JPS5848908A - 表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法 - Google Patents
表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法Info
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- JPS5848908A JPS5848908A JP56148646A JP14864681A JPS5848908A JP S5848908 A JPS5848908 A JP S5848908A JP 56148646 A JP56148646 A JP 56148646A JP 14864681 A JP14864681 A JP 14864681A JP S5848908 A JPS5848908 A JP S5848908A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明けＢａＴｉ○３Ｌ ｎ ２／３ Ｔ １Ｏ３−系
固溶体（ただし、Ｌｎｆｆ希土類元素ンにＣｒ 、Ｍｎ
、 Ｆｅ 。
固溶体（ただし、Ｌｎｆｆ希土類元素ンにＣｒ 、Ｍｎ
、 Ｆｅ 。
Ｃｏ、およびＮｉの各酸化物のうち一つ以上を添加従来
、表面誘電体層型半導体磁器コンデンサに関（、てｕ、
ＢａＴｉ０−Ｌａ ０−Ｔｉｅ２系ｆｌｉ（溶体３
２３ 組成物、およびこの固溶体にＭｎ酸化物を添加含有させ
た組成物が知られており（特公昭５１−４４７３８号公
報）、この磁器コンデンサでは面積容量が０．２７ ｐ
ＦＡｙｆ ＋’破壊電圧７５；８００Ｖ（７）特性が
イ！ｌｌ−１ねでいる。
、表面誘電体層型半導体磁器コンデンサに関（、てｕ、
ＢａＴｉ０−Ｌａ ０−Ｔｉｅ２系ｆｌｉ（溶体３
２３ 組成物、およびこの固溶体にＭｎ酸化物を添加含有させ
た組成物が知られており（特公昭５１−４４７３８号公
報）、この磁器コンデンサでは面積容量が０．２７ ｐ
ＦＡｙｆ ＋’破壊電圧７５；８００Ｖ（７）特性が
イ！ｌｌ−１ねでいる。
最近、磁器コンデンサに対して小型大容量が強く要望さ
１１でおり、さらに面積容量の大きい材料が要望されて
いる。しかし、一般に表面誘電体層型半導体コンデンサ
は表面層のごく薄い誘電体層を利用しているため、電圧
印加による静電容量および絶縁抵抗の減少がみられるこ
とがあり、この場合、低い使用電圧に限定されてしまう
。しだがって、要望される材料は、面積容量が大きく、
かつ、容量の電圧依存性の少ないものが望ましい。
１１でおり、さらに面積容量の大きい材料が要望されて
いる。しかし、一般に表面誘電体層型半導体コンデンサ
は表面層のごく薄い誘電体層を利用しているため、電圧
印加による静電容量および絶縁抵抗の減少がみられるこ
とがあり、この場合、低い使用電圧に限定されてしまう
。しだがって、要望される材料は、面積容量が大きく、
かつ、容量の電圧依存性の少ないものが望ましい。
本発明の目的は面積容量が６．１μＦ／ｃｍ以上、絶縁
破壊電圧が５ｏｏＶ以上の特性を同時に満し、さらに面
積容量の電圧依存性の小さいコンデンサ素子を提供する
ことにあり、特に固溶体の最適組成比（希土類元素Ｌｎ
の最適含有量）、最適製造処理条件を選んだ場合には少
なくとも０．２７μＦ／ｃｒ１以上の面積容量をもつコ
ンデンサ素子を提供することにある。
破壊電圧が５ｏｏＶ以上の特性を同時に満し、さらに面
積容量の電圧依存性の小さいコンデンサ素子を提供する
ことにあり、特に固溶体の最適組成比（希土類元素Ｌｎ
の最適含有量）、最適製造処理条件を選んだ場合には少
なくとも０．２７μＦ／ｃｒ１以上の面積容量をもつコ
ンデンサ素子を提供することにある。
発明者らはＢ ａ Ｔ ｓ Ｏ３Ｌ ｎ ２／３ Ｔ
ｔ Ｏ３未固溶体について、Ｌｎの種類（Ｌａ 、 Ｃ
ｏ 、 Ｐｒ 、 Ｎｄ 、 Ｓｍ。
ｔ Ｏ３未固溶体について、Ｌｎの種類（Ｌａ 、 Ｃ
ｏ 、 Ｐｒ 、 Ｎｄ 、 Ｓｍ。
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ）、固溶体の組成比を検討した結果、
それぞれの希土類元素Ｌｎについて最適組成比が存在し
、はぼ共通した最適製造処理条件が存在することがわか
った。さらに、Ｌｎの最適組成比および最適製造処理条
件において、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ。
それぞれの希土類元素Ｌｎについて最適組成比が存在し
、はぼ共通した最適製造処理条件が存在することがわか
った。さらに、Ｌｎの最適組成比および最適製造処理条
件において、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ。
し
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙのそれぞれを使用→たときに得られる
コンデンサ素子の面積容量が、Ｌａの場合の面積容量０
．２７ ｐ Ｆ／ｃｒＩｌ（絶縁破壊電圧８００Ｖ）に
比較してそれぞれ１．６倍、２倍、２倍、１．８倍。
コンデンサ素子の面積容量が、Ｌａの場合の面積容量０
．２７ ｐ Ｆ／ｃｒＩｌ（絶縁破壊電圧８００Ｖ）に
比較してそれぞれ１．６倍、２倍、２倍、１．８倍。
１．６倍、１．３倍（なお絶縁破壊電圧は７６０〜８６
０■のレベル）Ｋなることを発見した。ただし、ＣＱの
場合の面積容量はＬａの場合に比較してむしろ小さかっ
た。さらに市販の安価な工業用原料である粗・酸化ネオ
ジウム（Ｎｄ ６６．６％、Ｐｒ２７．１％。
０■のレベル）Ｋなることを発見した。ただし、ＣＱの
場合の面積容量はＬａの場合に比較してむしろ小さかっ
た。さらに市販の安価な工業用原料である粗・酸化ネオ
ジウム（Ｎｄ ６６．６％、Ｐｒ２７．１％。
Ｌａ ５．１２１．ｓｍ １．１６％、ＣＱ Ｏ，０１
％、その他００１チ） を使用したときの面積容量はＬ
ａＯ場合の面積容量に比較してやはり約２倍になること
を見出した。たとえば単位面積幽りの容量が０．６８１
ｔＦ、／ｃｍ＋電気絶縁破壊電圧＜Ｖ、ン８２０ｖの特
性をわ もつコンデンサが得られた〇 一般に、表面誘電体層型半導体磁器は、チタン酸イＳリ
ウム（ＢａＴｉｏ３）とチタン酸希土類（Ｌｎ２／／３
Ｔ ｔ ０３．ただしＬｎは希土類元素）との２成分系
固溶体を基体とし、それぞれの成分比を（１−ｘ）対Ｘ
とすると、この固溶体は（Ｂ ａ １’ ｘＬ ｎ ２
工／３０ｘ／３）Ｔ１０３なる化学式で表わされる。こ
の固ｍ体はペロプスカイト型構造のＢａ位置に電気的中
性の格子欠陥を持っているのが特徴である。この中性格
子欠陥は、固溶させた希土類元素Ｌｎ。
％、その他００１チ） を使用したときの面積容量はＬ
ａＯ場合の面積容量に比較してやはり約２倍になること
を見出した。たとえば単位面積幽りの容量が０．６８１
ｔＦ、／ｃｍ＋電気絶縁破壊電圧＜Ｖ、ン８２０ｖの特
性をわ もつコンデンサが得られた〇 一般に、表面誘電体層型半導体磁器は、チタン酸イＳリ
ウム（ＢａＴｉｏ３）とチタン酸希土類（Ｌｎ２／／３
Ｔ ｔ ０３．ただしＬｎは希土類元素）との２成分系
固溶体を基体とし、それぞれの成分比を（１−ｘ）対Ｘ
とすると、この固溶体は（Ｂ ａ １’ ｘＬ ｎ ２
工／３０ｘ／３）Ｔ１０３なる化学式で表わされる。こ
の固ｍ体はペロプスカイト型構造のＢａ位置に電気的中
性の格子欠陥を持っているのが特徴である。この中性格
子欠陥は、固溶させた希土類元素Ｌｎ。
量（２ｘ／３）の半分の量（ｘ／３）だけ常に生成する
。この中性格子欠陥は高温での酸素イオン空孔の生成を
容易にし、したがって酸素イオンの体積拡散を促進する
いちぢるしい効果を持っている。
。この中性格子欠陥は高温での酸素イオン空孔の生成を
容易にし、したがって酸素イオンの体積拡散を促進する
いちぢるしい効果を持っている。
したがって、このようなりａ位置に中性格子欠陥を持っ
たペロプスカイト型構造固溶体は、次のような特徴を持
つ。
たペロプスカイト型構造固溶体は、次のような特徴を持
つ。
（１）焼結性がよく、緻密な磁器が得られる。
（２）粒子内部の酸化還元速度は粒界の酸化還元速度と
同程度に大きい。
同程度に大きい。
特に（２）の効果は、半導体磁器の表面全域に誘電体層
が形成されている本発明の表面誘電体層型半導体磁器を
作製する上に不可欠である。また（１）の効果は表面誘
電体層の絶縁破壊電圧を高める上に重要である。
が形成されている本発明の表面誘電体層型半導体磁器を
作製する上に不可欠である。また（１）の効果は表面誘
電体層の絶縁破壊電圧を高める上に重要である。
このように、重要なりａ位置中性格子欠陥をベプ“
ロ→スカイト型固溶体中に導入するには、（１−ｘ）Ｂ
ａ Ｔ ｘ Ｏｓ ｘ Ｌ ｎ ２／３０、／３Ｔ
ｉ４＋０３の組成からなる固溶体粉末を焼結させる場合
、それを酸化性雰囲気中で行なうことが必須条件となる
。もしも還元性雰囲気中で焼結させると、上記組成物は
（Ｂａ１−２ｙ／３２ｙ／３）Ｔ１３＋２ｙ／３０３の
固溶ａ 体と少量のＴ ｉ０２との２成分にな゛す、しかもこの
生成した固溶体はＢａ位置中性格子欠陥を持っていない
。したがって、この固溶体では酸素イオン空孔が生じに
くく、故に粒子内部での酸化還元速度が遅く、本発明の
目的である表面誘電体層型半導体磁器を得るには不適当
である。
ａ Ｔ ｘ Ｏｓ ｘ Ｌ ｎ ２／３０、／３Ｔ
ｉ４＋０３の組成からなる固溶体粉末を焼結させる場合
、それを酸化性雰囲気中で行なうことが必須条件となる
。もしも還元性雰囲気中で焼結させると、上記組成物は
（Ｂａ１−２ｙ／３２ｙ／３）Ｔ１３＋２ｙ／３０３の
固溶ａ 体と少量のＴ ｉ０２との２成分にな゛す、しかもこの
生成した固溶体はＢａ位置中性格子欠陥を持っていない
。したがって、この固溶体では酸素イオン空孔が生じに
くく、故に粒子内部での酸化還元速度が遅く、本発明の
目的である表面誘電体層型半導体磁器を得るには不適当
である。
酸化性雰囲気中たとえば空気中において１２５０℃以上
の温度で焼結させて得られたＢａ位置中性欠陥を持った
固溶体からなる誘電体磁器の誘電率の温度変化を測定す
ると、Ｌｎの量によってキュリ一点が低ｉｌ （ｔｉｌ
ｌに移動するとともに、キーリ一点での誘電率（ε。）
の大きさも変化する。この挙動は希土類元素の種類によ
って異なる。各希土類元素を用いて、キーリ一点をたと
えば室温（２６℃ンに移動させたときのε。の値を第１
表に示す。
の温度で焼結させて得られたＢａ位置中性欠陥を持った
固溶体からなる誘電体磁器の誘電率の温度変化を測定す
ると、Ｌｎの量によってキュリ一点が低ｉｌ （ｔｉｌ
ｌに移動するとともに、キーリ一点での誘電率（ε。）
の大きさも変化する。この挙動は希土類元素の種類によ
って異なる。各希土類元素を用いて、キーリ一点をたと
えば室温（２６℃ンに移動させたときのε。の値を第１
表に示す。
第１表
（１−ｘ）ＢａＴｉＯ−ｘＬｎ２／３ＴｔＯ３（Ｌｎは
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ。
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ。
Ｄｙ） 系固溶体からなる誘電体磁器のキュリ一点を
室温（２６℃）まで移動させるに必要な固溶量Ｉと、そ
の時のキュリ一点での誘電率（εＣ）。
室温（２６℃）まで移動させるに必要な固溶量Ｉと、そ
の時のキュリ一点での誘電率（εＣ）。
たとえＩｄ、 Ｌ ａの場合、２５℃ キュリ一点での
ε。
ε。
が８ｏ００であるのに対して、Ｎｄの場合のε。は１５
０００である。これが、表面誘電体層の厚みがほぼ一定
とした場合にＮｄ含有固溶体がＬａ含有固溶体に比べて
表面誘電体層型半導体コンデンサの面積容量が約２倍に
なる理由の一つである。ここで１２５０’Ｃよりも低い
温度では、これらの固溶体は十分Ｖζ焼結せず、不適当
であり、また、１４６０℃以上の・温度での焼結は試料
量の融着、変形などが起るため製造上不適当である。
０００である。これが、表面誘電体層の厚みがほぼ一定
とした場合にＮｄ含有固溶体がＬａ含有固溶体に比べて
表面誘電体層型半導体コンデンサの面積容量が約２倍に
なる理由の一つである。ここで１２５０’Ｃよりも低い
温度では、これらの固溶体は十分Ｖζ焼結せず、不適当
であり、また、１４６０℃以上の・温度での焼結は試料
量の融着、変形などが起るため製造上不適当である。
次に、このような１２６０℃以上で過燐酸を生じない温
度で酸化性雰囲気中（空気中）にて焼結させた誘電体磁
器を還元性雰囲気中において９００Ｓ−１２００℃の範
囲内の温度で加熱処理すると、酸素イオン空孔型半導体
磁器が得られる。この半導性固溶体の化学組成は（Ｂａ
、−ｘＬｎ２ｘ／３Ｕ３Ｘ／３）ＴｉＯ２−δａで表わ
される。ここで、１２５０℃より高い温度での加熱処理
は、Ｔｉ の生成、Ｂａ位置中性格子欠陥の減少が起
るので、好ましくない。また、９００℃より低い温度で
の加熱処理は、導電性を与える酸素イオン空孔（ロ）の
生成が少なく、磁器が半導体化しないので、好ましくな
い。
度で酸化性雰囲気中（空気中）にて焼結させた誘電体磁
器を還元性雰囲気中において９００Ｓ−１２００℃の範
囲内の温度で加熱処理すると、酸素イオン空孔型半導体
磁器が得られる。この半導性固溶体の化学組成は（Ｂａ
、−ｘＬｎ２ｘ／３Ｕ３Ｘ／３）ＴｉＯ２−δａで表わ
される。ここで、１２５０℃より高い温度での加熱処理
は、Ｔｉ の生成、Ｂａ位置中性格子欠陥の減少が起
るので、好ましくない。また、９００℃より低い温度で
の加熱処理は、導電性を与える酸素イオン空孔（ロ）の
生成が少なく、磁器が半導体化しないので、好ましくな
い。
したがって、」−記誘電体磁器を９００〜１２６０１：
の範囲内の温度で３０分以上加熱処理すると、磁器内部
まで一様に半導体化する。
の範囲内の温度で３０分以上加熱処理すると、磁器内部
まで一様に半導体化する。
次に１このようにして得られた酸素イオン空孔型半導体
磁器を、酸化性雰囲気中において８ｏＯ〜１２００℃の
範囲内の温度で加熱処理する。このとき、酸素イオン空
孔型半導体磁器の表面から順次酸化されて誘電体になっ
て行く。この酸素イオン空孔型半導体磁器の表面に形成
される誘電体層の厚みは、酸化性雰囲気中の加熱処理の
温度と時間に依存する。たとえば０．９２ＢａＴ ｔｏ
３−ｏ、ｏｓ（Ｎ ｄ ｏ、 ７Ｐ ｒ ｏ、 ３）
２／３ Ｔ １０３磁器を１０００’Ｃで１時間酸素気
流中において熱処理すると、その誘電体層の厚みは１４
μｍ程度になる。＠度か高い程、また熱処理時間が長い
程、この厚みは増加する。
磁器を、酸化性雰囲気中において８ｏＯ〜１２００℃の
範囲内の温度で加熱処理する。このとき、酸素イオン空
孔型半導体磁器の表面から順次酸化されて誘電体になっ
て行く。この酸素イオン空孔型半導体磁器の表面に形成
される誘電体層の厚みは、酸化性雰囲気中の加熱処理の
温度と時間に依存する。たとえば０．９２ＢａＴ ｔｏ
３−ｏ、ｏｓ（Ｎ ｄ ｏ、 ７Ｐ ｒ ｏ、 ３）
２／３ Ｔ １０３磁器を１０００’Ｃで１時間酸素気
流中において熱処理すると、その誘電体層の厚みは１４
μｍ程度になる。＠度か高い程、また熱処理時間が長い
程、この厚みは増加する。
１０００℃よりも高い温度では再酸化が進みすぎて、誘
電体層が厚くなりすぎる。これによって面積容量がいち
ぢるしく減少するので好ましくない。また、８００℃よ
りも低い温度の熱処理では再酸化速度が遅くなり、処理
時間が長くかかりすぎて量産的でないので好ましくない
。
電体層が厚くなりすぎる。これによって面積容量がいち
ぢるしく減少するので好ましくない。また、８００℃よ
りも低い温度の熱処理では再酸化速度が遅くなり、処理
時間が長くかかりすぎて量産的でないので好ましくない
。
上記の例では、片面で誘電体層の厚みが１４μｍである
から両面では２８μｍの厚みになり、このけのＢａｆ”
ｌ置中性格子欠陥が存在し、この中性格諺 子欠幣が高温での酸素イオン空孔の生成を助け、酸素イ
オンの体積拡散を促進するが、含有Ｌｎ−酸化物量が０
．６７モモルよりも少ないとき、Ｂａ位置中性格子欠陥
量が少なく、酸化還元速度が遅く、製造上好ましくない
（むしろ粒界誘電体層型に近くなる）。捷だ、Ｌｎ−酸
化物の含有量を増して行くと、生成するＢａ位置中性格
子欠陥の量も増加し、酸化還元の速度も速くなる。捷た
、Ｌｎ−酸化物の含有量を増すと、キーリ一点が低温側
ＶＣ移動して、Ｌｎ−酸化物の含有量が２．０６〜２７
４モル％（Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍは２．７４ ％ル％ 。
から両面では２８μｍの厚みになり、このけのＢａｆ”
ｌ置中性格子欠陥が存在し、この中性格諺 子欠幣が高温での酸素イオン空孔の生成を助け、酸素イ
オンの体積拡散を促進するが、含有Ｌｎ−酸化物量が０
．６７モモルよりも少ないとき、Ｂａ位置中性格子欠陥
量が少なく、酸化還元速度が遅く、製造上好ましくない
（むしろ粒界誘電体層型に近くなる）。捷だ、Ｌｎ−酸
化物の含有量を増して行くと、生成するＢａ位置中性格
子欠陥の量も増加し、酸化還元の速度も速くなる。捷た
、Ｌｎ−酸化物の含有量を増すと、キーリ一点が低温側
ＶＣ移動して、Ｌｎ−酸化物の含有量が２．０６〜２７
４モル％（Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍは２．７４ ％ル％ 。
Ｃｅ、Ｅｕは２．４０−ｒニル％ 、 Ｌａ、Ｇｄ、Ｄ
ｙは２．０５モル係）であるときキーリ一点が室温付近
になり、コ（７）とき、ＢａＴｉＯ２−Ｌ ｎ ２／３
Ｔ １０３系固溶体の室温での誘市率は極大を示す０
Ｌｎ−酸化物の含有量が２．０６〜２．７４モモルを越
えると、キュリー果的に低下する。 Ｌｎ−酸化物の含
有量が６．９０モモルよりも多くなると、面積容量がい
ちぢるしく減少し、本発明の目的である０、１μＦ／ｃ
ｔａ以上の面積容量が得られなくなる。
ｙは２．０５モル係）であるときキーリ一点が室温付近
になり、コ（７）とき、ＢａＴｉＯ２−Ｌ ｎ ２／３
Ｔ １０３系固溶体の室温での誘市率は極大を示す０
Ｌｎ−酸化物の含有量が２．０６〜２．７４モモルを越
えると、キュリー果的に低下する。 Ｌｎ−酸化物の含
有量が６．９０モモルよりも多くなると、面積容量がい
ちぢるしく減少し、本発明の目的である０、１μＦ／ｃ
ｔａ以上の面積容量が得られなくなる。
さらに、希土類元素の組成比および製造処理条件が最適
である場合の本発明の目的の一つである面積容量が０．
２７μＦ／ｃｒＡ以上の大きいコンデンサ素子を得るた
めには、ε。（キュリ一点＝２５℃）を小さくするＬａ
、およびＣｅの含有量は希土類元素Ｌｎの全含有量に対
して２ｏ原子チを超えてはならない。すなわち、Ｌａあ
るいはＣｅの含有量がＬｎの全含有量に対して２ｏ原子
゛％を越えると、Ｌｎ−酸化物の含有量が２．０６〜２
．７４モモルの最適組成比範囲の固溶体であっても、ま
た製造処理条件が最適であっても、面積容量０．２７μ
Ｆメ一以上、絶縁破壊電圧５００Ｖ以上のコンデンサを
得ることができなくなるので、好ましくない。
である場合の本発明の目的の一つである面積容量が０．
２７μＦ／ｃｒＡ以上の大きいコンデンサ素子を得るた
めには、ε。（キュリ一点＝２５℃）を小さくするＬａ
、およびＣｅの含有量は希土類元素Ｌｎの全含有量に対
して２ｏ原子チを超えてはならない。すなわち、Ｌａあ
るいはＣｅの含有量がＬｎの全含有量に対して２ｏ原子
゛％を越えると、Ｌｎ−酸化物の含有量が２．０６〜２
．７４モモルの最適組成比範囲の固溶体であっても、ま
た製造処理条件が最適であっても、面積容量０．２７μ
Ｆメ一以上、絶縁破壊電圧５００Ｖ以上のコンデンサを
得ることができなくなるので、好ましくない。
上記Ｂ ａ Ｔ １０ ｓ Ｌ ｎ ２／３ Ｔ ＊
Ｏｓ固溶体にＭｎ。
Ｏｓ固溶体にＭｎ。
Ｆｅ、Ｎｉ、ＣｒおよびＣＯの酸化物の少なくとも一つ
を添加含有させると、誘電体層の固有抵抗が高くなり、
一方、酸素イオン空孔型半導体部分の固有抵抗はほとん
ど変らないので、表面誘電体層型半導体磁器コンデンサ
の誘電損失が小さくなり、°また絶縁破壊電圧が高くな
る。さらに、Ｍｎ酸化物などの添加効果としては、電圧
印加時の面積容量および絶縁抵抗の低下が抑制される。
を添加含有させると、誘電体層の固有抵抗が高くなり、
一方、酸素イオン空孔型半導体部分の固有抵抗はほとん
ど変らないので、表面誘電体層型半導体磁器コンデンサ
の誘電損失が小さくなり、°また絶縁破壊電圧が高くな
る。さらに、Ｍｎ酸化物などの添加効果としては、電圧
印加時の面積容量および絶縁抵抗の低下が抑制される。
また、印加市川を取り去った後の容量の復帰も瞬時に起
こる。したがって、より高い電圧下での使用が可能とな
る。しかしながら、その添加含有量が６原子係を越える
と、酸素イオン空孔型半導体部分の固有抵抗も高くなり
、表面誘電体層型半導体磁器コンデンサの誘電損失、特
に高周波での誘電損失が大きくなるので、好ましくない
。また面積容量もＭｎなどの添加含有量に比例して小さ
くなる傾向ｔ（ある。
こる。したがって、より高い電圧下での使用が可能とな
る。しかしながら、その添加含有量が６原子係を越える
と、酸素イオン空孔型半導体部分の固有抵抗も高くなり
、表面誘電体層型半導体磁器コンデンサの誘電損失、特
に高周波での誘電損失が大きくなるので、好ましくない
。また面積容量もＭｎなどの添加含有量に比例して小さ
くなる傾向ｔ（ある。
また、上記ＢａＴｉ０３−Ｌｎ２／３Ｔｉｏ３固溶体に
Ｓｔの酸化物、たとえばＳ ｉＯ２の形で添加すると、
Ｓｉの添加含有量が０．５〜１．０原子チ程度であれば
焼結時における磁器の緻密化促進がみられ、絶縁破壊電
圧の向上、誘電損失の低減などの効果があるので好まし
いが、その量が原子％を越えると誘電率の低下がいちぢ
るしく、面積容量。、２７μＦ／ｃａｔ 以上の磁器
コンデンサを得ることができなくなるので望ましくない
。
Ｓｔの酸化物、たとえばＳ ｉＯ２の形で添加すると、
Ｓｉの添加含有量が０．５〜１．０原子チ程度であれば
焼結時における磁器の緻密化促進がみられ、絶縁破壊電
圧の向上、誘電損失の低減などの効果があるので好まし
いが、その量が原子％を越えると誘電率の低下がいちぢ
るしく、面積容量。、２７μＦ／ｃａｔ 以上の磁器
コンデンサを得ることができなくなるので望ましくない
。
このように、本発明のかかる表面誘電体層型半導体十磁
器組成物およびその製造方法は、非常に大きい面積容量
（０，１μＦ／ｃ、ｊ 以上）を有し、高５絶縁破壊電
圧（６００Ｖ以上）をもち、面積容量の電圧依存性の小
さい小型大容量化の要望に沿う半導体磁器コンデンサを
提供することができるものである。
器組成物およびその製造方法は、非常に大きい面積容量
（０，１μＦ／ｃ、ｊ 以上）を有し、高５絶縁破壊電
圧（６００Ｖ以上）をもち、面積容量の電圧依存性の小
さい小型大容量化の要望に沿う半導体磁器コンデンサを
提供することができるものである。
以下、実施例をあげて、本発明につき詳細に説明する。
実施例１
市販の工業用原料Ｂ ａ Ｃｏａ粉末（純度９９．９チ
以上） 、 ＴｘＯ２粉末（純度９９．９％以上）、ま
た市販の試薬特級Ｌａ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｐｒ６ｏ４１
．Ｎｄ２ｏ３゜Ｓｍ２ｏ３．Ｅｕ２ｏ３．Ｇｄ２ｏ３．
Ｄｙ２ｏ３の各粉末（純度はいずれも９９．９％以上）
を用い、下記の第２表の組成比になるように配合し、ポ
ットとウレタンボールを用いて湿式混合し、乾燥した後
、１１５０１：の温度で４時間仮焼した。この仮焼物を
？、７？式粉砕し、乾燥した後、ポリビニールアルコー
ル水溶ｇＩｉ、ヲバイ／ダーにして混合し、３２メツシ
ーパスに整粒した。この整粒粉を、直径１３ｍｍ。
以上） 、 ＴｘＯ２粉末（純度９９．９％以上）、ま
た市販の試薬特級Ｌａ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｐｒ６ｏ４１
．Ｎｄ２ｏ３゜Ｓｍ２ｏ３．Ｅｕ２ｏ３．Ｇｄ２ｏ３．
Ｄｙ２ｏ３の各粉末（純度はいずれも９９．９％以上）
を用い、下記の第２表の組成比になるように配合し、ポ
ットとウレタンボールを用いて湿式混合し、乾燥した後
、１１５０１：の温度で４時間仮焼した。この仮焼物を
？、７？式粉砕し、乾燥した後、ポリビニールアルコー
ル水溶ｇＩｉ、ヲバイ／ダーにして混合し、３２メツシ
ーパスに整粒した。この整粒粉を、直径１３ｍｍ。
厚さ０．５ Ｍの円板形に約１トン／ｃｒＡの加圧で成
形し、これらの成形体を空気中において１３００℃の温
度で２時間焼成して、直径約ｉ ０−５ ｃｍ ＋厚み
０．４鴫の円板形誘電体磁器を得た。これらの円板形誘
電体磁器を７５％Ｎ ２−２６％Ｈ２混合ガス気流中に
て１０５０’Ｃの温度で２時間加熱処理して酸素イオン
空孔型半導体串型を得、さらにこれらの酸素イオン空孔
型半導体磁器を酸素気流中において１０００℃の温度で
加熱処理した。
形し、これらの成形体を空気中において１３００℃の温
度で２時間焼成して、直径約ｉ ０−５ ｃｍ ＋厚み
０．４鴫の円板形誘電体磁器を得た。これらの円板形誘
電体磁器を７５％Ｎ ２−２６％Ｈ２混合ガス気流中に
て１０５０’Ｃの温度で２時間加熱処理して酸素イオン
空孔型半導体串型を得、さらにこれらの酸素イオン空孔
型半導体磁器を酸素気流中において１０００℃の温度で
加熱処理した。
（以下余白）
１９
このようにして得られた表面誘電体層型半導体磁器の両
面に、銀電極を焼き付けてコンデンサ素子とし、その単
位面積当りの容量Ｃ（測定周波数１ｋＨｚ）、誘電損失
ｔａｎδ（１ｋＨｚ ） 、絶縁抵抗ＩＲ（測定時の最
大印加電圧：直流６０Ｖ）、絶縁破壊電圧ｖｂｆ：測定
した。、その結果を第３表に示す。
面に、銀電極を焼き付けてコンデンサ素子とし、その単
位面積当りの容量Ｃ（測定周波数１ｋＨｚ）、誘電損失
ｔａｎδ（１ｋＨｚ ） 、絶縁抵抗ＩＲ（測定時の最
大印加電圧：直流６０Ｖ）、絶縁破壊電圧ｖｂｆ：測定
した。、その結果を第３表に示す。
（以下余白）
第 ３ 表
２
米印は比較用試料
０印はＬｎ の最適組成比を示す〇
２３
試料１，１１．２１はＬｎの含有量がいずれも０．６７
モモル未満であり、それぞれの面積容量Ｃはいずれも０
．１μＦ／ｃｎｉ未満と小さいので、本発明の範囲外と
した。また試料９，１９．２９はＬｎの脩有量がいずれ
も６．９０モモルを越えており、それぞれの面積容量Ｃ
はいずれも０．１μＦ／ｃｖｆ采遺と小さいので、本発
明の範囲外とした。一方、試料６４，７４，１６６、お
よび１６８は面積容量がいずれも０．１μＦ／ｃｗｔ以
上あるが、Ｌｎの含有量および製造処理条件は最適であ
るにもかかわらず０．２７μＦ／ｃｎ１以上の面積容量
（絶縁破壊電圧が７６０〜８６０ｖのレベルで）得られ
ないので、本発明の範囲外とした。すなわち、Ｌａある
いはＣｅの含有量が全希土類元素含有量の２０原子チを
越えると（試料１６６．１６８）、本発明の範囲外とな
る。
モモル未満であり、それぞれの面積容量Ｃはいずれも０
．１μＦ／ｃｎｉ未満と小さいので、本発明の範囲外と
した。また試料９，１９．２９はＬｎの脩有量がいずれ
も６．９０モモルを越えており、それぞれの面積容量Ｃ
はいずれも０．１μＦ／ｃｖｆ采遺と小さいので、本発
明の範囲外とした。一方、試料６４，７４，１６６、お
よび１６８は面積容量がいずれも０．１μＦ／ｃｗｔ以
上あるが、Ｌｎの含有量および製造処理条件は最適であ
るにもかかわらず０．２７μＦ／ｃｎ１以上の面積容量
（絶縁破壊電圧が７６０〜８６０ｖのレベルで）得られ
ないので、本発明の範囲外とした。すなわち、Ｌａある
いはＣｅの含有量が全希土類元素含有量の２０原子チを
越えると（試料１６６．１６８）、本発明の範囲外とな
る。
実施例２
実施例１と同様（Ｄ Ｂ ａ Ｃｏ３粉末、 Ｔ ｉ
Ｏ２粉末。
Ｏ２粉末。
Ｎｄ２ｏ３粉末、 Ｐ ｒ Ｃｏ４．粉末、Ｓｍ２Ｏ３
粉末。
粉末。
Ｇｄ２ｏ３粉末ヲ用イテ、試料番号１０３．同１２６゜
および同５の組成比になるように配合し、さらにこれら
の３種類の組成に対して、市販の試薬特級Ｍ ｎ Ｏ２
ｒ Ｆ ｅ ２０３． Ｎ ｉＯ、Ｃｒ ２０３． Ｃ
ｏ ＯおよびＳ １０２の各粉末それぞれ下記の第４表
の組成比になるように添加、配合し、以下実施例１と同
様の製造工程、処理条件によりコンデンサ素子を作製し
、実施例１と同様の各種測定をした。その結果を第６表
に示す。また直流バイアス電圧印加による静電容量の減
少率を測定した結果を図に示す０図における符号は試料
番号を示している。ここで電圧印加による静電容量の減
少率７５ｔは、より求めた。Ｃ１Ｖ は直流１ｖ印加
時の静電容量でＣＩは直流ｘｙ印加時の静電容量である
。
および同５の組成比になるように配合し、さらにこれら
の３種類の組成に対して、市販の試薬特級Ｍ ｎ Ｏ２
ｒ Ｆ ｅ ２０３． Ｎ ｉＯ、Ｃｒ ２０３． Ｃ
ｏ ＯおよびＳ １０２の各粉末それぞれ下記の第４表
の組成比になるように添加、配合し、以下実施例１と同
様の製造工程、処理条件によりコンデンサ素子を作製し
、実施例１と同様の各種測定をした。その結果を第６表
に示す。また直流バイアス電圧印加による静電容量の減
少率を測定した結果を図に示す０図における符号は試料
番号を示している。ここで電圧印加による静電容量の減
少率７５ｔは、より求めた。Ｃ１Ｖ は直流１ｖ印加
時の静電容量でＣＩは直流ｘｙ印加時の静電容量である
。
（以下余白）
５
第４表
６
水印は比較用試料
第５表
２７、、−
米中は比較用試料
試料２０８，２３８ はそれぞれＭｎ、Ｆｅの含有量
が６原子％を越えており、いずれも面積容量は０．２７
ｐ Ｆ／ｃ、ｙ以下と小さぐ、ｔａｎδｉｄｏ、１以
上と大きいので、本発明の範囲外とした。一方、試料２
６７はＳｔの含有量が２原子チを越えており、面積容量
が０．２７μＦ／ｃｒｔ１以下と小さいので、本発明の
範囲外とした。またＭｎ 、 Ｆｅ 、Ｎｉ 、Ｃｒ
、およびＣＯの酸化物を添加したものは、図に示すよう
に添加しないものに比べて面積容量の電圧依存性が改善
され、印加電圧を取り去った時の容量は元の値（直流１
ｖ印加時の容量値）に、瞬時にしてり帰した。
が６原子％を越えており、いずれも面積容量は０．２７
ｐ Ｆ／ｃ、ｙ以下と小さぐ、ｔａｎδｉｄｏ、１以
上と大きいので、本発明の範囲外とした。一方、試料２
６７はＳｔの含有量が２原子チを越えており、面積容量
が０．２７μＦ／ｃｒｔ１以下と小さいので、本発明の
範囲外とした。またＭｎ 、 Ｆｅ 、Ｎｉ 、Ｃｒ
、およびＣＯの酸化物を添加したものは、図に示すよう
に添加しないものに比べて面積容量の電圧依存性が改善
され、印加電圧を取り去った時の容量は元の値（直流１
ｖ印加時の容量値）に、瞬時にしてり帰した。
実施例３
実施例１と同様のＢ ａ ＣＯａ粉末およびＴ ） ０
２粉末、捷た、市販の安価な粗・酸化ネオジウム粉末（
元素分析＠ ： Ｎｄ ６ｅ、ｅ原子％ 、Ｐｒ２７，
１原子％ 、Ｌａ５．１２原子％ 、Ｓｍ１．１ｅ原子
％、Ｃｅｏ、０１原子％、その他元素Ｘｏ、ｏ１原子％
）および市販の試薬特級のＭ ｎ Ｏ２粉末を用いて、
ＢａＯ成分が４６，５８ ％ ル％ 、 Ｔ ｔ ０２
成分カ５０．６８ モル係、粗φ酸化ネオジウム成分（
ＮｄＯ，６６６ＰｒＯ，２７１０，０６１２・”０．０
１１６ Ｃ００，０００１２９、、− Ｘｏ、。。。１ ３／２ ）が２．７４モモルの組成
比になるように配合し、さらにこの組成に対してＭｎ
Ｏ２を２．０原子チ添加した配合物を、ポットとめのう
玉石を用いて湿式混合し、乾燥した後、１１６０℃の温
度で４時間仮焼した。この仮焼物を湿式粉砕し、乾燥し
た。なお上記混合、粉砕過程におけるめのう玉石からの
Ｓｔ酸成分混入量を知るため、上記仮焼・粉砕・乾燥粉
末の一部分を採取し、定量分析を行なった結果、Ｓｔの
混入量は０．３原子％であることが判明しｆｃｏ次に、
上記仮焼後の粉砕・乾燥粉末をポリビニールアルコール
水溶液（濃度６チ）をバインダーにして混合し、３２メ
ツシユパスに整粒した。この整粒粉を、直径１３閣、厚
み０．６Ｂの円板形に約１トン〆ゼの加圧力で成形した
。この成形体を空気中にて１２ｏＯ〜１４６０℃の範囲
内の温度で２時間焼成した。このとき、１２５０℃より
も低い温度ではこの成形体が十分に焼結しなかった。こ
れに対して１２５０〜１４５０℃の範囲内の温度で焼成
したものは直径約１０．５ ｔｌｌｍ 。
２粉末、捷た、市販の安価な粗・酸化ネオジウム粉末（
元素分析＠ ： Ｎｄ ６ｅ、ｅ原子％ 、Ｐｒ２７，
１原子％ 、Ｌａ５．１２原子％ 、Ｓｍ１．１ｅ原子
％、Ｃｅｏ、０１原子％、その他元素Ｘｏ、ｏ１原子％
）および市販の試薬特級のＭ ｎ Ｏ２粉末を用いて、
ＢａＯ成分が４６，５８ ％ ル％ 、 Ｔ ｔ ０２
成分カ５０．６８ モル係、粗φ酸化ネオジウム成分（
ＮｄＯ，６６６ＰｒＯ，２７１０，０６１２・”０．０
１１６ Ｃ００，０００１２９、、− Ｘｏ、。。。１ ３／２ ）が２．７４モモルの組成
比になるように配合し、さらにこの組成に対してＭｎ
Ｏ２を２．０原子チ添加した配合物を、ポットとめのう
玉石を用いて湿式混合し、乾燥した後、１１６０℃の温
度で４時間仮焼した。この仮焼物を湿式粉砕し、乾燥し
た。なお上記混合、粉砕過程におけるめのう玉石からの
Ｓｔ酸成分混入量を知るため、上記仮焼・粉砕・乾燥粉
末の一部分を採取し、定量分析を行なった結果、Ｓｔの
混入量は０．３原子％であることが判明しｆｃｏ次に、
上記仮焼後の粉砕・乾燥粉末をポリビニールアルコール
水溶液（濃度６チ）をバインダーにして混合し、３２メ
ツシユパスに整粒した。この整粒粉を、直径１３閣、厚
み０．６Ｂの円板形に約１トン〆ゼの加圧力で成形した
。この成形体を空気中にて１２ｏＯ〜１４６０℃の範囲
内の温度で２時間焼成した。このとき、１２５０℃より
も低い温度ではこの成形体が十分に焼結しなかった。こ
れに対して１２５０〜１４５０℃の範囲内の温度で焼成
したものは直径約１０．５ ｔｌｌｍ 。
厚さ約０．４１１１１１１の緻密な（水含浸法による気
孔率測定の結果、その値は下記第６表に示すように気孔
率３チ以下）円板形誘電体磁器が得られた。また、この
磁器の両面にＩｎ−Ｇａ電極を塗ってその比抵抗を測定
すると、その値は下記第６表に示すように１ｏ 〜１ｏ
ＱＣｍであった０ 次に、このようにして得られた誘電体磁器それぞれを、
７６％Ｎ２−２６・％Ｈ２混合ガス気流中において８０
０〜１３００１：の範囲内の温度で２時間加熱処理し、
得らねた磁器の両面にＩ ｎ −Ｇ ａ 電極を塗布
しその比抵抗を測定した。その結果を第７表に示す。
孔率測定の結果、その値は下記第６表に示すように気孔
率３チ以下）円板形誘電体磁器が得られた。また、この
磁器の両面にＩｎ−Ｇａ電極を塗ってその比抵抗を測定
すると、その値は下記第６表に示すように１ｏ 〜１ｏ
ＱＣｍであった０ 次に、このようにして得られた誘電体磁器それぞれを、
７６％Ｎ２−２６・％Ｈ２混合ガス気流中において８０
０〜１３００１：の範囲内の温度で２時間加熱処理し、
得らねた磁器の両面にＩ ｎ −Ｇ ａ 電極を塗布
しその比抵抗を測定した。その結果を第７表に示す。
３１ −１
米作は比較用試料
試料４０２，４０４，４０６は比抵抗がそれぞれ１３０
Ω・ｃｍ、８６Ω・ｃｍ、１００Ω・ｃｍと高く、酸素
イオン空孔型半導体化が不十分であった。したがって、
還元性雰囲気中ての熱処理温度が９００℃未満の低い温
度域については本発明の範囲外ととした０他の試料はす
へて比抵抗が低く十分に半導体化されていた。
Ω・ｃｍ、８６Ω・ｃｍ、１００Ω・ｃｍと高く、酸素
イオン空孔型半導体化が不十分であった。したがって、
還元性雰囲気中ての熱処理温度が９００℃未満の低い温
度域については本発明の範囲外ととした０他の試料はす
へて比抵抗が低く十分に半導体化されていた。
さらに、このようにして得られた酸素イオン空孔型半導
体磁器を、酸素気流中において７００〜１３００１：の
範囲内の温度で加熱処理して得た磁器の両面に銀電極を
焼き付けてコンデンサ素子とし、そのコンデンサ特性、
すなわち面積容量Ｃ（１ｋＨｚ ）、誘電損失ｔａｎ
δ（１ｋＨｚ）、絶縁抵抗ＩＲ（直流５０Ｖ）、絶縁
破壊■ｂを測定した。その結果を第８表に示す。
体磁器を、酸素気流中において７００〜１３００１：の
範囲内の温度で加熱処理して得た磁器の両面に銀電極を
焼き付けてコンデンサ素子とし、そのコンデンサ特性、
すなわち面積容量Ｃ（１ｋＨｚ ）、誘電損失ｔａｎ
δ（１ｋＨｚ）、絶縁抵抗ＩＲ（直流５０Ｖ）、絶縁
破壊■ｂを測定した。その結果を第８表に示す。
（以下余白）
３３ 、−：
米作は比較用試料
４
第８表において、試料１４９４，２４９４，３４９４゜
５４９４．７４９４，８４９４．９４９４は、焼結後の
還元性雰囲気処理工程において１３００℃で加熱して得
た試料で、酸素の体積拡散がほとんど起らないため表面
誘電体層が形成されず、絶縁破壊電圧はいちぢるしく低
く（５０Ｖ以下）、実用に耐えない０このように、還元
性雰囲気中での熱処理温度が１２６０℃を越えると好ま
しくないので、１２５０℃より高い温度域については本
発明の範囲外とした０１だ、試料’９４４４．９４６４
については、酸化性雰囲気中での熱処理温度が１２５０
Ｃと高すぎて再酸化容量が小さい。このため酸化性雰囲
気中での熱処理温度については、１２００’Ｃを越える
温度域を本発明の範囲外とした。試料１４４４．１４６
４は酸化性雰囲気中での熱処理温度が８００℃より低い
ため、十分に再酸化されていも、そのため表面誘電体層
の厚みが薄く、絶縁破壊電圧が１００Ｖ以下と低く、実
用に耐えない。上記以外の試料は、すべて０．１μＦＡ
ｄ 以上の非常に大きい面積容ｔをもち、かつ５ｏｏｖ
以上の高い破壊電圧をもっており、３６ 一本発明の目的を満足するものである。
５４９４．７４９４，８４９４．９４９４は、焼結後の
還元性雰囲気処理工程において１３００℃で加熱して得
た試料で、酸素の体積拡散がほとんど起らないため表面
誘電体層が形成されず、絶縁破壊電圧はいちぢるしく低
く（５０Ｖ以下）、実用に耐えない０このように、還元
性雰囲気中での熱処理温度が１２６０℃を越えると好ま
しくないので、１２５０℃より高い温度域については本
発明の範囲外とした０１だ、試料’９４４４．９４６４
については、酸化性雰囲気中での熱処理温度が１２５０
Ｃと高すぎて再酸化容量が小さい。このため酸化性雰囲
気中での熱処理温度については、１２００’Ｃを越える
温度域を本発明の範囲外とした。試料１４４４．１４６
４は酸化性雰囲気中での熱処理温度が８００℃より低い
ため、十分に再酸化されていも、そのため表面誘電体層
の厚みが薄く、絶縁破壊電圧が１００Ｖ以下と低く、実
用に耐えない。上記以外の試料は、すべて０．１μＦＡ
ｄ 以上の非常に大きい面積容ｔをもち、かつ５ｏｏｖ
以上の高い破壊電圧をもっており、３６ 一本発明の目的を満足するものである。
図は代表的な試料の印加電圧と面積容量の減少率との関
係を示す。
係を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）酸化バリウム（ＢａＯ）成分が４９．１６〜４１
．３８モルチ、酸化チタン（Ｔ ｓ Ｏ２）成分か＆Ｏ
，ｊ７〜５１、７２モルチ２．および、希土類元素酸化
物（Ｌｎ−酸化物ン成分０．６７〜６゜９０モル％（た
だしＬｎはＮｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｌａ
およびＣｅのうちの少なくとも一つ、ＬａとＣｅの合計
含有量が希土類元素全体の２０原子チ以下）の組成比率
からなる組成物に対して、さらにＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
。 およびＮｉの各酸化物のうち少なぐとも一つを合量で６
原子チを超えない量含有し、またＳｉの酸化物を２原子
チを超えない量含有している半導体磁器の表面に誘電体
層が形成されていることを特徴とする表面誘電体層型半
導体磁器組成物〇（２）含有Ｔ＊０２成分のモル量のう
ち含有ＢａＯ成分のモル量に対応するそれと等しいＴ
ｓ ０２成分のモル量を減じた残りのＴ ｉＯ２成分の
モル量が、含有Ｌｎ−酸化物（Ｌ ｎ Ｏｓ／２ ）成
分のモル量の１．６倍であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の表面誘電体層型半導体磁器組成物。 （３）酸化バリウム（ＢａＯ）成分が４９．１ ｅｒ−
４１，３８モル係、酸化チタン（Ｔ ｚ Ｏ２）成分が
５０．１７〜６１．７２モルチ、および、希土類元素酸
化物（Ｌｎ０３／２）成分０．６７〜６．９０ モル量
（ただしＬｎはＮｄ、Ｐｒ および、Ｌａのうちの少な
くとも一つ、Ｌａの含有量が希土類元素全体の２０原子
係以下）の組成比率からなる組成物に対して、さらにＣ
ｒ、ＭＱ、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉの各酸化物のうち少な
くとも一つを合量で５原子係を超えない量含器組成物。 （４）含有Ｔ １０２成分のモル量のうち含有ＢａＯ成
分のモル量に対応するそれと等しいＴｌＯ２成分のモル
量を減じた残りのＴ １０２成分のモル量が、含有ＬＤ
−酸化物（Ｌｎ０３／２）成分のモル量の１．６倍であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第３項３ 記載の表面誘電体層型半導体磁器組成物。 （６） 炭酸バリウム（Ｂ ａ ＣＯ３）成分が４９
．１６〜４１．３８モルチ、酸化チタン（Ｔ ｉＯ２）
成分が５０．１７〜５１．７２モルチ、および、酸化ネ
オジウム（Ｎｄｏ３／２）と酸化７” ７ ＋ オシウ
Ａ （Ｐｒ０１１ ／ｓ ）と酸化ランタン（ＬａＯｓ
７２）の各成分の合量が０．７７〜６．９０モル％（た
だしＬａ成分量が上記希土類元素成分の全量に対して２
ＯＮ子％以下）の組成比率からなる組成物に対して、さ
らにＣｒ。 Ｍｎ、Ｆｅ、’ＣｏおよびＮｉの各酸化物のうち少なく
とも一つを合量で５原子チを超えない量添加してなる圧
粉成形体を、酸化性雰囲気中において１２６０〜１４６
０℃の範囲内の温度で焼結させ、得られた誘電体磁器を
還元性雰囲気中において９００〜１２５０１：：の範囲
内の温度で加熱処理して酸素空孔型半導体磁器とし、さ
らに酸化性雰囲気中において８０さ１２００ｔ：の範囲
の温度で加熱処理して再酸化し、それにより磁器表面を
誘電体化することを特徴とする表面誘電体層型半導体磁
器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148646A JPS5848908A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148646A JPS5848908A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848908A true JPS5848908A (ja) | 1983-03-23 |
| JPS6328492B2 JPS6328492B2 (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=15457448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56148646A Granted JPS5848908A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848908A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01236609A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
| JPH01239704A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高誘電率磁器組成物 |
| US6911102B2 (en) * | 1999-08-09 | 2005-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated type semiconductor ceramic element and production method for the laminated type semiconductor ceramic element |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0278186U (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-15 |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP56148646A patent/JPS5848908A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01236609A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
| JPH01239704A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高誘電率磁器組成物 |
| US6911102B2 (en) * | 1999-08-09 | 2005-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated type semiconductor ceramic element and production method for the laminated type semiconductor ceramic element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6328492B2 (ja) | 1988-06-08 |
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