JPS5827408A - 低入力インピ−ダンス型広帯域前置増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、低入力インピーダンス型広帯域前置増＠器
の改良に関する。

出力インピーダンスが小さく容量の大きい信号源からの
信号を広い周波数帯域化わたって増幅する場合、一般に
は低入力インピーダンス型広帯域前置増幅器が用いられ
る。この増幅器に関しては。

発明者は先に特願昭５６−７３９２６で、一対の相違性
トランジスタを２組使用することで温度変化に対する安
定化を図る仁とができ、しかも、消費電力が少なく入力
インピーダンスの極めて低い広帯域で低雑音の前置増ｓ
Ｉ器を開示した。

ところが、この前置増幅器は′、最終段にエミッタ・ホ
ロワを設けて、その出力インピーダンスを低く保持する
ようにしたものであり、かかる低出力インピーダンスの
出力信号を必要としないものに適用する場合には、その
エミッタ・ホロワが不必要なものとならざるを得ない。

この発明は、かかるエミッタ・ホロワを用いずに、増幅
器全体の温度変化に対する安定化を図ることがでキ、シ
かも１．その増幅特性が先願に対して勝るとも劣らＩＪ
い低入力インピーダンス型広帯域前置増幅器を提供する
ことを目的とする。

すなわち、この発明は、ペース接地増幅器を初段に、エ
ミッタ接地増＠器を１ｌＩ２Ｒと最終段と蓄こ順次直接
結合してなり、初段の増幅器をＮＰＮ型トランクスタで
、６２段と最終段との増幅器をＰＮＰ型トランジスタで
そｎぞｎ構成し、第２役場幅器のエミッタ回路にバイア
ス供給を兼ねた温度補償素子を組込むととも化、最終段
増幅器のエミッタを初段増＠器のエミッタに直結して、
最終段増幅器のコレクタから出力信号を得るようにして
なる低入力インピーダンス型広帯域前置増幅器にかかる
ものである。

この発明は、前記先願における最終段のエミッタ・ホロ
ワを省いて、その直前の第３役場幅器から直接出力信号
を得るようにし、この最終段のエミッタ・・ホロワを省
（ことによる回路全体の熟的安定度の低下は、＠２段増
幅器にバイアス供給を兼ねた温度補償素子を組込むこと
によって補償するようにしたものである。

以下、この発明の具体的な構成を図面に基づいて詳細に
説明する。

図は、この発明化かかる増幅器の一実施例の同略構成を
示したもので、この増幅器は、直結３役場幅器として構
成され、その初段−こはベース接地増幅器（至）が、Ｉ
ｌｍ２段と最終段夢こはエミッタ接地増幅ａｍ−が用い
られる。そして、各増幅器α０−（至）を構成するトラ
ンジスタ（Ｑｌ）〜（Ｑ３）は、初段カＮＰＮ型で第２
段と最終段とがＰＮＰ型でそれぞれ構成され、また、ト
ランジスタ（Ｑ２）のエミッタにはバイアス供給を兼ね
たツェナーダイオード等からなる温度補償素子（Ｄｌ）
が接続される。こｎは、ＮＰＮ型とＰＮＰ型のいわゆる
相違性トランジスタを用いることによって、温度変化化
よるこれら一対のトランジスタのコレクタ電流の変動を
相殺させ、また、残る１つのＰＮＰ型トランジスタに対
しては。

温度補償素子（Ｄｌ）でもってそのコレクタ電流め変動
を相殺させ０回路全体として温度変化に対する直流出力
電圧の安定化を図るようにしたものである。この場合に
おいて、特に初段にＮＰＮ型を配し。

第２段と最終段とにＰＮＰ型を配したのは、後述する電
流帰還回路（ト）を形成すること書ζよる回路全体の作
動条件からくる限定であり、その詳細については、前記
先願番ζおいて詳述した。

仁の電流帰還回路のは、初段のトランジスタ（Ｑｓ）（
ｆ）ｚミッタと最終段のトランジスタ（偽）のエミッタ
とを直結する仁と化よって形成される。ξれは。

初段増幅ｌＩ（至）への入力電ＩｉＩを総て最終段増幅
器−の二電ツタ電流として取り込むように作動させるた
めであ伽、これによって、入力端子■から見た入力イン
ピーダンスを一層低減させ、広帯域にわたる増幅と高信
号対低雑音比を達成させることがで拳る。

各トランジスタ（ｑｌ）〜（も）は、負荷抵抗（Ｒ１）
〜（−）とツェナーダイオード（Ｄｌ）とを介して２電
ｍ　（Ｖｌ）（ｖ２）から電流帰還方式でもって所定電
圧値にバイアスｓｔＬる。

すなわち、トランジスタ（Ｑｌ）のコレクタは（Ｌ）を
介して、また、二電ツタは（１１）を介してそれぞれバ
イアスされ、その時のペースエミッタ間は。

ベースがＩＩ地さｎている仁とｋよりトランジスタ固有
のペースエミッタ問電圧値に保持さ詐る。

一方、トランジスタ（Ｑｌ）のエミッタはツェナーダイ
オード（Ｄｌ）を介して、また、コレクタは（−）を介
してそれぞれバイアスされ、この時のペースエ【ツタ閏
にはｅ　　（Ｑｌ）のコレクタ電流の（Ｒ１）による電
圧降下と、ツェナーダイオード（Ｄｌ）の端子間電圧と
の差が供給される。

また、トランジスタ（モ）のコレクタは（Ｒ１）を介し
て、またそのエミッタは、初段の（Ｒｓ）を介してそれ
ぞｎバイアスされ、この時のベースエミッタ間ζζは、
（−）のコレクタ電流の（１ｍ）による電圧降下（Ｖｃ
＊）に、　　（Ｑｓ）のベース電流の（Ｉｌｍ）による
電圧降下を加えた電圧と、（１）のエミッタ電圧との差
が供給される。

仁の場合ｅ　（Ｑｌ）のエミッタ電位は、前述の通り定
まっているので、（偽）のベース電位はそのエミッタ電
位より（ｖｌｍｓ）だけ低くする必要がある。そのため
に負荷抵抗（Ｉｔ）　（Ｒｓ）　（Ｒすの抵抗値は、そ
れに応するように適宜選定さ詐る。

このように各トランジスタ（Ｑｌ）〜（電）が所定電圧
値にバイアスされた状層においては（ｑｌ）の二定ツタ
電流は一定値に安定し０次のように動作する。

すなわち、入力端子０に矢印方向の入力電流（工五ンが
導入さ詐ると、この（１１）の（＆）の電圧降下によっ
て（Ｑｌ）のエミッタ電位は上昇し、それによって（Ｑ
ｌ）のベース電流が減少し、さらにそのコレクタ電流が
減少してコレクタ電位を上昇させる（マｃ１参ｊ［）。

この上昇によって＜（ｈ　）のベースエミッタ問電圧が
減少し、そのベース電流が減少する。これによフで（Ｑ
２）のコレクタにはβ（エミッタ接地電流増幅率）倍増
幅されたコレクタ電流が流れ。

そのコレクタ電位（マｃｓ参照）を降下させる。

−万、　（Ｑｓ）のエミッタ電位（Ｖｍｓ）は、（ｑ）
のエミッタ電位と等しくなっているため、その電位＜Ｖ
ｍｓ）は上昇する（Ｖ・１参照ン。このため、　　（Ｑ
ｌ）のペースエミッタ閲の電位差（Ｖａｎｓ）は加算的
に増大し、　　（Ｑｓ）のベース電流を増大させる。し
たがって、（電）のコレクタ薯ζは、さらに１倍さｎた
コレクタ電流が流れ、これが出力鳴子Ｏ（財）から出力
信号として出力さ詐る。この場合、その出力インピーダ
ンスは、ｍ記先願のものよりも高いことは明らかである
。

また、（も）のエミッタ電流は、前記電流帰這園略（ト
）を介して初段増幅器（至）の入力端に帰還さｎ。

増幅動作の安定化と広帯域にわたる周波数特性の改善、
並びに雑音等の低減が行なわれる。

以上、一実施例について述べたが、この発明の要旨内に
おいて種々の変形実施例が考慮され得ることは明らかで
ある０例えば、湿度補償素子としてサーミスタ等を用い
ることができろし、また。

この実施例に示すような２電源方式に代えて１電源方式
でもって構成することも可能である。

この発明は１以上説明したように、一対の相違性トラン
ジスタを１組と、互いに温度特性を打ち消しあうトラン
ジスタと温度補償素子のＩｌｌとを使用して増幅器を構
成したので、増幅器全体の温度変化に対する直流出力電
圧の安定度を良くすることができる。また、直結４段増
幅器である前記先願に対し、この発明にかかる増幅器は
直結３段増幅器として構成したので、前記先願のものよ
りも回路素子数を少なくすることができ、そのＩＣ化も
容易かつ安価に行なうことができる。また。

回路素子数が少なくなった分だけ前記先願のものよりも
その消費電力を低減することができる等の効ＪｌＫを奏
する。

【図面の簡単な説明】

図は仁の発明にかかる前置増幅器の一実施例を示す鴎略
図である。 （至）−・・・・ベース接地増幅器（初段増幅器）−一
・−エミッタ接地増幅器（第２役場幅Ｉｔ）（至）−・
・−エミッタ接地増幅器（最終段増幅器）（Ｄｓ）”一
温度補償素子 （ｑｌ）〜（偽）−・・・・トランジスタａ−一出力端
子　　　　（ｑ−・・・・・帰還コンデンサ’１＊ｖｒ
”正負の電源電圧

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ベース接地増幅器を初段に、エミッタ接地増幅器をＩＮ
   ２段と最終段とに順次［接結台してなり。 初段の増幅器をＮＰＮ＠トランジスタで、１１２８１最
   終段との増幅器をＰＮＰ　＠　）ランジスタでそれぞれ
   構成し、第２役場幅器のエミッタ回路にバイアス供ｌｌ
   Ｉを兼ねた温度補償素子を組込むとともに。 最終段増幅器のエミッタを初段増幅器のエミッタに直結
   して、最終段増幅器のコレクタから出力信号を得るよう
   にしてなる低入方インピーダンス書広帯域前置増ＩＩＩ
   ＡＩＩ。