JPS5852894A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はｐ−ｎ接合を有する活性レーザ領域を具える半
導体本体を有し、この活性レーザ領域が２個の互に平行
な酸化されていない反射鏡面により形成される共振器内
にあり、この活性レーザ領域でコヒーレントな電磁放射
線を発生させるためにｐ−ｎ接合に順方向電流な供紛す
るためのコノタクト部材が存在し、活性レーザ領域が鏡
面に隣接して端部領域を具え、鏡面近傍で放射を伴なわ
ない再結合を減らすようになっている半導体レーザに関
するものである。

加えて、本発明はこのような半導体レーザの製造方法に
関するものである。

こ＼に述べたような半導体し〜ザはアブライドフイジク
ス　レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙ８１０８　Ｌｅ
ｌｔｔｅｒ８８４（１９７９年）第６８７〜６８９頁に
載っている米津他の論文から既知である。

通常の半導体レーザでは、＃１面とも呼ばれる結晶の反
射面間に活性領域が存在するが、これらの鏡面が長時間
使用すると鏡面又はその近傍での放射を伴なわない再結
合のため傷む傾向がある。そしてこの傾向は、たとえ非
常に小さい濃度（例えば１　：　１０’　）でも水蒸気
を含む雰囲気中でレーザを動作させる時・殊に強い。而
してこの鏡面の腐食はレーザの特性を次第に劣化させ、
就中しきい値電流を連続的に増大させ、放出される放射
線が脈動するようになる。これについては例えば、エレ
クトロニクスレターズ第１６巻１１ｔｑ。

１９８０年５月２２日の第４４１〜４４２頁にのってい
るジエイ・エイ・エフ・ピーク（Ｊ、Ａ。

Ｆ　、　Ｐｅｅｋ　）の論文、ジャーナルオプアプライ
ドフイジクス５０（８）１９７９年８月の第６１５０〜
５１５７頁にのっている米津他の論文及びアプライドフ
イジクスレターズ８５（１２）１９７９年１２月１６日
の第９０５〜９０７頁にのっているエフ・アール・ナツ
シュ（Ｆ　−Ｒ、Ｍａｓｈ　）の論文を＃照されたい。

これら全ての原因は鏡面が荒れてくるため鏡面の反射特
性が急速に劣化するにある。

この腐食は檎々の方法で緩和することができる。

例えばレーザを真空内で動作させることにより水蒸気の
影響を除去することができる。しかし、これは複雑で高
価な容器を必要とする。また鏡面を透明な誘電体保護層
で覆うこともできる。しかし、水蒸気を通さず且つ厚さ
が正しい簡単に取り付けられる保護層を設けることは技
術的には簡琳ではない。簡単に取り付けられ水蒸気を通
さない保護層は就中鏡面の熱酸化により得られる。しか
し、これは高温を必要とする点で大きな問題を与える。

電極層を設けるために酸化物層を除去しないですむよう
にするためにはレーザのメタライゼイシミンの後で酸化
を行なわなければならないから、酸化温度はメタライゼ
イションが耐えられる温度に制限される。゛そしてメタ
ライゼイションから不所望な不純物がレーザ及び酸化物
層に入るおそれもある。またレーザ構体の内部で不所望
な拡軟が生ずるおそれもある。それ故酸化鏡面の使用は
あきらめねばならない。

刊行物ＪＰ−ム５８−６１９８５から酸化に先立って鏡
面にイオン、例えば陽子を打込んで厚さが内部のレーザ
波長より薄いイオン注入層を形成することにより！ｌ１
面の熱酸化を改良した方法が知られている。しかし、こ
の方法でも前述した鏡面のＭ＃化に伴なう欠点は除去さ
れていない。

スパッタリング又は気相、ｌｌ５１により誘電体保護層
を設けることもできる。しかし、この方法では鏡面を有
効に保饅することが技術的に実現容易で・はない。

刊行物ＪＰ−１５５−１８０７８からエツチングしてメ
サ形にした鏡面上にＭＩＥ体層を成長させ、次にとれに
陽子を打込んで腐食に対する抵抗を改良した方法が知ら
れている。しかし、この方法は少なくとも余分なエツチ
ング工程とｉＡ誘電体保護層成長とを必要とする。

アブライドフイジクスレターズ８４　（１９７９）第６
８７〜６８９頁にのっている前述した米津他の論文には
もう一つの解決法が記載されているが、それは活性領域
に鏡面に隣接して禁制帯幅の大きな端部領域を設け、こ
−では放射線の吸収が殆んど行なわれず、従って放射を
伴なわない再結合がほとんど生じないようにするもので
ある。しかし、この論文に述べられている亜鉛の選択拡
散は複雑であって、十分有効ではない。

本発明の一つの目的は一層有効で簡単且つ再現性良い態
様で形成できる新規の構造のｉ部領域を用いることによ
り鏡面近傍での放射を伴なわない再結合の影響を相当に
小さくしたレーザ構造を提□供するにある。

本発明のもう一つの目的は多数のし〜ザが作られている
共通の半導体ウェハからレーザをはがす前に多数の半導
体レーザの端部領域を同時に形成できる方法を提供する
にある。

このような本発明は就中再結合速度が高い端部領域を用
い、鏡面のすぐ近傍ではあるが若干距離がある所では放
射を伴なわない再結合かも早や生じないようにすること
により上述した目的を達成できることを認識したことに
基づいている。

本発明によれば冒頭に記載した形式の半導体装１におい
て、前記端部領域を活性レーザ領域の、注入されたイオ
ンを含み、結晶損傷を伴ない、鏡面から少なくとも端部
領域での再結合する電荷キャリヤの拡散長に等しい距離
迄延在する部分により形成したことをＷＩｌとする。

このような本発明半導体レーザ構造では、！！ＩＩｆ［
ｉでの放射を伴なわない再結合が除かれる。ＭＬ、イオ
ン注入層された端部領域での再結合速度が高いため、こ
のような再結合はほとんど全て端部領域の！１面から遠
くに位貧する部分で行なわれてしまうからである。この
結果鏡面の腐食は回避され、少なくとも相当に小さくな
る。また本発明により端部領域を設けることは前述した
拡散技術や反射面上に保護層を設けることに比べて技術
上の問題が少ない。

注入されるイオンとしては陽子が好適である。

陽子は質量が小さく、可成り低いエネルギーで所望の深
さ迄侵透するからである。場合によっては陽子の代りに
重陽子又は−価にイオン化された水素分子を注入すると
好適である。しかし、本発明はこれに限定されるもので
はない。蓋し、所望とあらば結晶損傷を伴なう他のイオ
ンを注入して所望の結果を得ることもできるからである
。

陽子の打込みにより端部領域を形成する場合は、鏡面か
ら０．５μ諷以上、そして５μ箇以下に延在するように
すると好適である。これより長く、例えばｌＯμ亀もの
ａｍ領域はレーザ特性に悪影響を及ぼすおそれがあり、
また余りに短い端部領域は＃！面での再結合を十分に防
げない。前述したように、端部領域の最小の長さは端部
領域内で再結合するキャリヤの拡散長にほぼ等しい。

本発明は鏡面ないしその近傍で放射を伴なわない再結合
が生ずるおそれのある鏡面を有する凡ゆる半導体レーザ
に適用できる。しかし、本発明は層構造を有し、活性領
域がス）　ＩＪツブ状で、半導体本体の主表面に平行に
延在する活性半導体層の一部を形成し、ｐ−ｎ接合がこ
の活性層と平行な半導体レーザで用いると殊に有利であ
る。このような構造を持つレーザでは端部領域を形成す
るために必要なイオン打込みをストリップ状の活性領域
を画成するために用いられるイオン打込み、殊に陽子打
込みと組み合わせることができて有利である。好適な一
実施例によれば、幅方向における前記ストリップ状の活
性領域を横方向から端部領域をも形成するイオン注入領
域の一部で境する。

しかし、陽子打込みの代りに他の多くの方法でストリッ
プ状の活性領域を横方向から境してもよい。

この関係については、多くの方法が技術文献から川られ
ている。

半導体し−ザを形成するのに適した層＃ＩＩ造を有し、
半導体本体の主表面に平行に延在する少なくとも１個の
活性半導体層を具える半導体本体において、鏡面として
役立つ臂開面を設ける予定の区域に活性層よりも浅い深
さ迄延在する溝を設け、この溝にイオンを注入し、関連
結晶損傷を伴なうイオン注入された領域を活性層を貫ぬ
〈迄蛛在させ、次に半導体ウェハを折って個々のレーザ
を得、斯くして溝の区域で活性層にほぼ垂直に延在する
臂開面を形成し、各レーザの活性層に臂開面に隣接して
イオン注入された端部領域を得ることを特徴とする製造
方法を用いれば、本発明半導体レーザを非常に有利に且
つ効率良く作ることができる。

この方法を用いれば一つの半導体ウェハ上にイオン打込
みされた端部領域を具える多数のレーザが作られ、後か
ら個々のレーザを切り離すことになる。

いくつかの実施例を挙げて図面につき本発明の詳細な説
明する。

図面は略図であって、寸矢通うではない。殊に断面図で
は厚さ方向の寸法が誇張されている。

第１図は本発明半導体レーザの平面図であり、第２図及
び第８図は夫々第１図のｌｌ−１線及び璽−１線で切っ
た断面図である。本発明は構造が異なるｐ−ｎ接合レー
ザにも適用できるが、この例の半導体レーザはダブルへ
テロ接合形のレーザである。このレーザは半導体本体１
を有し、これが活性レーザ領域２を具えている。この活
性レーザ領域２は本例ではストリップ状で、半導体本体
の主表面と平行に延在し且つ禁制帯幅が活性層８よりも
大きな不活性層重と５の間にはさまれている活性半導体
層８の一部を形成する。活性領域２はｐ−ｎ接合６を具
えるが、本例ではこのｐ−ｎ接合６は活性層８と不活性
層５との間に形成されている。しかし、場合によっては
層８と５の間の代りに活性層８と不活性層重との間、更
には活性層３内にｐ−ｎ接合を形成してもよい。

活性レーザ領域２は２個の相互に平行な酸化されていな
い反射鏡面、本例では結晶の側面７及び８で形成される
共振器の中に存在する。また２個の導電層９“及び１０
の形態をしたコンタクト部材を設け、これにより順方向
の電流をｐ−ｎｍ合６に与え、この電流が所定のしきい
値を越えた時活性レーザ領域２内にコヒーレントな電磁
放射線を発生させる。

活性領域２は鏡面７及び８に隣接してハンチングを施し
た端部領域１１を具える。これらの４部領域１１は後に
詳述する態様で鏡面７及び８の極く近い所で放射を伴な
わない再結合を減らすのに役立つ。このような放射を伴
なわない再結合があると鏡面７及び８の反射特性が劣化
するおそれがある。

本発明によれば端部領域１１を活性レーザ領域の注入さ
れたイオンとそれに関連する結晶損傷とを含む部分によ
り形成する。この部分は鏡面７及び８から少なくとも端
部領域で再結合するｌｌ！荷キャリヤの拡散長に等しい
距離迄延在する。本例では端部領域はイオン注入された
陽子を含み、鏡面７及び８から約１μｍ迄延在する。こ
れは端部領域１１内での正孔と電子の拡散長（これは１
μ■の数十分の−にすぎない）よりも長い。

ｇｌＡ部領域１１での再結合速度が高いため、レーザ放
射線によりこの端部領域で発生した電子−正孔対はこの
端部領域１１に入るとほとんど直ぐに（与結合し、鏡面
７と８の手前に若干の距離がとれる。従って、上記鏡面
の区域では再結合がほとんど生ぜず、ｔｉｐ、面７及び
８は既知のレーザよりもずっと長く良好な反射特性を保
つ。この結果本発明半導体レーザの特命は相当に長くな
る。

ｉ部領域１１は寸法の点でも、再結合速度の点でも非常
に正確に且つ再現性良く作ることができる。１μシ、使
用されるイオン注入は簡単に制御できる工程であって、
注入エネルギー、ドース量及び多分「アニール」パラメ
ータを介して正確に制御できるからである。

このような本発明半導体レーザは、例えば仕上りのレー
ザ構造の鏡面にはぼ垂直に（但し、通常は「チャネリン
グ」を防ぐために垂直方向に対して例えば７°［１１０
）＠ｊ面内で僅かにずらす）イオン打込みを行ない、所
望の深さ迄結晶損傷を作ることにより製造できる。これ
は重陽子（Ｄ＋）又はイオン化された水素分子（Ｈ！”
　）でも満足ゆく結果は得られるが、陽子打込みにより
行なうと好適である。！ｌ１面にほぼ垂直にイオン打込
みを行なう場合、エネルギーを変えてイオン打込みを行
なうのが望ましいことがしばしばある。こうすると端部
領域の全長に亘って必要な高い再結合速度を与える結晶
損傷ができる０例えば前述した例ではドース量を２×ｌ
Ｏ陽子／Ｃ−として１００　ＫｅＶと５０　ＫｅＶとで
２段の陽子打込みを行なった。

第１図ないし第８図に示した半導体レーザは、例えば、
厚さが１００μ重で、１０　原子／ｃＴＩのＳｉがドー
ピングされており、表面が（１００）、結晶方位を有す
るＮ形ＧａＡｓの基板１２から作ることができる。この
基板１２の上に順次に第１の不活性層４（Ｎ形で組成は
Ａ１０．、Ｇａ、、Ａｓであり、５　Ｘ　１０”原子／
ｃｌｌｌのスズがドープされており、厚さは２μ箇であ
る）、活性層８（ドープせず、組成がム’ｏ、ｏｅＧａ
ｏ、ｓ□ムＳで、弱いＮ形であり、厚さが０・２μ翼で
ある）、第２の不活性層５（Ｐ杉で、組成がＡ／、、Ｇ
ａ、、、ムＢで、厚さが２μ■であり〈５ＸｌＯ［子／
ｅ１１１のゲルマニウムをドーピングしである）、及び
コンタクト層１ａ（Ｐ形Ｇａム８で、１０　原子／Ｃ−
のゲルマニウムをドーピングしており、厚さが１μ電で
ある）を設ける。最后にしばしば行なわれることである
が、このコンタクト層ｌａ内に約０．５μ箇の深さ迄Ｐ
亜鉛拡散層１４を設けて満足のゆく低オーミツクコンタ
クトを得る。このようにして構成されたレーザは波長が
８２０鴎の放射線ビームを放射できる。

ストリップ状の活性レーザ領域２の側壁には、この場合
、活性レーザ領域を例えばタングステン線でマスクして
、主表面にほぼ直角に陽子打込みを行なった。この結果
半導体層６と１８は活性レーザ領域２の両側で深さ約１
．５μ窟、即ち活性層ａのｉ方約１．５μ嘗迄高オーミ
ツクになった。このようにして得られた高オーミツク領
域１５を第１図及び第３図に示しである。

鋳面に垂直にイオン打込みをする代りに、鏡面を形成す
るのに先立って端部領域１１を設けると・共に、それで
もレーザを多数のレーザが形成される半導体ウェハの一
部とすることもできる。半導体ウェハにほぼ直角にイオ
ン打込みを行ない、その際適当なマスキングを用い、注
入エネルギーを制御することにより、端部領域を形成す
べき区域では結晶損傷を活性層８を貫ぬいて砥在させ、
ストリップ上の活性レーザ領域２の両側の領域では結晶
損傷を活性層からできれば約１．５μ璽離すように削除
する。次にこの半導体ウエノ・を個々のレーザに分断し
、その際＃！面として役立ちイオン打込みされた端部領
域を区切る臂開面が形成されるようにする。この場合端
部領域ｌｌ内の結晶損傷を均一にするためにエネルギー
を変えて二段にイオン打込みをする必要はない。蓋し、
活性層の厚さは非常に薄いからである。しかし、鏡面に
垂直な方向における端部領域１１の寸法は数μ閣しかな
く、鏡面として役立つ臂開面を正しい位置にとることが
むずかしい。

しかし、これにもかかわらずｐＪ成り簡単な轢様でこれ
を行なうことができる方法を第４図ないし第９図につき
以下説明する。

出発材料は半導体レーザを形成するのに適した層ｍ造を
有する半導体ウェハである。−例としてこ−では第１図
ないし第８図の例と同じ層構造を用いるが、この代りに
他の層構造を用いることも勿論である。基板１２、不活
性層４及び５、活性層３並びにコンタクト層１８から成
るこの層構造（第４図参照）に、亜鉛拡散層１４を設け
る前に＃Ｉ１．［ＩＩＪとして働く臂開面をとる予定の
区域に溝２０を設ける。この溝２０は活性層８に届かな
い浅いものとする。本例では互に約２５０μ謹離して相
互に平行なＶ字状の溝２０をエッチする。これらのＶ＠
は半導体ウェハの（ＩＯＱ）面上の（１１０）方向に延
在し、その勇浦面はほぼ（１１１）［ｆｌで形成されて
いる。これらの溝の深さは約１．５μ濃である。フンタ
クト層１８の厚さは約１μ電であり、不活性層５の厚さ
は約２μ亀であるから、溝２０の最も深い点は活性層８
から約り、Ｓμ嘱である。溝は選択エツチング法で設け
ることができるが、例えば放射線感応ラッカ一層グとし
て用い、例えばＮＨ４ＯＨ、）１ｓＯ，及び水を含む選
択エツチング液をエッチャントとして用いる。

これによりほぼ（１１１）面を形成し、（１００）面に
対して約５４°の角度をなす壁を有するＶ溝が（１１０
）面内に形成される。このエツチング法により溝の深さ
を正確に制御できる。半導体ウェハが主表面に対し直角
な面に沿う溝の方向に臂開できるならば他の形状の溝や
他のエツチング法、例工ばプラズマエツチングを用いる
こともできる。

エツチングをし、エツチングマスクを取り去った後上面
と溝の壁に亜鉛を拡散して良好なオーミックコンタクト
を得る。例えば、約０．５μ■の深さ迄拡散させ、コン
タクト層１８内にＰ”Ｍ１１４を形成する。例えば合金
電極を用いる時など、場合によってはこの亜鉛拡散を省
略することもできる。

このようにして得られた第４図の構造で上面と溝の上に
５０１ｆｏ厚のクロム層と１００　ｎｍ厚の白金層とを
順次にスパッタする。次いでｆＩＩ１２０をホトラッカ
ー２１で填める。これは例えば全面に（ポジ形の）光感
応性ラッカーを設け、上から現像時に溝の中だけにホト
ラッカーが残るような深さ迄厘光することにより行なう
ことができる。次に＄２０の外側の上面上に電解法で１
μ謹厚の金層２８を設ける（第５図参照）。次に、例え
ばプラズマエツチングにより溝２０からホトラッカー２
１を取り除き、その後で（＃！６図参照）矢印の方向に
陽子を主表面内に注入し、これにより（第６図で影をつ
けた）イオン注入された端部領域１１を形成する。これ
には、結晶損傷が伴ないいずれの場合でも一部は活性層
８を貫ぬいて延在する。この陽子注入に際し、金層２８
とその下側の薄いクロム−白金層２２とがマスクとして
役立つ。

金層２８を除失した後、この段階での半導体ウェハの一
部の平面図である第７図に従って、第２の陽子打込みに
より表面から約１．６μ翼下方に延在する高オーミツク
領域１５を形成してレーザのストリップ状の活性レーザ
領域を画成する。この第２の陽子打込みの際のマスクと
しては一般には・タングステ゛ン線のような金属線の格
子を用い、これを表面上又は直ぐ上に置く。

最后に基板の下面に例えば金−ゲルマニウム層のような
電極１０を設けた後スクライプと折り曲げにより半導体
ウェハを分割して個々のレーザを得る。この際＃２０に
より鏡面７及び８として役立つ労開面１６（第７図参照
）が得られる。す開はダイヤモンドカッタを溝の端にあ
てることにより簡単に行なうことができる。

このようにして得られた個々のレーザの断面を長手方向
については第８図、幅方向については第９図に示した。

この特徴は活性レーザ領域の外側で鏡面７及び８を形成
する結晶の側面が切子面（ｆａｃｅｔ　）を呈し、これ
が前に設けられていたＶ溝の壁により形成されることで
ある。注意すべきことは最后に述べた例で溝をエツチン
グする前に亜鉛拡散を行ってもよいことである。ｇ赦さ
れたコンタクト層部と拡散されていないコンタクト層部
との間のエツチング速度の差を伴なう後のエツチングで
の問題を回避するためには、先ず例えば等方性エツチン
グ液又はプラズマエツチングにより、エンチングする予
定の溝の区域から拡散層１４を取り除き、その後で選択
エッチャントによりｖＩＭを形成する。

重要な修正された実施例によれば、装置から半導体ウェ
ハをはずすことなく、同じマスクを用いて端部領域１１
を形成するイオン注入と高オーミツク領域１５を形成す
るイオン注入とを行なうことができる。この目的で溝２
０を設けた後ストリップ状の活性レーザ領域２を形成す
る予定の区域に溝を直角に横切って延在するワイヤ８０
．例えばタングステン線の形態をしたマスクを設ける０
４１０ム及ＵＩＯＢ図は溝に沿っての断面図であり、８
１１１図及び第１１Ｂ図は溝に直角な方向の断面図であ
る。次に生麦［１ｉ８１に対する角度（α、β）を変え
て順次に（本例では２回）イオン注入、本例では陽子打
込みを行なう。角度αとβは満２０の底８２（＃！ＩＯ
Ｂ図参照）及びその近傍ではイオン注入された領域が互
に重なり合い、活性層を貫通する端部領域１１が形成さ
れ、生麦・而８１及びその近傍ではワイヤ８ｏの両側に
ｑに分離された高オーミツク領域１５が形成されるよう
に選ぶ。なお図面を簡明ならしめるためこれらの第１Ｏ
Ａ　、ＩＯＢ及び１１ム、１１Ｂ図では層８．４及び５
を省略しである。

以上最も普通の構造のダブルへテロ接合形のレーザだけ
を例にとって説明してきたが、本発明は決してこれに限
定されるものではない。例えば本発明はｐ−ｎ接合が活
性層と平行ではなく直交するレーザで用いても有利であ
る。なおこのような構造のレーザはＴ　Ｊ　Ｓ　（Ｔｒ
ａｎｓｖｅｒｓｅ　Ｊｕｎｃｔ土０ｎｓｔｒｉｐｅ　）
形と呼ばれ、就中米国特許第８，９６１，９９６号明細
書に記載されている。一般に本発明は鉾面近傍で放射を
伴なわない再結合が生ずるおそれがあり、これを避けね
ばならない半導体レーザならばどのようなものにおいて
も有利な結果を与える。

本発明の重要な利点はイオン打込みした鏡面に必らずし
も誘電体保饅層全設ける必要がないことである。もつと
も気相蒸着した誘電体保睡層はレーザの寿命を一層改良
はする。

勿論例として挙げた半導体材料の代りにｐ−ｎ接合半導
体レーザを作るのに適した他の半導体材料を用いること
もできる。また本発明の範囲内で他の電極の材料や構造
を用いることもできる。また例として与えた導電形を（
−斉に）反対にすることもできる。

他の点では同一の構造の半導体レーザと比較すると、イ
オン打込みをしなかった場合既に数時間後に鏡面が劣化
し、脈動が生じたが、本発明に係るイオン打込みをした
鏡面はｌ０ＩＩＷの電力で３５０時間連続（ＣＶ　）動
作させた後でも鏡面の劣化が紹められなかった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明半導体レーザの平面図、第２図及び第８
図は第１図の酉−璽線及び璽−厘線で切った断面図、 第１図ないし第９図は本発明半導体レーザの製造方法の
順次の工程を示す説明図、 第１ＯＡ　、ＩＯＢ及び１１ム、ＩＩＢ図は本発明半導
体レーザをいくつか作る時の半導体ウエノ・の・断面図
であ′る。 ｌ・・・半導体本体　　　　２・・・活性レーザ領域３
・・・活性層　　　　　　４．５・・・不活性層６・・
・ｐ−ｎ接合　　　　７，８・・・結晶の側面９．１０
・・・電極　　　　１１・・・端部領域１２・・・基板
　　　　　　１８・・・コンタクト層１４・・・亜鉛拡
散層　　　１５・・・高オーミツク領域１６・・・臂開
面　　　　　２０・・・溝２１・・・ホトラッカー　　
２２・・・クロム−白金層２８・・・金層　　　　　　
８０・・・ワイヤ８１・・・主表面　　　　　８２・・
・溝の底。 −へ Ｅ−”− かＮ Φ ヒー−１１ ｔ＋＋ｆ”。 第１頁の続き ０発　明　者　ゲラルドウス・ランベルトウス・ディン
ゲス オランダ国５６２１ベーアー・アイ ンドーフエン・フルウネワウド セウエツヒ１ ４２９−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　　ｐ−ｎ接合を有する活性レーザ領域を具える半導
   体本体を有し、この活性レーザ領域が２個の互に平行な
   酸化されていない反射鏡面により形成される共振器内に
   あり、この活性レーザ領域でコヒーレントな電磁放射線
   を発生させるためにｐ−ｎ接合に順方向電流を供給する
   ためのコンタクト部材が存在し、活性レーザ領域が鏡面
   に隣接して端部領域を具え、鏡面近傍で放射を伴なわな
   い再結谷を減らす・１′） ようになっている半導体レーザにｉいて、前イオンを含
   み、結晶損傷を伴ない、鏡面１１から少なくとも端部領
   域での再結合する電荷キャリヤの拡散長に等しい距離迄
   延在する部分により形成したことを特徴とする半導体レ
   ーザ。 東　注入されるイオンを陽子としたことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。 ＆　注入されるイオンを重陽子（Ｄ）又Ｇ；ｉ　−価に
   イオン化された水素分子（ｌ（ｓ”　）としたことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。 表　前記端部領域を鏡面から０．６μ富以上で５μ富以
   下の距離迄延在させたことを特徴とする特許請求の範囲
   ＠８項記載の半導体レーザ。 五　レーザを層構造で構成し、活性レーザ領域を半導体
   本体の主表面に平行に延在する活性半導体層の一部で形
   成し、ｐ−ｎ接合をこの活性半導体層に平行に延在させ
   たことを特徴とする特許請求の範囲前記各項のいずれか
   に記載の半導体レーザ。 ａ　幅方向でのストＩＪツブ状の活性レーザ領域を横方
   向から端部領域も形成するイオン注入された領域の一部
   で境界づけしたことを特徴とする特許請求の範囲第６項
   記載の半導体レーザ。 ７　半導体レーザを形成するのに適した層構造を有し、
   半導体本体の主表面に平行に延在する少なくとも１個の
   活性半導体層を具える半導体本体において、鏡面として
   役立つ剪開面を設ける千宇の区域に活性層よりも浅い深
   さ迄延在する溝を設け、この溝にイオンを注入し、関連
   結晶損傷を伴なうイオン注入された領域を活性層を貫ぬ
   〈迄延在させ、次に半導体ウェハを折って個゛々のレー
   ザを得、ａ＜ｔ。 て溝の区域で活性層にはぼ垂直に延在する剪開面を形成
   し、各レーザの活性層に労開面に隣接してイオン注入さ
   れた端部領域を得ることを特徴とする半導体レーザの製
   造方法。 ＆　溝をＶ字状とし、選択エツチング法により得ること
   を特徴とする特許請求の範囲＠１項記載の半導体レーザ
   の製造方法。 象　主表面を＋１００）方裕とし、勇開面を（１１０）
   結晶切子面とし、溝の壁をほぼ（１１１）面とすること
   を特徴とする特許請求の範囲第７項又は第８項に記載の
   半導体レーザの製造方法。 １α　ス）　ＩＪツブ状の活性レーザ領域を形成する予
   定の区域に溝を設けた後、この溝に直角な方向に延在す
   るワイヤの形態をしたマスクを設け、次に順次にイオン
   注入することにより前記イオン注入を行ない、その際こ
   れらの順次のイオン注入を主表面に対する角度を変えて
   行ない、これらの角度を溝の底ないしその近傍ではイオ
   ン注入された領域が互に重なり合い、ワイヤの両側の主
   表面及びその近傍では互に分離するようにすることを特
   徴とする特許請求の範囲第７項ないし第９項のいずれか
   に記載の半導体し〜ザの製造方法。