JPS58187935A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは儂形成分野における電子写真用僧
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のス４ク
トル特性に１２チングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、更には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に１
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真月俸形成部材の場合には、上記の使用
時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ　−Ｓｉと表記す）があ
り、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用骨形成部材として、
独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ　−８１で構成された光導電層を有す
る光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特
性の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特
性向上を計る必要があるという史に改良される可き点が
存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、との穫の光導電部材は長時間繰返し使用し柵
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残漬が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる或いは、高速
で繰返し使用すると応答性が次第に低下する２等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｌけ可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーデとのマツ
チングに於いて、通常使用されている・・ロダンランプ
や螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用
し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が
残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中罠於いて、充分
吸収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉
が起って、画像の「ゲケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解偉度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなシ、殊に半導体レーデを光源とする場
合には大きな問題となっている。

或いは又、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素
原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロダン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった０ 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレ
ードを用いるとその摺擦によると思われる、俗に１白ス
ゾ」と云われている所謂画情欠陥が生じたりしていた。

又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多湿雰囲気中に
長時間放置した直後に使用すると俗に云う画像のデケが
生ずる場合が少なく力かった。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちになる。この現象は、殊に
支持体が通常、電子写、真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｌ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ　−Ｓｉ
に就て電子写真用像形成部材や固体撮儂装置、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シ
リコン原子（ｓ＋　）とゲルマニウム原子（Ｇｏ　）と
を母体とし、水素原子（）Ｉ）又は・・ロダン原子（Ｘ
）のいずれか一方管少なくとも含有するアモルファス材
料、所謂水素化アモルファスシリコンダルマニウム、ノ
・ロダン化アモルファスシリコンｒルマニウム、或いは
ノ飄ｏｆｆンを有水素化アモルファスシリコンダルマニ
ウム〔以後これ等の総称的表記としてｒ　ａ　−８ＩＧ
。

（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成される光導電性を示
す非晶質層を有する光導電部材の構成を以後に説明され
る様な特定化の下に設計されて作成された光導電部材は
寮用土著しく優れた特性を示すばかシでなく、従来の光
導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕してい
ること、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優れ
た特性を有していること、及び長波長側に於ける吸収ス
ペクトル特性に優れていることを見出した点に基いてい
る。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用順境に制限を受けなめ全１境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長く、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んどｉ測されない光導を部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、巨つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通沿の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、＠度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画ｇｌＩを得る事
が容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供すること
である。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性を不する光導電部材を提供することでもあ
る。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥
や画儂のゲケが全くなく、ｆ１４度が高く、ハーフトー
ンが鮮明に出て且つ解＊！ｌ：の高い、高品質画儂を得
ることが容易にできる電子写真用の光導電部材を提供す
ることである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された、光導電性を示す第一の非晶質層と、シリコン原
子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の非
晶質層とを有し、前記第一の非晶質層に於けるゲルマニ
ウム原子の分布状態が層厚方向に不均一であって、該非
晶質層中には酸素原子が含有されている事を特徴とする
。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前Ｐした諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐圧性及び使
用環境特性を示す。

殊に、電子写真用僧形成部材として適用させた場合には
、画儂形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、ｆｓ度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高
品質の画儂を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

史に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に″＃導体レーザとのマツチングに優れ、
且つ光応答が速い。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れておル、高速で長時間７続的に繰返し使用す
ることが出来る。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００ｆ′ｉ、光導電部材用と
しての支持体１０１の上Ｋ　％　　＆　−５ＩＧｓ（Ｈ
ｐＸ）から成り、酸素原子を含有し、光導電性を有する
第一の非晶質層（Ｉ）１０２と、第二の非晶質層（ＩＩ
）１０３とを具備し、第二の非晶質層（ＩＩ）１０３は
自由表面を有している。

第一の非晶質層（１）１０２中に含有されるゲルマニウ
ム原子は、該非晶質層（１）１０２の層厚方向には連続
的であって且つ前記支持体１０１の設けられである側と
は反対の側（第二の非晶質層（ｎ）ｔｏ２伺１）の方に
対して前記支持体側の方に多く分布した状態となる様に
前記第一の非晶質層（＋）１０２中に含有される。

本発明の光導電部材においては、第一の非晶質ｒ＠（１
）中に含有されるダルマニウム原子の分布状態は、層厚
方向においては、前記の様な分布状態をＴ惇り、支持体
の表面と平行な面内方向には均一　な分布状態とされる
のが望ましいものである。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電１部材
の第一の非晶質層（１）中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はケ゛ルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は光導電性を示す第一の非晶質
層（Ｔ）のｒｆ４厚を示し、ｔ■け支持体（ｔｌｌ＋の
第一の非晶質層（＋）の表面の位置を、を丁は気持体側
とは反対側の第一の非晶質層（１）の表面の位置を示す
。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第一の非晶質層
（１）はｔ■側よりｔＴ側に向って層形成かがされる。

第２図には、第一の非晶質層（ｌ中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示さ
れる。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第一の非晶質層（１）が形成される表面と該第−の非
晶質層（１）の表面とが接する界面位置ｔ１より１．の
位置までは、り゛ルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ１な
る一定の値を取り乍らゲルマニウム原子が、形成される
第一の非晶質層（１）に含有され、位置１．よりは界面
位ｆｊｊｔ４に至るまで分布濃度Ｃ２より徐々に連続的
に減少されている。界面位置ｔ７においてはケ゛ルマニ
ウム原子の分布濃度ＣはＣ１とされろう 第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔｍより位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置１．において
濃度Ｃ，となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置１．より位ｆｔｔ宜ｔではケ・
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
、位ＩＩ　ｔ　ｘ　　と位ｔｔｔとの間において、除徐
に連続的に減少され、位置１１において、分布濃度Ｃは
実質的に零とされている（ここで実質的に零とけ検出限
界量未満の場合である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃１１ｉ　
ＣＩｒ１位ｆｌｌ　ｔｍ　ヨｌ）　ｉＱ　ｆｉｔ　ｔｔ
　Ｋ至るｔで、＃度ｃ８より連続的に徐々に減少され、
位［１〒において実質的に零とされている。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔｌと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置ｔｔにおいては濃度ＣＩｌ＋される
。位＃ｔ３と位置を丁との間では、分布濃度Ｃは一次関
数的に位ｆｌ　ｔ　ｓ　より位−置１１に至る１で減少
されている。

第７図に示される例においては、分布濃度ｃＶｉ位置１
．より位ｆｅｌｔ　ｔ　４までは濃度Ｃ１１の一定値を
取り、位置ｔ４　より位置ｔ４まではＳ度ＣＩ２よりａ
度ＣＩ３まで一次関数的に減少する分布状態とこれてい
る。

第８図に示す例においては、位置１．より位閘ｔｙＫ至
るまで、ダルマニウム原子の分布濃Ｉｆ　Ｃは濃度ＣＩ
４より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第９図においては、位置ｔ１１より位置ｔ、に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度ｃｐｓより′
ＩＩ！４度Ｃ１１ｌまで一次関数的に減少され、位Ｐｉ
　ｔ　ｓ　　と位置ｔＴとの間においては、濃度Ｃ１Ｍ
の一定値とされ九個が示されている。

第１０図に示される例【おいては、ダルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位ｆｌｔｔ＋において濃度ＣＩ７であり、
位ｆｉｔｓＫ至るまではこの濃度Ｃ’ｌ　７より初めは
ゆっくりと減少され、’ｊ６の位置付近においては、急
激に減少されて位置ｔ・では濃＃　Ｃ１ｇとされる。

位置ｔ＠と位＃ｔ　７　との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位１ｑ
ｔ’、で濃度ＣＩ９となり、位置ｔ７と位置ｔ＄との間
では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８にお
いて、濃度Ｃ２０に至る。位置ｔ、と位ｆｌｊｔｔの間
においては、濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２ジ１乃至第１０図により、第一の非晶′ｆｉ
ｊ層（１）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向
の分布状頷の典型例の是つかを説明した様に、本発明に
おいては、支持体側において、ゲルマニウム原子の分布
＃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔｒｉｌｌにおいては、
前Ｆ分布１１！度Ｃは支持体側に較べて５ｊ成り低くさ
れた部分を有するゲルマニウム原子の分布状態が第一の
非晶質層（１）に設けられている。

本発明に於ける光導電部材を構成する第一の非晶質層（
１）は好ましくは上記した様に支持体側の方にゲルマニ
ウム原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ
）を有するのが望オしい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０
図に示す記号を用いて説明すわば、界面位置ｔｌよ沙５
μ以内に設けられるのが窒ましいものである。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
ｍより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ　）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ａ）を層領＃（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の非晶質層（Ｉ）に要求
される牛１性に従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｒｎ□がシリコン原子に対して、通常は１
０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好適には５０００
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　以上、最適には１　ｘ　１　
ｏ’＠ｔｏｍｉ　ｅ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態
となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第一の非晶質層（１）は、支持体側からの層厚で５μ
以内（１，から５μ厚の層領域）に分布濃度の最大＃Ｌ
Ｃユニが存在する様に形成されるのが好ましいものでア
ル。

本発明において、第一の非晶質層（１）中に含有される
ゲルマニウム原子の含有量としては、本令明の目的が効
果的に達成される様に所望に従って適宜法められるが、
通常は１〜９．５Ｘ１０ａｔｏｍｌｅｐｐｍ、好甘しく
け１００〜８　Ｘ　１０”ａｔｏｍｌｃｐｐｍ、　ｍ適
には、５００〜７×１０５ａｔｏ１０５ａｔｏとされる
のが宅ましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質層（（）
中に於けるゲルマニウム原子の分布状伸は、全層領域に
ゲルマニウム原子が連続的に分布し、ゲルマニウム原子
の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側より第一の非晶質層
（１）の自由表面側に向って、減少する変化が与えられ
ているので、分布濃度Ｃの変化率曲線を所望に従って任
意に設計することによって、要求される特性を持った非
晶質層を所望通抄に実現することが出来る。

例えば、第一の非晶′Ｒｔ（へ）（１）中に於けるケ゛
ルマニウムの分布濃度Ｃを支持体側に於いては、充分高
め、第一の非晶質層（１）の自由表面側に於いては、極
力低める様な、分布濃度Ｃの変化を、ケ°ルマニウム原
子の分布濃度曲線に与えることによって、可視光領域を
沈む、比較的短波長から比較的短波長迄の全領域の波長
の光に対して光感度化を図ることが出来る。

又、後述される様に、第一の非晶質層（１）の支持体側
端部に於いて、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に
大きくすることにより、半導体レーデを使用した場合の
、第一の非晶質層（１）のレーデ照射面側に於いて充分
吸収し切れない長波長側の光を第一の非晶質層（１）の
支持体側端部層領域に於いて、実質的に完全に吸収する
ことが出来、支持体面からの反射による干渉を効果的に
防止することが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と第一の非晶質層（１）との間の密
着性の改良を図る目的の為に、第一の非晶質層１）中に
は、酸素原子が含有される。第一の非晶質層（１）中に
含有される酸素原子は、第一の非晶質層（１）の全層領
域に万遍なく含有されても良いし、或いは、第一の非晶
質層（１）の一部の層領域のみ罠含有させて遍在させて
も良い。

父、ｉＷ累原子の分布状態は分布＃度Ｃ（Ｏ）が、第一
の非晶質層（１）の層厚方向に於いては、均一であって
も、第２図乃至第１０図を用いて説明したゲルマニウム
原子の分布状轢と同様に分布濃ｍＣ（０）が層厚方向に
は不均一であっても良い。

詰り１、酸素原子の分布濃＋ｊｊ　Ｃ（０）が層厚方向
に不均一である場合の酸素原子の分布状態は、第２　Ｕ
ｙｉ乃至第１０図を用いてゲルマニウム原子の場合と同
様に説明さｔｔ祷る。

水金１１「）に於いて、第一の非晶質層（１）に設けら
れる酸素原子の含有されている層領域（０）は、光感度
と暗抵抗の向上を主たる目的とする場合には、第一の非
晶質層（ｌの全層領域を占める様に設けられ、支持体と
第一の非晶質層（１）との間の密着性の強化をりｉるの
を主たる目的とする場合には、・Ｐ、−の非晶質層（１
）の支持体側端部層領域を占める様に設けらハる。

Ａｆｔ者の場合、層領域（０）中に含有される酸素原子
の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ
、後者の鳩舎には、支持体との密着性の強化を確実に図
る為に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時罠達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、第一の非晶
質層（１）の自由表面側に於いて比較的低濃度に分布さ
せるか、或いは、第一の非晶質層（１）の自由表面側の
表面層領域には、酸素原子を積榛的には含有させない様
な酸素原子の分布状態を層領域（０、’）中に形成すれ
ば良ｂ０本発明に於いて、第一の非晶質層（１）に設け
られる層領域（０）に含有される酸素原子の含有量は、
層領域（０）自体に要求される特性、或いは該層領域（
０）が支持体にｉｌＫ接触して設けられる場合には、該
支持体との接触界面に゛於ける特性との関係等、有機的
関連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（０）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、腰仙の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、酸素
原子の含有量が適宜選択される。

層領域（０）中に含有される酸素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜決められるが、通常の場合、０．００１〜５０　＊ｔ
ｏｍｉｅｅＩ）ｒ好オしくけ、０．００２〜４０　ａｔ
ｏｍｌｅチ、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｌｅ
％とされるのが望ましいものである。

本発明に於いて、層領域（０）が第一の非晶質＠（Ｉ）
の全層を占めるか、或いは、第一の非晶質層（１）の層
全蛾を占めなくとも、層領域（０）の層厚Ｔ。の第一の
非晶質層（１）の層厚Ｔに占める割合が充分多い場合に
は、層領域（０）に含有される酸素原子の含有量の上限
は、前記の値より充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（０）の層厚Ｔｏが第一の非
晶質、１ｉｔ（１）の層厚Ｔに対して占める割合が５分
の２以上となる様な鳩舎には、層領域（０）中に含有さ
れる酸素原子の微の上限としては、通常け、３０　ａｔ
ｏｍｉｃ４　Ｊ：）下、好甘しくは、２０ａ　ｔ　ｎｍ
ｉ　ｅ％以下、最適に（は１０＾ｔｏｍｉｅ％以下とさ
れるのが望ましいものである。

本発明において、第一の非晶質層（Ｉ）を構成する酸素
原子の含有される層領域（０）は、上記した様に支持体
側の方に酸素原子が比較的高ｆｌｋ度で含有されている
局在領域（Ｂ）を有するものとして設けられるのが望ま
しく、この場合には、支持体と第一の非晶質層（１）と
の間の密着性をよＶ一層内上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔｌよ抄５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
１より５／１厚までの全層領域（Ｌｔ　）とされる場合
もあるし、又、要領ｂ１．　（Ｌｔ　）の一部とされる
場合もある。

局在領域を層領域（Ｌ〒）一部とするか又は全部とする
かは、形成される非晶質層に宍求される特性に従って適
宜決められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最大値Ｃｒｎ
８ｘが通常ｖｉ５００　ａｔｏｍｌａ　ｐｐｍ　以ｆ：
、好Ｊには８（ｌ　Ｑ　ａｔｏｍｌｃｐｐｍ以−Ｆ１最
適には１０００ａｔｏｍｌｃｐｐｍ以、七とされる様な
分布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、酸素原子の含有される層を０
域（０）は、支苫体側からの層厚で５μ以内（１，から
５μ厚の層・ａ域）に分布濃度の最大値Ｃｒｒｌ□が存
在する保に形成されるのが望ましい。

本発明において、必曹に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ累、塩素
、臭累、＝３つ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適
なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−ＳＩＧ＠（Ｈ、Ｘ　）で構成さ
れるツバ−の非晶質層（１）を形成するには、例えば、
グロー放電法、ス・ぞツタリング法、或いはイ］ン、ｆ
レーティノグ法ηの放電現象を利用する真空１積法によ
っ〔成される。例えば、グロー放電ンノによって、ａ−
８ＩＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成される第一の非晶質層（１
）を形成゛するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｌ）
を供給し得るＳＩ供給用の原料ガスとダルマニウム原子
（Ｇ・）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に
応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料がス又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得
る堆積室内に所望、のガス圧状態で導入して、該堆積室
内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されで
ある、所定の支持体表面上に含有プれるダルマニウム原
子の分布濃度を所望の変ｆヒ率曲線に従って制御し乍ら
ａ−８ＩＧｓ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い
。又、ス・ぞツタリング法で形成する場合には、例えば
Ａｒ　、　Ｈｅ等の不活性がス又はこれ等のガスをベー
スとした混合がスの雰囲気中で８１で構成されたターゲ
ット、或いは、該ターゲットとＧ・で構成さねえターゲ
ットの二枚を使用して、又は、ＳｌとＧｏの混合された
ターゲットを使用して、必要に応じて、Ｈｅ　、　Ａｒ
等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料がスを、必
要に応じて、水素原子（Ｈ）又は／及び・・ロダン原子
（Ｘ）導入用のガスをスｚ４　ｙタリング用の堆積室に
導入し、所望のがスのプラズマ雰囲気を形成すると共に
、ｙ’＋ｂ記Ｇ・供給用の原料ガスのガス流量を所望の
変化率曲線に従って制御し乍ら、前記のターｙｙ）をス
・やツタリングしてやれば良い。

イオングレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ケ゛ルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着テートに
収容１７、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクト
ロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔
蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外
は、ス・９ツタリング法の場合と同様にする事で行うこ
とが出来る。

本発明において使用さｔするＳＩ供給用の原料ガスと成
り得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３Ｈ
６゜５ＩａＨ＋ｏ等のがス状仲の又はガス化し得る水素
化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、５ｉ（１１給
効率の良さ等の点で５ｓＨ４、ｓ＋２Ｈ６が好ましいも
のとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４ｐ　Ｇ＠２Ｈ４＊　Ｇ・５Ｈ８ｖ　Ｇ・４Ｈ１０ｒ　
Ｑ＊５Ｆ（１２１Ｇｏ４Ｈｔ４ｖ　Ｇｅ７Ｈ１６，Ｇｅ
ａｒ’ｓ　ｅ　ＧｅｑＨ２ｏ等のガス状態の又はガス化
し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供
給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４ｅ　Ｇｅ２Ｈ６ｅ　Ｇ
ｅ３Ｈｅが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロダ導入子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロダン化合物が挙げられ
、例えばハロダンガス、ハロダン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロダン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、・・ログン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハｏｙン化合物として
は、具体的には、７．素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ　、　Ｃ１Ｆ　、　Ｃｌ
Ｆ５　。

ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ５　、　ＨＦ３　ｒ　ＩＦ７　、
　ＩＣＩ　、　ＩＢｙ等（７）　ハ。

ｒン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体と・しては、具体的には例えば
５ＩＦ４　、５１２Ｆ６　、５ＩＣ１４、ＳｉＢｒ４等
のハロゲン化硅紫が好ましいものとして挙げることが出
来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇ６供給用の原料ガスと共に８１を供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素がスを使用しなくとも
、所望の支持体上にノ・ロダン原子を含むａ　−ＳＩＣ
；ｅから成る第一の非晶質層（１）を形成する事が出来
る。

グロー放電法に従って、ノ・ロダン原子を含む第一の非
晶質層（Ｔ）を製造する場合、基本的には、例えばＳＩ
供給用の原料がスとなるノ・ロダン化硅素とＧ・供給用
の原料ガスとなる水素化ダルマニウムどＡｒ　＋　Ｈ２
＋　）（＠等■ガス等を所定の混合比とガス流量に々る
様にして第一の非晶質層（ｒ）を形成する堆積室に導入
し、グロー放電を生起してこれ等のガスのグラズマ雰囲
気を形成することによって、所望の支持体上に第一の非
晶質層（１）を形成し得るものであるが、水素原子の導
入割合の制御を一層容易になる様に図る為にこれ等のが
スに更に水素がス又は水素原子を含む硅素化合物のガス
も所望量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

ス／やツタリング法、イオングレーティング法の何れの
場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには
、前記のハロダン化合物又は前記のハロダン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入して蚊ガスのグラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水軍原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ダルマニウム等のガス類をスフ９．タリング
用の堆積室中に導入して核ガス類のグラズｉ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、・・ロゲン原子導入用の原料がスと
して上記さねたハロ々°ン化合物或いは・・口ダンを含
む硅素化合物が有効なものとして使用さｈるものである
が、その他に、ＨＦ　、ＨＣＬ　、　ＨＲｒ。

［等のハＯｆ　７化水１１ｇ　、５ＩＦ２Ｆ２　、５Ｉ
Ｈ２Ｉ２゜５ＩＨ２Ｃ１２＊　５ＩＨＣｔ３　＋　５Ｉ
Ｈ２Ｂｒ２　、５ＩＨＢｒ３等のハＯダン置換水素化硅
累、及びＧｅＨＦ３　、　ＧｅＨ２Ｆ２　。

ＧｅＨ３Ｆ　、　ＧｅＨＣｔ３　、　ＧｅＨ２Ｃ４２、
ＧｅＨ３Ｃｔ、　ＧＥＴ（Ｂｒ５゜ＧｓＨ２Ｂｒ２　、
　Ｇ＠１（３Ｂｒ　ｅ　ＧｅＨＩ３　＋　ＧｅＨ２Ｉ２
　、　ＧｔＨ５Ｉ等の水素化ハロダン化ゲルマニウム、
等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン原子、Ｇ
＠Ｆ４　。

ＧａＣｌ２　＋　Ｇ＠Ｂｒ４　＊　Ｇ＊Ｉ４　＋　Ｇｅ
Ｆ２　ｒ　Ｇ＠Ｃｔ２　＋　ＧｅＢｒ２＋Ｇ＠１２等の
ハロゲン化ゲルマニウム、等々のがス状轢の或いはガス
化し得る物質本有効な第一の非晶質層（１）形成用の出
発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むノ・ロダン化物は、
第一の非晶質層（１）形成の際に層中にノ・ロダン原子
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて
有効な水素原子も導入されるので、本発明においては好
適なノ・ロｒノ導入用の原料として使用される。

水素原子を第一の非晶質層（Ｉ）中に構造的に導入する
Ｋは、上記の他にＨ２、或いは５ＩＨ４。

５ｉｚＨ４、５ｔｓＨ６、５ｔ４Ｈ１，等の水嵩化硅素
をＧｏを供給する為のゲルマニウム又はｒルマニウム化
合物と、或いは）Ｇｅｚａ　ｅ　Ｇ＊２Ｈ４、Ｇｅ３Ｈ
ｇ　ｒ　Ｇｅ４Ｈ１０＋Ｇ＠５Ｈ１２＊　Ｇｅ６Ｈ１４
、Ｇｅ７Ｈ１６１Ｇｏ８ＨＩＢ　＋　Ｇｏ９Ｈ２（１等
の水素化ｒルマニウふと８１を供給する為のシリコン又
はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生
起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第一の非晶質層（１）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はノ・ロダン原子（Ｘ）の量又は水素原子とノ・ロ
ダン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は通常の場合０．０１〜
４０息ｔｏｍｌｃ％、好適には０．０５〜３０　ａｔｏ
ｍｉｅ％　、最適には０．１〜２５　ａｔＯｍｉｅ％と
されるのが望ましい。

第一の非晶質層（ｆ）中に含有される水素原子（Ｈ）又
は／′及びハロダン原子（Ｘ）の量をｆｌＩＩ＋御する
には、例えば支持体温度又は／及び水素原子（■Ｉ）、
或いはハロダン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される
出発物質の堆積装置系内へ導入する駿、７１＋電電力等
を卸ｊ御してやれば良い。

本発明の光導電部材に於ける第一の非晶質層１）の層厚
は、第一の非晶質層（１）中で発生されるフォトキャリ
アが効率良く輸送される様にＩ９ｉ宅に従って適宜法め
らｆ］、通常れｔ、　　１〜１００／ｊ　、好適には１
〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ましい。

本発明に於いて、第一の非晶質層（１）に酸素原子の含
有された層領域（０）を設けるには、第一の非晶質層（
Ｔ）の形成の際に酸素原子導入用の出発物質を前記した
第一の非晶質層ｉ）形成用の出発物質と共に使用して、
形成される層中に、ｆ：の量を制御し乍ら含有してやれ
ば良い。

層領域（０）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第一の非晶ズ層（Ｉ）形成用の出発物質
の中から所望に従って選択され九ものに酸素原子導入用
の出発物質が加えられる。

その様な酸素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も酸素原子を構成原子とするがス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化した本のの中の大概のものが使用され
得る。

例えばシリコン原子（Ｓｌ　）を構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（）Ｉ）又は及びノ・ログン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原
子とする原料がスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ
）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子（８１）　、酸素
原子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする
原料ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（別）と水素原子（Ｈ）とを
構成原子とする原料ガスに酸軍原子（０）を構成原子と
する原料ガスを混合して使用しても良い。

れ体内には、例えば酸素（０２）　、オゾン（Ｏｓ）。

−酸化窒素（Ｎｏ　）　、二階化窒素（ＮＯ２）　、−
二酸化窒素（Ｎ２０　）　、三二酸化窒素（Ｎｔｏｓ　
）　を四三酸化窒素（Ｎ２Ｏ４）　を五二着化窒素（Ｎ
２０５）。

三酸化窒素（ＮＯｓ　）　ｖシリコン原子（８１）と酸
素原子（０）と水素原子ＣＨ）とを構成原子とする、例
えば、ジシロ−？す７　（Ｈ３ＳｉＯ８ＩＨ３）　、　
）リシａ　＊　？　：／　（Ｈ，５ＳＩＯ８ｉＨ２０Ｓ
ｉＨ３）等の低級シロキサン等を挙げることが出来る。

ス・母ツタリング法によって、酸素原子を含有する第一
の非晶質層（１）を形成するＫは、単結晶又は多結晶の
Ｓｉウェーハー又は８１０２ウエーハー、又はＳｔと５
ｉｏ２が混合されて含有されているウェーハーをターｒ
ウドとして、これ等を種々のガス雰囲気中でス・中ツタ
リングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｌウェーハーをターダ、トとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈がス
で稀釈して、スノク、ター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記８１ウエーノ・
−をス・り、タリングすれば良い。

又、別には、ＳＩと５ｔｏ２とは別々のターｆ、トとし
て、又はＳｌとＳ　１０２の混合した一枚のターｒ、ト
を使用することによって、ス・や、ター用のがスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有す
るガス雰囲気中でスパッタリングすることＫよって成さ
れる。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグ
ロー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の
原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとし
て使用され得る。

本発明に於いて、第一の非晶質層（１）の形成の際に、
酸素原子の含有される層領域（０）を設ける場合、該層
領域（０）に含有される５１素凍子の分布濃度Ｃ（０）
を層厚方向に変化させて、所望の層厚方向の分布状帖（
ｄ＠ｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を有する層領域（０）
を形成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（
０）を変化させるべき醸デ原子導入用の出発物質のガス
を、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化
させ乍ら、唯積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいけ外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルパルプの開口を両次変化させる操作を
行えば良い。このとき、流験の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲ＭＫ従って流ｔを制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（０）をスパッタリング法によって形成する場合
、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（０）を層厚方向で
変化させて、酸素原子の層厚方向の所望の分布状卵（ｄ
ｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｌｌ＠）を形成するにｔま、第一に
は、グロー放電法による場合と同様に、ｌＷ章原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該がスを堆積室中へ
導入する際のがス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。

第二には、スパッタリング法のターガツトを、例えばＳ
ｌと５１０２との混合されたターｙ、）を使用するので
あれば、Ｓｌと５１０２との混合比を、ターダ、トの層
厚方向に於いて、予め変化させておくことによって成さ
れる。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の非
晶質層（１）１０２上に形成される第二の非晶質層（Ｉ
ｔ）１０３は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し
使用特性、耐圧性、使用珊境特性、耐久性に於いて本発
明の目的を達成する為に設けられる。

又、本発明に於いては、第一の非晶質層（１）１０２と
第二の非晶質層（ＩＩ）１０３とを構成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有してい
るので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分
成されている。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）は、シリコン原
子（８１）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子
（Ｈ）又は／及びノ・ロダン原子（Ｘ）とを含む非晶質
材料（以後、 ｒ”　−（ＳＩｘＣｌ−ｘ）ｙ（Ｈ＋Ｘ）１−ｙ　Ｊ　
Ｎ但し、ｆｘ、　ｙ（１゜と記す）で構成される。

’　−（””ｘＣｌ−ｘ　）ｙ　（Ｈｐ　Ｘ　）＋−ｙ
で構成されるカ号、二の非晶質層（ＩＩ）の形成はグロ
ー放電法、スパッタリング法、イオングランテーシ曽ン
法、イオングレーティング法、エレクトロンビーム法等
によって成される。これ等の製造法は、製造条件、設備
資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用
されるが、所望する特性を有する光導電部材を製造する
為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコン原子
と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製する第二の非
晶質層（ＩＩ）中に導入するのが容易に行える等の利点
からグロー放電法或はス・ヤッターリング法が好適に採
用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とス・９ツタ−
リング法とを同一装置系内で併用して第二の非晶質層（
ｎ）を形成しても良い。

グロー放電法によって第二の非晶質層（ｎ）を形成する
には、ａ　−（５ｔｘｃｌ　−ｘ　）ｙ（Ｈ＋Ｘ　ｈ−
ｙ形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈がスと所定量
の混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放電を生
起させることでガスゾラズマ化して、前記支持体上で既
に形成されである第一の非晶質層（１）上にａ　−（８
１ｘＣ１−ｘ　）ｙ（Ｈｌｘｈ　−ｙを堆積させれば良
い。

本発明に於いて、’　−（８１ｘＣ＋−ｘ）ｙ（ＨｐＸ
）＋−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓ
＋）。

炭素原子（Ｃ）、水１原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）
の中の少なくとも１つを構成原子とするがス状の物質又
はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。

８１、Ｃ，）ｌ、Ｘの中の１つとしてＳｔを構成原子と
する原料ガスを使用する場合は、例えば８１を構成原子
とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必
要に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを
構成原子とする原料がスと全所望の混合比で混合して使
用するか、又はＳｌを構成原子とする原料がルと、Ｃ及
びＨ′ｆｃ構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸ
を構成原子とする原料がスとを、これも又、所望の混合
比で混合するか、或いは、Ｓｌを構成原子とする原料が
スと、８１．Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス
又は、８１．Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料がス
とを混合して使用することが出来る。父、別にはＳｌと
Ｈとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子とする原
料ガスを混合Ｉ〜で使用しても良いし、ＳｌとＸとを構
成原子とする原料ガスにｃｌ構成原子とする原料ガスを
混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の非晶質層（Ｅｌ）中に含有され
る・・ログン原子（Ｘ）として好適なのはＦ。

Ｃ１、Ｂｒ　＋　Ｉであり、殊にＦ　、　ＣＬが１まし
いものである。

本発明に於いで、第二〇非晶質層（ＩＩ）を形成　ノす
るのに有効に使用される原料ガスと成、Ｄ（するものと
しては、當温常圧に於いてガス状態のもの又は容易にが
ス化し得る物質を挙げることが出来るう本発明に於いて
、第二の非晶質層（ＩＩ）形成用の原料ガスとして有効
に使用されるのは、ＳｌとＨとを構成原子とする５ＩＨ
４、５１２Ｈ６，５ｉ５Ｈ６。

５１４ＨＩＱ等のシラン（５ｉｔａｎ＠）類等の水素化
硅素がス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜３のアセチレン系炭住水素。

ハｏ　’ｒ”　ｙ　単体、　ハｏ　ｙン化水素、−・ロ
ｒン間化合物、ハロダン化硅素、ノ・口ｃ　ｙ　ｇｔ置
換水素化硅素水素化硅素等を挙げる事が出来る。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）　
、エタン（Ｃ２Ｈ６）　ｖグロ・やン（Ｃ５Ｈ３）＋、
ｎ−ブタン（ｎ　−Ｃ４Ｈ＋ｏ　）　ｒ　’メタン（Ｃ
ｓＨ＋　２）　。

エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）。

ゾロシラン（Ｃ５Ｈ６）　ｅブテン−１（Ｃ４Ｈ８）　
ｒブテン−２（Ｃ４Ｉ（８）　、インブチレン（Ｃ４Ｈ
８）　ｖ　−！シラン（Ｃ５Ｈ１ｏ　）　ｔアセチレン
系炭化水素としては、アセチレ”　（Ｃ２Ｈ２）　ｔメ
チルアセチレン（Ｃ５Ｈａ　）　、ブチン（Ｃ４Ｈ４）
　ｐ　／”　ｏｃン単体としては、フッ素、＋１［素、
臭素、ヨウ素の）・ログンが、Ｘ　、　ハＯ）ｆ　７化
水素としては、ＦＨ、ＨＩ　、　ＨＣｌ　。

ＨＢｒ　、　ハＯｙ　７間化合物としては、ＢｒＦ　、
　ＣｔＦ　。

ＣＩＦ＜、　ＣｌＦ５　、　ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ５　
、　ＩＦ７　＊　ＩＦ５　、　ＩＣＩ。

）ＢｒハＯグン化硅素としてはＳｉＦ４　ｅ　５ｔ２Ｆ
４　。

５ＩＣ４４、５ｉＣｔ５Ｂｒ　、　５ＩＣ６２Ｂｒ２　
、５ｉＣｔＢｒ５　。

５ＩＣｔ５Ｉ　、　ＳｉＢｒ４　、　ハｏ　）ｆ　ｙ　
置換水素化硅素としては、ＳｉＨ２Ｆ２　、５ｔｕ２ｃ
ｚ２　、５ＩＨＣ１ｓ　、　８１Ｈ３Ｃ４゜５ｉＨ４Ｒ
ｒ　、　５ｉＨ２Ｂｒ２　、５ＩＨＢｒ３　、水素化硅
素としては、８１）（４、５Ｉ２ＨＩ３　、５Ｉ４Ｈ１
０等のシラン（Ｓｉ　１ａｎｅ）類、等々を挙げること
が出来る。

これ等の他に、ＣＦ４　ｐ　ＣＣｌ４＊　ＣＢｒ４　ｅ
　ＣＨＦ３　。

ＣＨ２Ｆ２　ｅ　ＣＨ３Ｆ　、　ＣＨ３Ｃｌ　ｔ　ＣＨ
３Ｂｒ　、　ＣＨ３１、Ｃ２Ｈ３Ｃｔ等のハロダン置換
・平ラフイン系炭化水素、　８Ｆ４　。

ＳＦ６等の７．素化硫黄化合物Ｉ　５ｉ（Ｃｌ５）４　
＃５ｌ（Ｃ２Ｈ５）４　ｅ等のケイ化アルキルや８１ｃ
ｔ（ＣＨ３）　Ｓ　＃５ｔｃｚ２（ＣＨｓｈ　、　５ｉ
Ｃｔ３ＣＨｓ等の）１０グン含有ケイ化アルギル等のシ
ラン誘導体も有効なものとして挙げることが出来る。

これ等の第二の非８質層（Ｉｔ）形成物質は、形成され
る第二の非晶質層（Ｈ）中に、所定の組成比でシリコン
原子、炭素原子及びノ・ロダン原子と必要に応じて水素
原子とが含有される様に、第二の非晶質層（ｆｉ）の形
成の際に所望に従って選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得るＳ　
ｉ　（ＣＨ３）　４と、ハロゲン原子を含有させるもの
としての５ＩＨＣ１５、５ｔｕ２ｃｚ２．５ＩＣｔ４．
或いはＳ　ｉＨ，Ｃｔ等を所定の混合比にしてがス状態
で第二の非晶質層（ＩＩ）形成用の装置内に導入してグ
ロー放電を生起させることによってａ− （”ｘＣｌ−ｘ）ｙ（Ｃｔ−４−Ｈ）１−、から成る第
二の非晶質層（ＩＩ）を形成することが出来る。

スノｆアターリング法によって第二の非晶質層（Ｉｔ）
を形成するには、単結晶又は多結晶の８１ウエーハー又
はＣウェーハー又はＳｌとＣが混合されて含有されてい
るウェーハーをターゲットとして、これ等を必要に応じ
てノ・ログン原子又は／及び水素原子を構成要素として
含む種々のがス雰囲気中でス・平、ターリングすること
によって行えば１１１／−１゜ 例えば、ＳｌつＬ−・・−をターグツトとして使用すれ
ば、ＣとＨ又け／及びＸを導入する為の原料がスを、必
要に応じて稀釈がスで稀釈して、スノッター用の堆積室
中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前
記ｓ１ウェーハーをス・ヤツター　リングすれば良い。

又、別には、ＳＩとＣとは別々のターグツトとして、又
はＳｌとＣの混合した一枚のターダ、トを使用すること
Ｋよって、必要に応じて水素原子又ｄン′及びハロダン
原子を含有するガス雰囲気中でスノやツタ−リングする
ことによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガ
スとなる物質としては先述したグロー放電の例で示した
第二の非晶質層（［ｌ）形成用の物質がス）　ノ／＃　
−ＩＪング法の場合にも有効な物質として使用され得る
。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ｎ）をグロー放電法
又はス・ｆ２ターリング法で形成する際に使用される稀
釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えばＴ（ｅ　、　Ｎ
ｏ　、　Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る
。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成され
る。

即ち、Ｓｔ、Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、各々示
すので本発明に於いては、目的に応じた所望の特性を有
するａ　−（５ｌｘＣ１−ｘ　）ｙ（Ｈ？Ｘ　）１−ｙ
が形成される様に、所望に従ってその作成条件の選択が
厳密に成される。例えば、第二の非晶質層（Ｉｔ）を耐
圧性の向上を主な目的として設けるにはａ　−（Ｓｌｚ
Ｃ＋　−１）ｙ（ＨｚＸ）＋−ｙは使用環境に於いて電
気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の非晶質層（ｒｌ）が設けられる場合に
は上記の電気絶縁性の度合はある程＃緩和され、照射さ
れる光に対しである程度の感度を有する非晶質材料とし
てａ（８１ｘｃ　１−ｘ）ｙ（Ｈ−Ｘ）１−ｙが作成さ
れる。

第一の非晶質層（１）の表面にａ−（ＳｉｚＣｌ−ｘ）
ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−アから成る第二の非晶質層（ＩＩ）を
形成する際、層形成中の支持体温度は、形成される層の
構造及び特性を左右する重要な因子であって、本発明に
於いては、目的とする特性を有するａ−（Ｓｌｘ（−＋
−ｘ）ｙ（Ｈ２Ｘ）１−ｙが所望通りに作成され得る様
に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望オし
い。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（ｒｌ）の形成法に併せて適宜最適範囲
が選択されて、第二の非晶質層（ＩＩ）の形成が実行さ
れるが、通常の場合、２０〜４００℃、好適には５０〜
３５０℃、最適には１００〜３００℃とされるのがｇ−
＋しいものである。第二の非晶質層（ｎ）の形成には、
層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が
他の方法に較べて比較的容謳である事等の為に、グロー
放電法やス／？ツターリング法の採用が有利であるが、
これ等の層形成法で第二の非晶質層（ｌ［）を形成する
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電
・譬ワーが作成されるａ−（ＳｌｚＣ＋　−ｘ）ｙ（Ｉ
ＬＸ）１７の特性を左右する重要な因子の１つである。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有する’　
−（ＳｌｘＣｌ−ｘ）ｙ（Ｈ２Ｘｈ−ｙが生産性良く効
果的に作成される為の放電）々ワー粂件としては通常１
０〜３００Ｗ、好適には２０〜２５０Ｗ、最適には５０
Ｗ〜２００Ｗとされるのが望ましいものである。

堆積室内のガス圧は通常は０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒ、好
適には、０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされるのが望ま
しい。

本発明に於いては第二の非晶質デ（■）を作成する為の
支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクタ
ーは、独立的に別々に決められるものではなく、所望特
性のａ−（Ｓ　ｌ、Ｃ＋　−ｘ）ｙ（Ｈ＋Ｘｈ−ｙから
成る第二の非晶質層（Ｉｆ）が形成される様に相互的有
機的関連性に基づいて各層作成ファクターのＲｔ適値が
決められるのが望ましい。

本究明の光導電部材に於ける第二の非晶質層（■）に含
有される炭素原子の量は、第二の非晶質層（■）の作成
条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得ら
れる第二の非晶質層（Ｉｔ）が形成される重要な因子で
ある。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）に含有される炭
素原子の量は、第二の非晶質層（ＩＩ）を構成する非晶
質材料の種類及びその特性に応じて適宜所ｍＫ応じて決
められるものである。

即ち、前記一般式＆　−（ｓｔＸｃｌ−ｘ）ｙ（ｊＬＸ
）１−）’で示される非晶質材料は、大別すると、シリ
コン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後、
ｒ　ａ−８ｌａＣ＋−ａ　Ｊと記す。但し、Ｏ（ａ　（
１）、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、「ａ−（ＳｌｂＣｌ−ｂ）ｃＨｌ
−ｅＪと記す。

但し、ｏ（ｂ、ｃ（１，）、シリコン原子と−・ログン
原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶質材料
（以後、［ａ−（Ｓ１４Ｃ１−ｄ）＊（Ｈ，Ｘ）１−０
」と記す、但し、０〈ｄ、・〈１）Ｋ分類される。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ｆ［）がａ−８１１
Ｃ１−＠で構成される場合、第二の非晶質層（ｎ）に含
有される炭素原子の量は通常としては、Ｉ　Ｘ　１０−
’　〜９０　ａｔｏｍｉａｓ、好適には１〜８０ａｔｏ
ｍｌｅ％、最適には１０〜７５　ａｔｏｍＩｅｑ６とさ
れるのが望ましいものである。即ち、先のａ−３ｉｌＣ
ｊ−ａの１の表示で行えば、為が通常は０．１〜０．９
９９９９、好適には０．２〜０．９９、最適には０．２
５〜０．９である。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ｎ）が１−（Ｓ％ｂ
ｃ１−ｂ）ｃＨｌ−ｅで構成される場合、第二の非晶質
層（■）に含有される炭素原子の量は、通常Ｉ　Ｘ　１
０−３〜９０　ａｔｏｍｉｃ％とされ、好ましくは１〜
９０　ｍｔｏｍｌａ％、最適には１０〜８０　ａｔｅｍ
ｌｃｌＧとされるのが望ましいものである。水素原子の
含有量としては、通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｌｃ％
　、好ましくは２〜３５　ａｔａｍ［ｅｌ、最適には５
〜３０ａｔｏｍｌｒ％とされるのが望ましく、これ畔の
Ｖ囲に水素含有酸がある場合に形成される光導電部材は
、実際面に於いて優れたものとして充分適用させ得るも
のである。

即ち、先のａ　−（ＳｉｂＣ＋−ｂ）ｅＨｌ−ａの表示
で行えばｂが通常は０．１〜０．９９９９９、好適には
０．１〜０．９９、好適には０．６５〜０．９８、最適
には０．７〜０．９５であるのが望ましい。

第二の非晶質層ｉ）が、ａ−（８１ｄＣ１−ｄ）ｓ（Ｈ
２Ｘ）１−ｅで構成される場合には、第二の非晶質層（
■）中に含有される炭素原子の含有量としては、通常、
Ｉ　Ｘ　１０−’　〜９０　ａｔｏｍｌｅ％　、好適に
は１〜９０ａｔｏｍｔｅ％　ｐ最適には１０〜８０　ａ
ｔｏｍｉｅｌＧとされるのが望ましいものである。／％
ログン原子の含有量としては、通常の場合、１〜２０　
ａｔｏｍｉｅ４好適にはｌ−１８ａｔｏｍｌｃ％　、　
ｊｉｔ適には２〜１５　ａｔｏｍｉｃチとされるのが望
ましく、これ等の範囲にノ）ロダン原子含有貴がある場
合に作成される光導電部材を実際面に充分適用させ得る
ものである。必要に応じて含有される水素原子の含有量
としては、通常の場合１９　ａｔｏｍｌｅ％以下、好適
には１３　ａｔ−ｏｍｉｅ％以下とされるのが望オしい
ものである。

即ち、先Ｏａ　−（ＳｌｄＣｌ−ｄ）ｅ（Ｈ２ｘ）１−
６　ノｄ　＊　＠の表示で行えば、ｄが通常、０．１〜
０．９９９９９．好適には０．１〜０．９９．最適には
０．１５〜０．９　、　ｓが通常０．８〜０，９９．好
適には０．８２〜０，９９．最適には０．８５〜０．９
８であるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（ｎ）の層厚の数範囲は
、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子の１
つである。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第二の非晶質層（ＩＩ）の層厚は、該層（ＩＩ）中
に含有される炭素原子の量や第一の非晶質層（Ｉ）の層
厚との関係に於いても、各々の層領域に要求される特性
に応じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定さ
れる必要がある。

更に加え得るに、生産性やｉｌ意性を加味した経済性の
点に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（Ｉｔ）の層厚としては
、通常０．００３〜３０μ、好適には０．００４〜２０
μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望せしい
ものである。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、ＮｌＣｒ　、ステンレス、　Ａｔ。

Ｃｒ　ｒ　Ｍｏ　、　Ａｕ　＋　Ｎｂ　＋　Ｔ為ｒ　Ｖ
　ｒ　Ｔｌ　ｒ　Ｐｔ　、　Ｐｄ等の金属又はこれ等の
合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、Ｉリエチレ
ン、ポリカーデネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ぼり塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎｉ　Ｃｒ　Ｔ
Ａｔｌ　ｃｒ　ｌ　Ｍｏ　＋　Ａｕ　ｌ　Ｉｒ　＃　Ｎ
ｂ　ｌ　Ｔａ　、　Ｖ　Ｉ　Ｔ１　＃Ｐｔ　、　Ｐｄ　
、　Ｉｎ２Ｏ３ｒ　５ｎ０２　、　ＩＴＯ（Ｉｎ２０３
　＋　５ｎ０２）等から成る薄膜を設けることによって
導電性が付与され、或いは／　ＩＪエステルフィルム等
の合成樹脂フィルムであれば、ＮｌＣｒ　＊　Ａｔｔ　
Ａｇ　ｒ　Ｐｂ　ｔＺｎ　ｔ　Ｎｌ　、　Ａｕ　ｔ　Ｃ
ｒ　、　Ｍｏ　ｔ　Ｉｒ　ｒ　Ｎｂ　ｒ　Ｔａ　ｔ　Ｖ
　ＩＴｌ　、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビ
ーム蒸着、ス・量、シリンダ等でその表面に設け、又は
前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面に
導電性が付与される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
００を電子写真用骨形成部材として使用するのであれば
連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とす
るのが望ましい、支持体の厚さは、所望通りの光導電部
材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。

丙午ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機
械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のがスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するための原料がスが密封されており
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
た５ＩＨ４ガス（ａ”ｆ１度９９．９９９％、以下Ｓ　
Ｉ　）（４７’）Ｉ　ｅと略す。）＆ンペ、１１０３は
Ｈ・で稀釈された＋ｆｆｅＨ４がス（純度９９．９９９
％、以下Ｇｓ　Ｈ４，／Ｈｅと略す。）デンペ、１１０
４はＨｅで稀釈されたＳｉＦ４がス（純度９９．９９’
Ｌ以下Ｓ　Ｉ　Ｆ　４／）Ｉｅと略すｅ）ゲンペ、１１
０５はＮｏガス（純度９９．９９９チ）ゲンペ、１１０
６はＣ２Ｈ４Ｗ　ス（純度９９．９９９１ｇ　）　Ｍｙ
−２ｔ’ある。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスデ
ン−２１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６
、リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し
、又、流入ノクルブ１１１２〜１１１６、流出ノ９ルブ
１１１７〜１１２１、補助バルブ１１３２，１１３３が
開かれていることを確認して、先づメインバルブ１１３
４を開いて反応室１１０１、及び各がス配管内を排気す
る。次に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０　　ｔ
ａｒｔになった時点で補助バルブ１１３２゜１１３３、
流出ノぐルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第一の非晶質層（１
）を形成する場合の１例をあげると、ガスデンペ１１０
２よＦ）　５ＩＨ４／）Ｉｓガス、がスｙｆ　７　ヘ１
１０３よりＧｅＨ４７’Ｈｓがス、ガスがンペ１１０５
よ抄Ｎｏガスをノ々ルブ１１２２，１１２３．１１２４
を開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２８，１１２９の
圧を１に内に調整し、流入バルブ１１１２，１１１３．
１１１４を徐々に開ケて、マス７０コントローラ１１０
７゜１１０８．１１０９内に夫々流入させる。引き続い
て流出ノぐルプ１１１７，１１１８，１１１９、補助ノ
守ルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１
ｏ１に流入させる。このときの５ＩＨ４／Ｈｅガス流量
とＧ＊Ｈ４／’Ｈ＠がス流量とＮｏガス流量との比が所
望の値になるように流出バルブ１１１７，１１１８．１
１１９を調整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の
値になるように真空計１１３６の読みを見ながらメイン
バルブ１１３４の開口を調整する。そして基体１１３７
の温度が加熱ヒーター１１３８により５０〜４００℃の
範囲の温度に設定されていることを線間された後、電源
１１４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグ
ロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化
率曲線に従ってＧｅＨ４／１（ｅガスの流量を手動ある
いは外部駆動モータ尋の方法によって）々ルプ１１１８
の開口を漸次変化させる操作を行なって形成される層中
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を制御する。

第一の非晶質層（１）中Ｋ　／％ロｒダン子を含有させ
る場合には、上記のガスに、例えば８１Ｆ４がスを更に
付加して、グロー放電を生起させれば良い。

又、第一の非晶質層（Ｉ）中に水素原子を含有させずに
ハロゲン原子を含有させる場合には、先の５ＩＨ４／）
（ｅガス及びＧｅ　Ｈ４，”ｎｓガスの代シに、５ＩＦ
４／’Ｈ＠がス及びＧ　ｅ　Ｆ　４７Ｈｅガスを使用す
れば良い。

上記の様にして所望層厚に形成された第一の非晶質層（
１）上に第二の非晶質層（ＩＩ）を形成するには、第一
の非晶質層（１）の形成の際と同様なバルブ操作によっ
て、例えば５ＩＨ４ガス、Ｃ２Ｈ４ガスの夫々を必要に
応じてＨｅ等の稀釈がスで稀釈して、所望の条件に従っ
て、グロー放電を生起させることによって成される。

第二の非晶質層（ＩＩ）中にノ・ロダン原子を含有させ
るには、例えば５ＩＦ４ガスとＣ２Ｈ４がス、或いは、
これにＳｉＨ４ガスを加えて上記と同様にして第二の非
晶質層（ｎ）を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要ながスの流出・１ルブ以外
の流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫
々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応
室１１０１内、流出、４ルプ１１１７〜１１２１から反
応室１１０１内に至るがス配管内に残留することを避け
るために、流出・々ルプ１１１７〜１１２１を閉じ、補
助バルブ１１３２゜１１３３を開いてメインノ々ルブ１
１３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。

第二の非晶質層（１）中に含有される炭章原子の量は例
えば、グロー放電による場合は５ＩＨ４５ｒスと、５２
Ｈ４がスの反応室１１０１内に導入される流量比を所望
に従って変えるか、或いは、ス・９ツタ−リングで層形
成する場合には、ターグットを形成する際シリコンウェ
ハとグラファイトウェハのスノ母、タ面積比率を変える
か、又はシリコン粉末とグラファイト粉末の１合比率を
変えてターグットを成型するととによって所望に応じて
制御することが出来る。

第二の非晶質層（■）中に含有されるノ・ロダン原子（
Ｘ）の量は、ノ・ロダン原子導入用の原料ガス、例えば
Ｓ　Ｉ　Ｆ　４ガスが反応室１１０１内に導入される際
の流量を調整することによって成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に、第１表に示す条件で第１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従って、ＧｅＨ４／１がスと５ＩＨ４
／Ｈｅ　ｅスのガス流量比を層作成経過時間と共に変化
させて第一の非晶質層（１）の形成を行った後、第１表
に示す条件で第二の非晶質層を形成して電子写真用便形
成部材を得た。

こうして得られた骨形成部材を、帯電霧光実験装置に設
置し０５．　ＯｋＶでＱ、３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光書を照射し九光偉はタングステンラング光源
を用い、２１ｕｘ・―ｅＣの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現借剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることＫよっ
て、僧形成部材表面上に良好なトナー画偉を得た。僧形
成部材上のトナー画儂を、θ５．ＯｋＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解儂力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画儂が得られた。

実施例２ 第１１図に示し九製造装置により、第２表に示す条件で
第１３図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ５
Ｈ４／）Ｉｅガスと８１　ＨＪＨ＠がスのがス流景比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１と同様にして、第一の非晶質層（りを形成した以外は
、実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を形成し
た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画倫を形成したところ極め
て鮮明々画質が得られた。

重織側３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示す条件で
第１４図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ＠
Ｈ４／’Ｈ＠ガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流鰻比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１と同様にして、第一の非晶質層（１）を形成した以外
は、実施例１と同様圧して電子写真用像形成部材を形成
した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画倫を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４ 第１１図に示した製造装置によシ、第４表に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ　
＠Ｈ４／）Ｉｅがスと５ｉＨ４７４（ｅガスのがス流景
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして、第一の非晶質層（Ｉ）を形成した
以外は、実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を
形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画情を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示す条件で
第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ＠
■４Ａ＠ガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を層作
成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１と
同様にして、第一の非晶質層（■）を形成した以外は、
実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を形成した
。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画情を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／Ｈｅがスと５ｉＨ４／）（・がスのガス流１比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は舅雄側
１と同様にして、第一の非晶質層（１）を形成した以外
は、実施例１と同様にして電、子写真月俸形成部材を形
成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画情を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示す条件で
第１８図に示すがス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／Ｍｅガスと５ｉＨ４Ａｅガスのガス流■比を層作
成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１と
同様にして、第一の非晶質層（１）を形成した以外は、
実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を形成した
。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画倫を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例８ 実施例１に於いて、５ＩＨ４／）］・ガスの代シに５１
２Ｈ６／７′Ｈ＠ガスを使用し、第８表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして電子写真用像形
成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、￥雄側１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画倫を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例９ °　　実施例１に於いて、８＋Ｈｖ’Ｈ・がスの代りに
５ＩＦ４／）（・ガスを使用し、第９表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして電子写真用像形
成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画倫を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１０ 実施例１に於いて、５ＩＨ４／Ｈ＠ガスの代りに（Ｓｉ
Ｈ４／）Ｉ＠＋５ＩＦ４苅ｅ）ガスを使用し、第１０表
に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条件にして
電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に、第１１表に示す条件で第１２図に示すがス流
１比の変化率曲線に従って、Ｇｅ１Ｈ＆／）Ｉ＠がスと
５ｉＨ４７’Ｈ＠がスのがス流量比を層作成軽適時間と
共に変化させて第一の非晶質層（１）を形成した以外は
、実施例１と同様圧して電子写真用像形成部材を形成し
た。

こうして得られた像形成部材を、帯電霧光実験装置に設
置し０５．　ＯｋＶで０．３ｓｅｅ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射し六光儂はタングステンラング光源
を用い、２１ｕｘ・Ｓｅｔの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させた。

その後直ちに、０荷電性の現儂剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、０５、　ＯｋＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解偉力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例１２ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に、第１２表に示す条件で、第１９図に示すがス
流量比の変化率曲線に従って、ＧｅＨ４／′ｆ（・ガス
とＳ　ＩＨ４／）Ｉ・がス、及びＮＯガスと、８１　Ｈ
４／）Ｉ＠ガスのがス流量比の夫々を層作成経過時間と
共に変化させて第一の非晶質層（１）を形成した以外は
、実施例１と同様圧して電子写真用像形成部材を形成し
た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しＯｓ、ｏｋｖで０．３ｓｅｅ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した光像はタングステンラング光源を
用い、２　Ｌｕｘ拳＊＠ｏの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現俸剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、（−）５．　Ｏｋｖのコロナ
帯電で転写紙上に転写した所、解偉力に優れ、階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例１３ 実施例１に於いて、第１７ｉｆの作成の際に閾の（５Ｉ
Ｈ４＋　ＧｅＨ４）に対する流量を第１３表に示す様に
変えた以外は、実施例１と同様の条件で電子写真用像形
成部材の夫々（試料４１３０１〜１３０８）を作成した
。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ第１３表に示す結果が得られた。

実施例１４ 実施例１に於いて、第１層の層厚を第１４表に示す様に
変える以外は、実施例１と同様にして電子写真用像形成
部材の夫々（試料Ａ１４０１〜１４０８）を作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
１４表に示す結果が得られた。

実施例１５ 実施例１〜１０に於いて光源をタングステンランプの代
りに８１０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーデ（１０ｍＷ
　）を用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１
と同様のトナー画像形成条件にして、実施例１〜１０と
同様の条件で作成した電子写真用像形成部材の夫々に就
てトナー転写画情の画質評価を行ったとζろ、解儂力に
優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた
。

実施例１６ 非晶質層（Ｉｔ）の作成条件を第１５表に示す各条件に
した以外は、実施例２〜１０の各実施例と同様の条件と
手順に従って電子写真用像形成部材の夫々（試料Ａｌ２
−２０１〜１２−２０８．１２−３０１〜１２−３０８
．・・・、　１２−１００１〜３．２−１００８の７２
個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、０５ｋＶで０２■ｅＣ間コロナ帯
電を行い、光像を照射した。光源はタングステンラング
を用い、光量は１．　Ｏ１ｕｘ−ｅ＋ｅｃ　（！：した
。潜１１１！は■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを
含む）によって現像源れ、通常の紙に転写された。転写
画壕は、極めて良好なものであった。

転写されないで電子写真用僧形成部材上に残ったトナー
は、デムブレードによってクリーニングされた。このよ
うな工程を繰り返し１０万回以上行っても、いずれの場
合も画像の劣化は見られなかった。

各試料の転写画情の総合画質評価と繰返し連続使用によ
る耐久性の評価の結果を第１５Ａ表に示す。

実施例１７ 非晶質層（ＩＩ）の形成の際に、ス・９ツタ−リング法
を採用し、シリコンウェハとグラフ了イトのターゲツト
面積比を変えて、非晶質層ＣＭ）Ｋ於けるシリコン原子
と炭素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例１と
全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形庁′部材の夫々につき、実施例１
に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程を約５
万回繰り返した後画倫評価を行りたところ第１６費の如
き結果を得た。

実施例１８ 非晶質層（ＩＩ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガスとＣ２）
１４がスの流量比を変えて、非晶質Ｉｆｌ（ＩＩ　）に
於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる
以外は実施例１と全く同様な方法によって像形成部材の
夫々を作成した。こうして得られた各像形成部材につき
、実施例１に述べた如き方法で転写までの工程を約５万
回繰夛返した後、画情評価を行りたところ、第１７表の
如き結果を得た。

実施例１９ 非晶質層（ＩＩ）の層の形成時、５ＩＨ４ガス、Ｓ　Ｉ
　Ｆ４がス、Ｃ２Ｈ４がスの流量比を変えて、非晶質層
（Ｉｔ）　　　・に於けるシリコン原子と炭素原子の含
有量比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な方法
によって像形成部材の夫々を作成し六、こうして得られ
た各像形成部材につき実施例１に述べた如き作像、現像
、クリーニングの工程を約５万回繰り返した後、画像評
価を行ったところ第１８表の如き結果を得た。

す％　ｆ＋＋　２　。

非晶質層（Ｉｆ）の層厚を変える以外は、実施例１と全
く回様な方法によって像形成部材の夫々を作成した。実
施例１に述べた如き、作像、川１＠、クリーニングの工
程を繰り返し第１９表の結果を得た。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成東件を以下
に示す。

基体温度：グルマニウム原子（Ｇ・）含有層・・・約２
００℃ゲルマニウム原子（Ｇｏ）非含有層・・・約２５
０℃放電周波数：１３．５６圃２ 反応時反応室内圧：　Ｑ、　３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々第一の非晶
質層（１）中のｒルマニウム原子の分布状態を説明する
為の説明図、第１１４１は、本発明で使用された装置の
模式的説明図で、第１２図乃至第１９図は夫々本発明の
実施１例に於けるガス流量比の賓化率曲線を示す説明図
である。 １００・・・光導電部材　１０１−・・支持体１０２・
・・第一の非晶質層（Ｉ） １０３・・・第二の非晶質層（１） 第１図 第２図 一−−−、−、−−−ｃ 第３図 第４図 −Ｃ 第５図 Ｃ 第６図 第７図 一−□Ｃ 第８図 −Ｃ 第９図 第１０図 第１２図 汀゛又３たｔ比 力゛ズ流！Ｉよヒ 第１６図 力゛ズ流量」ｔ ブ■スｉｆ比 第１８図 １ 第１９図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、シリコン原子とｒルマニウム
   原子とを含む非晶質材料で構成された、光導電性を示す
   第一の非晶質層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非
   晶質材料で構成された第二の非晶質層とを有し、前記第
   一の非晶質層中罠於けるｒルマニウム原子の分布状態が
   層厚方向に不均一であって、該第−の非晶質層中には酸
   素原子が含有されている事を特徴とする光導電部材。