JPH0482089A - センスアンプ回路 - Google Patents

センスアンプ回路

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JPH0482089A
JPH0482089A JP2194528A JP19452890A JPH0482089A JP H0482089 A JPH0482089 A JP H0482089A JP 2194528 A JP2194528 A JP 2194528A JP 19452890 A JP19452890 A JP 19452890A JP H0482089 A JPH0482089 A JP H0482089A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sense amplifier
circuit
turned
vtp
output
Prior art date
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Application number
JP2194528A
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English (en)
Inventor
Junji Kadota
門田 順治
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はセンスアンプ回路に関する。
〔従来の技術〕
従来のセンスアンプ回路の回路構成を第4図に示す。同
図に示すように、従来のセンスアンプ回路はPチャンネ
ルMO8FETQ19.Q20とNチャンネルM OS
 F E T Q z +〜Q23で構成されるミラー
型センスアンプと、PチャンネルMO8F E T Q
 25とNチャンネルM OS F E T Q 26
で構成されるインバータ回路を含んでいる。ここで■8
8Fは、参照信号で、vINが入力信号である。
vINと、逆相のミラー型センスアンプの出力■τ;は
、インバータ回路に入力され、vo、:rを出力する。
φはセンスアンプ駆動信号である。
φがロウレベルの時はトランジスタQllがオフし、ミ
ラー型センスアンプは、非活性状態となり、センスアン
プに流れる貫通電流は遮断される。PチャンネルM O
S F E T Q 24は、センスアンプが非活性時
にオンし、■;を強制的に電源レベルまで上昇させる。
これにより次段のインバータ回路の貫通電流も遮断する
ことができる。
また、φがハイレベルになるとトランジスタQ l 2
はオフし、トランジスタQ15がオンすることによりセ
ンスアンプは活性化され、VI8の変化に従って増幅信
号■=も変化する。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のセンスアンプ回路は駆動信号φかロウレ
ベルカラハイレベルに変化し、センスアンプが駆動を開
始する時点では、常にV;が電源レベルに固定している
ため、VINにハイレベルが与えられたときの応答時間
すなわち、V=にロウレベルが出力されるまでの応答時
間が遅れ易くなるという欠点がある。
本発明の目的は、応答時間が速いセンスアンプ回路を提
供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のセンスアンプ回路は、非活性時の出力レベルが
中間電位となるセンスアンプと、その出力信号と前記セ
ンスアンプの駆動信号を入力とするCMO3から構成さ
れるNAND回路とまたはCMO8から構成されるNO
R回路とを有することを特徴とする。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明のセンスアンプ回路を示したものであ
る。本回路では、センスアンプ非活性時の貫通電流の遮
断方法として、従来の次段インバータ回路をトランジス
タQ6〜Q、で構成されるCMO8NAND回路に置き
換えることで実現している。
すなわち、センスアンプが非活性時には、センスアンプ
駆動信号φがロウレベルであり、トランジスタQ9がオ
フするため、NAND回路の貫通電流を遮断することが
できる。このとき、V;は、PチャンネルMO8FET
Q、、Q2のしきい値電圧をvTPとするとV。C−V
TPとなっている。
したがって、駆動信号φがハイレベルとなり、センスア
ンプが駆動を開始する時には、常にV−は■。o−vT
Pから変化を始める。
第3図は、本発明と従来例のV;の変化を示した図で、
実線がVOU7がロウレベルとなる場合、破線がハイレ
ベルとなる場合である。同図に示される通り、本発明の
センスアンプ出力W=は、従来例と比べ動作開始点がV
TPだけ下降するため、応答時間が小さくなっている。
第2図は、本発明の第2の実施例を示す回路図である。
第1の実施例との相違点は、センスアンプ次段のNAN
D回路をNOR回路に置き換え、NOR回路の入力信号
としては、センスアンプ出力■丁と逆相のセンスアンプ
駆動信号■tなっている点である。
本実施例でも第1の実施例と同様、センスアンプ非活性
時には、Xτ=はV。CVTPとなり第1の実施例と同
等の応答速度が得られる。またセンスアンプ非活性時に
はPチャンネルMO3FETQ15がオフしているため
貫通電流は流れない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、センスアンプ非活性時の
貫通電流遮断方法として、次段インバータをセンスアン
プ駆動信号を一人力とするNAND回路もしくは、NO
R回路に置き換えることによって、センスアンプ回路の
応答速度を速くできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図、第2図は
第1図に示す回路の出力波形図、第3図は本発明の第2
の実施例を示す回路図、第4図は従来例を示す回路図で
ある。 Q、、Q2.Q、、Qア・・・・PチャンネルMO3F
ET、Q3.Q、、Q5.Q、、(L・・・・・・Nチ
ャンネルMO8FET。 代理人 弁理士  内 原   晋 月1 園

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、非活性時の出力レベルが中間電位となるセンスアン
    プと、その出力信号と前記センスアンプの駆動信号を入
    力とするCMOSから構成されるNAND回路とを有す
    ることを特徴とするセンスアンプ回路。 2、非活性時の出力レベルが中間電位となるセンスアン
    プと、その出力信号と前記センスアンプの駆動信号を入
    力とするCMOSから構成されるNOR回路とを有する
    ことを特徴とするセンスアンプ回路。
JP2194528A 1990-07-23 1990-07-23 センスアンプ回路 Pending JPH0482089A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0685564A (ja) * 1992-09-01 1994-03-25 Mitsubishi Electric Corp 増幅器回路
US5646892A (en) * 1994-09-13 1997-07-08 Mitsubishi Electric Engineering Co., Ltd. Data reading circuit

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US5646892A (en) * 1994-09-13 1997-07-08 Mitsubishi Electric Engineering Co., Ltd. Data reading circuit
US5761134A (en) * 1994-09-13 1998-06-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Data reading circuit

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