JPS5827408A - 低入力インピ−ダンス型広帯域前置増幅器 - Google Patents
低入力インピ−ダンス型広帯域前置増幅器Info
- Publication number
- JPS5827408A JPS5827408A JP56126309A JP12630981A JPS5827408A JP S5827408 A JPS5827408 A JP S5827408A JP 56126309 A JP56126309 A JP 56126309A JP 12630981 A JP12630981 A JP 12630981A JP S5827408 A JPS5827408 A JP S5827408A
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- amplifier
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- potential
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、低入力インピーダンス型広帯域前置増@器
の改良に関する。
の改良に関する。
出力インピーダンスが小さく容量の大きい信号源からの
信号を広い周波数帯域化わたって増幅する場合、一般に
は低入力インピーダンス型広帯域前置増幅器が用いられ
る。この増幅器に関しては。
信号を広い周波数帯域化わたって増幅する場合、一般に
は低入力インピーダンス型広帯域前置増幅器が用いられ
る。この増幅器に関しては。
発明者は先に特願昭56−73926で、一対の相違性
トランジスタを2組使用することで温度変化に対する安
定化を図る仁とができ、しかも、消費電力が少なく入力
インピーダンスの極めて低い広帯域で低雑音の前置増s
I器を開示した。
トランジスタを2組使用することで温度変化に対する安
定化を図る仁とができ、しかも、消費電力が少なく入力
インピーダンスの極めて低い広帯域で低雑音の前置増s
I器を開示した。
ところが、この前置増幅器は′、最終段にエミッタ・ホ
ロワを設けて、その出力インピーダンスを低く保持する
ようにしたものであり、かかる低出力インピーダンスの
出力信号を必要としないものに適用する場合には、その
エミッタ・ホロワが不必要なものとならざるを得ない。
ロワを設けて、その出力インピーダンスを低く保持する
ようにしたものであり、かかる低出力インピーダンスの
出力信号を必要としないものに適用する場合には、その
エミッタ・ホロワが不必要なものとならざるを得ない。
この発明は、かかるエミッタ・ホロワを用いずに、増幅
器全体の温度変化に対する安定化を図ることがでキ、シ
かも1.その増幅特性が先願に対して勝るとも劣らIJ
い低入力インピーダンス型広帯域前置増幅器を提供する
ことを目的とする。
器全体の温度変化に対する安定化を図ることがでキ、シ
かも1.その増幅特性が先願に対して勝るとも劣らIJ
い低入力インピーダンス型広帯域前置増幅器を提供する
ことを目的とする。
すなわち、この発明は、ペース接地増幅器を初段に、エ
ミッタ接地増@器を1lI2Rと最終段と蓄こ順次直接
結合してなり、初段の増幅器をNPN型トランクスタで
、62段と最終段との増幅器をPNP型トランジスタで
そnぞn構成し、第2役場幅器のエミッタ回路にバイア
ス供給を兼ねた温度補償素子を組込むととも化、最終段
増幅器のエミッタを初段増@器のエミッタに直結して、
最終段増幅器のコレクタから出力信号を得るようにして
なる低入力インピーダンス型広帯域前置増幅器にかかる
ものである。
ミッタ接地増@器を1lI2Rと最終段と蓄こ順次直接
結合してなり、初段の増幅器をNPN型トランクスタで
、62段と最終段との増幅器をPNP型トランジスタで
そnぞn構成し、第2役場幅器のエミッタ回路にバイア
ス供給を兼ねた温度補償素子を組込むととも化、最終段
増幅器のエミッタを初段増@器のエミッタに直結して、
最終段増幅器のコレクタから出力信号を得るようにして
なる低入力インピーダンス型広帯域前置増幅器にかかる
ものである。
この発明は、前記先願における最終段のエミッタ・ホロ
ワを省いて、その直前の第3役場幅器から直接出力信号
を得るようにし、この最終段のエミッタ・・ホロワを省
(ことによる回路全体の熟的安定度の低下は、@2段増
幅器にバイアス供給を兼ねた温度補償素子を組込むこと
によって補償するようにしたものである。
ワを省いて、その直前の第3役場幅器から直接出力信号
を得るようにし、この最終段のエミッタ・・ホロワを省
(ことによる回路全体の熟的安定度の低下は、@2段増
幅器にバイアス供給を兼ねた温度補償素子を組込むこと
によって補償するようにしたものである。
以下、この発明の具体的な構成を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
図は、この発明化かかる増幅器の一実施例の同略構成を
示したもので、この増幅器は、直結3役場幅器として構
成され、その初段−こはベース接地増幅器(至)が、I
lm2段と最終段夢こはエミッタ接地増幅am−が用い
られる。そして、各増幅器α0−(至)を構成するトラ
ンジスタ(Ql)〜(Q3)は、初段カNPN型で第2
段と最終段とがPNP型でそれぞれ構成され、また、ト
ランジスタ(Q2)のエミッタにはバイアス供給を兼ね
たツェナーダイオード等からなる温度補償素子(Dl)
が接続される。こnは、NPN型とPNP型のいわゆる
相違性トランジスタを用いることによって、温度変化化
よるこれら一対のトランジスタのコレクタ電流の変動を
相殺させ、また、残る1つのPNP型トランジスタに対
しては。
示したもので、この増幅器は、直結3役場幅器として構
成され、その初段−こはベース接地増幅器(至)が、I
lm2段と最終段夢こはエミッタ接地増幅am−が用い
られる。そして、各増幅器α0−(至)を構成するトラ
ンジスタ(Ql)〜(Q3)は、初段カNPN型で第2
段と最終段とがPNP型でそれぞれ構成され、また、ト
ランジスタ(Q2)のエミッタにはバイアス供給を兼ね
たツェナーダイオード等からなる温度補償素子(Dl)
が接続される。こnは、NPN型とPNP型のいわゆる
相違性トランジスタを用いることによって、温度変化化
よるこれら一対のトランジスタのコレクタ電流の変動を
相殺させ、また、残る1つのPNP型トランジスタに対
しては。
温度補償素子(Dl)でもってそのコレクタ電流め変動
を相殺させ0回路全体として温度変化に対する直流出力
電圧の安定化を図るようにしたものである。この場合に
おいて、特に初段にNPN型を配し。
を相殺させ0回路全体として温度変化に対する直流出力
電圧の安定化を図るようにしたものである。この場合に
おいて、特に初段にNPN型を配し。
第2段と最終段とにPNP型を配したのは、後述する電
流帰還回路(ト)を形成すること書ζよる回路全体の作
動条件からくる限定であり、その詳細については、前記
先願番ζおいて詳述した。
流帰還回路(ト)を形成すること書ζよる回路全体の作
動条件からくる限定であり、その詳細については、前記
先願番ζおいて詳述した。
仁の電流帰還回路のは、初段のトランジスタ(Qs)(
f)zミッタと最終段のトランジスタ(偽)のエミッタ
とを直結する仁と化よって形成される。ξれは。
f)zミッタと最終段のトランジスタ(偽)のエミッタ
とを直結する仁と化よって形成される。ξれは。
初段増幅lI(至)への入力電IiIを総て最終段増幅
器−の二電ツタ電流として取り込むように作動させるた
めであ伽、これによって、入力端子■から見た入力イン
ピーダンスを一層低減させ、広帯域にわたる増幅と高信
号対低雑音比を達成させることがで拳る。
器−の二電ツタ電流として取り込むように作動させるた
めであ伽、これによって、入力端子■から見た入力イン
ピーダンスを一層低減させ、広帯域にわたる増幅と高信
号対低雑音比を達成させることがで拳る。
各トランジスタ(ql)〜(も)は、負荷抵抗(R1)
〜(−)とツェナーダイオード(Dl)とを介して2電
m (Vl)(v2)から電流帰還方式でもって所定電
圧値にバイアスstLる。
〜(−)とツェナーダイオード(Dl)とを介して2電
m (Vl)(v2)から電流帰還方式でもって所定電
圧値にバイアスstLる。
すなわち、トランジスタ(Ql)のコレクタは(L)を
介して、また、二電ツタは(11)を介してそれぞれバ
イアスされ、その時のペースエミッタ間は。
介して、また、二電ツタは(11)を介してそれぞれバ
イアスされ、その時のペースエミッタ間は。
ベースがII地さnている仁とkよりトランジスタ固有
のペースエミッタ問電圧値に保持さ詐る。
のペースエミッタ問電圧値に保持さ詐る。
一方、トランジスタ(Ql)のエミッタはツェナーダイ
オード(Dl)を介して、また、コレクタは(−)を介
してそれぞれバイアスされ、この時のペースエ【ツタ閏
にはe (Ql)のコレクタ電流の(R1)による電
圧降下と、ツェナーダイオード(Dl)の端子間電圧と
の差が供給される。
オード(Dl)を介して、また、コレクタは(−)を介
してそれぞれバイアスされ、この時のペースエ【ツタ閏
にはe (Ql)のコレクタ電流の(R1)による電
圧降下と、ツェナーダイオード(Dl)の端子間電圧と
の差が供給される。
また、トランジスタ(モ)のコレクタは(R1)を介し
て、またそのエミッタは、初段の(Rs)を介してそれ
ぞnバイアスされ、この時のベースエミッタ間ζζは、
(−)のコレクタ電流の(1m)による電圧降下(Vc
*)に、 (Qs)のベース電流の(Ilm)による
電圧降下を加えた電圧と、(1)のエミッタ電圧との差
が供給される。
て、またそのエミッタは、初段の(Rs)を介してそれ
ぞnバイアスされ、この時のベースエミッタ間ζζは、
(−)のコレクタ電流の(1m)による電圧降下(Vc
*)に、 (Qs)のベース電流の(Ilm)による
電圧降下を加えた電圧と、(1)のエミッタ電圧との差
が供給される。
仁の場合e (Ql)のエミッタ電位は、前述の通り定
まっているので、(偽)のベース電位はそのエミッタ電
位より(vlms)だけ低くする必要がある。そのため
に負荷抵抗(It) (Rs) (Rすの抵抗値は、そ
れに応するように適宜選定さ詐る。
まっているので、(偽)のベース電位はそのエミッタ電
位より(vlms)だけ低くする必要がある。そのため
に負荷抵抗(It) (Rs) (Rすの抵抗値は、そ
れに応するように適宜選定さ詐る。
このように各トランジスタ(Ql)〜(電)が所定電圧
値にバイアスされた状層においては(ql)の二定ツタ
電流は一定値に安定し0次のように動作する。
値にバイアスされた状層においては(ql)の二定ツタ
電流は一定値に安定し0次のように動作する。
すなわち、入力端子0に矢印方向の入力電流(工五ンが
導入さ詐ると、この(11)の(&)の電圧降下によっ
て(Ql)のエミッタ電位は上昇し、それによって(Q
l)のベース電流が減少し、さらにそのコレクタ電流が
減少してコレクタ電位を上昇させる(マc1参j[)。
導入さ詐ると、この(11)の(&)の電圧降下によっ
て(Ql)のエミッタ電位は上昇し、それによって(Q
l)のベース電流が減少し、さらにそのコレクタ電流が
減少してコレクタ電位を上昇させる(マc1参j[)。
この上昇によって<(h )のベースエミッタ問電圧が
減少し、そのベース電流が減少する。これによフで(Q
2)のコレクタにはβ(エミッタ接地電流増幅率)倍増
幅されたコレクタ電流が流れ。
減少し、そのベース電流が減少する。これによフで(Q
2)のコレクタにはβ(エミッタ接地電流増幅率)倍増
幅されたコレクタ電流が流れ。
そのコレクタ電位(マcs参照)を降下させる。
−万、 (Qs)のエミッタ電位(Vms)は、(q)
のエミッタ電位と等しくなっているため、その電位<V
ms)は上昇する(V・1参照ン。このため、 (Q
l)のペースエミッタ閲の電位差(Vans)は加算的
に増大し、 (Qs)のベース電流を増大させる。し
たがって、(電)のコレクタ薯ζは、さらに1倍さnた
コレクタ電流が流れ、これが出力鳴子O(財)から出力
信号として出力さ詐る。この場合、その出力インピーダ
ンスは、m記先願のものよりも高いことは明らかである
。
のエミッタ電位と等しくなっているため、その電位<V
ms)は上昇する(V・1参照ン。このため、 (Q
l)のペースエミッタ閲の電位差(Vans)は加算的
に増大し、 (Qs)のベース電流を増大させる。し
たがって、(電)のコレクタ薯ζは、さらに1倍さnた
コレクタ電流が流れ、これが出力鳴子O(財)から出力
信号として出力さ詐る。この場合、その出力インピーダ
ンスは、m記先願のものよりも高いことは明らかである
。
また、(も)のエミッタ電流は、前記電流帰這園略(ト
)を介して初段増幅器(至)の入力端に帰還さn。
)を介して初段増幅器(至)の入力端に帰還さn。
増幅動作の安定化と広帯域にわたる周波数特性の改善、
並びに雑音等の低減が行なわれる。
並びに雑音等の低減が行なわれる。
以上、一実施例について述べたが、この発明の要旨内に
おいて種々の変形実施例が考慮され得ることは明らかで
ある0例えば、湿度補償素子としてサーミスタ等を用い
ることができろし、また。
おいて種々の変形実施例が考慮され得ることは明らかで
ある0例えば、湿度補償素子としてサーミスタ等を用い
ることができろし、また。
この実施例に示すような2電源方式に代えて1電源方式
でもって構成することも可能である。
でもって構成することも可能である。
この発明は1以上説明したように、一対の相違性トラン
ジスタを1組と、互いに温度特性を打ち消しあうトラン
ジスタと温度補償素子のIllとを使用して増幅器を構
成したので、増幅器全体の温度変化に対する直流出力電
圧の安定度を良くすることができる。また、直結4段増
幅器である前記先願に対し、この発明にかかる増幅器は
直結3段増幅器として構成したので、前記先願のものよ
りも回路素子数を少なくすることができ、そのIC化も
容易かつ安価に行なうことができる。また。
ジスタを1組と、互いに温度特性を打ち消しあうトラン
ジスタと温度補償素子のIllとを使用して増幅器を構
成したので、増幅器全体の温度変化に対する直流出力電
圧の安定度を良くすることができる。また、直結4段増
幅器である前記先願に対し、この発明にかかる増幅器は
直結3段増幅器として構成したので、前記先願のものよ
りも回路素子数を少なくすることができ、そのIC化も
容易かつ安価に行なうことができる。また。
回路素子数が少なくなった分だけ前記先願のものよりも
その消費電力を低減することができる等の効JlKを奏
する。
その消費電力を低減することができる等の効JlKを奏
する。
図は仁の発明にかかる前置増幅器の一実施例を示す鴎略
図である。 (至)−・・・・ベース接地増幅器(初段増幅器)−一
・−エミッタ接地増幅器(第2役場幅It)(至)−・
・−エミッタ接地増幅器(最終段増幅器)(Ds)”一
温度補償素子 (ql)〜(偽)−・・・・トランジスタa−一出力端
子 (q−・・・・・帰還コンデンサ’1*vr
”正負の電源電圧
図である。 (至)−・・・・ベース接地増幅器(初段増幅器)−一
・−エミッタ接地増幅器(第2役場幅It)(至)−・
・−エミッタ接地増幅器(最終段増幅器)(Ds)”一
温度補償素子 (ql)〜(偽)−・・・・トランジスタa−一出力端
子 (q−・・・・・帰還コンデンサ’1*vr
”正負の電源電圧
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ベース接地増幅器を初段に、エミッタ接地増幅器をIN
2段と最終段とに順次[接結台してなり。 初段の増幅器をNPN@トランジスタで、11281最
終段との増幅器をPNP @ )ランジスタでそれぞれ
構成し、第2役場幅器のエミッタ回路にバイアス供ll
Iを兼ねた温度補償素子を組込むとともに。 最終段増幅器のエミッタを初段増幅器のエミッタに直結
して、最終段増幅器のコレクタから出力信号を得るよう
にしてなる低入方インピーダンス書広帯域前置増III
AII。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56126309A JPS5827408A (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 低入力インピ−ダンス型広帯域前置増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56126309A JPS5827408A (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 低入力インピ−ダンス型広帯域前置増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5827408A true JPS5827408A (ja) | 1983-02-18 |
JPS6329846B2 JPS6329846B2 (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=14931991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56126309A Granted JPS5827408A (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 低入力インピ−ダンス型広帯域前置増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5827408A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5308243B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2013-10-09 | 株式会社日立製作所 | 可変ゲイン回路 |
-
1981
- 1981-08-11 JP JP56126309A patent/JPS5827408A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6329846B2 (ja) | 1988-06-15 |
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