JPS5851892B2 - 光学的ガラス製品を製造するための方法および装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は引抜き素材から形成されうる光学的ガラス製品
であって光導波体フィラメントを引抜きうる光学的ガラ
ス製品を製造するための方法および装置に関する。

可視スペクトルまたは近可視スペクトルで動作する光通
信方式に使用するのに最も有望な媒体であるところの光
導波体（ｏｐｔｉｃａｌ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ）は通
常、透明な芯をそれよりも小さい屈折率を有する透明な
外被材料で包囲してなる光フィラメントで構成されてい
る。

ところで、光通信方式に用いられる伝送媒体には厳しい
光学的要件が課せられるがために、従来のガラス・ファ
イバ・オプティックスをそのような伝送媒体として用い
ることはできない。

なぜなら、従来のガラス・ファイバ・オプティックスで
は散乱と不純物吸収との双方に基因する減衰が非常に大
きすぎるからである。

従って、非常に高純度のガラスをフィラメント状に形成
するための独特の方法が開発されなければならなかった
。

光導波体素材を形成するに当っては、ある種のガラス製
造方法、特に蒸着法が一般に用いられている。

このような方法の１つにおいては、原材料の蒸気が加熱
された基体チューブ内に送り込まれ、そこで反応して、
順次の層をなして沈積される材料を形成する。

そのようにして沈積されたガラスとチューブとの組合せ
がつぶされて引抜き素材を形成し、そしてその引抜き素
材は後で加熱されかつ弓抜かれて光導波体フィラメント
となされる。

上述の基体チューブの長さに沿って均一な沈積を得るた
めに、順次沈積法（５ｅｒｉａｌ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎｐｒｏｃｅｓｓ ）が用いられている。

即ち、反応物がチューブの端部に供給されるが、沈積は
炎によって加熱されるそのチューブの狭い部分において
のみ生ずる。

炎はチューブに沿って上下動する。炎はチューブに沿っ
て上動するごとに反応物を、従ってガラス沈積領域をチ
ューブに沿って移動せしめる。

この場合、炎は、そのようなチューブに沿った上動を完
了すると今度はチューブに沿って下動して、それが再び
上動するときに生ずる次のガラス沈積工程に備える。

このような順次沈積法の限界の１つは、有効質量沈積速
度が比較的低いという点である。

そのような沈積速度を大きくするための方法として、捕
集表面積を大きくするように基体チューブの内径を増大
せしめることが考えられるが、ガラスを沈積せしめるた
めの熱はチューブの外側から供給されるから、チューブ
の直径を大きくするとそのチューブの軸線における蒸気
温度が低くなってしまう。

さらに、チューブを横切る方向における流れ輪郭が、そ
のチューブ内において軸線方向に最大流れが生ずるよう
なものとなる。

従って、チューブの直径が大きくなるにともなって、反
応温度が最高となる即ちすす状反応生成物がチューブの
加熱領域上に一層容易に捕集されるそのチューブの壁近
傍の領域を流れる反応物蒸気の量が少なくなる。

従って、基体チューブの直径を大きくすると、それにと
もなってその基体チューブ上に沈積するすすの割合は少
なくなる。

上述した種類の順次沈積法における有効質量沈積速度を
上昇せしめんがために、本発明によれば、細長い中空の
円筒状基体チューブ中にガラス形成用蒸気混合物を流動
せしめ、前記チューブとそれに導入された蒸気混合物を
熱源でもって加熱し、この場合その熱源を前記チューブ
に関して長手方向に移動せしめてそのチューブ内にホッ
トゾーンを確立せしめ、そのようにして確立されたホッ
トゾーン内に少なくとも一部分が下流に移行する粒状物
質の懸濁を生ぜしめ、その場合、その懸濁の少なくとも
一部分をして前記チューブの内表面上に休止せしめてそ
の内表面上に沈積を形成せしめることを含む光学的ガラ
ス製品の製造方法であって、前記光学的ガラス製品の特
性に悪影響を及ぼすことのないガス流を、前記チューブ
の前記ホットゾーンにおいてそのチューブの軸線方向領
域を通って流動せしめて前記蒸気混合物の流れを前記チ
ューブ内表面に隣接するようにしてチューブの長手方向
軸線から離間された環状のチャンネルに閉じ込め、而し
て前記蒸気混合物の反応の沈積効率を増大せしめること
を特徴とする光学的ガラス製品の製造方法が提供される
。

また、本発明によれば、引抜かれて光フィラメントとな
されうる光学的ガラスプレフォームを中空の円筒状基体
チューブから製造するために、適当に支持された円筒状
の基体チューブの軸線方向部分を加熱してそのチューブ
内にホットゾーンを形成するための加熱手段と、その加
熱手段と前記基体チューブとの間に相対的な長手方向運
動を与えるための手段と、蒸気混合物の移動流を前記基
体チューブの一端に導入せしめるための手段とを有し、
この場合、前記蒸気混合物は前記ホットゾーン内におい
て反応して粒状材料の懸濁を形成することができ、その
懸濁は下流に移行し、そこでその懸濁の少なくとも一部
分が前記基体チューブの内表面上に休止するようになる
光学的ガラス製品の製造装置において、前記基体チュー
ブの前記ホットゾーンにおいてその基体チューブの軸線
方向の領域を通って流動せしめ、その場合、前記ガスが
前記蒸気混合物の流れを前記ホットゾーンにおける基体
チューブの内壁に隣接した環状のチャンネルに閉じ込め
、而して前記蒸気混合物の反応を前記基体チューブの壁
に隣接した環状の領域に実質的に閉じ込めるようにする
手段を具備していることを特徴とする光学的ガラス製品
を製造するための装置が提供される。

上述した基体チューブの軸線方向領域を通ってガスの流
れを流動せしめるための手段は、前記円筒状基体の一端
に配置されかつ一端を前記ホットゾーンの近傍で終端せ
しめられたチューブ、好ましくはガス誘導バッフル・チ
ューブで構成されるのが有利である。

基体チューブに対してチューブを長手方向に移動せしめ
るための手段は、加熱手段の運動に同期してチューブを
移動せしめる。

バッフル・チューブから出て来たガスの流れは、基体表
面に隣接した環状のチャンネルに蒸気混合物を閉じ込め
るホットゾーン内におけるガス状マンドレルを形成する
。

以下図面を参照して本発明の実施例につき説明しよう。

第１図および第２図は、基体チューブ１０を含む従来技
術の方式を示しており、その基体チューブ１０の上流端
にはハンドル・チューブ８が、下流端には排気チューブ
１２がそれぞれ固着されている。

チューブ８および１２は従来型のガラス回転旋盤（図示
せず）にチャック付けされており、その組合せ体が矢印
で示されているように回転される。

ハンドル・チューブは基体チューブと同一の直径を有す
る廉価なガラス・チューブであるが、得られる光導波体
の一部分を形成するものではなく、省略されてもよい。

加熱手段１６を矢印１８ａおよび１８ｂによって概略的
に示されているように移動せしめることによってホット
ゾーン１４（第２図）がチューブ１０中を移動せしめら
れる。

加熱手段１６は、チューブ１０を包囲した複数のバーナ
のような任意適当な熱源で構成されうる。

複数のガスおよび蒸気供給源に連結された入口チューブ
２０を通じてチューブ１０に反応物が導入される。

第１図では、流量計がＦという文字を囲んだ円で表わさ
れている。

酸素供給源２２は流量計２４によって入口チューブ２０
に連結され、さらに流量計２６．２８および３０によっ
て溜め３２．３４および３６にそれぞれ連結されている
。

三フッ化ホウ素供給源３８は流量計４０によってチュー
ブ２０に連結されている。

溜め３２，３４および３６は通常液体の反応物材料を含
んでおり、それらの反応物材料は、それらに酸素または
その他の適当なキャリア・ガスを泡だでながら送り込む
ことによりチューブ１０内に導入される。

排出材料は排気チューブ１２を通って排気される。

図示されてはいないが、流量を計量するためおよび組成
についての他の必要な調節を行なうために混合弁と遮断
弁とよりなる機構が利用されうる。

バーナ１６は最初に、反応物の流れ方向と同じ方向の矢
印１８ｂで示された方向にチューブ１０に対して低い速
度で移動する。

反応物が熱い帯域１４で反応してすす即ち粒状酸化物材
料の粉末状懸濁を生じ、その懸濁は移動ガスによってチ
ューブ１０の領域４２まで下流に搬送される。

一般に、蒸気流内に生成される反応生成物の２０％と７
０％との間で所望のガラス組成を有するすすが生じ、そ
のすすが基体表面上に沈積される。

ホットゾーン１４から上流におけるチューブ１０の領域
４６には実質的にすすが形成されないことがわかる。

バーナ１６が矢印１８ｂの方向に移動し続けると、ホッ
トゾーン１４は下流に移動してすすの蓄積４４の一部分
がそのホットゾーン内に延入し、それによって融合合体
せしめられて一体的な均質のガラス層４８を形成する。

温度、流量、反応物等のようなプロセス・パラメータは
プロシーディンゲス・オブ・ジ・アイ・イー・イー・イ
ー（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ
）１２８０（１９７４）に掲載されたジエイ・ビー・マ
ツクチェスニイ（Ｊ 、 ＢｏＭａｃＣｈｅｓｎｅｙ
）ほかによる論文およびＡｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓ
１５ （１９７６）におけるＷ、 Ｇ、 Ｆ ｒｅｎ
ｃｈほかによる論文に記載されている。

また、ジョン・ウイリイ・アンド・サンズ・インコーホ
レイテッド（Ｊ ｏｈｎ Ｗｉ ｌｅｙ ａｎｄＳｏｎ
ｓ、Ｉｎｃ、） （１９６６）発行シー・エフ・ポウエ
ル（Ｃ，Ｆ、 Ｐｏｗｅｌｌ ）ほか編集の「蒸着」（
ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）という題名の教科
書をも参照する。

バーナ１６が排気チューブ１２に隣接したチューブ１０
の端部に到達すると、炎の温度が低下し、そしてバーナ
１６は矢印１８ａの方向にチューブ１０の入口端に復帰
する。

然る後、上述した態様でチューブ１０内にガラス質材料
の付加的な層が沈積される。

光導波体フィラメントの外被および（または）基材料と
して作用するのに適した層が沈積されて後に、チューブ
１０をつぶすために、このようにして形成されたガラス
素材の温度は高シリカ含有ガラスの場合には約２２００
℃まで上昇される。

このことはホットゾーンの移動速度を低下せしめること
によって実現されうる。

次に、そのガラス素材は、所望の直径を有する光導波体
フィラメントを形成するように、公知の技術に従って引
抜かれうる。

反応の観点からプロセスを最適にするために、高い温度
が利用される。

通常のシリカをベースとした系の場合には、基体壁の温
度は前記ホットゾーンに対応する位置において一般に約
１４００’Ｃと１９００°Ｃとの間に維持される。

指示温度はチューブ外表面に焦点を合わされた放射パイ
ロメータによって測定された温度である。

沈積速度を制限する要因の１つは、透明なガラス層を形
成するために沈積されたすすを焼結する速度である。

一定の組成のガラスが沈積されるためには、ホットゾー
ンの幅、そのホットゾーンのピーク温度およびバーナの
移動速度の最適組合せを用いて焼結されうるガラスの最
大層厚が存在している。

焼結されたガラス層の厚さが異なるチューブ直径に対し
て最大値に維持されるならば、表面積が増大したことに
基因して、沈積速度は理論的にはチューブの内径に比例
して増大するはずである。

しかしながら、反応物蒸気系の流れ力学およびすす粒子
力学の性質に基因して、基体チューブに沈積する生成さ
れたすすの割合はチューブ直径の増大にともなって減少
し、それによって沈積速度の実効的な低下が生ぜしめら
れる。

本発明によれば、ホットゾーン内における基体チューブ
の壁に隣接した環状のチャンネルに閉じ込められる。

この目的のために、第３図に示されているように、反応
物が導入される基体チューブ５２の端部にガス供給チュ
ーブ５０の一部分が延入する。

チューブ５２内におけるチューブ５２のその部分は熱源
５６を移動せしめることによって生ぜしめられたホット
ゾーンの直前において終端する。

チューブ５０は、破線５８によって表わされた手段によ
りバーナ５６に機械的に結合され、そのチューブ５０が
確実にホットゾーン５４より上流の適切な距離に維持さ
れるようになされる。

あるいは、熱源とガス供給チューブとは固定され、回転
基体チューブ５２が移動されるようになされてもよい。

チューブ５２の入口端は折りたたみ可能な部材６０によ
ってチューブ５０に連結されており、この部材６０とチ
ューブ５２との間には回転シール６２が配置されている
。

ホットゾーンとチューブ５２の隣接領域の横断面図であ
るところの第４図に示されているように、チューブ５０
から出て来たガスはチューブ５０および５２間において
矢印の方向に流動する反応物に対して効果的なマンドレ
ルまたは障壁を提供し、それによってこれらの反応物を
ホットゾーン５４におけるチューブ５２の壁に隣接した
環状チャンネルに閉じ込める。

ホットゾーン５４より下流のある距離のところで、チュ
ーブ５０からのガスがホットゾーンに形成されたすすに
対する障壁として作用し続け、それによってすすがチュ
ーブ５２の壁土に４４′で示されているように沈積する
確率を高めることになる。

第５図における破線６６はチューブ５０から出て来たガ
スとホットゾーン５４に流入した反応物蒸気との間の境
界を表わしている。

チューブ５０によってホットゾーンに供給されるガスは
、結果的に得られる光導波体プレフォームに対して悪影
響を及ぼすことのない任意のガスでありうる。

そのようなガスとしては酸素が好ましい。

なぜならば、酸素はその要件を満足するしかつ比較的廉
価であるからである。

あるいは例えばアルゴン、ヘリウム、窒素等のような他
のガスを用いてもよい。

第４図に示されているように、チューブ５０の端部は、
その上におけるすすの沈積を防止するのに十分なだけ大
きくなければならない距離Ｘだけホットゾーンから分離
されている。

その距離Ｘはバーナの幅およびホットゾーンの温度のよ
うなパラメータに依存して変化するであろう。

チューブ５０および５２の外径がそれぞれ２０ミリメー
トルおよび３８ミリメートルであり、かつそれらの壁厚
がそれぞれ１．６ミリメードルおよび２ミリメートルで
ある沈積系に対して次のような知見がなされた。

直径４５ミリメートルの円の中にバーナ・フェース・オ
リフィスが配置された。

この系において、距離Ｘが約１３ミリメートルであれば
チューブ５０上にすすが沈積することが認められた。

ガス供給またはバッフル・チューブ５０中を流れるガス
と反応物蒸気流との混合はバッフル・チューブ５０から
の長手方向の距離にともなって増大する。

チューブ５２の壁に近接した環状の領域に反応物蒸気を
制限することによる利益は、距離Ｘを約１５センチメー
トルまでとした場合に得られうる。

距離Ｘが２５〜７５ミリメートルの範囲内にある場合に
最良の結果が得られる。

チューブ５０の寸法および形状は、ホットゾーンとそれ
のすぐ下流における領域に実質的に層状の流れが存在す
るようなものでなければならない。

チューブ５０によって乱流が生ぜしめられると、それが
すす粒子を拾い上げてそれを排気チューブまで下流に持
ち運ぶことになる。

第１図および第２図に関連して上述した従来の沈積方法
においては、チューブ直径が予め定められた大きさ以上
に大きくなると、沈積効率が低下する。

一般に、チューブ直径の増大にともなう沈積速度の上昇
はチューブ直径を約３０ミリメートルまで増大せしめる
ことによって実現されうる。

しかしながら、３０ミリメートルより大きい直径を有す
るチューブの場合には、沈積効率が低下して、沈積速度
をさらに上昇せしめることは困難となる。

しかしながら、バッフル・チューブを用いれば、反応物
蒸気が基体チューブ５２の内表面からの一定距離に制限
されるから、基体チューブの直径に関係なく最適沈積効
率が得られる。

外側のチューブ５２の最大寸法は、光導波体プレフォー
ムを形成するように内部の穴が閉塞されうる寸法チュー
ブのような観点によって制限される。

バッフル・チューブ５０および基体チューブ５２の壁厚
は通常比較的小さい値即ち数ミリメートルに維持される
。

第３図および第４図に示されているような円筒状のバッ
フル・チューブは容易に製造できかつ不当に大きい乱流
を導入することなしに基体チューブのホットゾーンにガ
スの体またはマンドレルを供給する機能を十分に発揮す
るものであることが認められた。

この機能を発揮するためには第６図に示されているよう
な他の形状を用いることもできる。

チューブ７０からのガス流の方向が矢印７２で示されて
いる。

沈積速度および能率の改善を示すために、バッフル・チ
ューブ５０を有する場合と有しない場合との双方の場合
に、他のすべてのプロセス・パラメータを変更すること
なしに、沈積装置が動作された。

第１図に示された装置に類似した装置が反応物流を供給
するために用いられたが、１個の溜め３２だけが用いら
れた。

約２．５ｇ７分５ｉＣ４の流れを与えるように３５℃に
維持されたＳ ｉ ＣＡ’４を含んだ溜め３２中に酸素
が流動せしめられる。

ＢＣｌ３の流速は９２ＳＣｃｒｒＬであり、流量計２４
を通る酸素の流量は２．４５１ｍであった。

基体チューブは外径３８ミ・□リメートル、壁厚２ミリ
メートルのホウケイ酸塩ガラスチューブであった。

約１４重量％Ｂ２Ｏ３および８６重量％５１０２の組成
を有するホウケイ酸ガラスが沈積された。

Ｓ ｉ ＣＡ’４およびＢＣｌ３の流速から酸化物の産
出速度が計算されて０．８５，９／分Ｓ ｔ ０２およ
び０．２’ｌ／分Ｂ２Ｏ３となった。

バッフル・チューブを用いない場合には、沈積速度は０
．２５１ｇ／分Ｓ ｔ ０２であり、沈積効率は２６．
２％であった。

次に、上記の系統は２０骨螢ミリメートルの外径と１．
６ミリメードルの壁厚を有する溶融シリカ・バッフルチ
ューブを付加することによって修正された。

バッフル・チューブの端部はホットゾーンの中心から５
０ミリメートルの距離だけ離間された。

バッフル・チューブを用いることによって、沈積速度は
０．２５１，９７分から０．４５１ｇ／分に上昇し、効
率は２６．２％から４３．２％に上昇した。

表Ｉはプロセス・パラメータを変化した場合の沈積速度
および効率に対する影響を示している。

この表の例１〜６の場合には、基体チューブは２ミリメ
ートルの壁厚を有する外径３８ミリメートルのホウケイ
酸塩チューブで形成されたものであり、バッフル・チュ
ーブは１．６ミｌＪメートルの壁厚を有する外径２０ミ
リメートルの溶融シリカ・チューブで形成されたもので
あった。

これらの実験の過程において、複数のガラス層が上述の
態様で基体チューブ内に沈積された。

１０〜３０の層が沈積されて後に、基体チューブが破壊
され、そして各層の厚さが顕微鏡下で測定された。

その層厚から沈積速度が計算され、かつ１００％酸化物
に変換されたと仮定して、ｇ／分で表わされた沈積速度
をチューブに入るすすの全質量流れで割ったものとして
沈積効率が定義された。

このようにして得られた結果のうち最良のものは、沈積
速度が０．６９１ｇ／分で、効率が４０．３％であった
。

本発明の方法によってグレイデッド・インテックス（ｇ
ｒａｄｅｄ １ｎｄｅｘ ）型光導波体フィラメントを
製造する特定の実施例は次のごとくである。

外径が３８ミリメートルで、壁厚が２ミリメートルの市
販品質のホウケイ酸塩ガラスよりなるチューブが、フッ
化水素酸、脱イオン水およびアルコールに順次浸漬され
て清浄化された。

この基体チューブは長さが約１２０センチメートルであ
って、それは長さ９０センチメートル、外径６５ミリメ
ートルの排気チューブに一端を、そしてその基体チュー
ブと同一の直径および壁厚を有する長さ６０センチメー
トルのハンドル・チューブに他端をそれぞれ取付けられ
る。

これらのチューブの組合せ体は、各チューブが回転可能
に支持されるようにして旋盤に挿入される。

ハンドル・チューブの自由端には回転シールが設けられ
ていて、その回転シールには、外径が２０ミリメートル
、壁厚が１．６ミリメードルの溶融シリカ・バッフル・
チューブの１８０センチメートル長の部分が挿通される
。

バッフル・チューブは、それの長さに沿った異なる２つ
の点において、バーナと一緒に移動する支持体上に支持
される。

バーナは２５センチメートル／分の速度で基体チューブ
の１００センチメートル長だけ移動する。

そのバーナは基体チユーブの外表面において１８００℃
の沈積温度を与えるように調節される。

バーナが移動している間にガラスの層が沈積されるわけ
であるが、バーナがその移動の終端に達すると、それは
１００センチメートル／分の速度で出発点に復帰する。

酸素が２．５５１ｍの速度でバッフル・チューブに流入
する。

それぞれＳ ｉＣｌ＋、ＧｅＣＡ’４およびＰＯＣｌ３
の入った３つの溜めが設けられ、これらの溜めは３２℃
の温度に維持される。

酸素が第１および第３の溜め中をそれぞれ０．３１ｐｍ
および０．５６１ｐｍの速度で流動して、全沈積工程の
あいだに２．Ｏ９１分ＳｉＣ＃、および０．１７５ｊｉ
／分ＰＯＣｌ３が基体チューブに供給される。

酸素が第２の溜めに供給される速度はＯＡ？ｐｍから０
．７１３ｐｍまで直線的に増大し、従って、バーナが５
０回通過するあいだにＯとＬ５ｉ／分のあいだの量だけ
Ｇｅ Ｃ１４が基体チューブに供給される。

即ち、基体チューブに沿ったバーナの最初の通過時には
、基体チューブにはＧｅ Ｃ１４は供給されないが、そ
れの量は、バーナの最後の通過時に２．０ｇ１分ＧｅＣ
ｌ４が基体チューブに供給されるまで、バーナの他の通
過時に直線的に増大される。

ＢＣ７１？３は１５５（Ｊ７！の一定速度で基体チュー
ブに供給され、バイパス酸素は２．５５１ｍの速度でそ
の基体チューブに供給される。

３時間２０分のあいだにバーナは基体チューブに沿って
５０回通過するが、その時間のあいだに、バーナの移動
速度は２．５センチメートル／分まで低下し、温度は基
体チューブの外表面において約２２００℃まで上昇する
。

これによって基体チューブがつぶされて中まで密の横断
面を有する光導波体プレフォームとなされる。

このプレフォームの使用可能な長さは約８４センチメー
トルである。

沈積速度は約０．６８，９７分であり、平均沈積効率は
約３９．５％である。

次に、上述のごとくして得られたプレフォームまたは素
材は、それの材料が引抜きのために十分低い粘度を有す
るようになる温度（約２０００℃）に加熱される。

この構造物が引抜かれて約１１０μｍの外径を有する光
導波体フィラメントが約２５キロメートル形威される。

以上本発明の特定の実施例につき説明したが、本発明は
それに限定されるものではなく、本発明の精神および特
許請求の範囲を逸脱することなしに種々の変形変更が可
能であり、それらの変形変更も本発明に属するものであ
ることを理解すべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図はチューブ内にガラス層を沈積せしめるための装
置を示す概略図、第２図は第１図に示されたチューブの
一部分を示し処理に観察される状態を示す図、第３図は
本発明に従って沈積工程を実施するのに適した装置を示
す概略図、第４図および第５図は本発明の装置の横断面
図であって処理時に発生する状態を示す図、第６図は本
発明の装置において用いられうる変形されたバッフル・
チューブの端部を示す図であり、これらの図面において
、８はハンドル・チューブ、１０は基体チューブ、１２
は排気チューブ、１４はホットゾーン、１６はバーナ、
２０は入口チューブ、２２は酸素供給源、２６〜３０．
４０は流量計、３２〜３６は溜め、４４はすす蓄積、４
８はガラス層、５０はガス供給チューブ（バッフル・チ
ューブ）、５２は基体チューブ、５６は熱源、５６はバ
ーナ、５４はホットゾーン、６２は回転シールである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 細長い中空の円筒状基体チューブ中にガラス形成用
   蒸気混合物を流動せしめ、前記チューブとそれに導入さ
   れた蒸気混合物を熱源でもって加熱し、該熱源を前記チ
   ューブに関して長手方向に移動せしめて該チューブ内に
   ホットゾーンを確立せしめ、該ホットゾーン内に少なく
   とも一部分が下流に移行する粒状物質の懸濁を生ぜしめ
   、該懸濁の少なくとも一部分をして前記チューブの内表
   面上に休止せしめて該内表面上に沈積を形成せしめるこ
   とを含む光学的ガラス製品の製造方法において、前記光
   学的ガラス製品の特性に悪影響を及ぼすことのないガス
   流を、前記チューブの前記ホットゾーンにおいて該チュ
   ーブの軸線方向領域を通って流動せしめて前記蒸気混合
   物の流れを前記チューブ内表面に隣接するようにして該
   チューブの長手方向軸線から離間された環状のチャンネ
   ルに閉じ込め、而して前記蒸気混合物の反応の沈積効率
   を増大せしめることを特徴とする光学的ガラス製品を製
   造するための方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の光学的製品を製造する
   ための方法において、他のチューブを前記基体チューブ
   内にそれと同軸関係をもって挿入することにより前記環
   状のチャンネルを形成せしめ、該挿通されたチューブの
   出口端を前記ホットゾーンの手前で終端せしめかつ該ホ
   ットゾーンと同期して移動せしめ、前記ガスの流れを前
   記ホットゾーンに隣接した前記挿入されたチューブの端
   部から放出せしめる前記光学的ガラス製品を製造するた
   めの方法。 ３ 特許請求の範囲第１項または第２項記載の光学的ガ
   ラス製品を製造するための方法において、前記ガスの流
   れとして酸素を用いる前記光学的ガラス製品を製造する
   ための方法。 ４ 特許請求の範囲第１項乃至第３項のうちの１つに記
   載された光学的ガラス製品を製造するための方法におい
   て、前記基体チューブをそれの穴を閉塞せしめるのに十
   分に高い温度に加熱して引抜き素材の形態としてガラス
   製品を形成する前記光学的ガラス製品を製造するための
   方法。 ５ 特許請求の範囲第４項記載の光学的ガラス製品を製
   造するための方法において、前記引抜き素材をそれの材
   料の引抜き温度に加熱し、該素材を引抜いて光導波体フ
   ィラメントを形成する前記光学的ガラス製品を製造する
   ための方法。 ６ 引抜かれて光フィラメントとなされうる光学的ガラ
   スプレフォームを中空の円筒状基体チューブで製造する
   ために、適当に支持された円筒状の基体チューブの軸線
   方向部分を加熱してそのチューブ内にホットゾーンを形
   成するための加熱手段と、該加熱手段と前記基体チュー
   ブとの間に相対的な長手方向運動を与えるための手段と
   、蒸気混合物の移動流を前記基体チューブの一端に導入
   せしめるための手段とを有し、前記蒸気混合物が前記ホ
   ットゾーン内において反応して粒状材料の懸濁を形成し
   得、該懸濁は下流に移行し、そこで該懸濁の少なくとも
   一部分が前記基体チューブの内表面上に休止するように
   なされた光学的ガラス製品の製造装置において、前記基
   体チューブの前記ホットゾーンにおいて該基体チューブ
   の軸線方向の領域を通って流動せしめ、前記ガスが前記
   蒸気混合物の流れを前記ホットゾーンにおける基体チュ
   ーブの内壁に隣接した環状のチャンネルに閉じ込め、而
   して前記蒸気混合物の反応を前記基体チューブの壁に隣
   接した環状の領域に実質的に閉じ込めるようにする手段
   ５０を具備していることを特徴とする光学的ガラス製品
   を製造するための装置。 ７ 特許請求の範囲第６項記載の光学的ガラス製品を製
   造するための装置において、前記ガス流を流動せしめる
   ための手段が、前記円筒状基体チューブの前記一端に配
   置されかつ一端を該基体チューブの前記ホットゾーンの
   近傍で終端せしめられた他のチューブ５０と、該チュー
   ブを前記加熱手段５６の運動に同期して前記基体チュー
   ブ５２に対して長手方向に移動せしめるための手段５８
   とよりなり、前記ガス流が前記チューブ５０の前記一端
   から放出されるようになされた前記光学的ガラス製品を
   製造するための装置。 ８ 特許請求の範囲第７項記載の光学的ガラス製品を製
   造するための装置において、前記ガス流として酸素が用
   いられる前記光学的ガラス製品を製造するための装置。