JPS58187146U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58187146U
JPS58187146U JP8365082U JP8365082U JPS58187146U JP S58187146 U JPS58187146 U JP S58187146U JP 8365082 U JP8365082 U JP 8365082U JP 8365082 U JP8365082 U JP 8365082U JP S58187146 U JPS58187146 U JP S58187146U
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JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
semiconductor equipment
semiconductor element
external lead
envelope
Prior art date
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Pending
Application number
JP8365082U
Other languages
English (en)
Inventor
首藤　康雄
岩下　正勝
寺岡　忠男
Original Assignee
松下電子工業株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 松下電子工業株式会社 filed Critical 松下電子工業株式会社
Priority to JP8365082U priority Critical patent/JPS58187146U/ja
Publication of JPS58187146U publication Critical patent/JPS58187146U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来装置の外観図、第２図は同装置の断面概要
図、第３図は本考案実施例に係る半導体装置の外観図で
ある。 １．３・・・・・・外部リード、２・・・・・・発光ダ
イオード、４・・・・・・ホトトランジスタ、５・・・
・・・透明樹脂、６・・・・・・外囲体樹脂、７・・・
・・・窪み（穴）、８・・・・・・直線状溝。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）　　半導体素子と、前記半導体素子に接続された
    外部リードと、前記半導体素子及び前記外部リードをお
    おう外囲体とを有し、前記外囲体上面の一端部に直線状
    溝を設けたことを特徴とする半導体装置。
  2. （２）直線状溝の断面形状が円弧をなすことを特徴とす
    る実用新案登録請求の範囲第１項に記載の半導体装置。
  3. （３）　溝が深さ０．１〜１．０罷の範囲なることを特
    徴とする実用新案登録請求の範囲第１項に記載の半導体
    装置。
JP8365082U 1982-06-04 1982-06-04 半導体装置 Pending JPS58187146U (ja)

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JP8365082U JPS58187146U (ja) 1982-06-04 1982-06-04 半導体装置

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JP8365082U JPS58187146U (ja) 1982-06-04 1982-06-04 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58187146U true JPS58187146U (ja) 1983-12-12

Family

ID=30092643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8365082U Pending JPS58187146U (ja) 1982-06-04 1982-06-04 半導体装置

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Country Link
JP (1) JPS58187146U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS615529A (ja) * 1984-06-20 1986-01-11 Hitachi Ltd 絶縁型半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS615529A (ja) * 1984-06-20 1986-01-11 Hitachi Ltd 絶縁型半導体装置

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