JPS58189819A - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
- Publication number
- JPS58189819A JPS58189819A JP7310982A JP7310982A JPS58189819A JP S58189819 A JPS58189819 A JP S58189819A JP 7310982 A JP7310982 A JP 7310982A JP 7310982 A JP7310982 A JP 7310982A JP S58189819 A JPS58189819 A JP S58189819A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- resistance
- magneto
- thin film
- nonmagnetic
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁気記録装置の再生用磁気ヘッドとして使わ
れる強磁性薄膜の磁気抵旌効果を用いた磁気抵抗効果ヘ
ッドに関するものである。
れる強磁性薄膜の磁気抵旌効果を用いた磁気抵抗効果ヘ
ッドに関するものである。
従来の磁気抵抗効果ヘッド社、第1図に断面を示した様
に、磁化情報lの書込まれ九磁気記録媒体2に対し高透
磁率磁性体からなるシールド3と4の間に非磁性1−5
を介して磁気抵抗効果素子(以下単にMR素子と略称)
7と、このMR素子7に直流バイアス磁界を印加する直
流バイアス発生源6より構成されているが、このヘッド
の分解能は、シールド3及び4とRJR素子7との間隔
glおよびgzによって決定され、磁気記録媒体2上の
磁化情@lの持つビット長Pより小さくなゆれば有効な
出力とはならないという欠点がありた。
に、磁化情報lの書込まれ九磁気記録媒体2に対し高透
磁率磁性体からなるシールド3と4の間に非磁性1−5
を介して磁気抵抗効果素子(以下単にMR素子と略称)
7と、このMR素子7に直流バイアス磁界を印加する直
流バイアス発生源6より構成されているが、このヘッド
の分解能は、シールド3及び4とRJR素子7との間隔
glおよびgzによって決定され、磁気記録媒体2上の
磁化情@lの持つビット長Pより小さくなゆれば有効な
出力とはならないという欠点がありた。
前記間隔g1およびg2は、波形歪の関係で轡しい方が
望ましく、かつ直流バイアス発生源6との絶縁を保証す
るKは高々0.5μm位にするのが限度であ抄、これ以
上小さくするのは実際上極めて困難で、結局この値で再
生能力の限界が設定されてしまっていた。
望ましく、かつ直流バイアス発生源6との絶縁を保証す
るKは高々0.5μm位にするのが限度であ抄、これ以
上小さくするのは実際上極めて困難で、結局この値で再
生能力の限界が設定されてしまっていた。
本発明はこのような従来の磁気抵抗効果ヘッドの限界を
破る極めて高密度の記録密度の情報を効率よく検出し得
る磁気抵抗効果ヘッドを提供することを目的とするもの
で強磁性薄膜よ構成る磁気抵抗効果素子と前記強磁性簿
膜の膜面に対し実質的に非磁性層を介すること無く片側
もしくは両側に配置式れた高抵抗^透磁率磁性体とを有
することを特徴とするもので、これにより、従来の磁気
抵抗効果ヘッドの持っていたMR素子とシールド間間隔
による再生能力限界を無くし極めて高い妃録″t!!1
4で再生のできる磁気ヘッドを実現している。
破る極めて高密度の記録密度の情報を効率よく検出し得
る磁気抵抗効果ヘッドを提供することを目的とするもの
で強磁性薄膜よ構成る磁気抵抗効果素子と前記強磁性簿
膜の膜面に対し実質的に非磁性層を介すること無く片側
もしくは両側に配置式れた高抵抗^透磁率磁性体とを有
することを特徴とするもので、これにより、従来の磁気
抵抗効果ヘッドの持っていたMR素子とシールド間間隔
による再生能力限界を無くし極めて高い妃録″t!!1
4で再生のできる磁気ヘッドを実現している。
以下、この発明について図面を用い詳細に説明する。!
ig2図は、この発明による実施例の断面を示したもの
でMR素子17とその両側に昼抵控、高透磁率磁性体1
3および14が実質的に非磁性−を介することなく非磁
性接着剤15によって固定配置されている。ここで“実
質的に非磁性Wt−介することなく“という意味は、非
磁性層の入ることは極力避けて配置するという意味であ
り、ま九やむを得ず非磁性層が介入したとしても高々5
oooX以下であることを意味する。同図(alは、M
R素子17が磁化情報1の書込まれた磁気記録媒体2に
対する浮揚面又は摺動面11に顔を出しているものを、
同図(b)はMR,素子17が浮揚面又は摺動面11よ
り凹んでお抄その凹部19に非磁性接着剤】9が充てん
されている。
ig2図は、この発明による実施例の断面を示したもの
でMR素子17とその両側に昼抵控、高透磁率磁性体1
3および14が実質的に非磁性−を介することなく非磁
性接着剤15によって固定配置されている。ここで“実
質的に非磁性Wt−介することなく“という意味は、非
磁性層の入ることは極力避けて配置するという意味であ
り、ま九やむを得ず非磁性層が介入したとしても高々5
oooX以下であることを意味する。同図(alは、M
R素子17が磁化情報1の書込まれた磁気記録媒体2に
対する浮揚面又は摺動面11に顔を出しているものを、
同図(b)はMR,素子17が浮揚面又は摺動面11よ
り凹んでお抄その凹部19に非磁性接着剤】9が充てん
されている。
第3図はこの発明による磁気抵抗効果ヘッドの製法の一
例を示したもので、高抵抗高透磁率磁性体より成る基板
13上にM)’iL素子17および、とのMR素子と同
一素材で出来た、リー ド部20および端子部18を周
知の蒸着もしくはスパッタ法および、露光技術、エツチ
ング技術を用いて形成する。このオまでも磁気抵抗効果
ヘッドとして本発明の効果を持つ再生ヘッドが実現でき
るが、さらにこの上に高抵抗高透磁率磁性体より成る基
板14上に凸部12を機械加工により形成し、この凸部
12がMR素子17上に重なるように従って実質的に非
磁性層が介入しないように非磁性接着剤(図示せず)で
接着する。図のA−A’断面が第2図(b)に対応する
構造となる。なおMR素子17の効率を高めるために、
MR素子自身の磁化をセンス電流に対し45°傾ける手
法を採用する場合には、磁気記録媒体2の磁化情報1の
方向と同方向に磁界を発生する直流バイアス磁界発生源
を外部に設置すればよい。このような直流バイアス磁界
発生源の一例として第3図には、矢印22の方向に着磁
した永久磁石21を示し友。
例を示したもので、高抵抗高透磁率磁性体より成る基板
13上にM)’iL素子17および、とのMR素子と同
一素材で出来た、リー ド部20および端子部18を周
知の蒸着もしくはスパッタ法および、露光技術、エツチ
ング技術を用いて形成する。このオまでも磁気抵抗効果
ヘッドとして本発明の効果を持つ再生ヘッドが実現でき
るが、さらにこの上に高抵抗高透磁率磁性体より成る基
板14上に凸部12を機械加工により形成し、この凸部
12がMR素子17上に重なるように従って実質的に非
磁性層が介入しないように非磁性接着剤(図示せず)で
接着する。図のA−A’断面が第2図(b)に対応する
構造となる。なおMR素子17の効率を高めるために、
MR素子自身の磁化をセンス電流に対し45°傾ける手
法を採用する場合には、磁気記録媒体2の磁化情報1の
方向と同方向に磁界を発生する直流バイアス磁界発生源
を外部に設置すればよい。このような直流バイアス磁界
発生源の一例として第3図には、矢印22の方向に着磁
した永久磁石21を示し友。
本発明の各構成要素の具体的組材の一例を次に述べる。
高抵抗高透磁率磁性体13および14としてはNi−Z
nnスズイトやMn −Znnスズイトが適し、MR素
子17およびリード部2o・lではNi−Feもしくは
Ni−Co合金の蒸着Mあるいはスパッタ膜が適し、端
子部18としてはAu。
nnスズイトやMn −Znnスズイトが適し、MR素
子17およびリード部2o・lではNi−Feもしくは
Ni−Co合金の蒸着Mあるいはスパッタ膜が適し、端
子部18としてはAu。
Al % Cu等の蒸着膜あるいはスパッタ膜が適し、
非磁性接着剤15および19としては低融点ガラスやエ
ポキシ樹脂等が適し、永久磁石21としては、周知のバ
リウムフェライト、ストロンチウムフェライト、アルニ
コ合金、8m −Co合金等が適する。
非磁性接着剤15および19としては低融点ガラスやエ
ポキシ樹脂等が適し、永久磁石21としては、周知のバ
リウムフェライト、ストロンチウムフェライト、アルニ
コ合金、8m −Co合金等が適する。
以上の様に本発明によれば、従来の磁気抵抗効果ヘッド
のMR素子とシールド間の間隔を決めていた非磁性層が
無くなったことに相当し、これKよって前記間隔の持つ
再生効率の限界を破ったことKなり、極めて高い分解能
が得られることになる。ただし本発明と従来の磁気抵抗
効果ヘッドとで根本的な差を生じるのは、信号磁界の応
答形式で、従来の磁気抵抗効果ヘッドでは、第1図に示
した如くy方向の磁界、即ち磁気記録媒体2に垂直な方
向の磁界に応答するのに対し、本発明では磁気記録媒体
2に対し平行な成分(X方向の成分)に応答することで
、このため直流バイアス磁界発生源の作る磁界も同じく
X方向に加わるようにしている
のMR素子とシールド間の間隔を決めていた非磁性層が
無くなったことに相当し、これKよって前記間隔の持つ
再生効率の限界を破ったことKなり、極めて高い分解能
が得られることになる。ただし本発明と従来の磁気抵抗
効果ヘッドとで根本的な差を生じるのは、信号磁界の応
答形式で、従来の磁気抵抗効果ヘッドでは、第1図に示
した如くy方向の磁界、即ち磁気記録媒体2に垂直な方
向の磁界に応答するのに対し、本発明では磁気記録媒体
2に対し平行な成分(X方向の成分)に応答することで
、このため直流バイアス磁界発生源の作る磁界も同じく
X方向に加わるようにしている
第1図は従来の磁気抵抗効果ヘッドの断面図、第2図は
本発明による磁気抵抗効果ヘッドの断面図、vg3図は
本発明による磁気抵抗効果ヘッドの5・・・非磁性層、
6・・直流バイアス発生源7−M R素子、11・・・
浮揚面又は摺動面12 凸部、13.14 高抵抗高
透磁率磁性体15.19 非磁性接着剤、17・MR素
子18・一端子部、20・・・リード部、21 永久磁
石22 着磁方向 である。 ’I bTC臂1ゾ
本発明による磁気抵抗効果ヘッドの断面図、vg3図は
本発明による磁気抵抗効果ヘッドの5・・・非磁性層、
6・・直流バイアス発生源7−M R素子、11・・・
浮揚面又は摺動面12 凸部、13.14 高抵抗高
透磁率磁性体15.19 非磁性接着剤、17・MR素
子18・一端子部、20・・・リード部、21 永久磁
石22 着磁方向 である。 ’I bTC臂1ゾ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、強磁性薄膜より成る磁気抵抗効果素子と、前記強磁
性薄膜の膜面に対し実質的に非磁性層を介すること無く
片側もしくは両側に配置された高抵抗高透磁率磁性体と
を有することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 2 強磁性薄膜および高抵抗高透磁率磁性体に対する直
流バイアス磁界発生源とをあわせ持つことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7310982A JPS58189819A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7310982A JPS58189819A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58189819A true JPS58189819A (ja) | 1983-11-05 |
Family
ID=13508786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7310982A Pending JPS58189819A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58189819A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05114122A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
US6754051B2 (en) | 1999-03-24 | 2004-06-22 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
US8646983B2 (en) | 2008-10-03 | 2014-02-11 | Jtekt Corporation | Rolling bearing |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP7310982A patent/JPS58189819A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05114122A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
US6754051B2 (en) | 1999-03-24 | 2004-06-22 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
US7079360B2 (en) | 1999-03-24 | 2006-07-18 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
US7085109B1 (en) | 1999-03-24 | 2006-08-01 | Tdk Corporation | Spin valve type transducer capable of reducing reproducing gap |
US8646983B2 (en) | 2008-10-03 | 2014-02-11 | Jtekt Corporation | Rolling bearing |
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