JPS5837929A - 半導体装置の電極を導出する装置 - Google Patents
半導体装置の電極を導出する装置Info
- Publication number
- JPS5837929A JPS5837929A JP13676381A JP13676381A JPS5837929A JP S5837929 A JPS5837929 A JP S5837929A JP 13676381 A JP13676381 A JP 13676381A JP 13676381 A JP13676381 A JP 13676381A JP S5837929 A JPS5837929 A JP S5837929A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode electrode
- semiconductor device
- semiconductor devices
- heat dissipation
- cap
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
仁の発明は半導体装置の電極を導出する装置に関する。
従来、電力用の半導体装置は定格の低いところで使いや
すい点からスタッド型・の半導体装置が多く趙いられて
いた。そして、その組立にはカソード電極のオーミック
コンタクトをはかるとと4にカソード電極側のN型不純
物層を形成するのが容易なアロイタイプで金・アンチモ
ンが用いられていた。ところが金は高価なため半導体装
置の価格を高騰させるという大きな欠点がある。このた
め、半導体素子の妓着をばねに頼る圧接タイプに切換え
が進みつつあるが、このタイプは第1図に示されるよう
に、半導体素子(1)の両主面に設けられた電極に熱緩
衝板(2) 、 (2’)等をばね(3)で弾接させ、
これらを樹上する外囲器の電極端子−(4A)、(4K
)との接続をはかるものである。このような構造のため
、部品数も多い上に組立の煩雑な点から高価になる欠点
がある。ところが平型の半導体装置は第2図に示すよう
に1ばねを内装せず半導体素子(1つの両主面に般社ら
れた電極が熱緩衝板(2)。
すい点からスタッド型・の半導体装置が多く趙いられて
いた。そして、その組立にはカソード電極のオーミック
コンタクトをはかるとと4にカソード電極側のN型不純
物層を形成するのが容易なアロイタイプで金・アンチモ
ンが用いられていた。ところが金は高価なため半導体装
置の価格を高騰させるという大きな欠点がある。このた
め、半導体素子の妓着をばねに頼る圧接タイプに切換え
が進みつつあるが、このタイプは第1図に示されるよう
に、半導体素子(1)の両主面に設けられた電極に熱緩
衝板(2) 、 (2’)等をばね(3)で弾接させ、
これらを樹上する外囲器の電極端子−(4A)、(4K
)との接続をはかるものである。このような構造のため
、部品数も多い上に組立の煩雑な点から高価になる欠点
がある。ところが平型の半導体装置は第2図に示すよう
に1ばねを内装せず半導体素子(1つの両主面に般社ら
れた電極が熱緩衝板(2)。
(2′)を介して外囲器の電極端子(4A’) 、 (
4につに接続されるので構造が簡単である利点と、第3
図に示すように平型の半導体装置(5)K放熱フィン(
6)。
4につに接続されるので構造が簡単である利点と、第3
図に示すように平型の半導体装置(5)K放熱フィン(
6)。
(6′)を堆着けて両面から冷却できるため前記スタッ
ド型の同じ定格のものよりも半導体装置は小型にできる
利点を有する。しかし、この場合に放熱フィンが高価に
つく難点があるのでさらに改善された構造に対する要望
がある。次に叙上の半導体装置をもってスナバ−回路、
スタック結合等の電源回路の一部を構成する場合が多い
が、冷却フィンが附設して配置するので大きなスペース
を必要とし、かつ、構成にかかる手間が大きくまとまり
が悪いため後の点検、保守等に問題があった。
ド型の同じ定格のものよりも半導体装置は小型にできる
利点を有する。しかし、この場合に放熱フィンが高価に
つく難点があるのでさらに改善された構造に対する要望
がある。次に叙上の半導体装置をもってスナバ−回路、
スタック結合等の電源回路の一部を構成する場合が多い
が、冷却フィンが附設して配置するので大きなスペース
を必要とし、かつ、構成にかかる手間が大きくまとまり
が悪いため後の点検、保守等に問題があった。
この発明は上に述べた従来の半導体装置に対する欠点を
改良するためになされたものであって、複数個の平型半
導体装置を各々の7ノード電極と接触させて載置すると
ともKこれらの電極を共通に導出する手段を備えた放熱
基部と、前記放熱基部上に各半導体装置を包むように取
着けられ友複数個のキャップ部と、前記各キャップ部の
内部にアノード電極とは電気絶縁されかつキャップ部を
介して半導体装置のカソード電極に対しばねで圧接させ
た一連のカソード電極導出端子板とを具備し、前記カソ
ード電極導出端子板は各カソード電極にばねのたわみ量
の飽和域内の弾力で弾接していることを特徴とする半導
体装置の電極を導出する装置である。
改良するためになされたものであって、複数個の平型半
導体装置を各々の7ノード電極と接触させて載置すると
ともKこれらの電極を共通に導出する手段を備えた放熱
基部と、前記放熱基部上に各半導体装置を包むように取
着けられ友複数個のキャップ部と、前記各キャップ部の
内部にアノード電極とは電気絶縁されかつキャップ部を
介して半導体装置のカソード電極に対しばねで圧接させ
た一連のカソード電極導出端子板とを具備し、前記カソ
ード電極導出端子板は各カソード電極にばねのたわみ量
の飽和域内の弾力で弾接していることを特徴とする半導
体装置の電極を導出する装置である。
以下にこの発明を1実施例につき図面を参照して詳細に
説明する。第4図および第5図け1実施例の装置の一部
、箪6図は2連のものを夫々示し、図中Uυは放熱基部
の一部で下部は放熱フィン(llb)に形成されるとと
もに電極端子を兼ね、上面(l1m)は平型のダイオー
ド(5)・・・をその各アノード電極(4A’)・・・
を接触させて載せる。また、上記上面(l1m)には、
ダイオード(5)・・・を包むようにキャップ部輪・・
・が夫々ねじ((13m)・・・(13d))・・・で
締めつけられる。
説明する。第4図および第5図け1実施例の装置の一部
、箪6図は2連のものを夫々示し、図中Uυは放熱基部
の一部で下部は放熱フィン(llb)に形成されるとと
もに電極端子を兼ね、上面(l1m)は平型のダイオー
ド(5)・・・をその各アノード電極(4A’)・・・
を接触させて載せる。また、上記上面(l1m)には、
ダイオード(5)・・・を包むようにキャップ部輪・・
・が夫々ねじ((13m)・・・(13d))・・・で
締めつけられる。
このキャップ部は例えばガラスせんい入すの合成樹脂(
エポキシ樹脂)でモールド形成され、かつ、その脚部は
放熱基部の上面(l1m)との間に締め代として隙間(
g)が設けられている。また、1個のキャップ部につい
てみると、キャップ部の内部ではダイオードのカソード
電極(4に’)に一連のカソード電極導出端子板α(の
一部が皿げねa9の弾力によって圧接されており、上記
カソード電極導出端子板はキャップ部α2から両側方お
よびこれと直角の方向に突出し配線を施すことができる
。図では側方へ突出し念一方は隣接の半導体装置のカソ
ード電極に接続する。
エポキシ樹脂)でモールド形成され、かつ、その脚部は
放熱基部の上面(l1m)との間に締め代として隙間(
g)が設けられている。また、1個のキャップ部につい
てみると、キャップ部の内部ではダイオードのカソード
電極(4に’)に一連のカソード電極導出端子板α(の
一部が皿げねa9の弾力によって圧接されており、上記
カソード電極導出端子板はキャップ部α2から両側方お
よびこれと直角の方向に突出し配線を施すことができる
。図では側方へ突出し念一方は隣接の半導体装置のカソ
ード電極に接続する。
次にこの装置の組立て方法を説明する。まず、放熱基部
aυを定置し、その上面(l1m)にダイオード(5)
・・・を各アノード電極(4A’)・・・を接触させて
載せる。次にダイオードのカソード電極(4に’)上に
カソード電極導出端子板Iを、さらに皿ばね0!19・
・を順次載せたのちキャップ部αり・・・で覆う。前記
各キャップ部の上面の4隅に設けられているねじ((t
aa)(13d))を操作してこれらキャップ部を放熱
基部に押しつけて行く。この間キャップに内装された皿
ばねα9・・・の弾力に抗して締結して前記隙間(g)
を零に、す力わち、キャップ部の下端を放熱基部の上面
に密接させる。このとき、皿ばねを締付けて生ずるたわ
み量とこれによシ発生する弾力との相関は第7図に示す
ように、たわみ量がある値を超えると発生する弾力は飽
和する。したがって、上述のキャップ部を放熱板に密接
させた状態がたとえm成する部品の長さ寸法のばらつき
によって皿ばねに過大な、たわみが加えられても、発生
する弾力が半導体装置を破損する加圧力に至らない。
aυを定置し、その上面(l1m)にダイオード(5)
・・・を各アノード電極(4A’)・・・を接触させて
載せる。次にダイオードのカソード電極(4に’)上に
カソード電極導出端子板Iを、さらに皿ばね0!19・
・を順次載せたのちキャップ部αり・・・で覆う。前記
各キャップ部の上面の4隅に設けられているねじ((t
aa)(13d))を操作してこれらキャップ部を放熱
基部に押しつけて行く。この間キャップに内装された皿
ばねα9・・・の弾力に抗して締結して前記隙間(g)
を零に、す力わち、キャップ部の下端を放熱基部の上面
に密接させる。このとき、皿ばねを締付けて生ずるたわ
み量とこれによシ発生する弾力との相関は第7図に示す
ように、たわみ量がある値を超えると発生する弾力は飽
和する。したがって、上述のキャップ部を放熱板に密接
させた状態がたとえm成する部品の長さ寸法のばらつき
によって皿ばねに過大な、たわみが加えられても、発生
する弾力が半導体装置を破損する加圧力に至らない。
この発明によれば、ノ」\型で組立ての答易な平型の半
導体装置を用いて簡単に構成され、しかもスタッド型の
半導体装置の長所を兼備する構造体が得られるという顕
著な利点と、スタッド型の半導体装置に比し、半導体菓
子の保腰にすぐれている利点がある。次に複数個の低電
流定格の平型半導体装置を並列に締結して比較的大wm
を散出すことができ、回路への装着を容易にし、かつコ
ン/セクトに組立てることができる利点もある。
導体装置を用いて簡単に構成され、しかもスタッド型の
半導体装置の長所を兼備する構造体が得られるという顕
著な利点と、スタッド型の半導体装置に比し、半導体菓
子の保腰にすぐれている利点がある。次に複数個の低電
流定格の平型半導体装置を並列に締結して比較的大wm
を散出すことができ、回路への装着を容易にし、かつコ
ン/セクトに組立てることができる利点もある。
第1図はスタッド型のダイオードの断面図、第2図は平
型の半導体装置の断面図、第3図は平型の半導体装置と
これに取着される放熱フィンとの一部断面で示す側面図
、第4図祉l実施例の一部の斜視図、第5図社第4図の
断面図、第6図は1実施例をさらにi明するための斜視
図、第7図は1集塵例に用いられる皿ばねの加圧力とた
わみ量との相関を示す線図である。 4A’ アノード電極 4に’ カソード電極 5 ダイオード 11 放熱基部 11a 放熱基部の上面 12 、12’ キャップ部 13a ・= 13d 、 13a ’・・13d’
、 −ねじ 14 を極導出端子板 15 皿はね 代理人 弁理士 井 上 −男 第2図 第 3 図 ψ 第4図 第 5 図
型の半導体装置の断面図、第3図は平型の半導体装置と
これに取着される放熱フィンとの一部断面で示す側面図
、第4図祉l実施例の一部の斜視図、第5図社第4図の
断面図、第6図は1実施例をさらにi明するための斜視
図、第7図は1集塵例に用いられる皿ばねの加圧力とた
わみ量との相関を示す線図である。 4A’ アノード電極 4に’ カソード電極 5 ダイオード 11 放熱基部 11a 放熱基部の上面 12 、12’ キャップ部 13a ・= 13d 、 13a ’・・13d’
、 −ねじ 14 を極導出端子板 15 皿はね 代理人 弁理士 井 上 −男 第2図 第 3 図 ψ 第4図 第 5 図
Claims (1)
- 複数個の平型半導体装置を各々の7ノード電極と接触さ
せて載置するとともにこれらの電極を共通に導出する手
段を備えた放熱基部と、前記放熱基部上に各半導体装置
を包むように堆着杆られた複数個のキャンプ部と、前記
各キャップ部の内部にアノード電極とは電気絶縁されか
つキャップ部を介して半導体装置のカソード電極に対し
ばねで圧接させた一連のカソード電極導出端子板とを具
備し、前記カソード電極導出端子板は各カソード電極に
ばねのたわみ量の飽和域内の弾力で弾接していることを
特徴とする半導体装置の電極を導出する装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13676381A JPS5837929A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 半導体装置の電極を導出する装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13676381A JPS5837929A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 半導体装置の電極を導出する装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5837929A true JPS5837929A (ja) | 1983-03-05 |
Family
ID=15182930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13676381A Pending JPS5837929A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 半導体装置の電極を導出する装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5837929A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5068275A (ja) * | 1973-10-15 | 1975-06-07 | ||
JPS536767U (ja) * | 1976-07-01 | 1978-01-20 |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP13676381A patent/JPS5837929A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5068275A (ja) * | 1973-10-15 | 1975-06-07 | ||
JPS536767U (ja) * | 1976-07-01 | 1978-01-20 |
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