JPS58192045A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPS58192045A JPS58192045A JP57075656A JP7565682A JPS58192045A JP S58192045 A JPS58192045 A JP S58192045A JP 57075656 A JP57075656 A JP 57075656A JP 7565682 A JP7565682 A JP 7565682A JP S58192045 A JPS58192045 A JP S58192045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- thickness
- sic
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。
ある。
従来、電子写真感光体として、S@、又はBeにAlI
3、sb等をドープした感光体%ZnOやCdSを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。 し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、横槍的強度の点で問題がある。
3、sb等をドープした感光体%ZnOやCdSを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。 し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、横槍的強度の点で問題がある。
一方、7そルファスシリコン(a−81)ヲffi材と
して用いた電子写真感光体が退部にな−)【提案されて
いる。 a−81は、5t−ssの結合手が切れたいわ
ゆるダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因
してエネルギーギャップ内に多くの局在単位が存在する
。 このために、熱励趨担体のホッピング伝導が生じて
暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップ
されて光導電性が悪くなっている。 そこで、上記欠陥
を水素原子■で補償して@ucav結倉させることによ
りて、ダングリングボンドを堀めることが行なわれる。
して用いた電子写真感光体が退部にな−)【提案されて
いる。 a−81は、5t−ssの結合手が切れたいわ
ゆるダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因
してエネルギーギャップ内に多くの局在単位が存在する
。 このために、熱励趨担体のホッピング伝導が生じて
暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップ
されて光導電性が悪くなっている。 そこで、上記欠陥
を水素原子■で補償して@ucav結倉させることによ
りて、ダングリングボンドを堀めることが行なわれる。
二のよ5なアモルファス水素化シリラン(以下、a−8
1:Hと称する。)の暗所での抵抗率はlO@〜109
Ω1であつて、アモルファスS・と比較すれば約1万分
の1も低い、 従って、a−8l:Hの単層からなる感
光体は表面電位の暗減真速度が大きく、初期帯電電位が
低いとい問題点を有している。 しかし他方では、可視
及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少する
ため、感光体の感光層として極めて優れた特性を有して
いる。
1:Hと称する。)の暗所での抵抗率はlO@〜109
Ω1であつて、アモルファスS・と比較すれば約1万分
の1も低い、 従って、a−8l:Hの単層からなる感
光体は表面電位の暗減真速度が大きく、初期帯電電位が
低いとい問題点を有している。 しかし他方では、可視
及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少する
ため、感光体の感光層として極めて優れた特性を有して
いる。
そこで、このようなa −Si:HK電位保持能を付与
するため、ホウ素をドープすることにより抵抗率を約1
0’″Ω−罰にまで高めることができるが、ホウ素量を
そのように正確に制御することは容易ではない上に、1
018Ω−amii度の抵抗率でもカールフン方式によ
る感光プル七スに使用するKは電荷保持特性はなお不十
分である。 また、ホウ素と共に微量の酸素を導入する
ことにより10”″Ω−傭程度の高抵抗化が可能である
が、これを感光体に用いた場合には光導電性が低下し、
嶺切れの悪化や残留電位の発生という問題が生じる。
するため、ホウ素をドープすることにより抵抗率を約1
0’″Ω−罰にまで高めることができるが、ホウ素量を
そのように正確に制御することは容易ではない上に、1
018Ω−amii度の抵抗率でもカールフン方式によ
る感光プル七スに使用するKは電荷保持特性はなお不十
分である。 また、ホウ素と共に微量の酸素を導入する
ことにより10”″Ω−傭程度の高抵抗化が可能である
が、これを感光体に用いた場合には光導電性が低下し、
嶺切れの悪化や残留電位の発生という問題が生じる。
また、a 8 S : Hを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コー
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない、
例えば1力月以上放置したものは温気の影響を受け、
受容電位が着しく低下することが分りでいる。 更に、
1m−81:HはAIやステンレス等の支持体に対して
膜付き(接着性)が悪く、電子写真感光体として実用化
する上で問題となる。 この対策として、特開昭35−
87154号における如きシランカップリング剤、特開
昭56−74215γ号における如きポリイミド樹脂又
はトリアジン樹脂等の有機高分子化合物からなる接着層
をa 81:H層と支持体との間に設けることが知ら
れている。 しかしながら、これらの場合、接着層の形
成と1−81:H層の製膜とを別の方法で行なう必要が
あり、そのために新たな製膜装置を用いなければならず
、作業性が不良となる。
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コー
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない、
例えば1力月以上放置したものは温気の影響を受け、
受容電位が着しく低下することが分りでいる。 更に、
1m−81:HはAIやステンレス等の支持体に対して
膜付き(接着性)が悪く、電子写真感光体として実用化
する上で問題となる。 この対策として、特開昭35−
87154号における如きシランカップリング剤、特開
昭56−74215γ号における如きポリイミド樹脂又
はトリアジン樹脂等の有機高分子化合物からなる接着層
をa 81:H層と支持体との間に設けることが知ら
れている。 しかしながら、これらの場合、接着層の形
成と1−81:H層の製膜とを別の方法で行なう必要が
あり、そのために新たな製膜装置を用いなければならず
、作業性が不良となる。
しかも、a−8i:H層を光導電性の良好なものとする
には、七〇製膜時の基板(支持体)温度を通常的200
℃又はそれ以上に保持することを要するが、このような
温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることができない
。
には、七〇製膜時の基板(支持体)温度を通常的200
℃又はそれ以上に保持することを要するが、このような
温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることができない
。
従りて、本発明の目的は、電荷保持特性及び光感度共に
優れ、かつ耐剛性、電荷保持特性の安定性、更には支持
体との接着性等においても実用に供し得るa−81系感
光体を提供することにある。
優れ、かつ耐剛性、電荷保持特性の安定性、更には支持
体との接着性等においても実用に供し得るa−81系感
光体を提供することにある。
この目的を達成するために1本発明の感光体は。
アモルファス水素化及び/又はフッ素化シ替コン(゛
例えばa−81:H)からなる光導電層と、この光導電
層下に形成された第1の7モル77ス水素化及び/又は
7ツ素化炭化シリコン(例えばa−ssc:H)層と、
前記光導電層上に形成された第2の7七ル7アス水素化
及び/又はフッ素化炭化シリコン(例えばa −81C
:H)層とt有する積層構造からなり、特に前記第1の
アモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化シリフン層
の厚みが50X〜5000にと特定範囲に選択されてい
ることを特徴とするものである。 この感光体くよれば
、偽えば、光導電層としてのa −81:H層によって
光感度特性を発揮すると共に、下層の第1のa −81
(H:H層によりて電荷保持性及び支持体側からの電荷
注入防止性を向上させかつ支持体との接着性を向上さ(
、更に上層の第Z (F) *−81():l(層によ
って光導電層の保膜、電荷保持、保存中の経時変化の防
止、繰返し使用時の光導電層の劣化防止、湿度による悪
影醤阻止、機械的強度の向上、熱的劣化の防止、耐刷性
の向上、熱転写(特に粘着転写)性の向上等を実現する
ことができる。 特に第1の* −81eSH層の厚み
を上記した如くに特定範囲に限定することは、電荷保持
及び膜付き、更には製膜の作業性及びコスト面から必須
不可欠である。
例えばa−81:H)からなる光導電層と、この光導電
層下に形成された第1の7モル77ス水素化及び/又は
7ツ素化炭化シリコン(例えばa−ssc:H)層と、
前記光導電層上に形成された第2の7七ル7アス水素化
及び/又はフッ素化炭化シリコン(例えばa −81C
:H)層とt有する積層構造からなり、特に前記第1の
アモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化シリフン層
の厚みが50X〜5000にと特定範囲に選択されてい
ることを特徴とするものである。 この感光体くよれば
、偽えば、光導電層としてのa −81:H層によって
光感度特性を発揮すると共に、下層の第1のa −81
(H:H層によりて電荷保持性及び支持体側からの電荷
注入防止性を向上させかつ支持体との接着性を向上さ(
、更に上層の第Z (F) *−81():l(層によ
って光導電層の保膜、電荷保持、保存中の経時変化の防
止、繰返し使用時の光導電層の劣化防止、湿度による悪
影醤阻止、機械的強度の向上、熱的劣化の防止、耐刷性
の向上、熱転写(特に粘着転写)性の向上等を実現する
ことができる。 特に第1の* −81eSH層の厚み
を上記した如くに特定範囲に限定することは、電荷保持
及び膜付き、更には製膜の作業性及びコスト面から必須
不可欠である。
本発明で使用する上記a −stc:Hについ【は、既
に’Ph11. May、 Mol、 35’ (19
7B )等に記載され【おり、その特性として、耐熱性
や表面硬度が高いこと、a−8i:Hと比較して高い暗
所抵抗率(1012〜1013Ω−cIL)を有するこ
と、炭素量により光学的エネルギーギャップが1.6〜
2.8eVの範囲に亘って変化すること等が知られてい
る。
に’Ph11. May、 Mol、 35’ (19
7B )等に記載され【おり、その特性として、耐熱性
や表面硬度が高いこと、a−8i:Hと比較して高い暗
所抵抗率(1012〜1013Ω−cIL)を有するこ
と、炭素量により光学的エネルギーギャップが1.6〜
2.8eVの範囲に亘って変化すること等が知られてい
る。
こうしたa−81Ci:Hとa−81:Hとを組合せた
電子写真感光体は例えば特開昭57−17952号にお
いて提案されている。 これによれば、a−8i:H層
を感光(光導電)層とし、この受光面上に第1のa −
816:H層を形成し、裏面上(支持体電極11g)K
第2のl−8IC:H層を形成して、3層構造の感光体
としている。
電子写真感光体は例えば特開昭57−17952号にお
いて提案されている。 これによれば、a−8i:H層
を感光(光導電)層とし、この受光面上に第1のa −
816:H層を形成し、裏面上(支持体電極11g)K
第2のl−8IC:H層を形成して、3層構造の感光体
としている。
しかしながら、この公知の感光体に関しては、各層の厚
みによる特性への影響についてあまり詳細には検討がな
されていない。
みによる特性への影響についてあまり詳細には検討がな
されていない。
上記の全知の感光体では、特にその第1のa−81C:
H層の厚みと特性への影響については殆んど詳細な考察
がなされてはいないが、本発明者は充分なる検討を加え
た結果、従来公知の技術では予期し得ない厚み範囲を見
出し、これに伴なって極めて優れた特性を示す感光体を
得るに至ったのである。 この他にも、上記の第20a
−SIC:H層及びa−81:H層の厚みについても
検討を加え、夫々の機能を向上させるための厚み範νB
も見出したのである。
H層の厚みと特性への影響については殆んど詳細な考察
がなされてはいないが、本発明者は充分なる検討を加え
た結果、従来公知の技術では予期し得ない厚み範囲を見
出し、これに伴なって極めて優れた特性を示す感光体を
得るに至ったのである。 この他にも、上記の第20a
−SIC:H層及びa−81:H層の厚みについても
検討を加え、夫々の機能を向上させるための厚み範νB
も見出したのである。
以下、本発明による感光体を詳細に説明する。
丁
本発明による感光体は、例えば第1図に示す如<、AI
又はステンレス等、或いはガラス又は411 +Ili
シートに導電処理がなされたものからなるシート状又は
ドラム状の導電性支持基板l上に上記第1のa−81(
::H層2、上記a−81:H(光導電)層3、上記第
2のa −ste:a層4が順次積層せしめられたもの
からなっている。 第1I:Qa−81C:H層2は主
として、基板1からの電荷注入の阻止及び基板1に対す
る接着性向上のための機能を有するもので、その他には
感光体の電位保持及び電荷の暗減衰防止にも寄与するも
のである。 この第1のa −81e:H層2の厚みは
ブーツキング及び下びき層として!50X〜5oooX
と薄めに設定されるべきである。
又はステンレス等、或いはガラス又は411 +Ili
シートに導電処理がなされたものからなるシート状又は
ドラム状の導電性支持基板l上に上記第1のa−81(
::H層2、上記a−81:H(光導電)層3、上記第
2のa −ste:a層4が順次積層せしめられたもの
からなっている。 第1I:Qa−81C:H層2は主
として、基板1からの電荷注入の阻止及び基板1に対す
る接着性向上のための機能を有するもので、その他には
感光体の電位保持及び電荷の暗減衰防止にも寄与するも
のである。 この第1のa −81e:H層2の厚みは
ブーツキング及び下びき層として!50X〜5oooX
と薄めに設定されるべきである。
光導電層3は光照射に応じて電荷担体(キャリア)を発
生させるものであって、その厚みは5000X〜80.
nmであるのが望ましい。 更に、第2のa −SIG
:H層4はこの感光(財)表面電位特性の改善、長期に
亘る電位特性の保持、耐環境性の維持(湿度や雰囲気、
コpす放電で生成される化学種の影響防止)、表面硬度
が高いことによる耐刷性の向上、感光体使用時の耐熱性
の向上、熱転写性(%に粘着転写性)の向上等の機能を
有し、いわば表面改質層として働くものである。 そし
て、この第2の*−81e:H層4の厚みはsOx〜5
oooXと薄めであることが望ましい。
生させるものであって、その厚みは5000X〜80.
nmであるのが望ましい。 更に、第2のa −SIG
:H層4はこの感光(財)表面電位特性の改善、長期に
亘る電位特性の保持、耐環境性の維持(湿度や雰囲気、
コpす放電で生成される化学種の影響防止)、表面硬度
が高いことによる耐刷性の向上、感光体使用時の耐熱性
の向上、熱転写性(%に粘着転写性)の向上等の機能を
有し、いわば表面改質層として働くものである。 そし
て、この第2の*−81e:H層4の厚みはsOx〜5
oooXと薄めであることが望ましい。
次に、本発明による感光体の各層の厚みKついて更に詳
しく説明する。
しく説明する。
第1のa−81g:H層
このa −81(:H層2は主として、支持体側がらの
電荷注入防止及び支持体との接着機能を担い、その他暗
所抵抗率が1011Ω−1以上のものとすることができ
るので、耐高電界性な有し、単位膜厚歯りに保持される
電位が大きく、しかも感光層3から注入される電子又は
ホールが大きな移動度と寿命を示すので、電荷担体を効
率良く支持体1側へ輸送する。 また、炭素の組成によ
ってエネルギーギャップの大きさを調整できるため、支
持体からの電荷の5を人を防止し、感光層3において光
照射に応じて発生した電荷担体に対し障壁を作ることな
く、効率良く注入させることができる。
電荷注入防止及び支持体との接着機能を担い、その他暗
所抵抗率が1011Ω−1以上のものとすることができ
るので、耐高電界性な有し、単位膜厚歯りに保持される
電位が大きく、しかも感光層3から注入される電子又は
ホールが大きな移動度と寿命を示すので、電荷担体を効
率良く支持体1側へ輸送する。 また、炭素の組成によ
ってエネルギーギャップの大きさを調整できるため、支
持体からの電荷の5を人を防止し、感光層3において光
照射に応じて発生した電荷担体に対し障壁を作ることな
く、効率良く注入させることができる。
また、この第1のa −8iC:H/I 2は支持体l
1例えばAI電極との接着性や膜付幹が曳いという性質
も有している。 従って、このa−81Q:H層2は実
用レベルの高い表面電位を保持し、a−8i :H層3
で発生した電荷担体を効率曳く速やかに輸送し、高感度
で残留電位のない感光体とする働きがある。 こうした
a−81G:H層2はブーツキング及び下びき層として
用いられ、その膜厚は50X−3000にとすることが
必須不可欠テアル、即チ、soX未満では、a−81:
H層のみの場合に問題となる不十分な電荷保持能を補う
ことができないから、電荷保持能を補うに足る50Xは
最低なければならず、また膜付き及び基板との接着性を
良くするにもsoX以上に口なければならない。 他方
、膜厚が50001を越えると、電荷保持能の直は良い
が、逆に感光体全体としての光感度が極端に悪くなり、
またa−8i G:Hの製膜時間が長くなり、コスト的
にみても生産上から不適当である。
1例えばAI電極との接着性や膜付幹が曳いという性質
も有している。 従って、このa−81Q:H層2は実
用レベルの高い表面電位を保持し、a−8i :H層3
で発生した電荷担体を効率曳く速やかに輸送し、高感度
で残留電位のない感光体とする働きがある。 こうした
a−81G:H層2はブーツキング及び下びき層として
用いられ、その膜厚は50X−3000にとすることが
必須不可欠テアル、即チ、soX未満では、a−81:
H層のみの場合に問題となる不十分な電荷保持能を補う
ことができないから、電荷保持能を補うに足る50Xは
最低なければならず、また膜付き及び基板との接着性を
良くするにもsoX以上に口なければならない。 他方
、膜厚が50001を越えると、電荷保持能の直は良い
が、逆に感光体全体としての光感度が極端に悪くなり、
またa−8i G:Hの製膜時間が長くなり、コスト的
にみても生産上から不適当である。
11すλL二SIC:HMI
このa −81(!:H4は感光体の表面を改質してa
−8t系悪感光を実用的に優れたものとするために重要
である。 即ち、表面での電荷保持と、光照射による表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。
−8t系悪感光を実用的に優れたものとするために重要
である。 即ち、表面での電荷保持と、光照射による表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。
従り【、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間(例えば1力月以上)放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。 これに反し、a−81:Hを
表面とした感光体の場合には、温気、大気、オゾン写囲
気等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が着しくな
る。 また、a −8iQ:Hは表′面硬度が高いため
に%mm、転写、りU−ニング等の工sKおける耐摩耗
性に優れ、数十ガロの耐刷性があり、更に耐熱性も良い
ことから粘着転写等の如く熱を付写するプルセスを適用
することができる。
、長期間(例えば1力月以上)放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。 これに反し、a−81:Hを
表面とした感光体の場合には、温気、大気、オゾン写囲
気等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が着しくな
る。 また、a −8iQ:Hは表′面硬度が高いため
に%mm、転写、りU−ニング等の工sKおける耐摩耗
性に優れ、数十ガロの耐刷性があり、更に耐熱性も良い
ことから粘着転写等の如く熱を付写するプルセスを適用
することができる。
このよ5な優れた効果を総合的に奏するためには、a−
810:H層4の膜厚を上記したBOX〜5000Xの
範囲内に選択することが重要である。 ′1即ち、
その膜厚5oooXを越えた場合には、表面電位は上る
が残留電位が高くなりすぎかつ感度の低下も生じ、a−
81系感光体としての良好な特性を失なうことがある。
810:H層4の膜厚を上記したBOX〜5000Xの
範囲内に選択することが重要である。 ′1即ち、
その膜厚5oooXを越えた場合には、表面電位は上る
が残留電位が高くなりすぎかつ感度の低下も生じ、a−
81系感光体としての良好な特性を失なうことがある。
また、膜厚をio!未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電し難くなる。
果によって電荷が表面上に帯電し難くなる。
a −Sl:H層(光導電層又は感光層)このa−8i
:)(層3は、可視光及び赤外光に対して高い光導電性
を有するものでありて、第8図に示す如く、波長650
nm 付近での赤色光に対しpo / PLが最高〜1
0’ となる、 このa−旧:Hを感光層として用い
れば、可視領域全域及び赤外領域の光に対して高感度な
感光体を作成できる。
:)(層3は、可視光及び赤外光に対して高い光導電性
を有するものでありて、第8図に示す如く、波長650
nm 付近での赤色光に対しpo / PLが最高〜1
0’ となる、 このa−旧:Hを感光層として用い
れば、可視領域全域及び赤外領域の光に対して高感度な
感光体を作成できる。
このよ5に可視光及び赤外光の吸収係数を大きくするた
めKは、a−8i:)1層3の膜厚は5oooX〜80
7urn (更には2Am −50、urn )とす
るのが望ましい、 膜厚が5oooX未満であると現g
IK必要な表面電位、表面電荷が得られ−く、また照射
された光は全て吸収されず、一部分は下地のa −st
c:H層2に到達するために光感度が大幅に低下する。
めKは、a−8i:)1層3の膜厚は5oooX〜80
7urn (更には2Am −50、urn )とす
るのが望ましい、 膜厚が5oooX未満であると現g
IK必要な表面電位、表面電荷が得られ−く、また照射
された光は全て吸収されず、一部分は下地のa −st
c:H層2に到達するために光感度が大幅に低下する。
他方、膜厚は80μmを越えると、製膜に時間がかか
り、生産性がよくない。 また、a−81:H層3は大
きな電荷輸送能を有するが、抵抗率が〜lOΩ−1であ
ってそれ自体としては電位保持性を有していないから、
感光層として光吸収に必要な厚さ以上に厚くする必要は
なく、その膜厚は最大50 firn とすれば充分で
ある。
り、生産性がよくない。 また、a−81:H層3は大
きな電荷輸送能を有するが、抵抗率が〜lOΩ−1であ
ってそれ自体としては電位保持性を有していないから、
感光層として光吸収に必要な厚さ以上に厚くする必要は
なく、その膜厚は最大50 firn とすれば充分で
ある。
次に、上記した感光体の各層の組成について説明する。
まず、#E1のa −8ie:H2をIL all
xcx:Hと表わしたとき、0.1≦X≦0.9(炭素
原子含有量が10 atamia % 〜90 ata
mic %、好ましく30〜90 ataml@%)と
するのが望ましイ、 0.1≦Xとすれば& −Si
C:H層2の電気的、光学的特性及び機械的、化学的、
熱的特性をa−8i:H層3とは全く異なりた屯のKで
館る。 X>0.9のときは、層の殆んどが炭素となり
、V導体特性が失なわるようKなり、また蒸着時の堆積
速度が低下するのでこれらを防ぐためにもX≦0.9と
するのがよいからである。
xcx:Hと表わしたとき、0.1≦X≦0.9(炭素
原子含有量が10 atamia % 〜90 ata
mic %、好ましく30〜90 ataml@%)と
するのが望ましイ、 0.1≦Xとすれば& −Si
C:H層2の電気的、光学的特性及び機械的、化学的、
熱的特性をa−8i:H層3とは全く異なりた屯のKで
館る。 X>0.9のときは、層の殆んどが炭素となり
、V導体特性が失なわるようKなり、また蒸着時の堆積
速度が低下するのでこれらを防ぐためにもX≦0.9と
するのがよいからである。
また、第2のa −81C:H層4については組成比を
& 811−xcx:Hと表わせば、Xを0.4以上
、特に0.4≦X≦0.9とすること(炭素1子含有量
が40 atamia % 〜90 atomla %
であること)が望ましい、 即ち、0.4≦Xとすれば
、光学的エネルギーギャップがほぼ2.3・7以上とな
り、第2図に示したよ5に、可視及び赤外光に対し実質
的に光導電性(但、f)I)は暗所での抵抗率、PLは
光照射時の抵抗率であって、チ爪 が小さい橿光導電
性が低い)を示さず、いわゆる光学的に透明な窓効果に
より殆んど照射光はa−81:H層(電荷発生層)3に
到達することになる。 逆に、X〈0.4であると、一
部分の光は表面層4に吸収され、感光体の光感度が低下
し易くなる。 また、Xが0.9を越えると層の成分の
殆んどが炭素となって半導体層としてのa −SiC:
H膜を蒸着法で形成するときの堆積速度が低下するから
、X≦0.9とするのがよい。 また、この0.4≦X
≦0.9の組成範囲では、現像、クリーニング、転写工
程での表面の接触に対し強くなって耐刷性が向上し、オ
ゾン雰囲気に曝されても感光体特性は変化せず、しかも
粘着転写吟の熱付与プルセスにも充分適用可能となる。
& 811−xcx:Hと表わせば、Xを0.4以上
、特に0.4≦X≦0.9とすること(炭素1子含有量
が40 atamia % 〜90 atomla %
であること)が望ましい、 即ち、0.4≦Xとすれば
、光学的エネルギーギャップがほぼ2.3・7以上とな
り、第2図に示したよ5に、可視及び赤外光に対し実質
的に光導電性(但、f)I)は暗所での抵抗率、PLは
光照射時の抵抗率であって、チ爪 が小さい橿光導電
性が低い)を示さず、いわゆる光学的に透明な窓効果に
より殆んど照射光はa−81:H層(電荷発生層)3に
到達することになる。 逆に、X〈0.4であると、一
部分の光は表面層4に吸収され、感光体の光感度が低下
し易くなる。 また、Xが0.9を越えると層の成分の
殆んどが炭素となって半導体層としてのa −SiC:
H膜を蒸着法で形成するときの堆積速度が低下するから
、X≦0.9とするのがよい。 また、この0.4≦X
≦0.9の組成範囲では、現像、クリーニング、転写工
程での表面の接触に対し強くなって耐刷性が向上し、オ
ゾン雰囲気に曝されても感光体特性は変化せず、しかも
粘着転写吟の熱付与プルセスにも充分適用可能となる。
K 1 及(jlli 2 f) a −81C;R1
1ト4 K、水素を含有することが必要であるが、水素
を含有しない場合には感光体の電荷保持特性が実用的な
ものとはならないからである。 このため、水素含有量
は1〜40 atwn1c% (更には10〜30 a
tcmio % )とするのが望ましい。
1ト4 K、水素を含有することが必要であるが、水素
を含有しない場合には感光体の電荷保持特性が実用的な
ものとはならないからである。 このため、水素含有量
は1〜40 atwn1c% (更には10〜30 a
tcmio % )とするのが望ましい。
光導電層3中の水素含有量は、ダングリングボンドを補
償して光導電性及び電荷保持性を向上させるために必須
不可欠でありて、通常は1〜4゜at圓1@−であり、
3.S〜冨Oat(2)1c−であるのがより望ましい
、 また、a−81:H層3は、製造時の不純物ドーピ
ングによって導電盤の制御が可能であり、これKよって
帯電の極性の正、員を遍択で電る。 a−81:H層3
の真性化又はP型化 ゛のためにはB、AJ、Ga、
In、TI等の周期表第HA族元素をドープで静るが、
これらのドーピング量はa−81:Hの電気的、光学的
特性を良くする上で10−”〜5 atcmle %
(更には10−1〜1atomie % )が望ましい
。 また、a−81:H層3のN型化にはN、P、As
、8b、81等の周期表第VA族元素をドープできるが
、これらのドービまた、a−81:Hの高抵抗化、増感
、伝導性の調整のために、必1FK応じて酸素、窒素等
や、クロム、マンガン等の遷移金属を導入してもよい。
償して光導電性及び電荷保持性を向上させるために必須
不可欠でありて、通常は1〜4゜at圓1@−であり、
3.S〜冨Oat(2)1c−であるのがより望ましい
、 また、a−81:H層3は、製造時の不純物ドーピ
ングによって導電盤の制御が可能であり、これKよって
帯電の極性の正、員を遍択で電る。 a−81:H層3
の真性化又はP型化 ゛のためにはB、AJ、Ga、
In、TI等の周期表第HA族元素をドープで静るが、
これらのドーピング量はa−81:Hの電気的、光学的
特性を良くする上で10−”〜5 atcmle %
(更には10−1〜1atomie % )が望ましい
。 また、a−81:H層3のN型化にはN、P、As
、8b、81等の周期表第VA族元素をドープできるが
、これらのドービまた、a−81:Hの高抵抗化、増感
、伝導性の調整のために、必1FK応じて酸素、窒素等
や、クロム、マンガン等の遷移金属を導入してもよい。
なお、ダングリングボンドを補償するためには、a−8
1に対しては上記したHの代りK、或い+4Hと併用し
てフッ素を導入し、a−8i:F、a−81:H:F、
a−8IC:F、 畠−8IC:H:Fとすることもで
きる。 この場合のフッ素量は0.01〜20ator
nla Toがよく、0.5〜10 itamie %
がより望ましい。
1に対しては上記したHの代りK、或い+4Hと併用し
てフッ素を導入し、a−8i:F、a−81:H:F、
a−8IC:F、 畠−8IC:H:Fとすることもで
きる。 この場合のフッ素量は0.01〜20ator
nla Toがよく、0.5〜10 itamie %
がより望ましい。
次に、上記した感光体の製造方法及び装置を第3図につ
いて説明する。
いて説明する。
この装置11の真空槽12内では、上記した基板lが基
板保持部14上に固定され、ヒーター15で基板lを所
定温度に加熱し得るようになっている。 基板1に対向
して高周波電極17が配され、基板lとの間にグロー放
電が生ぜしめられる。 なお1図中の20.21.22
.23.27、z8.29,34.36.38は各パル
プ、31はlit iH4又はガス状シリコン化合物の
供給源、のグルー放電装置において、まず支持体である
例えばAj基板lの表面を清浄化した後に真空槽12内
に配置し、真空槽12内のガス圧が10= Torrと
なるようにパルプ36を調節して排気し、かつ基板lを
所定温度1例えば30〜400℃に加熱保持する。 次
いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、 S
iH4又はガス状シリコン化合物、及びCH4ス徨力″
ス状疾素化合物を適当量希釈した混合ガスを真空槽12
内に導入し、例えば0.01〜l OTorrの反応圧
下で高周波電源16により高周波電圧(例えば13.5
6MHz )を印加する。 これによりて、上記各反応
ガスをグルー放電分解し、水素を會むa−8IC:Hな
上記の層2(爽には4)として基板l上に堆積させる。
板保持部14上に固定され、ヒーター15で基板lを所
定温度に加熱し得るようになっている。 基板1に対向
して高周波電極17が配され、基板lとの間にグロー放
電が生ぜしめられる。 なお1図中の20.21.22
.23.27、z8.29,34.36.38は各パル
プ、31はlit iH4又はガス状シリコン化合物の
供給源、のグルー放電装置において、まず支持体である
例えばAj基板lの表面を清浄化した後に真空槽12内
に配置し、真空槽12内のガス圧が10= Torrと
なるようにパルプ36を調節して排気し、かつ基板lを
所定温度1例えば30〜400℃に加熱保持する。 次
いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、 S
iH4又はガス状シリコン化合物、及びCH4ス徨力″
ス状疾素化合物を適当量希釈した混合ガスを真空槽12
内に導入し、例えば0.01〜l OTorrの反応圧
下で高周波電源16により高周波電圧(例えば13.5
6MHz )を印加する。 これによりて、上記各反応
ガスをグルー放電分解し、水素を會むa−8IC:Hな
上記の層2(爽には4)として基板l上に堆積させる。
この際、シリコン化合物と縦索化合物の流量比及び基板
温度を適宜調整するととによって、所望の組成比及び光
学的エネルギーギャップを有するastt−xcx:H
(例えば翼が0.9程度のものまで)を析出させること
ができ、また析出するa −8iC:Hの電気的特性に
さ嫌ど影譬を与えることなく、lo OOX/mtn以
上の速度でa −sic:u を堆積させることが可
能である。 更に、a−81:H(上記の感光層3)を
堆積させるには、炭素化合物を供給しないでシリコン化
合物をグロー放電分解すればよい。 特に、a−81:
H感光層に周期表■A族元素のガス状化合物、例えばB
l)(−をシリコン化合物に適当量添加したものをグロ
ー放電分解すれば、a−8l:Hの光導電性の向上と共
にその高抵抗化も図れる。
温度を適宜調整するととによって、所望の組成比及び光
学的エネルギーギャップを有するastt−xcx:H
(例えば翼が0.9程度のものまで)を析出させること
ができ、また析出するa −8iC:Hの電気的特性に
さ嫌ど影譬を与えることなく、lo OOX/mtn以
上の速度でa −sic:u を堆積させることが可
能である。 更に、a−81:H(上記の感光層3)を
堆積させるには、炭素化合物を供給しないでシリコン化
合物をグロー放電分解すればよい。 特に、a−81:
H感光層に周期表■A族元素のガス状化合物、例えばB
l)(−をシリコン化合物に適当量添加したものをグロ
ー放電分解すれば、a−8l:Hの光導電性の向上と共
にその高抵抗化も図れる。
上記した製造方法及び装置から明らかなように、本発明
によるa −SiC:H/ s −Si:H/ a −
SiC:Hの積層構造からなる感光体は、使用する反応
ガスのS類及び流量を変えるだけで同一装置により順次
各層を製膜することによって作成できる。 従りて、特
に下びき層としての第1のa −81C:HJlも作業
性良く製膜でき、既述した従来の接着層の場合に比べて
はるかに量産向きであり、フストダクンも図れる。 ま
た、第20a −8iC:H層も含メチ本発明テ使用す
ルa 8iC:H4810g、 Al20g、81、
N4、有機高分子化合物と比べて膜付幹が良く、機械的
強度や耐湿性等の表面改質効果も十分である。
によるa −SiC:H/ s −Si:H/ a −
SiC:Hの積層構造からなる感光体は、使用する反応
ガスのS類及び流量を変えるだけで同一装置により順次
各層を製膜することによって作成できる。 従りて、特
に下びき層としての第1のa −81C:HJlも作業
性良く製膜でき、既述した従来の接着層の場合に比べて
はるかに量産向きであり、フストダクンも図れる。 ま
た、第20a −8iC:H層も含メチ本発明テ使用す
ルa 8iC:H4810g、 Al20g、81、
N4、有機高分子化合物と比べて膜付幹が良く、機械的
強度や耐湿性等の表面改質効果も十分である。
なお、上記の製造方法はグルー放電分鱗法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でl−81Cを蒸着させる方法(%に、本
出願人による特開昭56−78413号(特許j854
−152455号)の方法)等によりても上記感光体の
製造が可能である。 使用する反応ガスは、SiH4以
外にもS1雪H・、81F’4.81HF1、又はその
誘導体ガス、CH4以外1) C2H4、C1)I@等
の低級炭化水素ガスが使用可能である。
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でl−81Cを蒸着させる方法(%に、本
出願人による特開昭56−78413号(特許j854
−152455号)の方法)等によりても上記感光体の
製造が可能である。 使用する反応ガスは、SiH4以
外にもS1雪H・、81F’4.81HF1、又はその
誘導体ガス、CH4以外1) C2H4、C1)I@等
の低級炭化水素ガスが使用可能である。
次に、本発明を電子写真感光体く適用した実施例を異体
的に説明する。
的に説明する。
実施例 1
トリタールエチレンで洗浄し、0.1 % NaOH水
溶液、0.14 HNO,水溶液でエツチングしたAI
基板を第3図のダーー放電義置内にセットし、次ノ条件
テ厚す* s o o XノH1#、) a−8IC:
H層t−影形成た。
溶液、0.14 HNO,水溶液でエツチングしたAI
基板を第3図のダーー放電義置内にセットし、次ノ条件
テ厚す* s o o XノH1#、) a−8IC:
H層t−影形成た。
S[4流量 1 0 0e /ajCH
4流量 I Q Oe 7wmAr 流量
1000e / 1111真空檜のガス圧 1.2
X 10 ” Torr高周波電圧 パワー SO
W 周波数13.56MIh 基板温度 200℃ 製膜時間 12分 次に放電を停止してCH4の供給を止め、下記の条件(
他は上記と同様)でグルー放電を行ない、a−81:H
層を厚さ15ρに形成した。
4流量 I Q Oe 7wmAr 流量
1000e / 1111真空檜のガス圧 1.2
X 10 ” Torr高周波電圧 パワー SO
W 周波数13.56MIh 基板温度 200℃ 製膜時間 12分 次に放電を停止してCH4の供給を止め、下記の条件(
他は上記と同様)でグルー放電を行ない、a−81:H
層を厚さ15ρに形成した。
SiH4流量 3 Q CO/ mAr fl量
100 QC/ m][K再び放電を停止後、ガ
ス流量を下記の如くに調整してグルー放電を行ない、厚
さtiooXの第20a −111cSH層を形成した
。
100 QC/ m][K再び放電を停止後、ガ
ス流量を下記の如くに調整してグルー放電を行ない、厚
さtiooXの第20a −111cSH層を形成した
。
81H4流量 10 cc 7m
CH4流量 100C/ 1lilAr 流量
100 QC/wigこうして得られた感光体く
ついて、Arg@r (オージェ)分析から上記条件
で形成された@1及び第20a −81C:H層とも、
炭素含有量は50 atomicチであることが分った
。
100 QC/wigこうして得られた感光体く
ついて、Arg@r (オージェ)分析から上記条件
で形成された@1及び第20a −81C:H層とも、
炭素含有量は50 atomicチであることが分った
。
この感光体を使用し、+ 6 kVのコpす放電によっ
て感光体表面を帯電せしめ、次K luxのハpゲンラ
ンプ光l&−照射して表面電位の光減衰特性t−匈定し
た。 この調定結果を下記表−IK示した。
て感光体表面を帯電せしめ、次K luxのハpゲンラ
ンプ光l&−照射して表面電位の光減衰特性t−匈定し
た。 この調定結果を下記表−IK示した。
(以下余白、次頁へ続く)
貴 −1
この感光体に+6 kVのコロナ放電により貴帯電し、
21uX+see の像露光を行なった。 そして、
スチレン−アクリル樹脂100部にカーボンブラック1
部、7タ一シアニンプルーS部を混合し、溶融、練肉、
粉砕、分級して得られる平均粒径15声の負極性トナー
を得、このトナー4部と平均粒#に100−のマグネタ
イ十粒子からなるキャリアー100部とを混合して現像
剤を調製し、この現像剤を用いて磁気ブラシ現倫法で現
惨し、転写紙に転写、定着したところ、上記結果の如く
、画偉濃度が高くてかぶりのない鮮明な画偉が得られた
。
21uX+see の像露光を行なった。 そして、
スチレン−アクリル樹脂100部にカーボンブラック1
部、7タ一シアニンプルーS部を混合し、溶融、練肉、
粉砕、分級して得られる平均粒径15声の負極性トナー
を得、このトナー4部と平均粒#に100−のマグネタ
イ十粒子からなるキャリアー100部とを混合して現像
剤を調製し、この現像剤を用いて磁気ブラシ現倫法で現
惨し、転写紙に転写、定着したところ、上記結果の如く
、画偉濃度が高くてかぶりのない鮮明な画偉が得られた
。
遺事1−ユ
実施例1の方法により、ムl基板上に、厚さxsooX
の第1のa 81o、1IGo−@:H層と厚さ15
、umのh−81:H層な1次積層した(第20a−1
1C:H層なし)。
の第1のa 81o、1IGo−@:H層と厚さ15
、umのh−81:H層な1次積層した(第20a−1
1C:H層なし)。
比較例 2
実施例1の方法により、AI基板上に、厚さ18声m
のa st:a層と厚さ1500にの第2のa I
ll&IC(Ll:H層を順次積層した(第1の1−8
1C:H層なし)。
のa st:a層と厚さ1500にの第2のa I
ll&IC(Ll:H層を順次積層した(第1の1−8
1C:H層なし)。
実施例 2
実施例1の方法により、AI基板上に、厚さ15ooX
の第1の& −81omC(Ly:H層、厚さ1B7u
mの一*−81:H層、厚さ1500Xの第2のa−8
1ci、5Ciy:H層を順次積層して感光体を形成し
た。
の第1の& −81omC(Ly:H層、厚さ1B7u
mの一*−81:H層、厚さ1500Xの第2のa−8
1ci、5Ciy:H層を順次積層して感光体を形成し
た。
実施例 3
実施例1の方法により、AI基板上に、厚さ15ooX
の第1のa 81aasCats:H層、厚さ15)
umのa−81:H層、厚さ1500にの第2のa−8
11L11C(Lll:H層t’jl1次積11L?、
:。
の第1のa 81aasCats:H層、厚さ15)
umのa−81:H層、厚さ1500にの第2のa−8
11L11C(Lll:H層t’jl1次積11L?、
:。
実施例 4
実開1の方法により、AI基板上に、厚さ1500Xの
第1のa 5taIc、、s:a層、厚さ1B、am
の1−81:H層、厚すa OO0XtD第z)h−8
iBICat:H層を順次積層した。
第1のa 5taIc、、s:a層、厚さ1B、am
の1−81:H層、厚すa OO0XtD第z)h−8
iBICat:H層を順次積層した。
比較例 3
高周波スパッタリング法でStO,をターゲットとして
用い、AI基板上に厚さtsooXの810富膜を形成
した。 次に実施例1の方法によってこのStO諺膜上
に厚さ15.unのa−81:H層を形成し、しかる後
再び高周波スパッタリング法でその上に厚さ1sooX
のSin!膜を形成した。
用い、AI基板上に厚さtsooXの810富膜を形成
した。 次に実施例1の方法によってこのStO諺膜上
に厚さ15.unのa−81:H層を形成し、しかる後
再び高周波スパッタリング法でその上に厚さ1sooX
のSin!膜を形成した。
以上の各側による感光体の特性を実施例1で述べた方法
で調定したが、その結果は次表−2に示す通りであった
。
で調定したが、その結果は次表−2に示す通りであった
。
(以下余白、次頁へ続く)
11−2
この表−虞より1本発明の感光体は、正帯電で使用した
ときC比較例の感光体に比して特にくりかえし使用時の
性能くすぐれ、初期電位、暗減衰、画質等の点ですぐれ
いることがわかる。 一方、表両改質層が厚くなると、
残留電位が増加するので、前記層を過度に厚くするのは
好ましくないこともわかる。 又、a −81CSH層
中のCの 量が過少になると、くりかえし特性が低下し
てくることもわかる。 また、−6kVのコpす放電に
よって感光体表面を負帯電せしめ、次K11uxのハロ
ゲンランプ光を照射して表面電位の光減衰特性を測定し
−6kVのコロナ放電により負帯電(10秒間)後に5
秒間暗減衰、0.2$ luxのハロゲンランプ光t−
5秒間照射して、靜電瀾イ家を形成し、トナーの電荷制
御剤を7りpシアニンブルーに代えてニゲルシン染料と
した外は実施例1の現儂剤と同様にして調整された現俸
剤忙より現偉し、かつ転写、定着した場合の結果を下記
表−3に示す。
ときC比較例の感光体に比して特にくりかえし使用時の
性能くすぐれ、初期電位、暗減衰、画質等の点ですぐれ
いることがわかる。 一方、表両改質層が厚くなると、
残留電位が増加するので、前記層を過度に厚くするのは
好ましくないこともわかる。 又、a −81CSH層
中のCの 量が過少になると、くりかえし特性が低下し
てくることもわかる。 また、−6kVのコpす放電に
よって感光体表面を負帯電せしめ、次K11uxのハロ
ゲンランプ光を照射して表面電位の光減衰特性を測定し
−6kVのコロナ放電により負帯電(10秒間)後に5
秒間暗減衰、0.2$ luxのハロゲンランプ光t−
5秒間照射して、靜電瀾イ家を形成し、トナーの電荷制
御剤を7りpシアニンブルーに代えてニゲルシン染料と
した外は実施例1の現儂剤と同様にして調整された現俸
剤忙より現偉し、かつ転写、定着した場合の結果を下記
表−3に示す。
但し、感光体を正帯電した前記実施例1.2.3.4、
比較例1.2.3に対し、上記の如く感光体を負帯電し
た例を実施例1°、2°、3゛、4°、比較例11.2
1.3′とし、表−3に示した。
比較例1.2.3に対し、上記の如く感光体を負帯電し
た例を実施例1°、2°、3゛、4°、比較例11.2
1.3′とし、表−3に示した。
(以下余白、次頁へ続く)
貴−1
・実施例3゛のa −!ilc:Hはa −5i(1@
C)、1 :H(第1及び第20a−81C:H層とも
)である。
C)、1 :H(第1及び第20a−81C:H層とも
)である。
表−3の結果からも、本発明の感光体は、愈帯電で使用
したと館、比較例の感光体に比して、特にくりかえし使
用時の特性にすぐれ、初期電位、暗減衰、画質等にすぐ
れていることがわかる。 なお、表面改質層は過度に厚
くなると残留電位増大によりカブリが増加することもわ
かる。 又、a−8IC:Hからなる層はCの量が過少
になると、くりかえし特性が低下してくることもわかる
。
したと館、比較例の感光体に比して、特にくりかえし使
用時の特性にすぐれ、初期電位、暗減衰、画質等にすぐ
れていることがわかる。 なお、表面改質層は過度に厚
くなると残留電位増大によりカブリが増加することもわ
かる。 又、a−8IC:Hからなる層はCの量が過少
になると、くりかえし特性が低下してくることもわかる
。
*m s
実施例1と同様にして、AI基板上に、厚さ1000に
の第1の& 81&@C(1@’、H層、厚さlOA
mのボpンドープド*−8iSH層、厚さ1000Xの
第20a −81hkCo、i:H層を順次積層した。
の第1の& 81&@C(1@’、H層、厚さlOA
mのボpンドープド*−8iSH層、厚さ1000Xの
第20a −81hkCo、i:H層を順次積層した。
流量比はBIH・/81H4= 0.1チ とした、
得られた感光体について、+6kv:II:lす帯電後
に実施列1の負極性のトナーを用いた現儂剤で現偉し、
転写及び定着処理した。 また、−6kVのコーナ放電
により負帯電した後に、実施例1′の正極性のトナーを
用いた現像剤で現偉し、転写及び定着処理した。
得られた感光体について、+6kv:II:lす帯電後
に実施列1の負極性のトナーを用いた現儂剤で現偉し、
転写及び定着処理した。 また、−6kVのコーナ放電
により負帯電した後に、実施例1′の正極性のトナーを
用いた現像剤で現偉し、転写及び定着処理した。
これらのいずれの場合も、画像濃度が高く、カプリのな
い鮮明な画像が得られた。 また、10万回コピー後も
画質に変化はみられず、湿度依存性も無視できる糧であ
った。
い鮮明な画像が得られた。 また、10万回コピー後も
画質に変化はみられず、湿度依存性も無視できる糧であ
った。
実施例 6
上述した特願昭54−152455号の方法により、A
I基板上に、厚さ1sooiの第1の龜5lassec
、、ss:H層、厚さ10.amのAI ドープド*
81:H層、厚さtsooXの第2のa−sto、
、Icα■:H層を順次積層した。 この場合、a −
SfC:Hの製膜時には、蒸発源として高純度9Nポリ
シリコン、高純度グラファイトを用い、これらを電子ビ
ーム加熱し、81とCを蒸発させた。
I基板上に、厚さ1sooiの第1の龜5lassec
、、ss:H層、厚さ10.amのAI ドープド*
81:H層、厚さtsooXの第2のa−sto、
、Icα■:H層を順次積層した。 この場合、a −
SfC:Hの製膜時には、蒸発源として高純度9Nポリ
シリコン、高純度グラファイトを用い、これらを電子ビ
ーム加熱し、81とCを蒸発させた。
他方、真空槽に接続した放電管で水素を活性化又はイオ
ン化して襄空槽内に導入した。 基板温度は300@C
とし、基板には−4kVの電圧を印加した。 また、a
−Sl:Hの製膜時には、特開昭56−78413号
に従って、蒸発源として高純度ポリシリコン、ムlを用
い、上記と同様に加熱蒸発させる一方、イオン化又は活
性化水素を導入(基板亀度aI$o℃、基板電圧−4k
V ) IJ−。
ン化して襄空槽内に導入した。 基板温度は300@C
とし、基板には−4kVの電圧を印加した。 また、a
−Sl:Hの製膜時には、特開昭56−78413号
に従って、蒸発源として高純度ポリシリコン、ムlを用
い、上記と同様に加熱蒸発させる一方、イオン化又は活
性化水素を導入(基板亀度aI$o℃、基板電圧−4k
V ) IJ−。
この例に#いても、実施例4と同様に画像及び画質が良
好であった。
好であった。
lI施例 7
実施例Iにおいて、同様の方法で製膜するに際し、特に
第1(下層)のa −81&IC(11:H層の膜厚を
4通りに変化させた。 この結果、次表−4及び第4図
に示す如く、tl/Elのa −SiC:H層の膜厚を
本発明のよ5に8G00X以下とすれば、感度の優れた
感光体が顕著に得られることが分る。
第1(下層)のa −81&IC(11:H層の膜厚を
4通りに変化させた。 この結果、次表−4及び第4図
に示す如く、tl/Elのa −SiC:H層の膜厚を
本発明のよ5に8G00X以下とすれば、感度の優れた
感光体が顕著に得られることが分る。
真−4
この測定に当っては、−6kVのコーナ放電贋鴫各感光
体の表面を10秒間帯電させ、次に放電を停止して暗所
に5秒間放置し、しかる後011uxのハロゲンランプ
光を20秒間照射して、表面電位の減衰特性を調べた。
体の表面を10秒間帯電させ、次に放電を停止して暗所
に5秒間放置し、しかる後011uxのハロゲンランプ
光を20秒間照射して、表面電位の減衰特性を調べた。
なお、上記感光体として、第1及び第2の亀−816、
@Cal:H層を共に膜厚1500Xとし、a−81:
H層の膜厚を1(lumとしたところ、初期電位−41
0V、暗減衰率32%、半減露光量0.51ux、se
e 、残留電位−5vとなった。
@Cal:H層を共に膜厚1500Xとし、a−81:
H層の膜厚を1(lumとしたところ、初期電位−41
0V、暗減衰率32%、半減露光量0.51ux、se
e 、残留電位−5vとなった。
実施例 8
実施例1と同様の方法で、AI基板上に、厚さ1500
Xの第10a −SIC:)1層、厚さ2 xmのa−
81:H層を形成し、更に5通りの厚み(500X、2
000X、4000X、5oooX、1窯りの第20*
−8iC:H層を夫々形成した。 これらの試料につい
て、第20a −8IC:H層の厚みによる残留電位の
変化を測定したところ、+ 6 kVのコ一す放電によ
り正帯電した後に5秒間暗減衰させ、0、5 luxの
ハロゲンランプ光の照射により、第6図に示す各値が得
られた。 これによれば、第2(上層)のa −810
:Hの膜厚は50QOX 以下にすれば、残留電位を
低くできる点で望ましいことが分る。
Xの第10a −SIC:)1層、厚さ2 xmのa−
81:H層を形成し、更に5通りの厚み(500X、2
000X、4000X、5oooX、1窯りの第20*
−8iC:H層を夫々形成した。 これらの試料につい
て、第20a −8IC:H層の厚みによる残留電位の
変化を測定したところ、+ 6 kVのコ一す放電によ
り正帯電した後に5秒間暗減衰させ、0、5 luxの
ハロゲンランプ光の照射により、第6図に示す各値が得
られた。 これによれば、第2(上層)のa −810
:Hの膜厚は50QOX 以下にすれば、残留電位を
低くできる点で望ましいことが分る。
実施例 9
実施例1において、AI基板上に、厚さ1000Xの第
1のa −8IC:H層、厚さ2.umf)a−81:
H層、厚さ1500にの第2のa−8iC:H層tl[
次積層したが、この際、第1(下層)のa811゜Cx
:H層中の炭素原子含有量を下記表−5のように種々変
化させたところ、第10a −81C:H層を形成した
場合には表面電位が大きく、暗減衰が小さくなり、感光
体として好ましい特性が得られる。
1のa −8IC:H層、厚さ2.umf)a−81:
H層、厚さ1500にの第2のa−8iC:H層tl[
次積層したが、この際、第1(下層)のa811゜Cx
:H層中の炭素原子含有量を下記表−5のように種々変
化させたところ、第10a −81C:H層を形成した
場合には表面電位が大きく、暗減衰が小さくなり、感光
体として好ましい特性が得られる。
これは、! xx Q、 4のときに特に顕著である。
(以下余白、次頁へ続く)
11−1
この測定に当りては、+ el kVのコロナ放電によ
り正帯電した後、5秒間暗減衰させ、更に0.51ux
のへG1グンランプ光を照射した。
り正帯電した後、5秒間暗減衰させ、更に0.51ux
のへG1グンランプ光を照射した。
図面は本発明を例示するものであって、第1図は電子写
真感光体の一部分の断面図、第2図はa−81:H及び
各組成のa −SIC:Hの光導電性を示すグラフ、 第3図は上記感光体の製造装置の概略断面図、第4図は
第1(下層)の& −81C:H層の厚みKよる半減露
光量の変化を示すグラフ、 第5図は第2(上II)の* −810:H層の厚みK
よる残留電位の変化を示すグラフである。 なお、図画に示されている符号罠おいて、l・・・・・
・・・・支持体(基板) 2・・・・・・・・・第1のa −SIC:H層8・・
・・・・・・・a−81:H感光層(光導電層)4・・
・・・・・・・第20a −810:H層11・・・・
・・グルー放電装置 17・・・・・・高周波電極 31・・・・・・ガス状シリコン化合物供給源32・・
・・・・ガス状炭素化合物供給源13・・・・・・キャ
リアガス供給源 PD//f)L ・・・・・・暗所抵抗率/光照射時
の抵抗率 である。 代理人 弁理士 :1 坂 宏 (自発)手続ネ甫正書 1.事件の表示 昭和57年 特許 願第75656号2、発明の名称 感光体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 称
(127)小西六写真工業株式会社4、代理人 6、補正により増加する発明の数 7、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 8、補正の内容 (1)、明鴇書第7頁未行の1第1の」を「第2の」と
訂正します。 (2)、同第8頁1行目の「第2の」を「第1の」と訂
正します。 (3)、同第13頁14行目の「2μ−〜50μ園」を
「5μ−〜40μ閤」と訂正します。 (4)、同第14頁5行目の「50μm」を「80μ儀
」と訂正します。 (5)、同第14頁8行目の「第1のa−3IC:H」
を[第1のa−3iCsH層」と訂正します。 (6)、同第15頁14行目の「蒸着法で」を削除しま
す。 (7)、同第16頁13〜15行目の「可能であり・・
・・・・・・・できる。」を「可能である。」と訂正し
ます。 (8)、同第16頁下から2行目の「10°2」をrl
o’3Jと訂正します。 (9)、同第21頁9行目及び第22頁5行目の[10
cc/m1nJをr30cc/m1nJと夫々訂正しま
す。 (10) 、同第23頁の表−1下の1〜2行目の[負
帯電し、21ux −5ec Jを「正帯電し、11
ux・sec Jと訂正します。 (11) 、同第29頁の表−3中、下から2行目のr
780VJをr−780VJと訂正し、また末行の65
0VJをr−650VJと訂正します。 (12) 、同第30真下から5行目の「0.1%」を
ro、01%」と訂正します。 (13) 、同第32頁の表−4中、2行目(7)r−
50VJをr−500VJと訂正し、3行目のr−60
VJを1−600v」と訂正し、また4行目のr−85
VJをr−850VJと訂正します。
真感光体の一部分の断面図、第2図はa−81:H及び
各組成のa −SIC:Hの光導電性を示すグラフ、 第3図は上記感光体の製造装置の概略断面図、第4図は
第1(下層)の& −81C:H層の厚みKよる半減露
光量の変化を示すグラフ、 第5図は第2(上II)の* −810:H層の厚みK
よる残留電位の変化を示すグラフである。 なお、図画に示されている符号罠おいて、l・・・・・
・・・・支持体(基板) 2・・・・・・・・・第1のa −SIC:H層8・・
・・・・・・・a−81:H感光層(光導電層)4・・
・・・・・・・第20a −810:H層11・・・・
・・グルー放電装置 17・・・・・・高周波電極 31・・・・・・ガス状シリコン化合物供給源32・・
・・・・ガス状炭素化合物供給源13・・・・・・キャ
リアガス供給源 PD//f)L ・・・・・・暗所抵抗率/光照射時
の抵抗率 である。 代理人 弁理士 :1 坂 宏 (自発)手続ネ甫正書 1.事件の表示 昭和57年 特許 願第75656号2、発明の名称 感光体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 称
(127)小西六写真工業株式会社4、代理人 6、補正により増加する発明の数 7、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 8、補正の内容 (1)、明鴇書第7頁未行の1第1の」を「第2の」と
訂正します。 (2)、同第8頁1行目の「第2の」を「第1の」と訂
正します。 (3)、同第13頁14行目の「2μ−〜50μ園」を
「5μ−〜40μ閤」と訂正します。 (4)、同第14頁5行目の「50μm」を「80μ儀
」と訂正します。 (5)、同第14頁8行目の「第1のa−3IC:H」
を[第1のa−3iCsH層」と訂正します。 (6)、同第15頁14行目の「蒸着法で」を削除しま
す。 (7)、同第16頁13〜15行目の「可能であり・・
・・・・・・・できる。」を「可能である。」と訂正し
ます。 (8)、同第16頁下から2行目の「10°2」をrl
o’3Jと訂正します。 (9)、同第21頁9行目及び第22頁5行目の[10
cc/m1nJをr30cc/m1nJと夫々訂正しま
す。 (10) 、同第23頁の表−1下の1〜2行目の[負
帯電し、21ux −5ec Jを「正帯電し、11
ux・sec Jと訂正します。 (11) 、同第29頁の表−3中、下から2行目のr
780VJをr−780VJと訂正し、また末行の65
0VJをr−650VJと訂正します。 (12) 、同第30真下から5行目の「0.1%」を
ro、01%」と訂正します。 (13) 、同第32頁の表−4中、2行目(7)r−
50VJをr−500VJと訂正し、3行目のr−60
VJを1−600v」と訂正し、また4行目のr−85
VJをr−850VJと訂正します。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、アモルファス水素化及び/又はフッ素化シリコンか
らなる光導電層と、この光導電層下に形成された第1の
アモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化シリコン層
と、前記光導電層上に形成された第2のアモルファス水
素化及び/又はフッ素化炭化シリコン層とを有し、前記
第1の7モルファ水素化及び/又はフッ素化炭化シリコ
ン層の厚みが50x〜5oooXの範囲に選択されてい
ることを特徴とする感光体。 2、第2のアモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化
シリコン層の厚みが5oX−soooXであり、光導電
層の厚みが5000X〜80.am である、特許請求
の範囲の第1項に記載した感光体。 3、第1のアモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化
シリコン層中の炭素原子含有量が10atelIn+e
−〜90亀t(至)la%であり、第2のアそルア7入
水嵩化及び/又はフッ素化炭化シリコン層中の炭素原子
含有量が40 atomic −〜90 atamle
%である、特許請求の範囲の第1項又は第2項に記載
した感光体。 4、光導電層に周期表第1IIA族の元素又は周期表第
VA族の元素がドープされている、特許請求の範囲のj
lE1項〜#I3項のいずれかに記載した感光体。 6、周期表第mA族の元素がB、AI、Ga、 In、
T。 である、特許請求の第4項に記載した感光体。 6、周期表第VA族の元素がN、P、Am、Sb、 B
iである。特許請求の範囲第4項に記載した感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57075656A JPS58192045A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57075656A JPS58192045A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58192045A true JPS58192045A (ja) | 1983-11-09 |
Family
ID=13582493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57075656A Pending JPS58192045A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58192045A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0187655A2 (en) * | 1985-01-09 | 1986-07-16 | Hitachi, Ltd. | Electrophotographic photosensitive device |
US4867591A (en) * | 1986-12-05 | 1989-09-19 | Toyai Kogyo Kabushiki Kaisha | Paper feeding endless belt for printer |
-
1982
- 1982-05-06 JP JP57075656A patent/JPS58192045A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0187655A2 (en) * | 1985-01-09 | 1986-07-16 | Hitachi, Ltd. | Electrophotographic photosensitive device |
US4867591A (en) * | 1986-12-05 | 1989-09-19 | Toyai Kogyo Kabushiki Kaisha | Paper feeding endless belt for printer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0233146B2 (ja) | ||
JPS58192044A (ja) | 感光体 | |
JPS58192045A (ja) | 感光体 | |
US4677044A (en) | Multi-layered electrophotographic photosensitive member having amorphous silicon | |
JPS58219560A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS58219559A (ja) | 記録体 | |
JPS58219561A (ja) | 記録体 | |
JPS5967543A (ja) | 記録体 | |
JPS6228764A (ja) | 感光体 | |
JPS6228761A (ja) | 感光体 | |
JPS61160752A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS61183660A (ja) | 感光体 | |
JPS60235151A (ja) | 感光体 | |
JPS6228763A (ja) | 感光体 | |
JPS6228755A (ja) | 感光体 | |
JPH0356635B2 (ja) | ||
JPS5967551A (ja) | 記録体 | |
JPS5967540A (ja) | 記録体 | |
JPS59212840A (ja) | 感光体 | |
JPS5967542A (ja) | 記録体 | |
JPS6228762A (ja) | 感光体 | |
JPS5967548A (ja) | 記録体 | |
JPS5986052A (ja) | 記録体 | |
JPS61165762A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS5967545A (ja) | 記録体 |