JPS5838927A - 液晶セルの製造方法 - Google Patents
液晶セルの製造方法Info
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- JPS5838927A JPS5838927A JP56136083A JP13608381A JPS5838927A JP S5838927 A JPS5838927 A JP S5838927A JP 56136083 A JP56136083 A JP 56136083A JP 13608381 A JP13608381 A JP 13608381A JP S5838927 A JPS5838927 A JP S5838927A
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- Japan
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- liquid crystal
- crystal cell
- alignment film
- film
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶セルの製法に係り、特に強度的に強く、か
つ耐湿性、耐熱性のある配向膜をもつ液晶ディスプレイ
用セルの製法に関するものである。
つ耐湿性、耐熱性のある配向膜をもつ液晶ディスプレイ
用セルの製法に関するものである。
第１図は、従来の液晶セルの切断側面図である。
この液□晶セルの製造にあたっては、まず、ガラス板な
どの絶縁基板１の片面に酸化インジウムなどの金属“酸
化物からなる透明電極２が印刷法や蒸着法などの適宜な
手段によりて所定の形状に形成される。透明電極２０表
面に、有機シリコン化合物が浸漬法、蒸着法、印刷法な
どＫよっ【塗布され、その後約４５０〜５００℃で約１
５分間焼成するととＫより二酸化ケイ素の絶縁被膜３が
設けられる。
どの絶縁基板１の片面に酸化インジウムなどの金属“酸
化物からなる透明電極２が印刷法や蒸着法などの適宜な
手段によりて所定の形状に形成される。透明電極２０表
面に、有機シリコン化合物が浸漬法、蒸着法、印刷法な
どＫよっ【塗布され、その後約４５０〜５００℃で約１
５分間焼成するととＫより二酸化ケイ素の絶縁被膜３が
設けられる。
さらｋこの絶縁被膜３の上にシランカップリング剤など
の配向処理剤を塗布し、約１２０℃で約３０分間加熱乾
燥して垂直配向膜４が形成される。
の配向処理剤を塗布し、約１２０℃で約３０分間加熱乾
燥して垂直配向膜４が形成される。
この垂直配向膜４を一定方向にラビングして、液晶セル
基板を製作する。このよ５Ｋｔ、て作製した２枚の液晶
セル基板６の液晶注入口（図示せず）を除いた周辺部に
、ガラスピーズなどのスペーサーを含有したエポキシ樹
脂などのシール材５を塗布乾燥し、その後、２枚の液晶
セル基板９．９を密接して、加圧加熱し、シール材５を
硬化させて液晶セルを作製する。次に、液晶物質６を前
記液晶注入口より注入封嵩して液晶セルを完成する。
基板を製作する。このよ５Ｋｔ、て作製した２枚の液晶
セル基板６の液晶注入口（図示せず）を除いた周辺部に
、ガラスピーズなどのスペーサーを含有したエポキシ樹
脂などのシール材５を塗布乾燥し、その後、２枚の液晶
セル基板９．９を密接して、加圧加熱し、シール材５を
硬化させて液晶セルを作製する。次に、液晶物質６を前
記液晶注入口より注入封嵩して液晶セルを完成する。
この液晶セルでは、垂直配向膜４がシール材５と絶縁基
板１との間に介在されており、シランカツブリング剤等
からなる垂直配向膜表面の長い直鎖アルキル基が、エポ
キシ樹脂等からなるシール材５と絶縁基板１との密着性
を悪くしていた。このため、液晶セルは、強度的に弱く
、少しの応力、衝撃力が働いた場合、２板の絶縁基板が
はがれ、機械強度、耐湿性、耐熱性の点で問題がある。
板１との間に介在されており、シランカツブリング剤等
からなる垂直配向膜表面の長い直鎖アルキル基が、エポ
キシ樹脂等からなるシール材５と絶縁基板１との密着性
を悪くしていた。このため、液晶セルは、強度的に弱く
、少しの応力、衝撃力が働いた場合、２板の絶縁基板が
はがれ、機械強度、耐湿性、耐熱性の点で問題がある。
本発明の目的は、この従来技術の欠点を解消し、機械強
度的に強く、耐湿性、耐熱性の良い液晶セルを提供する
にある。
度的に強く、耐湿性、耐熱性の良い液晶セルを提供する
にある。
この目的を達成するため、本発明は、表面に配向膜を形
成した液晶セル基板の前−記配向膜のシール部および（
あるいは）液晶注入口などの封廐部に相当する部分を配
向膜の熱分解温度付近に加熱し、しかるのちその熱処理
された封塞部和尚部分にシール材を密着せしめることを
特徴とする。
成した液晶セル基板の前−記配向膜のシール部および（
あるいは）液晶注入口などの封廐部に相当する部分を配
向膜の熱分解温度付近に加熱し、しかるのちその熱処理
された封塞部和尚部分にシール材を密着せしめることを
特徴とする。
配向膜のシール材と接する封塞部和尚部分を熱分解させ
る方法について、第２図とともに説明する。従来と同様
Ｋ１１３ｍ基板１の表面に透明電極２、絶縁膜３（いず
れも図示せず）、配向膜４などを順次形成し、この液晶
セル基板９を吸熱台８の上罠載電する。
る方法について、第２図とともに説明する。従来と同様
Ｋ１１３ｍ基板１の表面に透明電極２、絶縁膜３（いず
れも図示せず）、配向膜４などを順次形成し、この液晶
セル基板９を吸熱台８の上罠載電する。
一方、液晶セルのシール部ならびに液晶注入口と同じ形
状の抑圧藺を有する加熱金型７を準備し、この金［７を
配向膜４の熱分解温度以上に加熱して、液晶セル基板９
の配向膜４忙押し当てる。この加熱により配向膜４のシ
ール部ならびに液晶注入口に相当する部分が熱分解され
、シール部相当部分にシール材５が塗布される。後は常
法に従って液晶セルを作り、液晶物質６の注入ならびに
シール材による液晶注入口の閉塞が行なわれて、第３図
に示すよ５に液晶セルの組立てが完了する。
状の抑圧藺を有する加熱金型７を準備し、この金［７を
配向膜４の熱分解温度以上に加熱して、液晶セル基板９
の配向膜４忙押し当てる。この加熱により配向膜４のシ
ール部ならびに液晶注入口に相当する部分が熱分解され
、シール部相当部分にシール材５が塗布される。後は常
法に従って液晶セルを作り、液晶物質６の注入ならびに
シール材による液晶注入口の閉塞が行なわれて、第３図
に示すよ５に液晶セルの組立てが完了する。
配向膜の熱分解温度は次のようにして求めた。
すなわち、垂直配向剤としてアル１＝ウム錯体を用い、
加熱金型の温度を次の表１に示すようにそれぞれコント
クールして、前記液晶セル基板の配向膜Ｋｍ接して熱処
理を行ない、疎水性、配向性ならびにシール強度の３点
について測定した。その結果をまとめたのが表１で、表
中の○印は良好、Δ印はやや良好、Ｘ印は悪いと判断さ
れたものである。
加熱金型の温度を次の表１に示すようにそれぞれコント
クールして、前記液晶セル基板の配向膜Ｋｍ接して熱処
理を行ない、疎水性、配向性ならびにシール強度の３点
について測定した。その結果をまとめたのが表１で、表
中の○印は良好、Δ印はやや良好、Ｘ印は悪いと判断さ
れたものである。
表 １
この表から明らかなように、アルミニウム錯体を配向剤
として用いて形成した垂直配向膜の場合は、１７０℃付
近から熱分解が起っていると考えられる。従って配向膜
のシール部ならびに液晶注入口に相当する部分は、シー
ル強度を考ｌして約１７０℃以上忙加熱する必要があり
、一方、シール部より内側の表示部に相当する部分は、
配向性を考慮して１５０℃以下にする必要がある。
として用いて形成した垂直配向膜の場合は、１７０℃付
近から熱分解が起っていると考えられる。従って配向膜
のシール部ならびに液晶注入口に相当する部分は、シー
ル強度を考ｌして約１７０℃以上忙加熱する必要があり
、一方、シール部より内側の表示部に相当する部分は、
配向性を考慮して１５０℃以下にする必要がある。
熱処理時間は次のようにし【求めた。すなわち、前述の
実験結果から１７０℃に温度設定された金型を液晶セル
基板の配向膜に押しつけて、基板各点の温度プロファイ
ルを第４図に示すようにした。
実験結果から１７０℃に温度設定された金型を液晶セル
基板の配向膜に押しつけて、基板各点の温度プロファイ
ルを第４図に示すようにした。
なお、図中のＡは基板端縁、Ｂはシール部、Ｃは基板中
央部である。金型の押“正時間と液晶セル基板の配向性
ならびにシール強度との関係を検討し、その結果を次の
表２にまとめた。なお、○印、Δ印、Ｘ印の評価は前記
表１の場合と同じである。
央部である。金型の押“正時間と液晶セル基板の配向性
ならびにシール強度との関係を検討し、その結果を次の
表２にまとめた。なお、○印、Δ印、Ｘ印の評価は前記
表１の場合と同じである。
表 ２
この表から明らかなように、加熱温度が１７０℃の場合
、加熱時間が０．５秒であると配向膜の熱分解が不十分
でシール強度に問題があり、一方、加熱時間が５秒以上
になると、基板を通しての熱伝導により表示部まで温度
が上昇し、配向不要となる。従って加熱時間は約１〜４
秒程度が適尚である。
、加熱時間が０．５秒であると配向膜の熱分解が不十分
でシール強度に問題があり、一方、加熱時間が５秒以上
になると、基板を通しての熱伝導により表示部まで温度
が上昇し、配向不要となる。従って加熱時間は約１〜４
秒程度が適尚である。
配向膜のシール部ならびに液晶注入口に相当する部分を
熱分解させる際、配向膜の表示部に相当する部分の熱的
影響を避けるため、第２図に示すように液晶セル基板９
の表示部を吸熱台８Ｋｍてるとよい。
熱分解させる際、配向膜の表示部に相当する部分の熱的
影響を避けるため、第２図に示すように液晶セル基板９
の表示部を吸熱台８Ｋｍてるとよい。
次に本発明の実施例につい【説明する。ガラス板からな
る透明な絶縁基板１０表面にスパッタリングにより酸化
インジウムと酸化スズの組成物からなる透明電極２が形
成され、さらＫその上に有機シリコン化合物を塗布して
４５．０〜５５０℃で約１５分間焼成することにより酸
化ケイ素の絶縁被膜３を設ける。次にこの積層体を、ア
ルミニウムアセチルアセトナートの０．２モル／ｌアル
コール溶液を１００倍に水で希釈した溶液に浸漬し、し
かるのち溶液から取り出して１３０℃で２０分間焼成す
るととＫより、前記絶縁被膜３の上に一直配向膜４を形
成する。次に配向膜４を一定方向にラビングする。
る透明な絶縁基板１０表面にスパッタリングにより酸化
インジウムと酸化スズの組成物からなる透明電極２が形
成され、さらＫその上に有機シリコン化合物を塗布して
４５．０〜５５０℃で約１５分間焼成することにより酸
化ケイ素の絶縁被膜３を設ける。次にこの積層体を、ア
ルミニウムアセチルアセトナートの０．２モル／ｌアル
コール溶液を１００倍に水で希釈した溶液に浸漬し、し
かるのち溶液から取り出して１３０℃で２０分間焼成す
るととＫより、前記絶縁被膜３の上に一直配向膜４を形
成する。次に配向膜４を一定方向にラビングする。
このようにして作られた液晶セル基板９を、第２図に示
すように配向膜４を上にして吸熱台８０上に載せる・こ
の載置状体で、吸熱台８の上面は液晶セル基板９の表示
部と対向している。液晶セルのシール部ならびに液晶注
入口と同じ形状の押圧筒を有する加熱金Ｗ１７を１７０
℃に温度設定し、この金！！１７を液晶セル基板９の配
向膜４上に約１秒間強く押し蟲てる。このよう忙して熱
処理した液晶セル基板９のシール部にシール材５（エポ
キシ系接着剤）を塗布し、その基板９を２枚互に重ね合
わせて加熱するとと忙よりシール材５を硬化せしめて液
晶セルを作る。
すように配向膜４を上にして吸熱台８０上に載せる・こ
の載置状体で、吸熱台８の上面は液晶セル基板９の表示
部と対向している。液晶セルのシール部ならびに液晶注
入口と同じ形状の押圧筒を有する加熱金Ｗ１７を１７０
℃に温度設定し、この金！！１７を液晶セル基板９の配
向膜４上に約１秒間強く押し蟲てる。このよう忙して熱
処理した液晶セル基板９のシール部にシール材５（エポ
キシ系接着剤）を塗布し、その基板９を２枚互に重ね合
わせて加熱するとと忙よりシール材５を硬化せしめて液
晶セルを作る。
光学活性物質（メルク社製 製品名ＣＢ−１５）１重量
−と色素（メルク社製 製品名Ｄ−５）１重量−を含む
誘電異方性が負である液晶物質（チッソ社製 製品名Ｎ
Ｎ−３０’）を前記液晶セルの液晶注入口から所楚量注
入する。その後この液晶注入口にシール材（エポキシ系
接着剤）を充填し、加熱硬化せしめることにより”液晶
注入口な液密的罠封塞する。この液晶セルに電圧を印加
しない状態では垂直配向により表示部は透ｑＩＩＫなり
ており、電圧印加によりコレステリック状態の着色を示
す。
−と色素（メルク社製 製品名Ｄ−５）１重量−を含む
誘電異方性が負である液晶物質（チッソ社製 製品名Ｎ
Ｎ−３０’）を前記液晶セルの液晶注入口から所楚量注
入する。その後この液晶注入口にシール材（エポキシ系
接着剤）を充填し、加熱硬化せしめることにより”液晶
注入口な液密的罠封塞する。この液晶セルに電圧を印加
しない状態では垂直配向により表示部は透ｑＩＩＫなり
ており、電圧印加によりコレステリック状態の着色を示
す。
前記実施例では配向膜を熱分解させる方法として加熱金
型を用いたが、これに隈られることなく例えばレーザ光
線あるいは他の局部的に加熱する方法などがある。
型を用いたが、これに隈られることなく例えばレーザ光
線あるいは他の局部的に加熱する方法などがある。
また前記実施例では垂直配向膜を有する液晶セルの場合
について述べたが、本発明は水平配向膜を有する液晶セ
ルにも適用できる。
について述べたが、本発明は水平配向膜を有する液晶セ
ルにも適用できる。
本発明は前述のような構成になりており、シール部や液
晶注入口などの封塞部での配向膜の悪影響が解消され、
機械的強度あるいは耐湿性などの特性の優れた液晶セル
が提供できる。
晶注入口などの封塞部での配向膜の悪影響が解消され、
機械的強度あるいは耐湿性などの特性の優れた液晶セル
が提供できる。
第１図は従来の液晶セルの切断側面図、第２図は本発明
の実施例に係る液晶セルの製造工程を示す断面図、第３
図はその液晶セルの切断側面図、第４図はその液晶セル
の基板を熱処理する際の温度プロファイルを示す図であ
る。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・透明電極、３
・・・・・・絶縁被膜、４・・・・・・配向膜、５・・
・・・・シール材、６・・・・・・液晶、７・・・・・
・加熱金型、訃・・・・・吸熱台、９・旧・・液晶セル
基板。 第１図 ９ 第２図 第３図 第４図 ＡＢ ＣＢＡ
の実施例に係る液晶セルの製造工程を示す断面図、第３
図はその液晶セルの切断側面図、第４図はその液晶セル
の基板を熱処理する際の温度プロファイルを示す図であ
る。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・透明電極、３
・・・・・・絶縁被膜、４・・・・・・配向膜、５・・
・・・・シール材、６・・・・・・液晶、７・・・・・
・加熱金型、訃・・・・・吸熱台、９・旧・・液晶セル
基板。 第１図 ９ 第２図 第３図 第４図 ＡＢ ＣＢＡ
Claims (2)
- （１）表面に配向膜を形成した液晶セル基板の前記配向
膜の封塞部に相当する部分を配向膜の熱分解温度付近く
加熱し、しかるのちその熱処理された封塞部相当部分に
シール材を密着せしめることを特徴とする液晶セルの製
造方法。 - （２） ！許請求の範囲第（１）項記載において、前
記配向膜を熱処理する際にその配向膜の表示部に相当す
る部分の熱を吸収する吸熱手段を施したことを％像とす
る液晶セルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56136083A JPS5838927A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 液晶セルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56136083A JPS5838927A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 液晶セルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5838927A true JPS5838927A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15166844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56136083A Pending JPS5838927A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 液晶セルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838927A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227654A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-02 | Dainippon Printing Co Ltd | Electrooptical cell |
-
1981
- 1981-09-01 JP JP56136083A patent/JPS5838927A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227654A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-02 | Dainippon Printing Co Ltd | Electrooptical cell |
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