JPS58223318A - 半導体用気相成長装置 - Google Patents
半導体用気相成長装置Info
- Publication number
- JPS58223318A JPS58223318A JP10633182A JP10633182A JPS58223318A JP S58223318 A JPS58223318 A JP S58223318A JP 10633182 A JP10633182 A JP 10633182A JP 10633182 A JP10633182 A JP 10633182A JP S58223318 A JPS58223318 A JP S58223318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shaft
- susceptors
- reactor
- susceptor
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製造装置のうち気相成長装置に関するも
のである。
のである。
気相成長としてQニ一般にCVD法とエピタキシャル法
があり、11こ反応エネルギーで分けるとヒータによる
熱のみを1史用する1虻と、ヒータによる熱とプラズマ
放電エネルキーを開用する方法とに大別される。不発明
はこれらの気相成長装置のりちヒータによる熱とプラズ
マ放市エキルキーを使用するCVD法およびエピタキシ
ャル法についテナされたものである。
があり、11こ反応エネルギーで分けるとヒータによる
熱のみを1史用する1虻と、ヒータによる熱とプラズマ
放電エネルキーを開用する方法とに大別される。不発明
はこれらの気相成長装置のりちヒータによる熱とプラズ
マ放市エキルキーを使用するCVD法およびエピタキシ
ャル法についテナされたものである。
かかる方式ではグラズマ放直ケ便用するためウェハは、
高1.J波屯力の印711(される高′嵯圧側の電極板
とアースされている他11+11のサセプタのIIJJ
装置かねはならなかつ1こ。iA相成長鋲装は生産性
ケ高(テロため1回の処J!II献の増大が望まれてい
るので、ウニハケ械IHするサセプタの田H賞を大きく
することが渚えられるが、サセプタ面積を大きくすると
膜厚の均−性娑損いそれ程大きくてることは不可tJ[
であった。
高1.J波屯力の印711(される高′嵯圧側の電極板
とアースされている他11+11のサセプタのIIJJ
装置かねはならなかつ1こ。iA相成長鋲装は生産性
ケ高(テロため1回の処J!II献の増大が望まれてい
るので、ウニハケ械IHするサセプタの田H賞を大きく
することが渚えられるが、サセプタ面積を大きくすると
膜厚の均−性娑損いそれ程大きくてることは不可tJ[
であった。
本発明はかかる観点からなされたものでその目的は、サ
セプタの肩効面楡を大きくして処理量を以下本発明につ
いて一実施例を示した図により酸5明する。円筒形ケな
した石英ガラス等の反応炉1内には回転軸2が117付
けてあり、この1梱転軸2にはウェハ3を取付ける円伏
形苓′した?J!数の4Xt性のサセプタ4がli!1
l−N11されている。また1曲転蜘12は反応炉の外
にて成膜に必要なガス供給口5につなけられ、回転−q
]12に1511.大したガスは回転軸2へ設けたノズ
ル6から反応炉1内へ噴出する。回111112の上方
には中央のサセプタ4へ高周波電力を供給する入力端子
7が設けてあり、上下のサセプタ4はアースされている
ので、上と中間そして中間と下のサセプタ4の間でプラ
ズマ教室が発生するよりになされている。反応炉1の外
周にはサセプタ4及びウェハ3 ′?lj力11黙′1
−るためのヒータ8が設置されている。9はN応炉1内
を真空にするための排気口であり、またウェハ3はサセ
プタ4に対しフック(図面せず)により+1ν付げll
−1ねる。
セプタの肩効面楡を大きくして処理量を以下本発明につ
いて一実施例を示した図により酸5明する。円筒形ケな
した石英ガラス等の反応炉1内には回転軸2が117付
けてあり、この1梱転軸2にはウェハ3を取付ける円伏
形苓′した?J!数の4Xt性のサセプタ4がli!1
l−N11されている。また1曲転蜘12は反応炉の外
にて成膜に必要なガス供給口5につなけられ、回転−q
]12に1511.大したガスは回転軸2へ設けたノズ
ル6から反応炉1内へ噴出する。回111112の上方
には中央のサセプタ4へ高周波電力を供給する入力端子
7が設けてあり、上下のサセプタ4はアースされている
ので、上と中間そして中間と下のサセプタ4の間でプラ
ズマ教室が発生するよりになされている。反応炉1の外
周にはサセプタ4及びウェハ3 ′?lj力11黙′1
−るためのヒータ8が設置されている。9はN応炉1内
を真空にするための排気口であり、またウェハ3はサセ
プタ4に対しフック(図面せず)により+1ν付げll
−1ねる。
なお図でげす士ブタ4の回転方間は水平であるか装置全
体を90°11Mけ、サセプタの同転方間を垂11万回
に1゛ること汀iTηP″T:ある。穿1こサセプタ4
0枚数は3枚に限定されることなく2枚或いは4枚重−
ヒでもよい。
体を90°11Mけ、サセプタの同転方間を垂11万回
に1゛ること汀iTηP″T:ある。穿1こサセプタ4
0枚数は3枚に限定されることなく2枚或いは4枚重−
ヒでもよい。
本発明にかかる半導体用気相成聞蓚賃は前述したように
円板形サセプタを1史用した半導体用気相成&f装置に
おいて、円筒形の反応炉内に設けた回転軸と、同+a+
転−むへ平行に取付けた炸政のサセプタと、値数のi前
記サセプタのうち一枚おきに高周波′哨カを供給1゛る
定め前記回転軸の一側へ噛付けた入力端子と、111記
反応炉内にガスを供給するため前記回転軸へ設けたノズ
ルおよびガス供給口ト、1〕IJ記反応炉の外周に設け
1こヒータとから購成し1こ。
円板形サセプタを1史用した半導体用気相成&f装置に
おいて、円筒形の反応炉内に設けた回転軸と、同+a+
転−むへ平行に取付けた炸政のサセプタと、値数のi前
記サセプタのうち一枚おきに高周波′哨カを供給1゛る
定め前記回転軸の一側へ噛付けた入力端子と、111記
反応炉内にガスを供給するため前記回転軸へ設けたノズ
ルおよびガス供給口ト、1〕IJ記反応炉の外周に設け
1こヒータとから購成し1こ。
このためサセプタの枚数)X多(なり従って一回の処理
iは飛繭的に増大するため生雌性のh(なる利点を本発
明は有するものである。
iは飛繭的に増大するため生雌性のh(なる利点を本発
明は有するものである。
図は本発明の一゛実施例における断面(ン(である。
]・・・反応炉、2・・・回転軸、4・・・サセプタ、
5・・・ガス1共給口、6・・・ノズル、7・・・入力
端子、8・・・ヒータ。 出願人 東芝機様休式会社 f 続 補 正 書 昭和57年8月72日 1事件の表示 昭和57年特許願第106331号 2、発明の名称 半導体用気相成長装置 3補正をする者 特許出願人 〒104 住 所 東京都中央区銀座4丁目2番11号4補正の
対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 補正の内容 1)明細書第2頁9行 l気相生長装置−1を1気相成長装置」と訂正する。 2)同第4頁12行 「平行」を1垂直」と訂正する。 3)同第4頁14行 1−一側」を「反応炉外側」と訂正する。
5・・・ガス1共給口、6・・・ノズル、7・・・入力
端子、8・・・ヒータ。 出願人 東芝機様休式会社 f 続 補 正 書 昭和57年8月72日 1事件の表示 昭和57年特許願第106331号 2、発明の名称 半導体用気相成長装置 3補正をする者 特許出願人 〒104 住 所 東京都中央区銀座4丁目2番11号4補正の
対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 補正の内容 1)明細書第2頁9行 l気相生長装置−1を1気相成長装置」と訂正する。 2)同第4頁12行 「平行」を1垂直」と訂正する。 3)同第4頁14行 1−一側」を「反応炉外側」と訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)円板形サセプタを使用した半導体用気相成長ffm
において、円筒形の反応炉内に設けた[自転軸と、同回
転軸に対し画直に欧付けた?J!数のす七ブタと、複数
のAll Ntliサセプタのうち一枚おきに高周波電
力を供給するため前記N転軸の反応炉外111uへ暇付
けた入力端子と、前記反応炉内にガスを供給するため前
記l包転佃へ設けたノズルおよびガス供給口と、前記反
応炉の外周に設けたヒータとからなる半導体用気相成長
装置t。 2)反応炉な石英ガラスで製作し円筒形反応炉の円周外
側から刀口熱することを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の半導体気相成長装置。 3)ウェハを円板形サセプタの表痕両面に載置する事を
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の(1) 半導体用気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10633182A JPS58223318A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 半導体用気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10633182A JPS58223318A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 半導体用気相成長装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58223318A true JPS58223318A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14430904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10633182A Pending JPS58223318A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 半導体用気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58223318A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1365043A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-11-26 | Schott Glas | Vorrichtung für CVD-Beschichtungen |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP10633182A patent/JPS58223318A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1365043A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-11-26 | Schott Glas | Vorrichtung für CVD-Beschichtungen |
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