JPS5846462B2 - セメントクリンカの焼成装置 - Google Patents
セメントクリンカの焼成装置Info
- Publication number
- JPS5846462B2 JPS5846462B2 JP10216178A JP10216178A JPS5846462B2 JP S5846462 B2 JPS5846462 B2 JP S5846462B2 JP 10216178 A JP10216178 A JP 10216178A JP 10216178 A JP10216178 A JP 10216178A JP S5846462 B2 JPS5846462 B2 JP S5846462B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- cone
- throat
- rotary kiln
- cement clinker
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ロータリキルン尻上に立設された仮焼炉を備
えたセメントクリンカの焼成装置に関し、特にその仮焼
炉の改良に関する。
えたセメントクリンカの焼成装置に関し、特にその仮焼
炉の改良に関する。
在来の成る仮焼炉は、ロータリキルンからサスペンショ
ンプレヒータに至る立上り管の位置に形成されて成る。
ンプレヒータに至る立上り管の位置に形成されて成る。
この仮焼炉は、既設のサスペンションプレヒータに関連
して、その最後段のサイクロンを一部改造することによ
って容易に実現することができるという大きな利点があ
る。
して、その最後段のサイクロンを一部改造することによ
って容易に実現することができるという大きな利点があ
る。
仮焼炉の下部は逆円錐形に形成され、管状のスロート部
を介してロータリキルン尻に接続される。
を介してロータリキルン尻に接続される。
このスロート部におけるキルン排ガスの上向き速度は、
サスペンションプレヒータから仮焼炉内に投入される原
料がロータリキルンに落下してしまわないように、原料
を仮焼炉内に吹上げ得るように配慮して選ばれている。
サスペンションプレヒータから仮焼炉内に投入される原
料がロータリキルンに落下してしまわないように、原料
を仮焼炉内に吹上げ得るように配慮して選ばれている。
しかし、上述のごとき配慮を行なっても、従来では仮焼
炉内に投入された原料がロータリキルンに落下していわ
ゆるショートパスが生じる。
炉内に投入された原料がロータリキルンに落下していわ
ゆるショートパスが生じる。
このショートパスが生じることにより、次のような問題
(1)〜(3)が生じる。
(1)〜(3)が生じる。
(1)仮焼炉内で原料の脱炭酸反応が充分に行なわれず
、そのため熱交換効率が低下し、したがって熱消費が増
大する。
、そのため熱交換効率が低下し、したがって熱消費が増
大する。
また(2)スロート部において原料による瞬間的な閉塞
が生じ、それによって静圧が変動して運転が不安定にな
る。
が生じ、それによって静圧が変動して運転が不安定にな
る。
さらに(3)脱炭酸反応がロータリキルン内で行なわれ
るので、ロータリキルン内で炭酸ガスが発生し、そのた
め原料が流動化してロータリキルン内を早く通過してし
まうフラッシングと呼ばれる現象が生じ、原料が完全に
焼成されない。
るので、ロータリキルン内で炭酸ガスが発生し、そのた
め原料が流動化してロータリキルン内を早く通過してし
まうフラッシングと呼ばれる現象が生じ、原料が完全に
焼成されない。
スロート部を長くすれば、上述の原料がロータリキルン
にショートパスすることを幾分防ぐことができる。
にショートパスすることを幾分防ぐことができる。
しかしそのようにすると、スロート部に生じたコーチン
グを除去するために過大な労力が必要とされる。
グを除去するために過大な労力が必要とされる。
またスロート部を長くすれば、焼成装置全体が高くなっ
て不経済である。
て不経済である。
したがって本発明の主な目的は、スロート部を比較的短
くして、しかも仮焼炉に投入された原料がロータリキル
ンに直ちに落下してしまうことを防ぐことである。
くして、しかも仮焼炉に投入された原料がロータリキル
ンに直ちに落下してしまうことを防ぐことである。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第1図は本発明の一実施例のセメントクリンカの焼成装
置の系統図である。
置の系統図である。
仮焼炉10は、サスペンションプレヒータ20とロータ
リキルン30との間においてキルン尻32の直上にスロ
ート部13を介して立設配置される。
リキルン30との間においてキルン尻32の直上にスロ
ート部13を介して立設配置される。
原料粉末は、その経路が実線矢符で示されるように、ダ
クト21に投入された後、下方からの熱ガスに吹き上げ
られて熱交換され、サイクロン22で捕集されて下段に
落下し、このような過程を経て、ダクト23→サイクロ
ン24→ダクト25→サイクロン26に至り、その結果
600〜700’C程度まで予熱され、かつ原料中の石
灰石は5〜10φ程度まで脱炭酸される。
クト21に投入された後、下方からの熱ガスに吹き上げ
られて熱交換され、サイクロン22で捕集されて下段に
落下し、このような過程を経て、ダクト23→サイクロ
ン24→ダクト25→サイクロン26に至り、その結果
600〜700’C程度まで予熱され、かつ原料中の石
灰石は5〜10φ程度まで脱炭酸される。
サイクロン26からの原料粉末は、シュート2Tを介し
てバーナ33を備える仮焼炉10に導かれてほぼ完全に
脱炭酸される。
てバーナ33を備える仮焼炉10に導かれてほぼ完全に
脱炭酸される。
こうして仮焼された原料は、排ガスとともにダクト28
を経てサイクロン29に至り、ここで捕集すしてロータ
リキルン30に送入される。
を経てサイクロン29に至り、ここで捕集すしてロータ
リキルン30に送入される。
ロータリキルン30では、バーナ31によって原料が焼
成されてクリンカとなり、クリンカクーラ40で冷却さ
れて製品となる。
成されてクリンカとなり、クリンカクーラ40で冷却さ
れて製品となる。
熱ガスは、その経路が破線矢符で示される。
ロータリキルン30の原料入口側すなわちロータリキル
ン尻32からの900〜1100℃程度の燃焼排ガスは
スロート部13を経て仮焼炉10の炉底に至る。
ン尻32からの900〜1100℃程度の燃焼排ガスは
スロート部13を経て仮焼炉10の炉底に至る。
またクリンカクーラ40から抽気された600〜800
℃程度の高温の燃焼用2次空気は、ダストチャンバ50
から2次空気ダクト51を通り、仮焼炉10に接線方向
で導入されて仮焼炉10内で旋回流を生じる。
℃程度の高温の燃焼用2次空気は、ダストチャンバ50
から2次空気ダクト51を通り、仮焼炉10に接線方向
で導入されて仮焼炉10内で旋回流を生じる。
仮焼炉10からの熱ガスは、ダクト28→サイクロン2
9→ダクト25→サイクロン26→ダクト23→サイク
ロン24→ダクト21→サイクロン22の経路で導かれ
て、原料と熱交換して送風機60から電気集塵機61を
経て誘引排出される。
9→ダクト25→サイクロン26→ダクト23→サイク
ロン24→ダクト21→サイクロン22の経路で導かれ
て、原料と熱交換して送風機60から電気集塵機61を
経て誘引排出される。
第2図は仮焼炉10の下部付近における縦断面を示し、
第3図は第2図の切断面線■−■に沿う断面図である。
第3図は第2図の切断面線■−■に沿う断面図である。
仮焼炉10は、円筒状の大径筒体34と、その大径筒体
34の下端に同心に接続されかつ下方に向けて先細りに
形成された錐体35とを含む。
34の下端に同心に接続されかつ下方に向けて先細りに
形成された錐体35とを含む。
錐体35の下端は、横断面正方形のスロート部13を介
して、ロータリキルン尻32に接続される。
して、ロータリキルン尻32に接続される。
大径筒体34の下部と錐体35とには、仮焼炉10内に
燃料を噴射する複数のバーナ33が円周方向に隔置され
る。
燃料を噴射する複数のバーナ33が円周方向に隔置され
る。
大径筒体34の下部には、接線方向に2次空気ダクト5
1が接続される。
1が接続される。
その2次空気の取入口36の上方に近接してシュート2
7の原料投入口37が設けられる。
7の原料投入口37が設けられる。
バーナ33は1次空気吹込筒を具備してもよい。
錐体35は、角筒状のスロート部13の4つの平面にそ
れぞれ連接する4つの平面部分38と、各平面部分38
相互間の4つの曲面部分39とから成る。
れぞれ連接する4つの平面部分38と、各平面部分38
相互間の4つの曲面部分39とから成る。
各曲面部分39は、その上端において大径筒体34と同
一径を有しかつその下端においてスロート部13の対角
線の長さを直径とする円錐体の一部分である。
一径を有しかつその下端においてスロート部13の対角
線の長さを直径とする円錐体の一部分である。
各平面部分38は、上向きに先細りとなっており、大径
筒体34との接続位置で終る。
筒体34との接続位置で終る。
ロータリキルン尻32からスロート部13内を上昇する
キルン排ガスは、スロート部13の鉛直軸線付近におい
て高流速域42を有する速度分布41をもって仮焼炉1
0内に噴入される。
キルン排ガスは、スロート部13の鉛直軸線付近におい
て高流速域42を有する速度分布41をもって仮焼炉1
0内に噴入される。
接線方向に破線矢符43のように送入される2次空気ダ
クト51からの2次空気は、仮焼炉10内で水平方向に
旋回する。
クト51からの2次空気は、仮焼炉10内で水平方向に
旋回する。
原料投入口37からの原料は、取入口36からの2次空
気よりも上方から投入され、2次空気の旋回流によって
実線矢符44のごとく水平方向に旋回される。
気よりも上方から投入され、2次空気の旋回流によって
実線矢符44のごとく水平方向に旋回される。
原料は、その水平旋回流による遠心力によって、錐体3
5の内壁に寄せられる。
5の内壁に寄せられる。
そして原料は、錐体35の内壁に沿って、すなわち錐体
35の平面部分38と曲面部分39とに沿って、旋回す
る。
35の平面部分38と曲面部分39とに沿って、旋回す
る。
原料が錐体35の内壁に沿って落下する力W1は、原料
および内壁面間の摩擦力を無視すると、次式(1)で表
わされる。
および内壁面間の摩擦力を無視すると、次式(1)で表
わされる。
W1=mgsinθ−rn¥”CO”θ=m (g s
inθ40Sθ)−(1)ここでmは原料の質量、gは
重力加速度、■は原料の周速度、rは原料の回転半径、
θは錐体35と水平面との威す角tである。
inθ40Sθ)−(1)ここでmは原料の質量、gは
重力加速度、■は原料の周速度、rは原料の回転半径、
θは錐体35と水平面との威す角tである。
mgは原料の鉛直下向きの重力、m7−は原料に作用す
る遠心力をそれぞれ表わす。
る遠心力をそれぞれ表わす。
第(1)式から、内壁面に沿って落下する原料の加速度
αは、次式(2)のごとくなる。
αは、次式(2)のごとくなる。
C1: g sinθ−yF−CO8θ −
・−・−(2)平面部分38においては、回転半径r=
のであるので、第(2)式から加速度α= g sin
θとなり、曲面部分39における原料の下向き加速度α
よりも大である。
・−・−(2)平面部分38においては、回転半径r=
のであるので、第(2)式から加速度α= g sin
θとなり、曲面部分39における原料の下向き加速度α
よりも大である。
そのため曲面部分39から平面部分38に移動すること
によって、原料の落下速度が増大される。
によって、原料の落下速度が増大される。
したがって原料が曲面部分39を矢符54のように移動
して平面部分38に達すると、矢符55のようにさらに
急な下向きの角度で落下してゆく。
して平面部分38に達すると、矢符55のようにさらに
急な下向きの角度で落下してゆく。
原料が曲面部分39から平面部分38に移るとき、両面
部分38.39の接続位置付近で、原料は平面部分38
に衝突して周速度成分が低下される。
部分38.39の接続位置付近で、原料は平面部分38
に衝突して周速度成分が低下される。
このようにして前述の2つのパラグラフで述べたことか
ら、錐体35の内壁に沿って旋回する原料は、下降する
につれてその落下速度が増大してゆく。
ら、錐体35の内壁に沿って旋回する原料は、下降する
につれてその落下速度が増大してゆく。
また原料が錐体35の内壁に垂直に押付けられる力W2
は、次式(3)で表わされる。
は、次式(3)で表わされる。
平面部分38においては、回転半径r−(1)であるの
で、平面部分38の内壁に押付けられる力W 2 =
m g cosθとなり、曲面部分39の内壁に押付け
られる力W2よりも小さい。
で、平面部分38の内壁に押付けられる力W 2 =
m g cosθとなり、曲面部分39の内壁に押付け
られる力W2よりも小さい。
そのため錐体35の内壁に沿って旋回する原料は、平面
部分38の内壁から比較的離れやすくなってゆく。
部分38の内壁から比較的離れやすくなってゆく。
上述のごとく平面部分38を含む錐体35の内壁を旋回
しながら下降してゆく原料は、その落下速度を増大して
ゆくことにより垂直落下の慣性を増大し、かつ平面部分
38の内壁から離れやすくなってゆく。
しながら下降してゆく原料は、その落下速度を増大して
ゆくことにより垂直落下の慣性を増大し、かつ平面部分
38の内壁から離れやすくなってゆく。
そのため錐体35の内壁に沿ってその下端からスロート
部13内に落下する原料は、スロート部13の鉛直軸線
付近にまで到達する傾向がある。
部13内に落下する原料は、スロート部13の鉛直軸線
付近にまで到達する傾向がある。
鉛直軸線付近は、キルン排ガスの高流速域42である。
したがって原料は、キルン排ガス上昇流によって上方に
吹上げられる。
吹上げられる。
そのため原料がスロート部13からロータリキルン30
にショートパスすることが防がれる。
にショートパスすることが防がれる。
この実施例では、スロート部13は角筒状に形成されて
いるので、キルン排ガスの上昇流速したがって流路断面
積が同一の円筒状にスロート部を形成した場合に比べて
、局長が長い。
いるので、キルン排ガスの上昇流速したがって流路断面
積が同一の円筒状にスロート部を形成した場合に比べて
、局長が長い。
そのため単位局長当りの原料分散量が比較的小さい。
したがって原料が比較的薄い層を成して落下することに
なる。
なる。
そのため原料が吹上げられ易い利点がある。また円筒形
よりも角筒形のスロート部13の方が、壁面が平面で構
成されているのでコーチングを除去し易い。
よりも角筒形のスロート部13の方が、壁面が平面で構
成されているのでコーチングを除去し易い。
さらにバーナ35からの燃料がダクト51からの2次空
気によって燃焼されてできた還元性雰囲気にキルン排ガ
スが混合される。
気によって燃焼されてできた還元性雰囲気にキルン排ガ
スが混合される。
このとき原料はキルン排ガス高流速域42に落下するの
で、キルン排ガス上向き速度が減少されてキルン排ガス
が仮焼炉内を吹抜けることが防止される。
で、キルン排ガス上向き速度が減少されてキルン排ガス
が仮焼炉内を吹抜けることが防止される。
そのためキルン排ガスと還元性雰囲気との混合がよくな
り、キルン排ガス中のNOxが低減される。
り、キルン排ガス中のNOxが低減される。
第4図は本発明の他の実施例の縦断面図であり、第1図
〜第3図示の実施例に対応する部分には同一の参照符を
付す。
〜第3図示の実施例に対応する部分には同一の参照符を
付す。
この実施例では、錐体45は、4つの平面部分46と、
曲面部分47とから成る。
曲面部分47とから成る。
平面部分46は、スロート部13の各平面にそれぞれ連
接され、錐体45の途中まで延びる。
接され、錐体45の途中まで延びる。
第5図は本発明の他の実施例の縦断面図であり、第1図
〜第3図示の実施例に対応する部分には同一の参照符を
付す。
〜第3図示の実施例に対応する部分には同一の参照符を
付す。
この実施例では、錐体48は、スロート部13の各面に
連接される4つの第1平面部分49と、その第1平面部
分49の上端にそれぞれ連接される4つの第2平面部分
52と、第2平面部分52相互間の4つの曲面部分53
とから成る。
連接される4つの第1平面部分49と、その第1平面部
分49の上端にそれぞれ連接される4つの第2平面部分
52と、第2平面部分52相互間の4つの曲面部分53
とから成る。
スロート部13は、横断面正方形の角筒状に限定されず
、円筒状または三角形、五角形などの多角形状に形成さ
れてもよく、それに応じて錐体35.45,48の平面
部分の数を変え得る。
、円筒状または三角形、五角形などの多角形状に形成さ
れてもよく、それに応じて錐体35.45,48の平面
部分の数を変え得る。
また錐体は、その内面が部分的に平面であればよく、外
形は如何なる形状でもよい。
形は如何なる形状でもよい。
またスロート部13に導入されるキルン排ガスは、キル
ン排ガスの全量あるいは一部であってもよく、またキル
ン排ガスを他のガスたとえばタリンカクーラからのガス
と混合してスロート部13に導入するようにしてもよい
。
ン排ガスの全量あるいは一部であってもよく、またキル
ン排ガスを他のガスたとえばタリンカクーラからのガス
と混合してスロート部13に導入するようにしてもよい
。
さらに、キルン排ガスの一部を仮焼炉10内に接線方向
に導入してもよい。
に導入してもよい。
仮焼炉10は、バーナ33を備えなくてもよい。
上述のごとく本発明によれば、仮焼炉下部の錐体を曲面
と平面との組合せ形状としたので、錐体の内壁に沿って
旅回しながら下降する原料は、落下速度が増大してゆく
とともに、周速度が低下してゆき、かつ内壁から離れや
すくなってゆく。
と平面との組合せ形状としたので、錐体の内壁に沿って
旅回しながら下降する原料は、落下速度が増大してゆく
とともに、周速度が低下してゆき、かつ内壁から離れや
すくなってゆく。
そのため原料はスロート部の軸線付近のキルン排ガスの
高流速域に到達するように落下し、上方に吹上げられる
。
高流速域に到達するように落下し、上方に吹上げられる
。
そのためスロート部からロータリキルンに原料が落下し
てショートパスすることが防がれる。
てショートパスすることが防がれる。
そのため仮焼炉内における熱交換効率が向上され、した
がって熱消費が不所望に多くなることが防がれる。
がって熱消費が不所望に多くなることが防がれる。
原料がキルン排ガスの高流速域に達するので、仮焼炉内
で原料が充分に分散され、熱交換効率が向上する。
で原料が充分に分散され、熱交換効率が向上する。
原料のロータリキルンへのショートパスが防がれるので
、ロータリキルン内で原料の脱炭酸反応が生じることが
防がれ、原料のフラッシングが生じることがない。
、ロータリキルン内で原料の脱炭酸反応が生じることが
防がれ、原料のフラッシングが生じることがない。
またスロート部の原料による瞬間的な閉塞が生じないの
で、静圧の変動がなく、したがってロータリキルンを安
定的に運転することができる。
で、静圧の変動がなく、したがってロータリキルンを安
定的に運転することができる。
さらにスロート部を短くすることができるので、スロー
ト部に生じたコーチングの除去に要する労力が低減され
るとともに、焼成装置全体の高さを低くして設備費を低
減することができる。
ト部に生じたコーチングの除去に要する労力が低減され
るとともに、焼成装置全体の高さを低くして設備費を低
減することができる。
第1図は本発明の一実施例のセメントクリンカの焼成装
置の系統図、第2図は仮焼炉10の下部付近における縦
断面図、第3図は第2図の■−■線視目視目視断面図4
図び第5図は本発明の他の実施例の縦面図である。 10・・・・・・仮焼炉、13・・・・・・スロート部
、20・・・・・・サスペンションプレヒータ、2γ・
・・・・・シュート、30・・・・・・ロータリキルン
、32・・・・・・ロータリキルン尻、34・・・・・
・大径筒体、35,45.48・・・・・・錐体、38
.46・・・・・・平面部分、39,47゜53・・・
・・・曲面部分、40・・・・・・クリンカクーラ、4
9・・・・・・第1平面部分、52・・・・・・第2平
面部分。
置の系統図、第2図は仮焼炉10の下部付近における縦
断面図、第3図は第2図の■−■線視目視目視断面図4
図び第5図は本発明の他の実施例の縦面図である。 10・・・・・・仮焼炉、13・・・・・・スロート部
、20・・・・・・サスペンションプレヒータ、2γ・
・・・・・シュート、30・・・・・・ロータリキルン
、32・・・・・・ロータリキルン尻、34・・・・・
・大径筒体、35,45.48・・・・・・錐体、38
.46・・・・・・平面部分、39,47゜53・・・
・・・曲面部分、40・・・・・・クリンカクーラ、4
9・・・・・・第1平面部分、52・・・・・・第2平
面部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ロータリキルン尻に立設された仮焼炉にサスペンシ
ョンプレヒータからの原料を投入スルシュートを接続し
、仮焼炉内で噴入するガスとともにその原料を水平旅回
させて仮焼するセメントクリンカの焼成装置において、
前記仮焼炉は、大径筒体と、その大径筒体の下端に接続
されかつ内面が曲面部分と平面部分との組合せから成り
かつ下方に向けて先細りに形成された錐体とを含み、そ
の錐体の下端はスロート部を介してロータリキルン尻に
接続されていることを特徴とするセメントクリンカの焼
成装置。 2 前記大径筒体は円筒形であり、前記スロート部は角
筒状であり、前記錐体は、前記スロート部の各平面にそ
れぞれ連接する平面部分と、それら平面部分相互間の曲
面部分とから戒ることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のセメントクリンカの焼成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10216178A JPS5846462B2 (ja) | 1978-08-21 | 1978-08-21 | セメントクリンカの焼成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10216178A JPS5846462B2 (ja) | 1978-08-21 | 1978-08-21 | セメントクリンカの焼成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5527883A JPS5527883A (en) | 1980-02-28 |
JPS5846462B2 true JPS5846462B2 (ja) | 1983-10-17 |
Family
ID=14319991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10216178A Expired JPS5846462B2 (ja) | 1978-08-21 | 1978-08-21 | セメントクリンカの焼成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5846462B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01238076A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Fuji Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61207315A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-13 | Shiseido Co Ltd | 皮膚外用剤 |
FR2910808B1 (fr) * | 2006-12-29 | 2009-04-10 | Lvmh Rech | Utilisation en cosmetique de la l-2-thiohistidine ou d'un de ses derives comme agent depigmentant. |
-
1978
- 1978-08-21 JP JP10216178A patent/JPS5846462B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01238076A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Fuji Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5527883A (en) | 1980-02-28 |
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