JPS5833620B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5833620B2 JPS5833620B2 JP8446678A JP8446678A JPS5833620B2 JP S5833620 B2 JPS5833620 B2 JP S5833620B2 JP 8446678 A JP8446678 A JP 8446678A JP 8446678 A JP8446678 A JP 8446678A JP S5833620 B2 JPS5833620 B2 JP S5833620B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic recording
- manufacturing
- base material
- electron beam
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属薄膜形の磁気記録媒体の製造方法の改料
に係る。
に係る。
近年、磁気記録は短波長記録指向が強く、記録方式シス
テム、記録媒体の相互改良が進められている。
テム、記録媒体の相互改良が進められている。
短波長記録に有利な金属薄膜形の磁気記録媒体に必要な
条件は飽和磁束密度が大きい鉄属元素を大きい保磁力の
薄膜となし、かつ残留磁束密度を犬となし、自己減磁を
減少させることである。
条件は飽和磁束密度が大きい鉄属元素を大きい保磁力の
薄膜となし、かつ残留磁束密度を犬となし、自己減磁を
減少させることである。
保磁力を大きくするには、メッキでは公知のOoP系が
あり、Fe、Co、Ni蒸着膜では、特公昭41−19
389号公報に開示された斜方蒸着法によって得た膜が
ある。
あり、Fe、Co、Ni蒸着膜では、特公昭41−19
389号公報に開示された斜方蒸着法によって得た膜が
ある。
自己減磁を減らす方法もいくつか提案されている。
しかし、塗布形の磁気記録媒体の磁場配向によるような
角形比を太きくし、残留磁束密度を高める方法について
は、前記した斜方蒸着以外はあまり知られていない。
角形比を太きくし、残留磁束密度を高める方法について
は、前記した斜方蒸着以外はあまり知られていない。
パーマロイのような軟磁性材料と異なり、磁場中蒸着に
おける配向効果は殆んど蒸着では期待できない。
おける配向効果は殆んど蒸着では期待できない。
本発明は、斜方蒸着の蒸着効率の低い欠点を排除し、高
入射角で実施される斜方蒸着と同等の角形比を有する磁
気記録媒体の製造を提供するもので、第1図に本製造方
法の要点を説明するための図を、第2図に後述するe1
/eoと角形比の関係を示し、以下それに沿って詳しく
説明する。
入射角で実施される斜方蒸着と同等の角形比を有する磁
気記録媒体の製造を提供するもので、第1図に本製造方
法の要点を説明するための図を、第2図に後述するe1
/eoと角形比の関係を示し、以下それに沿って詳しく
説明する。
第1図において、1は真空雰囲気中の円筒状の回転キャ
ンで必要に応じて加熱または冷却されるよう構成される
。
ンで必要に応じて加熱または冷却されるよう構成される
。
2は高分子成形物基材で前記キャン1の周側面に沿って
移動すると共に、強磁性材料を加熱気化して得られた蒸
気流3に露呈され、目的の強磁性層が形成されるよう配
設される。
移動すると共に、強磁性材料を加熱気化して得られた蒸
気流3に露呈され、目的の強磁性層が形成されるよう配
設される。
4は蒸発面で基材の進行する方向と直角な方向に伸びた
(基材の幅に応じて適宜選択される)状態で用いられる
ものとする。
(基材の幅に応じて適宜選択される)状態で用いられる
ものとする。
蒸発面4の進行方向の幅をWとし、Wの中心Po’にた
てた垂線をq2、それと並行でかつキャン1の中心Oを
通る線をq。
てた垂線をq2、それと並行でかつキャン1の中心Oを
通る線をq。
とする。
q、とq2が一致する場合が多いが、それにこだわらず
図示したようにqlとq2が一致しない場合にも適用で
きるものである。
図示したようにqlとq2が一致しない場合にも適用で
きるものである。
必要なことは、蒸発面4を構成するための照射される電
子ビーム5のおよその包結線と図面において、Wの右端
部P1′より放射された蒸気流が基材に入射角90°で
入射する線分り、と、Po′より放射され基材に入射角
0°で入射する線分L2 とがそれぞれ交錯する点をp
、 t POとした時、P。
子ビーム5のおよその包結線と図面において、Wの右端
部P1′より放射された蒸気流が基材に入射角90°で
入射する線分り、と、Po′より放射され基材に入射角
0°で入射する線分L2 とがそれぞれ交錯する点をp
、 t POとした時、P。
P、’(=e、とする)とP。
Po′(=eoとする)との比(e1/eo)角と角形
比に重要な相関があることを本発明者は見出した。
比に重要な相関があることを本発明者は見出した。
以下具体的に説明する。
ポリエチレンテレフタレートフィルム(5μ厚)ポリエ
チレン2・6ナフタレートフイルム(5μ厚)ポリイミ
ドフィルム(5μ厚) 03種類を基材とし、5X10−5Torr〜lX10
−’Torrの酸素分圧中で0o99%Si1%を蒸発
面位置でのビームスポット径30朋の30KV、1.5
Aの電子ビームe1/eoを変化さセるよう電子ビーム
発生源の位置を移動して照射し、加熱気化させて磁性層
を形成した。
チレン2・6ナフタレートフイルム(5μ厚)ポリイミ
ドフィルム(5μ厚) 03種類を基材とし、5X10−5Torr〜lX10
−’Torrの酸素分圧中で0o99%Si1%を蒸発
面位置でのビームスポット径30朋の30KV、1.5
Aの電子ビームe1/eoを変化さセるよう電子ビーム
発生源の位置を移動して照射し、加熱気化させて磁性層
を形成した。
回転キャン1については直径50CIn、と直径1mの
2種類を用い、1、とz2の距離をOCm、から4Q/
Iまでの範囲可変し、L2を直径50cmの回転キャン
では32crnから48cm、の位置に蒸発面の中心が
設定されるよう条件を選び、直径1mの回転キャンでは
60crnから901までの範囲について蒸発面を移動
した。
2種類を用い、1、とz2の距離をOCm、から4Q/
Iまでの範囲可変し、L2を直径50cmの回転キャン
では32crnから48cm、の位置に蒸発面の中心が
設定されるよう条件を選び、直径1mの回転キャンでは
60crnから901までの範囲について蒸発面を移動
した。
いずれの実施例についても、各基材に0.03〜0.0
4μのOr層をあらかじめ蒸着した上に前記磁性層を形
成した。
4μのOr層をあらかじめ蒸着した上に前記磁性層を形
成した。
得られた保磁力は3800e〜7000eの範囲に条件
により異なったが、角形比については、第2図に示すよ
うにe、/e2が2.0以上に選択されれば、90%以
上の優れた角形比が得られることがわかった。
により異なったが、角形比については、第2図に示すよ
うにe、/e2が2.0以上に選択されれば、90%以
上の優れた角形比が得られることがわかった。
すなわち、elとe。
の差は、発生イオンの差で結晶成長の初期過程すなわち
900から徐々に低入射角側へと蒸着が行われるうちで
の高入射角成分におけるイオン量が多くなることの効果
である。
900から徐々に低入射角側へと蒸着が行われるうちで
の高入射角成分におけるイオン量が多くなることの効果
である。
これはキャンの周側に沿ってファラデーカップで測定し
て確認できたことである。
て確認できたことである。
なお、本発明者は、他の鉄属元素、またはそれらの組み
合せ、他元素をそれらに加えたものについても同様の効
果を有することを確認した。
合せ、他元素をそれらに加えたものについても同様の効
果を有することを確認した。
以上のように本発明の製造方法により得られた金属薄膜
形の磁気記録媒体は角形比が優れているものであり、ま
た磁性層を多層化しても同等の角形比を遠戚できたもの
であり、その産業性は大きいものである。
形の磁気記録媒体は角形比が優れているものであり、ま
た磁性層を多層化しても同等の角形比を遠戚できたもの
であり、その産業性は大きいものである。
第1図は本発明の製造方法を説明するための図、第2図
はe、/eoに対する角形比の特性図である。 1・・・・・・円筒状キャン、2・・・・・・高分子成
形物基材、3・・・・・・蒸気流、4・・・・・・蒸発
面、5・・・・・・電子ビーム。
はe、/eoに対する角形比の特性図である。 1・・・・・・円筒状キャン、2・・・・・・高分子成
形物基材、3・・・・・・蒸気流、4・・・・・・蒸発
面、5・・・・・・電子ビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 真空雰囲気中において円筒状キャンの周側面に沿っ
て移動する高分子成形物基材に磁性材料を加熱気化させ
て得た蒸気流を差し向けて磁性層を形成する磁気記録媒
体の製造方法において、前記基材に90°で入射する蒸
気流が磁性材料を加熱する電子ビームを切る長さをe、
とし蒸発面の長手方向の中心より出て基材に垂直に入射
する蒸気が前記電子ビームを切る長さをe。 とじたとき、e、≧2eoとなる条件で磁性層を形成す
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8446678A JPS5833620B2 (ja) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8446678A JPS5833620B2 (ja) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5512549A JPS5512549A (en) | 1980-01-29 |
JPS5833620B2 true JPS5833620B2 (ja) | 1983-07-21 |
Family
ID=13831395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8446678A Expired JPS5833620B2 (ja) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5833620B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59210140A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-28 | ハイソ−ル・ジヤパン株式会社 | 断熱建材 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62119476A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-05-30 | Meisei Electric Co Ltd | 位置測定方式 |
JP2621578B2 (ja) * | 1990-05-18 | 1997-06-18 | 日本電気株式会社 | 無指向性無線標識の近接置局方法 |
-
1978
- 1978-07-10 JP JP8446678A patent/JPS5833620B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59210140A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-28 | ハイソ−ル・ジヤパン株式会社 | 断熱建材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5512549A (en) | 1980-01-29 |
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