JPS5847597Y2 - メモリ−装置 - Google Patents
メモリ−装置Info
- Publication number
- JPS5847597Y2 JPS5847597Y2 JP1977105911U JP10591177U JPS5847597Y2 JP S5847597 Y2 JPS5847597 Y2 JP S5847597Y2 JP 1977105911 U JP1977105911 U JP 1977105911U JP 10591177 U JP10591177 U JP 10591177U JP S5847597 Y2 JPS5847597 Y2 JP S5847597Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- voltage
- battery
- power
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Power Sources (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Stand-By Power Supply Arrangements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本案は停電時にメモリーを電池出力によって作動させ、
停電回復時に電池の正常動作をチェックする事によって
メモリーの内容の良否を判定するメモリー装置に関する
。
停電回復時に電池の正常動作をチェックする事によって
メモリーの内容の良否を判定するメモリー装置に関する
。
一般に揮発性メモリーを使用する場合に、常時メモリー
に電力を供給しなければならないので、通常のメモリー
電源としては二次電池が併用されているが、それでも長
時間の停電の際には電池電圧の低下が生じ、メモリー内
容が破壊される事となる。
に電力を供給しなければならないので、通常のメモリー
電源としては二次電池が併用されているが、それでも長
時間の停電の際には電池電圧の低下が生じ、メモリー内
容が破壊される事となる。
本案は上記の点に鑑みて停電回復時に電池電圧をチェッ
クし、メモリー内容の良否を判定するメモリー装置を提
供するものである。
クし、メモリー内容の良否を判定するメモリー装置を提
供するものである。
第1図は本案の実施例の回路図で、第2図は第1図の動
作波形図である。
作波形図である。
図に於いて1はC−MOSで構成された揮発性のメモリ
ーで、通常は商用電源からの直流電圧vaが抵抗R1ダ
イオードDI 、D2を介して供給され、停電時には電
池2の電圧vbが抵抗R2ダイオードD1を介して供給
されるので、記憶内容が常時保護される。
ーで、通常は商用電源からの直流電圧vaが抵抗R1ダ
イオードDI 、D2を介して供給され、停電時には電
池2の電圧vbが抵抗R2ダイオードD1を介して供給
されるので、記憶内容が常時保護される。
C−MOSのメモリーは消費電力が非常に少ないので停
電時でも充分メモリー1は作動するが、長時間停電した
場合はメモリー1内容が破壊される惧れがある。
電時でも充分メモリー1は作動するが、長時間停電した
場合はメモリー1内容が破壊される惧れがある。
3は電池2の電圧検出する回路で、ツェナーダイオード
ZDとトランジスタTrと抵抗R3,R4,R5とから
構成され、電池2の電圧vbが一定電圧以下になるとツ
ェナーダイオードZDが不導通になり、トランジスタT
rがオフになってトランジスタT。
ZDとトランジスタTrと抵抗R3,R4,R5とから
構成され、電池2の電圧vbが一定電圧以下になるとツ
ェナーダイオードZDが不導通になり、トランジスタT
rがオフになってトランジスタT。
の出力電圧V。
が電池2の電圧vbと同一になる。4は単安定マルチ回
路で、電源電圧Vaが停電から回復すると単一信号を発
生し、ツアーゲートNRにてトランジスタT の出力電
圧V。
路で、電源電圧Vaが停電から回復すると単一信号を発
生し、ツアーゲートNRにてトランジスタT の出力電
圧V。
との条件が取られる。
第2図を用いて停電中に電池2の電圧vbが規定電圧よ
り低下した場合について説明する。
り低下した場合について説明する。
電源電圧Vaが回復すると抵抗R1,R2を介して電池
2に充電々流が流れるが、電池2の電圧vbはすぐには
正常な電圧に回復しない。
2に充電々流が流れるが、電池2の電圧vbはすぐには
正常な電圧に回復しない。
電源電圧Vaが回復すると単安定マルチ回路4から出力
Vdが発生し、電池2の電圧vbが規定電圧以下のため
検出回路3のトランジスタTrがオフし、出力電圧V。
Vdが発生し、電池2の電圧vbが規定電圧以下のため
検出回路3のトランジスタTrがオフし、出力電圧V。
は電池2の電圧vbと同一になる。このためノアーゲー
)NRに於いては二人力が負であるため正の出力が発生
する。
)NRに於いては二人力が負であるため正の出力が発生
する。
つまり、電源電圧Vaの回復時に電池2が規定電圧以下
である事が検出される。
である事が検出される。
その後電池2の電圧が規定電圧になるとトランジスタT
がオンし、出力電圧V。
がオンし、出力電圧V。
が正になる。
さらに上記ツアーゲートNRの正の出力によって特殊記
号の印字又はブザーによる警報ざらにフリップフロップ
等を用いた記憶を行なって表示する事によってメモリー
1内容が破壊されている事を使用者に知らせる。
号の印字又はブザーによる警報ざらにフリップフロップ
等を用いた記憶を行なって表示する事によってメモリー
1内容が破壊されている事を使用者に知らせる。
また上記のツアーゲートNRの出力はメモリー1の内容
が不良である事を示すものであるので、メモリー1を使
用する制御回路にイニシャルクリヤー信号として与えて
メモリー1の不良時に自動的にクリアー動作を行なわせ
る事もできる。
が不良である事を示すものであるので、メモリー1を使
用する制御回路にイニシャルクリヤー信号として与えて
メモリー1の不良時に自動的にクリアー動作を行なわせ
る事もできる。
以上の如く、本案は通常は商用電源からの電力によって
作動する揮発性メモリーを停電時に電池で保護するメモ
リー装置に於いて、電池の正常動作を検出する回路と、
該回路の出力を停電回復時にチェックする手段とを設け
、停電回復時にメモリー内容の良否を判定するもので、
停電が伺回発生しても電池電圧が正常であればメモリー
内容を良とし、停電時に電池電圧が規定電圧以下に低下
した場合は停電回復時にメモリーの不良を確実に通報す
る事ができ、不揮発性メモリーの不良を容易に知る事が
できる。
作動する揮発性メモリーを停電時に電池で保護するメモ
リー装置に於いて、電池の正常動作を検出する回路と、
該回路の出力を停電回復時にチェックする手段とを設け
、停電回復時にメモリー内容の良否を判定するもので、
停電が伺回発生しても電池電圧が正常であればメモリー
内容を良とし、停電時に電池電圧が規定電圧以下に低下
した場合は停電回復時にメモリーの不良を確実に通報す
る事ができ、不揮発性メモリーの不良を容易に知る事が
できる。
第1図は本案の実施例を示す回路図、第2図は第1図の
動作を説明する波形図である。 図に於いて1は不揮発性メモリー、2は電池、3は電圧
検出回路、4は単安定マルチ回路である。
動作を説明する波形図である。 図に於いて1は不揮発性メモリー、2は電池、3は電圧
検出回路、4は単安定マルチ回路である。
Claims (1)
- 通常は商用電源からの電力によって作動する揮発性メモ
リーを停電時に電池で保護するメモリー装置に於いて、
電池の正常動作を検出する回路と、該回路の出力を停電
回復時にチェックする手段とを設け、停電回復時にメモ
リー内容の良否を判定する事を特徴とするメモリー装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1977105911U JPS5847597Y2 (ja) | 1977-08-05 | 1977-08-05 | メモリ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1977105911U JPS5847597Y2 (ja) | 1977-08-05 | 1977-08-05 | メモリ−装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5433032U JPS5433032U (ja) | 1979-03-03 |
JPS5847597Y2 true JPS5847597Y2 (ja) | 1983-10-29 |
Family
ID=29048606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1977105911U Expired JPS5847597Y2 (ja) | 1977-08-05 | 1977-08-05 | メモリ−装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5847597Y2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5185602A (ja) * | 1975-01-25 | 1976-07-27 | Torio Kk |
-
1977
- 1977-08-05 JP JP1977105911U patent/JPS5847597Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5185602A (ja) * | 1975-01-25 | 1976-07-27 | Torio Kk |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5433032U (ja) | 1979-03-03 |
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