とし、それに集電用電極゛を設けた構成を採っている
。
に変換する素子で１通常、単結晶シリコン、多結晶シリ
コン、アモルファスシリコン５ＧｊＬＡａ系■−■族化
合物半導体、Ｃｄ８等の光電変換反応を呈する物質を基
板とし、それに集電用電極゛を設けた構成を採っている
。
第１図は単結晶シリコンを基板とした代表的な太陽電池
素子で、ｌは互いに反対側に位置する一対の主表面１１
．１２と、一方の主表面１１に隣接するｎ型導電性領域
１３と、他方の主表面１２及びｎ型導電性領域１３に隣
接し、ｎ型導電性領域１３との間にＰｎ接合Ｊを形成す
るＰ型導電性領域１４とから成る基板、２は基板１の一
方の主表面１１に形成された格子状の一方の電極、３は
基板１の他方の主表面１２の略全面に形成された他方の
電極、４は基板１の一方の主表面１１の一方の電極２が
形成されていない面を被覆する反射防止膜である。基板
１は例えば抵抗率０．５〜５０ｍ、厚さが３００ｐｍの
Ｐ型シリコン板の一方の面に例えば燐を拡散してシート
抵抗的５０Ω１０、深さ０．３〜０．５ ｐ ｍのｎ型
領域を形成することによって得られる。反射防止膜４は
、屈折率が基板１と空気の屈折率の中間に位置する絶縁
材料例えば、ｓ ｉｏ、ｓ ｉｏ□ｓ Ａｌ２Ｏ８，’
ｒｔｏ、。
素子で、ｌは互いに反対側に位置する一対の主表面１１
．１２と、一方の主表面１１に隣接するｎ型導電性領域
１３と、他方の主表面１２及びｎ型導電性領域１３に隣
接し、ｎ型導電性領域１３との間にＰｎ接合Ｊを形成す
るＰ型導電性領域１４とから成る基板、２は基板１の一
方の主表面１１に形成された格子状の一方の電極、３は
基板１の他方の主表面１２の略全面に形成された他方の
電極、４は基板１の一方の主表面１１の一方の電極２が
形成されていない面を被覆する反射防止膜である。基板
１は例えば抵抗率０．５〜５０ｍ、厚さが３００ｐｍの
Ｐ型シリコン板の一方の面に例えば燐を拡散してシート
抵抗的５０Ω１０、深さ０．３〜０．５ ｐ ｍのｎ型
領域を形成することによって得られる。反射防止膜４は
、屈折率が基板１と空気の屈折率の中間に位置する絶縁
材料例えば、ｓ ｉｏ、ｓ ｉｏ□ｓ Ａｌ２Ｏ８，’
ｒｔｏ、。
Ｔａ２０５ 等から選ばれ、約６５０〜７５０人の厚
さに形成される。一方の電極２は１反射防止膜４を形成
した後、ｕｌえばホトエツチングで格子状に窓あけをし
て窓部に形成する。電極はシリコンとの接着性及び半田
との接着性を考慮して、例えば基板側からＣｒ−Ｎｉ−
Ａｇ或いはＴ ｉ −Ｎ ｉ−’Ａ ｇの如き多層構造
とすることが行なわれている。
さに形成される。一方の電極２は１反射防止膜４を形成
した後、ｕｌえばホトエツチングで格子状に窓あけをし
て窓部に形成する。電極はシリコンとの接着性及び半田
との接着性を考慮して、例えば基板側からＣｒ−Ｎｉ−
Ａｇ或いはＴ ｉ −Ｎ ｉ−’Ａ ｇの如き多層構造
とすることが行なわれている。
か＼る構成の太陽電池素子は、（１ン薄いｎ型導電性領
域に直接電極を形成するため、−極形成時に該領域を破
壊するおそれがあること、（２）ｎ型導電性領域の破壊
を防止するためには、熱処理温度の厳密な制御及び慎重
な取扱いが必要となること、（３ン反射防止腐の窓開は
工程が必要であること１等製造上の欠点がある。
域に直接電極を形成するため、−極形成時に該領域を破
壊するおそれがあること、（２）ｎ型導電性領域の破壊
を防止するためには、熱処理温度の厳密な制御及び慎重
な取扱いが必要となること、（３ン反射防止腐の窓開は
工程が必要であること１等製造上の欠点がある。
本発明の目的は、上記の欠点を除去した改良された構造
を有する太陽電池素子を提供することにある。
を有する太陽電池素子を提供することにある。
か＼る目的を奏する本発明太陽電池素子の特徴とすると
ころは、基板の少なくとも受光面となる面を透明の導電
膜で被覆し、その上に一方の電極を形成した点にある。
ころは、基板の少なくとも受光面となる面を透明の導電
膜で被覆し、その上に一方の電極を形成した点にある。
以下本発明を実施例として示した第２図により詳細に説
明する。図において、１は第１図と同様の単結晶シリコ
ンから成る基板、５．６は基板１の両生表面１１．１２
全面を被覆するように形成された透明の導電膜、２は導
電膜５上へ形成した例えば格子状をなす一方の電極、３
は導電膜６上の略全面に形成した他方の電極である。導
電膜５゜６としては、Ｉｎ、３ｎの酸化物を使用し、真
空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、デツプ法等により形
成する。Ｉｎ、 Ｓｎの酸化物は、その酸化物の適当な
配合と、膜付後の適当な熱処理により導電率を任意に選
定できる。
明する。図において、１は第１図と同様の単結晶シリコ
ンから成る基板、５．６は基板１の両生表面１１．１２
全面を被覆するように形成された透明の導電膜、２は導
電膜５上へ形成した例えば格子状をなす一方の電極、３
は導電膜６上の略全面に形成した他方の電極である。導
電膜５゜６としては、Ｉｎ、３ｎの酸化物を使用し、真
空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、デツプ法等により形
成する。Ｉｎ、 Ｓｎの酸化物は、その酸化物の適当な
配合と、膜付後の適当な熱処理により導電率を任意に選
定できる。
か＼る構成の太陽電池素子によれば、（１）１方の電極
が基板に直接形成されないため、上述の欠点を一掃でき
る、（２）電極を基板に直接４着する必要がないため、
多層構造にしなくてよい、（３）受光面の略全面が一方
の電極に電気的に接続されるため、集電効率が向上する
、（４）反射防止膜を兼用できるため、反射防止膜の形
成が容易となる、等の効果を奏する。
が基板に直接形成されないため、上述の欠点を一掃でき
る、（２）電極を基板に直接４着する必要がないため、
多層構造にしなくてよい、（３）受光面の略全面が一方
の電極に電気的に接続されるため、集電効率が向上する
、（４）反射防止膜を兼用できるため、反射防止膜の形
成が容易となる、等の効果を奏する。
以上は、本発明を単結晶シリコンを基板とじた太陽電池
素子を例に採って説明したが、本発明はこれに限定され
ることなく、単結晶シリコン以外の材料を基板とした太
陽電池素子にも適用できるものである。
素子を例に採って説明したが、本発明はこれに限定され
ることなく、単結晶シリコン以外の材料を基板とした太
陽電池素子にも適用できるものである。
第１図は従来の太陽電池素子の概略斜視図、第２図は本
発明太陽電池素子の概略断面図である。 第２図
発明太陽電池素子の概略断面図である。 第２図
Claims (1)
- １１．一対の主表面を有し、一方の主表面から光を受は
入れ内部で光電変換を行なう基板と、基板の一方の主表
面の一部に形成された一方の電極と、基板の他方の主表
面の略全面に形成された他方の電極とを具備するものに
おいて、基板の少なくとも一方の主表面を透明の導電膜
で被覆し、その上に一方の電極を形成したことを特徴と
する太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56152181A JPS5854678A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56152181A JPS5854678A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854678A true JPS5854678A (ja) | 1983-03-31 |
| JPS6322633B2 JPS6322633B2 (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=15534817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56152181A Granted JPS5854678A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854678A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066426A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-16 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 半導体層上に導電金属材料を付着させる方法および装置 |
| JPS60167387A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-08-30 | ヌ−ケン・ゲ−エムベ−ハ− | 光起電力電池およびその製造方法 |
| JPH01140676A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Nippon Denso Co Ltd | 半透光性太陽電池 |
| WO2012105155A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568681A (en) * | 1978-11-17 | 1980-05-23 | Yoshihiro Hamakawa | Amorphous silicon solar battery and fabricating the same |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP56152181A patent/JPS5854678A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568681A (en) * | 1978-11-17 | 1980-05-23 | Yoshihiro Hamakawa | Amorphous silicon solar battery and fabricating the same |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167387A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-08-30 | ヌ−ケン・ゲ−エムベ−ハ− | 光起電力電池およびその製造方法 |
| JPS6066426A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-16 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 半導体層上に導電金属材料を付着させる方法および装置 |
| JPH0515071B2 (ja) * | 1983-08-19 | 1993-02-26 | Enaajii Konbaajon Debaisesu Inc | |
| JPH01140676A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Nippon Denso Co Ltd | 半透光性太陽電池 |
| WO2012105155A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
| JPWO2012105155A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2014-07-03 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6322633B2 (ja) | 1988-05-12 |
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