JPS58188931A - Cmosバツファアンプ駆動回路 - Google Patents
Cmosバツファアンプ駆動回路Info
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- JPS58188931A JPS58188931A JP57072072A JP7207282A JPS58188931A JP S58188931 A JPS58188931 A JP S58188931A JP 57072072 A JP57072072 A JP 57072072A JP 7207282 A JP7207282 A JP 7207282A JP S58188931 A JPS58188931 A JP S58188931A
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- JP
- Japan
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- buffer amplifier
- channel
- channel transistor
- circuit
- driving circuit
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/0944—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
- H03K19/0948—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET using CMOS or complementary insulated gate field-effect transistors
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
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- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
- H03K19/0013—Arrangements for reducing power consumption in field effect transistor circuits
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、重子回路において比較的大きな増幅率ケ有す
るバッファアンプの駆動回路に関する。
るバッファアンプの駆動回路に関する。
従来、CMOSバッファアンプを駆動する回路において
、バッファアンプのPチャンネルトランジスタ、Nチャ
ンネルトランジスタを介して電源間に流れる貫通電流を
軽減するために、第1図に示すような回路が知られてい
る。この回路の動作は、バッファアンプに流れる貫通電
流をおさえるた約に、CMOSバッファアンプのPチャ
ンネル側トランジスタ4とNチャンネル側トランジスタ
51に異なる回路2.3で駆動し、ディジタル回路的に
Pチャンネルトランジスタ4とNチャンネルトランジス
タ5に異なった信号を加え、過渡時点においてPチャン
ネルトランジスタ4.Nチャンネルトランジスタ5双方
ともOFFの期間を作成している。すなわち、ディレィ
タイプのフリップフロップ11にクロック信号φ0で駆
動し、データ信号Xをクロックパルス分だけおくらせて
W信号を作成し、!信号とW信号の合成信号により、P
チャンネルトランジスタ4とNチャンネルトランジスタ
5の双方ともτ1.τ雪区間でOFFとなる2種類の信
号A、!:Bl!:を作成し、出力信号Yの変化時に流
ねる貫通電流を防止している。しかし本回路においては
、貫通電流は軽減されるが、回路素子数がかなり増加し
てしまうという難点があった。更に従来例における欠点
とL7て、駆ij!l信号Yがパルス状で、かつパルス
幅が正確なものを得たい場合、クロック信号の周期をパ
ルス幅の数十分の1以下にしなければならず、低電化の
面に悪影響を与えたり、回路上不可能であったりした。
、バッファアンプのPチャンネルトランジスタ、Nチャ
ンネルトランジスタを介して電源間に流れる貫通電流を
軽減するために、第1図に示すような回路が知られてい
る。この回路の動作は、バッファアンプに流れる貫通電
流をおさえるた約に、CMOSバッファアンプのPチャ
ンネル側トランジスタ4とNチャンネル側トランジスタ
51に異なる回路2.3で駆動し、ディジタル回路的に
Pチャンネルトランジスタ4とNチャンネルトランジス
タ5に異なった信号を加え、過渡時点においてPチャン
ネルトランジスタ4.Nチャンネルトランジスタ5双方
ともOFFの期間を作成している。すなわち、ディレィ
タイプのフリップフロップ11にクロック信号φ0で駆
動し、データ信号Xをクロックパルス分だけおくらせて
W信号を作成し、!信号とW信号の合成信号により、P
チャンネルトランジスタ4とNチャンネルトランジスタ
5の双方ともτ1.τ雪区間でOFFとなる2種類の信
号A、!:Bl!:を作成し、出力信号Yの変化時に流
ねる貫通電流を防止している。しかし本回路においては
、貫通電流は軽減されるが、回路素子数がかなり増加し
てしまうという難点があった。更に従来例における欠点
とL7て、駆ij!l信号Yがパルス状で、かつパルス
幅が正確なものを得たい場合、クロック信号の周期をパ
ルス幅の数十分の1以下にしなければならず、低電化の
面に悪影響を与えたり、回路上不可能であったりした。
本発明は、従来例の様な複雑でかつ使用上の制約の強い
回路を構成せずに、従来例と巨1様に貫通電、流を軽減
することを目的とする。
回路を構成せずに、従来例と巨1様に貫通電、流を軽減
することを目的とする。
以下に本発明の詳細な説明を行なう。
本発明の実施例を第2図に示す0本回路によれば、従来
の複雑な回路は要せずに、(!MOSインバータ回路2
個で構成できる。
の複雑な回路は要せずに、(!MOSインバータ回路2
個で構成できる。
第2図(b)に示す駆動信号が入力Uから入力された時
、駆動回路6においてPチャンネルトランジスタノ増幅
率をNチャンネル側トランジスタに比較して大きくする
ことによって、−駆動回路6の出力は、第2図(b)0
に示すように、立下りのディレィが大きく、かつ立上り
のディレィの小さな出力信号波形となる。同様に駆動回
路7において、Nチャンネルトランジスタの増幅率fP
チャンネルトランジスタと比較して大きくすることによ
り、I!!2図(b) Dに示すように、立下りのディ
L・イが小さく、かつ立上りのディレィの大きな出力信
号波形が作成される。さらに駆動回路6と駆動回路7に
よって出力される出力信号波形が、第2図(b)に示す
ようなディレィの関係を持つようにする。
、駆動回路6においてPチャンネルトランジスタノ増幅
率をNチャンネル側トランジスタに比較して大きくする
ことによって、−駆動回路6の出力は、第2図(b)0
に示すように、立下りのディレィが大きく、かつ立上り
のディレィの小さな出力信号波形となる。同様に駆動回
路7において、Nチャンネルトランジスタの増幅率fP
チャンネルトランジスタと比較して大きくすることによ
り、I!!2図(b) Dに示すように、立下りのディ
L・イが小さく、かつ立上りのディレィの大きな出力信
号波形が作成される。さらに駆動回路6と駆動回路7に
よって出力される出力信号波形が、第2図(b)に示す
ようなディレィの関係を持つようにする。
すなわち、C[ついてはTo T1間でPチャンネ/
I−トランジスタ8がOFFとなり、TI −T。
I−トランジスタ8がOFFとなり、TI −T。
間でONとなル、’rs−T、間でOFFとなるように
する。Dについては、Nチャンネルトランジスタ9が7
6 ’rt間でON 、’rt−T4間でOFF、T
4−Ti間でONとなるようにする。 ′結局、TI
−’r、、間、’rs−74間で、Pチャンネルトラン
ジスタ8およびNチャンネルトランジスタ9の双方とも
OFFとなる期間がとれるようにする。OFF期間の幅
やトランジスタのディレ一時間は、μ冠オーダー以下で
充分である。これによって、C!MOSバッファアンプ
LLON−ON(双方ともにON)の期間がなくなり、
過嫂時点において電源間を流れる貫通電流を防■トでき
る。
する。Dについては、Nチャンネルトランジスタ9が7
6 ’rt間でON 、’rt−T4間でOFF、T
4−Ti間でONとなるようにする。 ′結局、TI
−’r、、間、’rs−74間で、Pチャンネルトラン
ジスタ8およびNチャンネルトランジスタ9の双方とも
OFFとなる期間がとれるようにする。OFF期間の幅
やトランジスタのディレ一時間は、μ冠オーダー以下で
充分である。これによって、C!MOSバッファアンプ
LLON−ON(双方ともにON)の期間がなくなり、
過嫂時点において電源間を流れる貫通電流を防■トでき
る。
オた本回路は、従来例のように、Pチャンネル側とNチ
ャンネル側で異なった信号を必要とせず、同一の信号1
11ニア回路的ディレィの違いだけでバッファアンプの
X通電流を防止することができるため、素子数面及び駆
動信号幅への制約面において、従来例よりもすぐれてい
る。
ャンネル側で異なった信号を必要とせず、同一の信号1
11ニア回路的ディレィの違いだけでバッファアンプの
X通電流を防止することができるため、素子数面及び駆
動信号幅への制約面において、従来例よりもすぐれてい
る。
ま几、本回路を応用すれば、バッファアンプのみでなく
他の回路の態動においても、貫通電流を防1トするのに
有用である。さらに、本回路を使用することにより、時
計用IC等においてさらに消費電流の低減が可能となる
。
他の回路の態動においても、貫通電流を防1トするのに
有用である。さらに、本回路を使用することにより、時
計用IC等においてさらに消費電流の低減が可能となる
。
第1図、a 、bは、0M0Sバツフアアンプの貫通電
流を軽減する、従来方法の回路例及びその波形図。 第2図a、bは、本発明の一実権例を示す回路及び波形
図。 1・・・ディレィ型フリップフロップ 2・・・Pチャンネル駆動OR回路 3・・・N z I AND回路4・・・C
MOE+バッファアンプPチャンネルトランジスタ 5・・・0M0B j N #X・
・・入力信号波形 φ。・・・クロック入力信号波形 W・・・ティレイ型フリップフロップ出力信号波形A・
・・バッファアンプPチャンネル側駆動惜号波形B…
l N I
NY・・・バッファアンプ出力信号波形 6・・・Pチャンネル駆動回路 7・・・N 8−CMOSバッファアンプPチャンネルトランジスタ ?・・・CMOSバッファアンプNチャンネルトランジ
スタ U・・・入力信号波形 0・・・バッファアンプPチャンネル側駆動信号波形 D ・・・ N
z■・・・バッファアンプ出
力M号波形 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工台 代理人 弁理士 最上 務 第1図 (λ) (トノ
流を軽減する、従来方法の回路例及びその波形図。 第2図a、bは、本発明の一実権例を示す回路及び波形
図。 1・・・ディレィ型フリップフロップ 2・・・Pチャンネル駆動OR回路 3・・・N z I AND回路4・・・C
MOE+バッファアンプPチャンネルトランジスタ 5・・・0M0B j N #X・
・・入力信号波形 φ。・・・クロック入力信号波形 W・・・ティレイ型フリップフロップ出力信号波形A・
・・バッファアンプPチャンネル側駆動惜号波形B…
l N I
NY・・・バッファアンプ出力信号波形 6・・・Pチャンネル駆動回路 7・・・N 8−CMOSバッファアンプPチャンネルトランジスタ ?・・・CMOSバッファアンプNチャンネルトランジ
スタ U・・・入力信号波形 0・・・バッファアンプPチャンネル側駆動信号波形 D ・・・ N
z■・・・バッファアンプ出
力M号波形 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工台 代理人 弁理士 最上 務 第1図 (λ) (トノ
Claims (1)
- CMOSバッファアンプ罠おいて、Pチャンネルトラン
ジスタとNチャンネルトランジスタが同時KONとなる
ことを禁止するために、前記Pチャンネルトランジスタ
とNチャンネルトランジスタのゲートをそれぞれ別々に
駆動するバッファアンプ駆動回路において、0M0Bバ
ツフアアンプのPチャンネルトランジスタのゲートを駆
動する回路のPチャンネル側トラにジスタの増幅率tW
チャンネルトランジスタと比較して大きくシ、CMOS
バッファアンプのNチャンネルトランジスタのゲートを
駆動する回路のPチャンネルトランジスタの増幅率11
1チヤンネルトランジスタと比較して小さくした構成で
ある仁とを特徴とする、CMOBバッファアンプ駆動回
路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57072072A JPS58188931A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | Cmosバツファアンプ駆動回路 |
GB08310597A GB2119193A (en) | 1982-04-28 | 1983-04-19 | CMOS buffer amplifier |
DE19833314655 DE3314655A1 (de) | 1982-04-28 | 1983-04-22 | Cmos-pufferverstaerker |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57072072A JPS58188931A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | Cmosバツファアンプ駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58188931A true JPS58188931A (ja) | 1983-11-04 |
Family
ID=13478830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57072072A Pending JPS58188931A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | Cmosバツファアンプ駆動回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58188931A (ja) |
DE (1) | DE3314655A1 (ja) |
GB (1) | GB2119193A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01151820A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Sony Corp | 出力回路 |
US6985031B2 (en) | 2002-09-19 | 2006-01-10 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor integrated circuit |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2184622B (en) * | 1985-12-23 | 1989-10-18 | Philips Nv | Outputbuffer and control circuit providing limited current rate at the output |
DE3708499A1 (de) * | 1987-03-16 | 1988-10-20 | Sgs Halbleiterbauelemente Gmbh | Digitale gegentakt-treiberschaltung |
US4810903A (en) * | 1987-12-14 | 1989-03-07 | Motorola, Inc. | BICMOS driver circuit including submicron on chip voltage source |
US4906867A (en) * | 1988-11-09 | 1990-03-06 | Ncr Corporation | Buffer circuit with load sensitive transition control |
JPH02218096A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Sharp Corp | 半導体メモリの行選択回路 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5060174A (ja) * | 1973-09-26 | 1975-05-23 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4242738A (en) * | 1979-10-01 | 1980-12-30 | Rca Corporation | Look ahead high speed circuitry |
-
1982
- 1982-04-28 JP JP57072072A patent/JPS58188931A/ja active Pending
-
1983
- 1983-04-19 GB GB08310597A patent/GB2119193A/en not_active Withdrawn
- 1983-04-22 DE DE19833314655 patent/DE3314655A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5060174A (ja) * | 1973-09-26 | 1975-05-23 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01151820A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Sony Corp | 出力回路 |
US6985031B2 (en) | 2002-09-19 | 2006-01-10 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor integrated circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2119193A (en) | 1983-11-09 |
GB8310597D0 (en) | 1983-05-25 |
DE3314655A1 (de) | 1983-11-03 |
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