JPS58222180A - 低速電子線励起青色「け」光体及びこの「け」光体を用いた「け」光表示管 - Google Patents
低速電子線励起青色「け」光体及びこの「け」光体を用いた「け」光表示管Info
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- JPS58222180A JPS58222180A JP10400582A JP10400582A JPS58222180A JP S58222180 A JPS58222180 A JP S58222180A JP 10400582 A JP10400582 A JP 10400582A JP 10400582 A JP10400582 A JP 10400582A JP S58222180 A JPS58222180 A JP S58222180A
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- fluophor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば数Ｖ〜数十Ｖの低い加速電圧による電
子の射突で青色に発光する低速電子線励起蛍光体及びこ
の蛍光体を使用した蛍光表示管に関するものである。
子の射突で青色に発光する低速電子線励起蛍光体及びこ
の蛍光体を使用した蛍光表示管に関するものである。
近時、家電・自動車・オーディオ機器・ゲーム等の各種
製品のディスプレイとし、て低電圧テノＩＫ動が可能で
あり、また消費電力も少なく・明るく・見やすい表示が
得られるなどの特長を有する蛍光表示管を使用し、たデ
ィスプレイが多く用いられるようになってきている。
製品のディスプレイとし、て低電圧テノＩＫ動が可能で
あり、また消費電力も少なく・明るく・見やすい表示が
得られるなどの特長を有する蛍光表示管を使用し、たデ
ィスプレイが多く用いられるようになってきている。
この蛍光表示管は、通電加熱さ゛れたフィラメント状の
陰極から放出された電子を、土面に蛍光体層が被着され
選択的に正の陽極電圧が付与される陽極に射突させて、
前記蛍光体層を励起発光させ、文字・図形などの表示を
行うものであり、前記陽極上に被着される蛍光体層は、
低い加速電圧により表示を行えるに十分な発光輝度が得
られる蛍光体、すなわち低速電子線励起蛍光体により構
成されている。
陰極から放出された電子を、土面に蛍光体層が被着され
選択的に正の陽極電圧が付与される陽極に射突させて、
前記蛍光体層を励起発光させ、文字・図形などの表示を
行うものであり、前記陽極上に被着される蛍光体層は、
低い加速電圧により表示を行えるに十分な発光輝度が得
られる蛍光体、すなわち低速電子線励起蛍光体により構
成されている。
ところで、この低速電子線励起蛍光体とＬ２ては。
従来よりもっばらＺｎＯ：Ｚｎ系の蛍光体が多く使用さ
れている。このＺｎＯ：ＺＪの蛍光体は、発光しきい値
電圧、いわゆるデッドボルテージが２Ｖ程度ときわめて
低く、また一般には１０〜２０Ｖ程変の陽極電圧で表示
を得るのに十分な発光輝度が得られ、低速電子線励起蛍
光体と１−では、きわめてすぐれている。
れている。このＺｎＯ：ＺＪの蛍光体は、発光しきい値
電圧、いわゆるデッドボルテージが２Ｖ程度ときわめて
低く、また一般には１０〜２０Ｖ程変の陽極電圧で表示
を得るのに十分な発光輝度が得られ、低速電子線励起蛍
光体と１−では、きわめてすぐれている。
Ｌ、かじながら、このＺｎＯ：Ｚｒ孫蛍光体は、発光色
が青緑色系に限られていた。一方、蛍光表示管を使用し
たディスプレイの応用分野が広がり、表示１１ の発光色も青緑色系以外の発光色も要望されるようにな
ってきている。その一つに青色系発光蛍光体がある。青
色系は三原色の一つでもあり、マルチカラー化には必要
な発光色である、。
が青緑色系に限られていた。一方、蛍光表示管を使用し
たディスプレイの応用分野が広がり、表示１１ の発光色も青緑色系以外の発光色も要望されるようにな
ってきている。その一つに青色系発光蛍光体がある。青
色系は三原色の一つでもあり、マルチカラー化には必要
な発光色である、。
（７かし、て、従来青金系の低速電子線励起用の蛍光体
として使用されているものけ、ＣＲＴ用などの高速電子
線で励起される１発光しきい値電圧の高い、高抵抗のＺ
ｎＳ：ＡｇｔたはＺｎＳ：ＡＺｎｌｔたけＺｎＳ ：Ａ
ｇ、ＡＩ蛍光体の表面にチャージアップを防ＩＦシ。
として使用されているものけ、ＣＲＴ用などの高速電子
線で励起される１発光しきい値電圧の高い、高抵抗のＺ
ｎＳ：ＡｇｔたはＺｎＳ：ＡＺｎｌｔたけＺｎＳ ：Ａ
ｇ、ＡＩ蛍光体の表面にチャージアップを防ＩＦシ。
低抵抗化させるためにＩｎ２Ｏ３を導電物質とし７て３
０ｗｔ％混合させた蛍光体がある。更に詳しく説明する
と、前記蛍光体は、蛍光体自身の抵抗が高いために、電
子が蛍光体の表面を容易に移動できるだけの導電物質ｆ
被着させなければならない。また蛍光表示管では陽極電
圧は、通常１０〜５０Ｖ程度であり、陽極電流は、２〜
１０ ｍＶ−程度である。したがって蛍光体層での電圧
降下を１．０Ｖ（１０％）以下に抑えるためには蛍光体
層の抵抗を５０（１７／ｃｎ！以下にしなければならな
いためにも前記高抵抗の蛍光体に適度の導電性ケ有して
なければならない。
０ｗｔ％混合させた蛍光体がある。更に詳しく説明する
と、前記蛍光体は、蛍光体自身の抵抗が高いために、電
子が蛍光体の表面を容易に移動できるだけの導電物質ｆ
被着させなければならない。また蛍光表示管では陽極電
圧は、通常１０〜５０Ｖ程度であり、陽極電流は、２〜
１０ ｍＶ−程度である。したがって蛍光体層での電圧
降下を１．０Ｖ（１０％）以下に抑えるためには蛍光体
層の抵抗を５０（１７／ｃｎ！以下にしなければならな
いためにも前記高抵抗の蛍光体に適度の導電性ケ有して
なければならない。
そのためにも前記ＺｎＳ系の蛍光体には、導電物質とし
てＩｎ２Ｏ３や５ｎ０２やＺｎＯ′などを適量混合して
導電性を与えていたのである。
てＩｎ２Ｏ３や５ｎ０２やＺｎＯ′などを適量混合して
導電性を与えていたのである。
しかしながら、前記導電物質は、もっばら導電性を改善
するために用いられたものであり、発光に対しては、導
電物質自身は発光し７ないため、導電物質の混合比を高
くすればその分だけ蛍光体の混合比が低下ｊ−、アノー
ド表面の発光有効面積が減少１〜５発光輝変が低下する
という欠点がある。
するために用いられたものであり、発光に対しては、導
電物質自身は発光し７ないため、導電物質の混合比を高
くすればその分だけ蛍光体の混合比が低下ｊ−、アノー
ド表面の発光有効面積が減少１〜５発光輝変が低下する
という欠点がある。
また蛍光体の表面電圧降下のため有効加速電圧が低下し
、高い発光効率を得にくいという欠点もある。さらに発
光に寄与しない導電物質を混合していることから、不均
一な混合によっては１発光状態にむらが生じやすく表示
品位を悪くするという問題点もあった。
、高い発光効率を得にくいという欠点もある。さらに発
光に寄与しない導電物質を混合していることから、不均
一な混合によっては１発光状態にむらが生じやすく表示
品位を悪くするという問題点もあった。
一方１本発明者等は、上述した低速電子線励起蛍光体に
おける問題点を検討し、従来の青色系発光の蛍光体に輝
度を落とさずに導電性を改善できる方法を研究開発して
きた。
おける問題点を検討し、従来の青色系発光の蛍光体に輝
度を落とさずに導電性を改善できる方法を研究開発して
きた。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり（
Ｚｎ１−ＸＣ＜１．）Ｓ： Ａｇ、ＡＩ （ｆｃだし、
Ｘは、０≦Ｘ≦０．２の範囲から選定される数）及びＺ
ｎＳ ：（Ｚｎ）等の青色系に発光する蛍光体自身にド
ナーと ５− なりつるＡｌ、Ｉｎ、Ｇａ等の不純物を高ドープさせて
低抵抗化種せ、高効率で、高輝度の青色発光低速電子線
励起蛍光体及び前記蛍光体を用いた蛍光表示管を提供す
ることを目的とするものである。
Ｚｎ１−ＸＣ＜１．）Ｓ： Ａｇ、ＡＩ （ｆｃだし、
Ｘは、０≦Ｘ≦０．２の範囲から選定される数）及びＺ
ｎＳ ：（Ｚｎ）等の青色系に発光する蛍光体自身にド
ナーと ５− なりつるＡｌ、Ｉｎ、Ｇａ等の不純物を高ドープさせて
低抵抗化種せ、高効率で、高輝度の青色発光低速電子線
励起蛍光体及び前記蛍光体を用いた蛍光表示管を提供す
ることを目的とするものである。
すなわち１本発明者は、低速電子線励起蛍光体として、
従来より知られているＡｇ及びＡｍｆ添加した硫化亜鉛
カドミウム（以下一般式（Ｚｎ、Ｃｄ） Ｓで表わす）
系蛍光体及び硫化亜鉛（以下一般式ＺｎＳで表わす）系
蛍光体に着目し、これらの蛍光体の前記Ａｇ及びＡＩの
添加量を種々検討した結果付活剤としてドナー不純物と
なるＡＩ、Ｉｎ、Ｇａ等を従来より多量すなわち２×１
０−３〜５ Ｘ １０−２原子１モルとアクセプターと
なるＡｇｋ従来とほぼ同量のすなわち１×ｌ０−５〜ｌ
Ｘｌ０”原子１モル添加することによって、 ＡＩの添
加量ｆＡｇ濃度ｒ比（〜高濃度となり。
従来より知られているＡｇ及びＡｍｆ添加した硫化亜鉛
カドミウム（以下一般式（Ｚｎ、Ｃｄ） Ｓで表わす）
系蛍光体及び硫化亜鉛（以下一般式ＺｎＳで表わす）系
蛍光体に着目し、これらの蛍光体の前記Ａｇ及びＡＩの
添加量を種々検討した結果付活剤としてドナー不純物と
なるＡＩ、Ｉｎ、Ｇａ等を従来より多量すなわち２×１
０−３〜５ Ｘ １０−２原子１モルとアクセプターと
なるＡｇｋ従来とほぼ同量のすなわち１×ｌ０−５〜ｌ
Ｘｌ０”原子１モル添加することによって、 ＡＩの添
加量ｆＡｇ濃度ｒ比（〜高濃度となり。
ドナー濃度を増すことにより、蛍光体の導電性を十分大
きくして低速電子線用に最適な〜蛍光体及びこの蛍光体
を用いた蛍光表示管を得るに至ったものである。
きくして低速電子線用に最適な〜蛍光体及びこの蛍光体
を用いた蛍光表示管を得るに至ったものである。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
６−
本発明の蛍光体では、上述のように母体として一般式（
ｚｎｌ、−ｘＣｄＸ）Ｓで表わされる硫化亜鉛カドミウ
ムでＸけ、０≦Ｘ≦０．２の範囲内から選定される数で
ある。従ってＸ＝Ｏの場合け＊ ＺｎＳで表わされる硫
化亜鉛も母体とがる。
ｚｎｌ、−ｘＣｄＸ）Ｓで表わされる硫化亜鉛カドミウ
ムでＸけ、０≦Ｘ≦０．２の範囲内から選定される数で
ある。従ってＸ＝Ｏの場合け＊ ＺｎＳで表わされる硫
化亜鉛も母体とがる。
この（Ｚｎ１−ｘＣｄＸ）阻Ｃｄの混晶比をＸとして、
との混晶比を変えることによシバンドギャップヲ変化さ
せ青色系から赤色系までの発光が可能となる。
との混晶比を変えることによシバンドギャップヲ変化さ
せ青色系から赤色系までの発光が可能となる。
本願の場合は青色系の蛍光体を得ることを目的としてい
るので、前記混晶比ｘ ｋ ０．２以下とし、下限け０
まで含み、 Ｃｄなしの母体すなわちＺｎＳも含むもの
とする。
るので、前記混晶比ｘ ｋ ０．２以下とし、下限け０
まで含み、 Ｃｄなしの母体すなわちＺｎＳも含むもの
とする。
しかして、まず本発明では母体となる（Ｚｎ１□ＣｄＸ
）Ｓを次のようにして得た。
）Ｓを次のようにして得た。
ＺｎＳとＣｄＳの粉末を混晶比Ｘに応じて秤量し、混晶
作製のための融剤となるＮａｃｌとともに石英ボートに
入れて加熱焼成する。この焼成は、Ｎ２ガスを流した状
態で８００〜９００℃程−で１時間程度加１ 熱し
た後自然冷却させて（ｚｎｌ−ＸＣｄｘ）Ｓを得る。こ
うして得られた（ｚｎｌ−ｘＣｄＸ）Ｓ中には前記融剤
として入れたＮａｃｌを含んでいるために、これをメノ
ウ乳鉢で粉砕して純水で水洗し、Ｎａｃｌ’ｉｒ除去す
る。
作製のための融剤となるＮａｃｌとともに石英ボートに
入れて加熱焼成する。この焼成は、Ｎ２ガスを流した状
態で８００〜９００℃程−で１時間程度加１ 熱し
た後自然冷却させて（ｚｎｌ−ＸＣｄｘ）Ｓを得る。こ
うして得られた（ｚｎｌ−ｘＣｄＸ）Ｓ中には前記融剤
として入れたＮａｃｌを含んでいるために、これをメノ
ウ乳鉢で粉砕して純水で水洗し、Ｎａｃｌ’ｉｒ除去す
る。
次に、もう一種の母体ＺｎＳは、市販のＺｎＳを使用し
、た。
、た。
次に、上述して得た母体の（ｚｎｌ−ＸＣｄｘ）Ｓに不
純物としてＡｇ及びＡｉ添加する。ここで、Ａｇ及びＡ
Ｉは、種々の形で得られるが、本実施例でけ、Ａｇけ、
ＡｇＮＯ３の形で、Ａ１は、Ａ１□（Ｓ０４）３の形で
湿式法で添加する。
純物としてＡｇ及びＡｉ添加する。ここで、Ａｇ及びＡ
Ｉは、種々の形で得られるが、本実施例でけ、Ａｇけ、
ＡｇＮＯ３の形で、Ａ１は、Ａ１□（Ｓ０４）３の形で
湿式法で添加する。
このＡｇ及びＡＩの添加量は、 Ａｇが従来の蛍光体の
Ａｇのドープ量とほぼ等しい１ｘｌＯ”〜１×１０−３
原子１モル、ＡＩが従来のＡ１のドープ量より多量の、
２×１０〜５×１０ 原子１モル含まれるようにとり、
添加方法としては、前記ＡｇＮＯ３，ＡＩ□（ＳＯ４）
３の水溶液中に前記（Ｚｎ １−ｘＣｄ ｘ ）Ｓの母
体を浸漬後乾燥して被覆し、このＡｇおよびＡ１で被覆
された（２町−ＸＣｄ）Ｓを石英ポートに入れ、６００
゛〜１０００℃程度の温変で、１＝１０時簡程廖焼成す
ることにより行った。
Ａｇのドープ量とほぼ等しい１ｘｌＯ”〜１×１０−３
原子１モル、ＡＩが従来のＡ１のドープ量より多量の、
２×１０〜５×１０ 原子１モル含まれるようにとり、
添加方法としては、前記ＡｇＮＯ３，ＡＩ□（ＳＯ４）
３の水溶液中に前記（Ｚｎ １−ｘＣｄ ｘ ）Ｓの母
体を浸漬後乾燥して被覆し、このＡｇおよびＡ１で被覆
された（２町−ＸＣｄ）Ｓを石英ポートに入れ、６００
゛〜１０００℃程度の温変で、１＝１０時簡程廖焼成す
ることにより行った。
この場合、還元気体としてＨ２Ｓを流しながら昇温焼成
し、（ＺｎＣｄ）Ｓ：Ａｇ、 ＡＩ粉末中に残存するＣ
ｌＨＣｌの形で除去するようにする。また、前記母体に
添加するＡＩの添加量がＡｇの添加量と同程度の場合に
はアクセプタであるＡｇとドナーであるＡＩ、ＣＩが電
荷補償されて蛍光体の導電性の向上が望めないので、
Ａｌは、Ａｇの添加量より多い２×１０〜５×ｌ０−２
原子１モルの範囲内で選ぶ必要がある。
し、（ＺｎＣｄ）Ｓ：Ａｇ、 ＡＩ粉末中に残存するＣ
ｌＨＣｌの形で除去するようにする。また、前記母体に
添加するＡＩの添加量がＡｇの添加量と同程度の場合に
はアクセプタであるＡｇとドナーであるＡＩ、ＣＩが電
荷補償されて蛍光体の導電性の向上が望めないので、
Ａｌは、Ａｇの添加量より多い２×１０〜５×ｌ０−２
原子１モルの範囲内で選ぶ必要がある。
すなわちＡ１濃度に対する輝度の関係は、第１図に示す
ように、ＡＩの添加量が２×ｌＯ原子１モルとされるあ
たりから輝度が団％となり一般に使用できる発光輝度が
得られ、さらにＡ１の添加量を増も一般に使用できる発
光輝度が維持されている。
ように、ＡＩの添加量が２×ｌＯ原子１モルとされるあ
たりから輝度が団％となり一般に使用できる発光輝度が
得られ、さらにＡ１の添加量を増も一般に使用できる発
光輝度が維持されている。
この第１図は横軸にＡ１濃度（原子１モル）をとシ、縦
軸に陽極電圧３０Ｖにおける本発明の蛍光体の発光輝度
をとったものであり、ここで用いた蛍光体は青色発光を
得るため混晶比ｘ ’Ｆｒ Ｏ，２に選定し、Ａｇの添
加量は、５Ｘ１０ 原子１モルである。
軸に陽極電圧３０Ｖにおける本発明の蛍光体の発光輝度
をとったものであり、ここで用いた蛍光体は青色発光を
得るため混晶比ｘ ’Ｆｒ Ｏ，２に選定し、Ａｇの添
加量は、５Ｘ１０ 原子１モルである。
しかして１本発明の（Ｚｎ １ 、ｃａＸ）ｓ Ｊｇ
＋ Ａ Ｉ蛍光体−９＝ が得られる。
＋ Ａ Ｉ蛍光体−９＝ が得られる。
次に第２実施例として前記母体（Ｚｎ１□ＸＣｄｘ）Ｓ
の混晶比Ｘを０とした場合は、母体けＺｎＳとなり。
の混晶比Ｘを０とした場合は、母体けＺｎＳとなり。
このＺｎＳ母体にＡｇをＡｇＮＯ３の形で、かつＡＩを
Ａｌ２（ＳＯ４）３の形で湿式でコーテングし、乾燥後
Ｈ２Ｓ雰囲気で８００℃３時間焼成し、青色発光を示す
蛍光体を得た。Ａｇのドープ量は、５Ｘ１０ 原子１
モルでありＡＩのドープ量は、２×１０〜５×１０ 原
子１モルが良好な結果が得られた。
Ａｌ２（ＳＯ４）３の形で湿式でコーテングし、乾燥後
Ｈ２Ｓ雰囲気で８００℃３時間焼成し、青色発光を示す
蛍光体を得た。Ａｇのドープ量は、５Ｘ１０ 原子１
モルでありＡＩのドープ量は、２×１０〜５×１０ 原
子１モルが良好な結果が得られた。
第３実施例としてＺｎＳ母体にＡＩのみを高ドー°プさ
せて得たＺｎＳ：（Ｚｎ）蛍光体を説明する。
せて得たＺｎＳ：（Ｚｎ）蛍光体を説明する。
市販のＺｎＳ’を母体としてドナー不純物にＡＩを添加
する。ここでＡＩは、Ａ１２（ＳＯ４）３の形で湿式法
で母体ＺｎＳにコーテングし乾燥後Ｈ２Ｓ雰囲気中で８
００℃３時間焼成して、青色発光を示すＺｎＳ ： （
Ｚｎ ）蛍光体を得た。Ａｌのドープ量は、２Ｘ１０’
〜５Ｘ１０”原子１モルが良好な結果であった。
する。ここでＡＩは、Ａ１２（ＳＯ４）３の形で湿式法
で母体ＺｎＳにコーテングし乾燥後Ｈ２Ｓ雰囲気中で８
００℃３時間焼成して、青色発光を示すＺｎＳ ： （
Ｚｎ ）蛍光体を得た。Ａｌのドープ量は、２Ｘ１０’
〜５Ｘ１０”原子１モルが良好な結果であった。
以上説明した蛍光体は、いずれもＡＩの添加量が従来の
本のより高濃変となり、母体中で比較的浅いドナーレベ
ルを形成して導電性がさらに改善さ一１〇− れて、数Ｖ〜数十Ｖの電圧により加速された低速電子線
の励起でも表示を得るに十分な輝度で発光するようにな
るものである。
本のより高濃変となり、母体中で比較的浅いドナーレベ
ルを形成して導電性がさらに改善さ一１〇− れて、数Ｖ〜数十Ｖの電圧により加速された低速電子線
の励起でも表示を得るに十分な輝度で発光するようにな
るものである。
オたこのようにして作られたＡｌ高ドープの蛍光体にｓ
Ｉｎ２Ｏ３を少量加えると輝度がさらに良くなるこ
とを示したのが第２図である。この図は、従来のＺｎＳ
：Ａｇ蛍光体にＩｎ２Ｏ３を添加した場合と、前記Ａ
１を高ドープしたＺｎ Ｓ ：Ａｇ ＋ Ａ ＩにＩｎ
２Ｏ３を添加した場合の蛍光体におりてＩｎ２Ｏ３量と
陽極電圧３０Ｖにおける輝度の関係をグラフに表わした
ものである。従来のＺｎ Ｓ ＊ＡＨの場合は、Ｉｎ２
Ｏ３を３０％付近が最も良いが輝度はＡ１を高ドープし
たＺｎ Ｓ ： Ａｇ 、 Ａ Ｉに比べ、全体的に低
い結果である。Ａｌ高ドープのＺｎＳ：Ａｇ、ＡＩの場
合は、 Ｉｎ２Ｏ３を５％添加した点がピークで無添
加の場合よシ輝度がよくなっている。
Ｉｎ２Ｏ３を少量加えると輝度がさらに良くなるこ
とを示したのが第２図である。この図は、従来のＺｎＳ
：Ａｇ蛍光体にＩｎ２Ｏ３を添加した場合と、前記Ａ
１を高ドープしたＺｎ Ｓ ：Ａｇ ＋ Ａ ＩにＩｎ
２Ｏ３を添加した場合の蛍光体におりてＩｎ２Ｏ３量と
陽極電圧３０Ｖにおける輝度の関係をグラフに表わした
ものである。従来のＺｎ Ｓ ＊ＡＨの場合は、Ｉｎ２
Ｏ３を３０％付近が最も良いが輝度はＡ１を高ドープし
たＺｎ Ｓ ： Ａｇ 、 Ａ Ｉに比べ、全体的に低
い結果である。Ａｌ高ドープのＺｎＳ：Ａｇ、ＡＩの場
合は、 Ｉｎ２Ｏ３を５％添加した点がピークで無添
加の場合よシ輝度がよくなっている。
Ｉ ｎ ２０３を５％以上添加すると除々に輝度が低下
してくる。このグラフからもわかするように本発明のＡ
ｌ高ドープした蛍光体は、Ｉ：、ｎ ２”’６３ ｋ添
加した場合でも従来よりも高価なＩｎ２Ｏ３量が少なく
てすみ。
してくる。このグラフからもわかするように本発明のＡ
ｌ高ドープした蛍光体は、Ｉ：、ｎ ２”’６３ ｋ添
加した場合でも従来よりも高価なＩｎ２Ｏ３量が少なく
てすみ。
かつ輝度も上るとｂう効果がある。
次に、上述して得られた（Ｚｎ１−ｘＣｄＸ）Ｓ：Ａｇ
、 ＡＩ （ただしＸは、０≦Ｘ≦０．２の範囲から選
定される数）蛍光体を用いた本発明の蛍光表示管につい
て述べる、第３図は、本発明による蛍光表示管の一部を
破断して示す要部平面図であり、第４図は。
、 ＡＩ （ただしＸは、０≦Ｘ≦０．２の範囲から選
定される数）蛍光体を用いた本発明の蛍光表示管につい
て述べる、第３図は、本発明による蛍光表示管の一部を
破断して示す要部平面図であり、第４図は。
同要部拡大断面図である。
ここで１は、ガラス・セラミックスなどの絶縁材料から
なる基板であり、この基板１上にまず配線導体２を破着
し、さらにこの配線導体２を所定 ゛位置にスルーホ
ール３ａの形成された絶縁層３により覆う。この絶縁層
３は１例えば低融点ガラスを主成分とし、これにバイン
ダ・有機溶剤及び例えば黒色の顔料を混合させてペース
ト状に調合して印刷・焼成したものである。
なる基板であり、この基板１上にまず配線導体２を破着
し、さらにこの配線導体２を所定 ゛位置にスルーホ
ール３ａの形成された絶縁層３により覆う。この絶縁層
３は１例えば低融点ガラスを主成分とし、これにバイン
ダ・有機溶剤及び例えば黒色の顔料を混合させてペース
ト状に調合して印刷・焼成したものである。
４け、前記絶縁層３上に、例えば口字状に形成された陽
極導体であり、この陽極導体４上に、前述した過程を経
て得られた本発明による（Ｚｎｌ□Ｃｄｘ）Ｓ：Ａｇ
、 Ａｌ蛍光体・ｚｎＳ：Ａｇ、Ａｌ蛍光体または、Ｚ
ｎＳ：〔Ｚｎ）蛍光体等からなる蛍光体層５が周知のス
クリーン印刷法・電着法あゐいは沈殿法などの適宜手段
により被着され、陽極６が形成される。さらに、この陽
極６が日字形に配列されて、−けたのパターン表示部７
となっている。
極導体であり、この陽極導体４上に、前述した過程を経
て得られた本発明による（Ｚｎｌ□Ｃｄｘ）Ｓ：Ａｇ
、 Ａｌ蛍光体・ｚｎＳ：Ａｇ、Ａｌ蛍光体または、Ｚ
ｎＳ：〔Ｚｎ）蛍光体等からなる蛍光体層５が周知のス
クリーン印刷法・電着法あゐいは沈殿法などの適宜手段
により被着され、陽極６が形成される。さらに、この陽
極６が日字形に配列されて、−けたのパターン表示部７
となっている。
オた８け、前記パターン表示部７に対面する上方に配設
されたメッシス状の制御電極、９け、加熱されて電子を
放出するフィラメント状の陰極、１０け、例えば平底舟
形状に成形され、前記基板１の周辺部に封着されて基板
１とともに真空外囲器を構成し、前記各電極を高真空雰
囲気に保持する前囲器である。１１は、前記基板１と前
囲器ｌＯとの封着部を気密に貫通し、前記各電極に駆動
信号を導入するための外部端子である。
されたメッシス状の制御電極、９け、加熱されて電子を
放出するフィラメント状の陰極、１０け、例えば平底舟
形状に成形され、前記基板１の周辺部に封着されて基板
１とともに真空外囲器を構成し、前記各電極を高真空雰
囲気に保持する前囲器である。１１は、前記基板１と前
囲器ｌＯとの封着部を気密に貫通し、前記各電極に駆動
信号を導入するための外部端子である。
すなわち第３図、第４図に示す本発明の蛍光表・水管は
、従来から周知の数字表示用の蛍光表示管ものである。
、従来から周知の数字表示用の蛍光表示管ものである。
次に第３図、第４図に示す本発明の蛍光表示管の陰極９
に、加熱電圧を付与し、また制御電極８に制御電圧を陽
極６に陽極電圧を与えた場合にお１３− ける発光特性について説明する。
に、加熱電圧を付与し、また制御電極８に制御電圧を陽
極６に陽極電圧を与えた場合にお１３− ける発光特性について説明する。
第５図は、横軸に陽極電圧をとり、縦軸に陽極６の発光
輝度全７−トランバート（ｔｔ−Ｌ ） ｆ単位として
表わしたものであり、本発明の蛍光体の一実施例である
ＺｎＳ：Ａｆ、 Ａｌ （Ａｇ＝ Ｉ Ｘ １０ ’
、 ＡＩ ＝１×１０ 原子１モルドープした蛍光体）
と比較のために従来のＺｎＳ：Ａｇ蛍光体及びこのＺｎ
Ｓ：Ａｇ蛍光体にＩｎ２Ｏ３を（資）％添加した蛍光体
を用いた蛍光表示管の陽極電圧と発光輝度の関係をグラ
フで表わしたものである。
輝度全７−トランバート（ｔｔ−Ｌ ） ｆ単位として
表わしたものであり、本発明の蛍光体の一実施例である
ＺｎＳ：Ａｆ、 Ａｌ （Ａｇ＝ Ｉ Ｘ １０ ’
、 ＡＩ ＝１×１０ 原子１モルドープした蛍光体）
と比較のために従来のＺｎＳ：Ａｇ蛍光体及びこのＺｎ
Ｓ：Ａｇ蛍光体にＩｎ２Ｏ３を（資）％添加した蛍光体
を用いた蛍光表示管の陽極電圧と発光輝度の関係をグラ
フで表わしたものである。
すなわち１本発明による蛍光体を用いた蛍光表示管の輝
度は、従来のＺｎ Ｓ ： Ａｇよりすべての陽極電圧
において優れ、従来のＺｎＳ：Ａｇ ＋Ｉｎ２Ｏ３３０
％蛍光体に比較し、一般に使用する陽極電圧が３■以上
の範囲においては数倍もの高輝度が得られさらに本発明
のＡｌ高ドープ蛍光体にＩｎ２Ｏ３を５９１；添加した
ものは、２５ｖ以下の低領域においても輝度が優れてい
る。
度は、従来のＺｎ Ｓ ： Ａｇよりすべての陽極電圧
において優れ、従来のＺｎＳ：Ａｇ ＋Ｉｎ２Ｏ３３０
％蛍光体に比較し、一般に使用する陽極電圧が３■以上
の範囲においては数倍もの高輝度が得られさらに本発明
のＡｌ高ドープ蛍光体にＩｎ２Ｏ３を５９１；添加した
ものは、２５ｖ以下の低領域においても輝度が優れてい
る。
この理由は、ドナー不純物を高濃度にドープした蛍光体
表ので蛍光体自体のもつ抵抗を下げるこ１４− とが可能となり、混合する導電物質Ｉｎ２Ｏ３の量を少
なくできるため、蛍光体自身の発光面積を広くとれるの
で、発光効率の向上が行われることになる。
表ので蛍光体自体のもつ抵抗を下げるこ１４− とが可能となり、混合する導電物質Ｉｎ２Ｏ３の量を少
なくできるため、蛍光体自身の発光面積を広くとれるの
で、発光効率の向上が行われることになる。
本発明のいづれの蛍光表示管にあっても、その発光しき
い値電圧は、５〜６ｖ程度であり２０〜５゜Ｖ程度の陽
極電圧により１表示に十分な輝度が得られる。
い値電圧は、５〜６ｖ程度であり２０〜５゜Ｖ程度の陽
極電圧により１表示に十分な輝度が得られる。
そのほか本発明は、上記し、かつ図面に示した実施例に
限定されることなく、その要旨を変更しない範囲で種々
変形して実施できるものである。
限定されることなく、その要旨を変更しない範囲で種々
変形して実施できるものである。
例えば、陽極６の形状は日字形の他にバー表示やドツト
形状の陽極でも実施できることはもちろんである。
形状の陽極でも実施できることはもちろんである。
以上述べたように本発明による蛍光体は、（Ｚｎ １
ｘＣｄｘ ） Ｓ （ただし、ＸけＯ≦Ｘ≦０，２の範
囲から選定される数）を母体として用い、この母体にＡ
ｇを１×ｌＯ〜１×ｌ０−３原子１モル添加するとと１
もに母体中でドナーとなるＡＩを２ＸＩＯ−３〜
５ｘｌＦ２原子１モル添加して、蛍光体の低抵抗化を図
ったものである。
ｘＣｄｘ ） Ｓ （ただし、ＸけＯ≦Ｘ≦０，２の範
囲から選定される数）を母体として用い、この母体にＡ
ｇを１×ｌＯ〜１×ｌ０−３原子１モル添加するとと１
もに母体中でドナーとなるＡＩを２ＸＩＯ−３〜
５ｘｌＦ２原子１モル添加して、蛍光体の低抵抗化を図
ったものである。
しかして、本発明の青色発光蛍光体は、その低抵抗化が
十分性われ、発光しきい値電圧が５Ｖ程度であり、かつ
２０〜５０Ｖ程度の低電圧で表示に十分な輝度が得られ
１発光効率が向上するというすぐれた効果を有している
。
十分性われ、発光しきい値電圧が５Ｖ程度であり、かつ
２０〜５０Ｖ程度の低電圧で表示に十分な輝度が得られ
１発光効率が向上するというすぐれた効果を有している
。
しかも本発明による蛍光体では、非発光物質が混合され
ていないので５発光むらなどを生ずることもないという
すぐれた特長を有している。
ていないので５発光むらなどを生ずることもないという
すぐれた特長を有している。
さらに、上述した蛍光体を用いた本発明による蛍光表示
管は、青色が低電圧で発光できるので表示の多色化が容
易に行え１表示製電の多様化と多機能化を図る上からも
得られる効果け、きわめて大である。
管は、青色が低電圧で発光できるので表示の多色化が容
易に行え１表示製電の多様化と多機能化を図る上からも
得られる効果け、きわめて大である。
またさらに２本発明による蛍光体では、その発光【７き
ｂ値電圧が従来のＺｎＯａＺｎ系の蛍光体とほぼ同等で
あるので、この蛍光体を用いた蛍光表示管では、それぞ
れ発光色の異なる各表示部を駆動する駆動回路の作製が
きわめて容易となり、しかも各表示部での輝度のばらつ
きもほとんど生ずることなく１表示管を使用する上から
も得られる効果は大である。
ｂ値電圧が従来のＺｎＯａＺｎ系の蛍光体とほぼ同等で
あるので、この蛍光体を用いた蛍光表示管では、それぞ
れ発光色の異なる各表示部を駆動する駆動回路の作製が
きわめて容易となり、しかも各表示部での輝度のばらつ
きもほとんど生ずることなく１表示管を使用する上から
も得られる効果は大である。
第１図は１本発明の蛍光体のＡＩのドープ量と発光輝度
の関係を示す図、第２図は１本発明のＺｎＳ：Ａｇ、Ａ
Ｉ蛍光体と従来のＺｎＳ ：ＡＦｇの蛍光体における添
加Ｉｎ２Ｏ３量と発光輝度の関係を示す図、第３図は。 本発明による蛍光表示管の一実施例を示す一部破断乎面
図、第４図は、同実施例の要部拡大断面図、第５図は、
従来のＺｎＳ ：Ａｇ蛍光体、ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２０
３（３０％）蛍光体ト本発明（Ｄ ＺｎＳ：Ａｇ、 Ａ
ｌ （ＡＩ＝ Ｉ Ｘ １０−２原子１モル ドープ）
蛍光体を蛍光表示管として用いた場合の陽極電圧と発光
輝度との関係を示す図である。 ４・・・・・・陽極導体 ５・・・・・・蛍光体層 ６
・・・・・陽 極９・・・・・・陰 極 特許出願人 双葉電子工業株式会社１７− ０ １賞 会 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 （ｆ ｔ−Ｌ） 陽極電圧
の関係を示す図、第２図は１本発明のＺｎＳ：Ａｇ、Ａ
Ｉ蛍光体と従来のＺｎＳ ：ＡＦｇの蛍光体における添
加Ｉｎ２Ｏ３量と発光輝度の関係を示す図、第３図は。 本発明による蛍光表示管の一実施例を示す一部破断乎面
図、第４図は、同実施例の要部拡大断面図、第５図は、
従来のＺｎＳ ：Ａｇ蛍光体、ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２０
３（３０％）蛍光体ト本発明（Ｄ ＺｎＳ：Ａｇ、 Ａ
ｌ （ＡＩ＝ Ｉ Ｘ １０−２原子１モル ドープ）
蛍光体を蛍光表示管として用いた場合の陽極電圧と発光
輝度との関係を示す図である。 ４・・・・・・陽極導体 ５・・・・・・蛍光体層 ６
・・・・・陽 極９・・・・・・陰 極 特許出願人 双葉電子工業株式会社１７− ０ １賞 会 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 （ｆ ｔ−Ｌ） 陽極電圧
Claims (2)
- （１）一般式（Ｚ’ｎ１−ＸＣｄＸ）Ｓ （ただし、Ｘ
け、０≦Ｘ≦０，２の範囲から選定される数）で表わさ
れる硫化亜鉛カドミウムおよび硫化亜鉛の込ずれか一方
を母体とする青色蛍光体（Ｚｎｃｄ）Ｓ：Ａｇ、ＡｌＺ
ｎＳ：Ａｇ、ＡＩ ＺｎＳ＊ＣＺｎ）等においてドナー
となりうるＡｌ 、 Ｉｎ、 Ｇａのうちいずれか少′
なくとも１種を２×１０〜５Ｘ１０ ”原子／ ド
ープさせた３ ことを特徴とする低速電子線励起青色蛍光体。 - （２）上面に蛍光体層の被着させた陽極に、フィラメン
ト状の陰極から放出さ□れた電子を射突させて前記蛍光
体層を励起発光させて表示を得る蛍光表示管において、
前記蛍光体層の少なくとも一部が一般式（Ｚ ｎ １−
ｘＣｄｘ ）Ｓ ”ただし、Ｘけ、Ｏ≦Ｘ≦０．２の範
囲から選定される数）で表わされる硫化亜鉛カドミウム
および硫化亜鉛のいずれか一方を母体とする青色蛍光体
（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：ＡＫ 、Ａ Ｉ ＺｎＳ ： Ａｇ
、ＡＩ ＺｎＳ ： （Ｚｎ ］等においてドナーと
なりつるＡｌ、Ｉｎ、Ｇａのうちいずれか少なくとも１
種を２×１０〜５Ｘ１０−２原子／％ ／ｌ、ドープさ
せた低速電子線励起蛍光体によりなること苓・特徴とす
る蛍光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10400582A JPS58222180A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 低速電子線励起青色「け」光体及びこの「け」光体を用いた「け」光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10400582A JPS58222180A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 低速電子線励起青色「け」光体及びこの「け」光体を用いた「け」光表示管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58222180A true JPS58222180A (ja) | 1983-12-23 |
Family
ID=14369149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10400582A Pending JPS58222180A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 低速電子線励起青色「け」光体及びこの「け」光体を用いた「け」光表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58222180A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6213483A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-22 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | 残光性硫化亜鉛蛍光体 |
| JPS62190282A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | デイスプレイ用カラ−陰極線管 |
| KR960022934A (ko) * | 1994-12-09 | 1996-07-18 | 윤종용 | 청색 발광 형광체 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5453688A (en) * | 1977-10-06 | 1979-04-27 | Japan Broadcasting Corp | Manufacture of luminescnt matter |
| JPS55129480A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-07 | Futaba Corp | Fluorescent material, and fluorescent character display tube using the same |
-
1982
- 1982-06-18 JP JP10400582A patent/JPS58222180A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5453688A (en) * | 1977-10-06 | 1979-04-27 | Japan Broadcasting Corp | Manufacture of luminescnt matter |
| JPS55129480A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-07 | Futaba Corp | Fluorescent material, and fluorescent character display tube using the same |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6213483A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-22 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | 残光性硫化亜鉛蛍光体 |
| JPS62190282A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | デイスプレイ用カラ−陰極線管 |
| KR960022934A (ko) * | 1994-12-09 | 1996-07-18 | 윤종용 | 청색 발광 형광체 |
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