JPS6018912A - 真空蒸着による薄膜形成方法 - Google Patents
真空蒸着による薄膜形成方法Info
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- JPS6018912A JPS6018912A JP12819183A JP12819183A JPS6018912A JP S6018912 A JPS6018912 A JP S6018912A JP 12819183 A JP12819183 A JP 12819183A JP 12819183 A JP12819183 A JP 12819183A JP S6018912 A JPS6018912 A JP S6018912A
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- crucible
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/20—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by evaporation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、真空蒸着により、基材の表面に薄膜を形成
させる方法に関するものであって、さらに限定していう
と、磁気テープ等の磁気記録体を製作するに際し、高分
子フィルム等の基材の表面に磁性金属、その他の蒸着材
料を垂直に入射させて真空蒸着を行うことにより、垂直
磁化膜やその下地膜等を形成する方法に関するものであ
る。
させる方法に関するものであって、さらに限定していう
と、磁気テープ等の磁気記録体を製作するに際し、高分
子フィルム等の基材の表面に磁性金属、その他の蒸着材
料を垂直に入射させて真空蒸着を行うことにより、垂直
磁化膜やその下地膜等を形成する方法に関するものであ
る。
画像処理や情報処理等の分野で記録媒体として磁気テー
プ等の磁気記録体が多用されるに伴い、各種磁気記録方
式の開発や実用化が図られている。このような中で、近
年高密度の磁気記録方式として垂直磁気記録方式が注目
され、実用化に向け、記録方式、ヘッド、記録媒体等、
様々な方面からの技術改良が行われている。
プ等の磁気記録体が多用されるに伴い、各種磁気記録方
式の開発や実用化が図られている。このような中で、近
年高密度の磁気記録方式として垂直磁気記録方式が注目
され、実用化に向け、記録方式、ヘッド、記録媒体等、
様々な方面からの技術改良が行われている。
現在用いられている垂直磁気記録体は、スパッタリング
法や真空蒸着法により、高分子フィルム等、非磁性材料
からなる基材の表面に直接、またはパーマロイ等の高透
磁率材料の薄膜（下地膜）を介して、ＣＯとＣｒを主成
分とする磁性金属の薄膜（磁化膜）を凝着させたものが
主である。このうち、スパッタリング法は、生産性が低
いため、工業的に量産するのに幾つかの問題を残してい
るが、他方の真空蒸着法は、生産性に優れ、工業生産に
適した方法として有望視されている。
法や真空蒸着法により、高分子フィルム等、非磁性材料
からなる基材の表面に直接、またはパーマロイ等の高透
磁率材料の薄膜（下地膜）を介して、ＣＯとＣｒを主成
分とする磁性金属の薄膜（磁化膜）を凝着させたものが
主である。このうち、スパッタリング法は、生産性が低
いため、工業的に量産するのに幾つかの問題を残してい
るが、他方の真空蒸着法は、生産性に優れ、工業生産に
適した方法として有望視されている。
真空蒸着法による垂直磁気記録体の製作に際己てば、Ｃ
軸配向性を高めるため、基材の表面に対して蒸着材料の
蒸発気流を垂直に入射させる必要がある。しかし、真空
蒸着法において蒸発気流の入射角を規制する場合は、マ
スクに開設した成る程度の幅を持つスリット（照射窓）
により行うため、蒸発気流の入射角は、基材の表面に垂
直に入射する成分を中心として現実には成る程度の幅を
持っている。
軸配向性を高めるため、基材の表面に対して蒸着材料の
蒸発気流を垂直に入射させる必要がある。しかし、真空
蒸着法において蒸発気流の入射角を規制する場合は、マ
スクに開設した成る程度の幅を持つスリット（照射窓）
により行うため、蒸発気流の入射角は、基材の表面に垂
直に入射する成分を中心として現実には成る程度の幅を
持っている。
また、蒸着月料の加熱蒸発は、これに電子線を照射する
ことによって行うが、この場合、基材の表面に均一な磁
化膜や下地膜を形成し、同時に坩堝内の蒸着材料か万遍
なく蒸発するよう上記電子線を蒸着材料の表面において
掃引しながら照射する。ところが、この掃引に伴って電
子線の照射点をスリットに対して移動させると、蒸発気
流の発射点も移動することから、同金属の基材表面への
入射角の範囲も変動することになる。
ことによって行うが、この場合、基材の表面に均一な磁
化膜や下地膜を形成し、同時に坩堝内の蒸着材料か万遍
なく蒸発するよう上記電子線を蒸着材料の表面において
掃引しながら照射する。ところが、この掃引に伴って電
子線の照射点をスリットに対して移動させると、蒸発気
流の発射点も移動することから、同金属の基材表面への
入射角の範囲も変動することになる。
周知の通り、Ｃ軸配向性と基材表面への蒸着材料の入射
角とは密接な関係があり、さらに磁気記録体の垂直磁気
特性は、上記Ｃ軸配向性に大きな影響を受ける。従って
、垂直磁気特性の向上のためには、上記蒸発気流の入射
角の幅を許容できる範囲に抑えなければならない。
角とは密接な関係があり、さらに磁気記録体の垂直磁気
特性は、上記Ｃ軸配向性に大きな影響を受ける。従って
、垂直磁気特性の向上のためには、上記蒸発気流の入射
角の幅を許容できる範囲に抑えなければならない。
この点の問題を第１図によりさらに具体的に説明すると
、いまここでは、磁気記録体として磁気テープを製作す
る場合の例が示されている。
、いまここでは、磁気記録体として磁気テープを製作す
る場合の例が示されている。
基材１となるテープ状の高分子フィルムは、一方のロー
ラ３からから冷却ドラム２に添えられた後、他方のロー
ラ４に巻き取られる。冷却ドラム２と坩堝６の間には、
マスク５があって、同マスク５には、冷却ドラム２と坩
堝６の中心を結んだ中心線Ｚ上にスリット７が開設され
ている。坩堝６に収納された蒸着材料Ｓには、電子線Ｅ
Ｂが照射されるようになっており、これによって加熱蒸
発された同材料Ｓの蒸発気流が、上記スリット７を通過
して基材１の表面に入射する。
ラ３からから冷却ドラム２に添えられた後、他方のロー
ラ４に巻き取られる。冷却ドラム２と坩堝６の間には、
マスク５があって、同マスク５には、冷却ドラム２と坩
堝６の中心を結んだ中心線Ｚ上にスリット７が開設され
ている。坩堝６に収納された蒸着材料Ｓには、電子線Ｅ
Ｂが照射されるようになっており、これによって加熱蒸
発された同材料Ｓの蒸発気流が、上記スリット７を通過
して基材１の表面に入射する。
いまこごで冷却ドラム２の中心から蒸着材料Ｓ表面まで
の距離を２．同ドラム２の半径をＲ。
の距離を２．同ドラム２の半径をＲ。
スリット７の幅を上記中心線Ｚがら図中左右にそれぞれ
ｄとすると、基材１の表面に入射する蒸発気流の最大入
射角θｍは、近似的に次式でめることができる。
ｄとすると、基材１の表面に入射する蒸発気流の最大入
射角θｍは、近似的に次式でめることができる。
θｍ ＃（ｄ ／ Ｒ） 、 Ｘ Ｚ ／ （ｚ Ｒ）
即ぢ、この場合は、入射角がＯを中心として±θｍの幅
で存在することが示されている。
即ぢ、この場合は、入射角がＯを中心として±θｍの幅
で存在することが示されている。
ところが、電子線ＥＢの掃引によって、その照射点が中
心線Ｚを中心として図中左右に移動することから、これ
に伴う蒸発気流の発射点の移動により、実際には最大入
射角がΔθだげ増加し、結局蒸発気流は、基材１の表面
に対して±（θ４．＋Δθ）の範囲の入射角成分を含む
ことになる。
心線Ｚを中心として図中左右に移動することから、これ
に伴う蒸発気流の発射点の移動により、実際には最大入
射角がΔθだげ増加し、結局蒸発気流は、基材１の表面
に対して±（θ４．＋Δθ）の範囲の入射角成分を含む
ことになる。
いま照射点の移動による上記中心線Ｚがらの照射点の最
大移動距離を図中左右にそれぞれＸとすると、同照射点
が上記中心線Ｚから最も離れたときの最大入射角θ１７
１の増加分Δθは、Δθ＃ｘ／ （ｚ−Ｒ） となる；この式から明らかな通り、上記増加分Δθは、
Ｘが大きく、（ｚ−Ｒ）が小さくなる程大きくなる。換
言すれば、電子線ＥＢの照射点の移動幅２ｘが小さく、
蒸着材料Ｓから冷却ドラム２までの距離（ｚ−Ｒ’）、
即ち蒸着材料Ｓから基材１までの距離を離す程上記Δθ
を小さくすることができる。
大移動距離を図中左右にそれぞれＸとすると、同照射点
が上記中心線Ｚから最も離れたときの最大入射角θ１７
１の増加分Δθは、Δθ＃ｘ／ （ｚ−Ｒ） となる；この式から明らかな通り、上記増加分Δθは、
Ｘが大きく、（ｚ−Ｒ）が小さくなる程大きくなる。換
言すれば、電子線ＥＢの照射点の移動幅２ｘが小さく、
蒸着材料Ｓから冷却ドラム２までの距離（ｚ−Ｒ’）、
即ち蒸着材料Ｓから基材１までの距離を離す程上記Δθ
を小さくすることができる。
しかしながら、照射点の移動幅２ｘを小さくすることは
、即ち坩堝６の容積を小さくすることであり、また、蒸
着材料Ｓから基材１までの距離を離すことは、磁気記録
体の製造装置が大型化されることであり、何れも製造上
不利な条件を含んでいる。殊に、最大入射角θｍが小さ
な範囲では、蒸着効率ηが上記距離（ｚ−Ｒ）に反比例
することから、冷却ドラム２と蒸発気流の発射点との距
離を離すことは、蒸着効率ηを低下させる原因となる。
、即ち坩堝６の容積を小さくすることであり、また、蒸
着材料Ｓから基材１までの距離を離すことは、磁気記録
体の製造装置が大型化されることであり、何れも製造上
不利な条件を含んでいる。殊に、最大入射角θｍが小さ
な範囲では、蒸着効率ηが上記距離（ｚ−Ｒ）に反比例
することから、冷却ドラム２と蒸発気流の発射点との距
離を離すことは、蒸着効率ηを低下させる原因となる。
これらの問題は、上記のような垂直磁化膜の形成におい
てのみならず、蒸着材料を基材１の表面に垂直に入射さ
せる必要がある全ての場合に共通して存在する。例えば
、垂直磁気記録体ノ製造ニオいて、基材１表面にパーマ
ロ仁Ｔｉ等の下地膜を介して磁化膜を形成する場合、そ
の下地膜の形成に際して、上記材料の蒸発気流を基材の
表面に対して垂直に入射させて蒸着する必要があり、従
ってこの場合も上記と同様の問題を含むことになる。
てのみならず、蒸着材料を基材１の表面に垂直に入射さ
せる必要がある全ての場合に共通して存在する。例えば
、垂直磁気記録体ノ製造ニオいて、基材１表面にパーマ
ロ仁Ｔｉ等の下地膜を介して磁化膜を形成する場合、そ
の下地膜の形成に際して、上記材料の蒸発気流を基材の
表面に対して垂直に入射させて蒸着する必要があり、従
ってこの場合も上記と同様の問題を含むことになる。
この発明は、真空蒸着法により垂直磁化膜やその下地膜
等を形成する場合の上記問題を解消すべくなされたもの
であって、基材１の走行方向における電子線ＥＢの照射
点を固定することにより、最大入射角θＴｌｌを固定し
、これを磁気記録体の性能上許容できる範囲に抑えると
共に、蒸着効率ηの向上を図ったものである。以下、こ
の発明の構成をその実施例と共に詳細に説明する。
等を形成する場合の上記問題を解消すべくなされたもの
であって、基材１の走行方向における電子線ＥＢの照射
点を固定することにより、最大入射角θＴｌｌを固定し
、これを磁気記録体の性能上許容できる範囲に抑えると
共に、蒸着効率ηの向上を図ったものである。以下、こ
の発明の構成をその実施例と共に詳細に説明する。
この発明による方法では、電子線ＥＢの照射点を基材１
の幅方向にのみ掃引させると共に、坩堝６を電子線ＥＢ
の照射点に対して基材１の走行方向に移動さながら蒸着
を行う。即ち、電子線ＥＢの照射点を基材１の幅方向に
移動させながら、同器材１の走行方向については、絶対
的にその位置を固定し、これに対して坩堝６、即ち蒸着
材料Ｓ側を相対的に移動させるものである。このため、
電子線ＥＢの照射により蒸着材料Ｓから発射される蒸発
気流の発射点（電子線ＥＢの照射点と同じ位置）は、上
記基材１及びマスク５に対して同基材１の走行方向へは
移動せず、同蒸発気流の最大入射角θｍが、常に一定の
角度に固定される。
の幅方向にのみ掃引させると共に、坩堝６を電子線ＥＢ
の照射点に対して基材１の走行方向に移動さながら蒸着
を行う。即ち、電子線ＥＢの照射点を基材１の幅方向に
移動させながら、同器材１の走行方向については、絶対
的にその位置を固定し、これに対して坩堝６、即ち蒸着
材料Ｓ側を相対的に移動させるものである。このため、
電子線ＥＢの照射により蒸着材料Ｓから発射される蒸発
気流の発射点（電子線ＥＢの照射点と同じ位置）は、上
記基材１及びマスク５に対して同基材１の走行方向へは
移動せず、同蒸発気流の最大入射角θｍが、常に一定の
角度に固定される。
このことから、従来の場合に比べて、電子線ＥＢの掃引
照射によって生していた上記最大入射角θｍの増加分Δ
θだけ同最大入射角θｍを小さくすることができる。換
言すれば、最大入射角θ、を従来の場合と同じ角度に抑
える限り、スリット７の幅をそれだけ広く開くことがで
きる。いまここでスリット７の幅をΔｄだけ広くするこ
とができるものとし、同スリット７の幅をｄ’＝ｄ＋Δ
ｄとすると、Δｄ＝ｘ（Ｒ／Ｚ）であるから、 ｄ ’ −ｄ＋ｘ （Ｒ／ｚ） となる。
照射によって生していた上記最大入射角θｍの増加分Δ
θだけ同最大入射角θｍを小さくすることができる。換
言すれば、最大入射角θ、を従来の場合と同じ角度に抑
える限り、スリット７の幅をそれだけ広く開くことがで
きる。いまここでスリット７の幅をΔｄだけ広くするこ
とができるものとし、同スリット７の幅をｄ’＝ｄ＋Δ
ｄとすると、Δｄ＝ｘ（Ｒ／Ｚ）であるから、 ｄ ’ −ｄ＋ｘ （Ｒ／ｚ） となる。
ここで、蒸着効率ηは、上記スリット７の幅ｄに比例す
ることから、同スリット７の幅がｄの場合とｄ′の場合
における蒸着効率をそれぞれη、η′とすると、その比
は次の式でめられる。
ることから、同スリット７の幅がｄの場合とｄ′の場合
における蒸着効率をそれぞれη、η′とすると、その比
は次の式でめられる。
η′／η−１＋ （ｘ／ｄ） （Ｒ／ｚ）この場合、（
ｘ／ｄ）は楯ね１ 、（Ｒ／ ｚ ）は１／２前後であ
るから、スリット７の幅をｄ′とすることによって蒸着
効率を５０％程度向上させることができることになる。
ｘ／ｄ）は楯ね１ 、（Ｒ／ ｚ ）は１／２前後であ
るから、スリット７の幅をｄ′とすることによって蒸着
効率を５０％程度向上させることができることになる。
次ぎに、上記理論的効果を追認するため行った試験の結
果を実施例１及び２として以下に説明する。
果を実施例１及び２として以下に説明する。
（実施例１）
７５ｗ ｔ％のＣｏと２５ｗ ｔ％のＣｒとからなる合
金を、厚さ１０μ５幅１５０ｍ＋ａのポリエチレンテレ
フタレートからなるテープに、入射角を垂直方向に規制
したマスクを介して真空蒸着する。この場合に、上記蒸
着材料を収納した坩堝を上記テープの走行方向に４０ｍ
ｍ／ｓｅｃの速度で±４０龍幅の間を移動させながら蒸
着を行った。なお、その他の条件は、次の通りである。
金を、厚さ１０μ５幅１５０ｍ＋ａのポリエチレンテレ
フタレートからなるテープに、入射角を垂直方向に規制
したマスクを介して真空蒸着する。この場合に、上記蒸
着材料を収納した坩堝を上記テープの走行方向に４０ｍ
ｍ／ｓｅｃの速度で±４０龍幅の間を移動させながら蒸
着を行った。なお、その他の条件は、次の通りである。
冷却ドラム半径＝２５０關
テープの走行速度：２〜１０ｍ／ｍｉｎ蒸着材料から冷
却ドラムまでの距離： ５００ｍｍ蒸着雰囲気： ５
Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ電子線の照射点直径：３關 これに対し比較のため、比較例１として上記と同じ蒸着
条件で坩堝側を固定し、電子線をテープの走行方向に±
４０ｍｍの幅をもって４９ｗｍ／ｓｅｃの速度で掃引照
射させながら蒸着を行った。
却ドラムまでの距離： ５００ｍｍ蒸着雰囲気： ５
Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ電子線の照射点直径：３關 これに対し比較のため、比較例１として上記と同じ蒸着
条件で坩堝側を固定し、電子線をテープの走行方向に±
４０ｍｍの幅をもって４９ｗｍ／ｓｅｃの速度で掃引照
射させながら蒸着を行った。
そしてこれらの各場合について、それぞれマスクによっ
て規制される上記テープ表面に対する蒸発気流の最大入
射角θｍを横軸にとり、蒸着膜の膜厚を３，０００八と
したときのＣ軸配向性を示す（００２）面に関するロッ
キングカーブの半値幅Δθ５ｏを縦軸にとって、これら
の関係を示した図表が第２図である。また、この図表で
は、上記最大入射角θｍと蒸着効率ηとの関係を点線で
示しである。
て規制される上記テープ表面に対する蒸発気流の最大入
射角θｍを横軸にとり、蒸着膜の膜厚を３，０００八と
したときのＣ軸配向性を示す（００２）面に関するロッ
キングカーブの半値幅Δθ５ｏを縦軸にとって、これら
の関係を示した図表が第２図である。また、この図表で
は、上記最大入射角θｍと蒸着効率ηとの関係を点線で
示しである。
この結果から明らかな通り、実施例１では、蒸着膜のロ
ッキングカーブの半値幅Δθ５ｏが１０°の場合、蒸着
効率ηが２６％であるのに対し、比較例１では、これが
１９．５％であり、前者が後者に比べて優れていること
が理解できる。
ッキングカーブの半値幅Δθ５ｏが１０°の場合、蒸着
効率ηが２６％であるのに対し、比較例１では、これが
１９．５％であり、前者が後者に比べて優れていること
が理解できる。
（実施例２）
７０ｗ ｔ％のＣｏと３０ｗｔ％のＮｉとからなる合金
を、厚さ１０μ１幅１５０龍のポリエチレンテレツクレ
ートからなるテープに、酸素ガスを導入しつつ入射角を
垂直方向に規制したマスクを介して真空蒸着するに際し
、上記実施例と同じ幅及び速度で坩堝を上記テープの走
行方向に移動させながら蒸着を行った。この場合の蒸着
条件は、上記実施例１と同じである。
を、厚さ１０μ１幅１５０龍のポリエチレンテレツクレ
ートからなるテープに、酸素ガスを導入しつつ入射角を
垂直方向に規制したマスクを介して真空蒸着するに際し
、上記実施例と同じ幅及び速度で坩堝を上記テープの走
行方向に移動させながら蒸着を行った。この場合の蒸着
条件は、上記実施例１と同じである。
これに対し比較のため、上記比較例１と同じ条件で坩堝
側を固定し、電子線をテープの走行方向に掃引照射させ
ながら蒸着を行い、これを比較例２とした。
側を固定し、電子線をテープの走行方向に掃引照射させ
ながら蒸着を行い、これを比較例２とした。
そして、上記実施例１の場合と同様、最大入射角θｍと
蒸着膜のロッキングカーブの半値幅Δθ５ｏとの関係を
上記比較例２と共に図表として示したのが第３図である
。この場合も、」１記実施例１と同様のことが理解でき
る。
蒸着膜のロッキングカーブの半値幅Δθ５ｏとの関係を
上記比較例２と共に図表として示したのが第３図である
。この場合も、」１記実施例１と同様のことが理解でき
る。
以上のようにして、この発明によれば、真空蒸着によっ
て高分子フィルム等の基材表面に磁化膜等の薄膜を形成
させるような場合に、基材表面に対する蒸発気流の入射
角を成る定められた狭い範囲に固定できることから、総
じて垂直磁気特性の優れた磁気記録体を製作することが
できる。また、蒸発気流の入射角を一定の範囲に抑える
場合に、マスクのスリットの幅を成る程度広く開くこと
ができることから、蒸着効率の向上を図ることができる
。
て高分子フィルム等の基材表面に磁化膜等の薄膜を形成
させるような場合に、基材表面に対する蒸発気流の入射
角を成る定められた狭い範囲に固定できることから、総
じて垂直磁気特性の優れた磁気記録体を製作することが
できる。また、蒸発気流の入射角を一定の範囲に抑える
場合に、マスクのスリットの幅を成る程度広く開くこと
ができることから、蒸着効率の向上を図ることができる
。
第１図は、この発明による方法を示す説明図、第２図及
び第３図は、その実施例における蒸発気流の最大入射角
と蒸着膜のロッキングカーブの半値幅との関係をそれぞ
れ比較例と共に示した図表である。 １−基材 ５−マスク ６−坩堝 ＥＢ−電子線 Ｓ・−・蒸着材料 特許出願人 太陽誘電株式会社 同 上 株式会社エイコーエンジニアリング 代理人 弁理士 北條和由 ＄１図 ８２図 Δｅｓｏ ’） 第３図 第１頁の続き ■出 願 人 株式会社エイコーエンジニアリング 水戸市酒門町字千束４２５４番地の
び第３図は、その実施例における蒸発気流の最大入射角
と蒸着膜のロッキングカーブの半値幅との関係をそれぞ
れ比較例と共に示した図表である。 １−基材 ５−マスク ６−坩堝 ＥＢ−電子線 Ｓ・−・蒸着材料 特許出願人 太陽誘電株式会社 同 上 株式会社エイコーエンジニアリング 代理人 弁理士 北條和由 ＄１図 ８２図 Δｅｓｏ ’） 第３図 第１頁の続き ■出 願 人 株式会社エイコーエンジニアリング 水戸市酒門町字千束４２５４番地の
Claims (1)
- １、電子線の照射により、真空状態の中で磁性金属等の
蒸着材料を加熱蒸発し、入射角規制用のマスクを通して
上記蒸発気流を一定方向に走行する高分子フィルム等の
基材の表面に垂直に入射させ、これを同表面に凝着させ
て、垂直磁化膜やその下地膜等の薄膜を形成させるよう
にした真空蒸着による薄膜形成方法において、電子線の
照射点を同基材の幅方向にのみ掃引させると共に、蒸着
材料が収納された坩堝を、上記基材の走行方向に移動さ
せながら上記蒸着を行うようにしたことを特徴とする真
空蒸着による薄膜形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12819183A JPS6018912A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 真空蒸着による薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12819183A JPS6018912A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 真空蒸着による薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018912A true JPS6018912A (ja) | 1985-01-31 |
| JPH0330971B2 JPH0330971B2 (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=14978698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12819183A Granted JPS6018912A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 真空蒸着による薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018912A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62158861A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | イオンプレ−テイング装置 |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP12819183A patent/JPS6018912A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62158861A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | イオンプレ−テイング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0330971B2 (ja) | 1991-05-01 |
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