JPS58179245A - プラスチツクの光劣化防止剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本帖明は！他プラスチック、−糾などを太陽光などの紫
外蝉から守るプラスチックの光劣化防止剤に関するもの
である。

従来の、プラスチックの光劣化防止剤とＬ−ｔはオキシ
ベンゾフェノンｄ４体ケはじめとするいわゆる紫外−曖
収剤が憂く開発されてきた。Ｌかし、これらの紫外線吸
収剤か配合されたプラスチックＪｆ′謙科が艮期関繊外
で使用されると、＊外Ｉ！吸収剤は揮斂あるいは雨水へ
の溶解によつ【プラスチックや塗料中から逃失り、十分
な光劣化防止効果を生じ得ないという欠点があった。

一方、これらの欠点を改蕎するために、４分子量化した
紫外１１＃収剤も開発されているが、経済性において不
利になること、−分子量比したためにプラスチックとの
十分な相浴性がなく、配合時に分数ＬＫ＜くなるとい５
欠点があった。

本発明は、これらの欠点を除去するために、プラスチッ
クあるいは！！ａ科への配合時にはプラスチックとの相
溶性１分敵性がよい低分子鰍であり、使用時において太
陽光などの紫外線により高分子鉱化し、使用時の揮散、
−水への溶解を防ぎ、その光劣化防止効果を喪期間持続
させようとしたものである。

本発明は２式Ｉを有する。β−カルボキシビニル基でｉ
ｔ侠された２、４−ジヒドロキシベンゾフェノン カルボキシビニル基であるかあるいは両方がβ−カルボ
−１′／ヒニル基である） であるノ７スブックの光劣化防止剤である。

Ｒ，が−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯＨ、Ｒ，がＨである式■の
化合物の合成方法の−し１ノを次に説明する。

式Ｕで／］（′すパフ７アノケイ皮鍍を出発皐科とし工
、そのエーナ／ｌ浴液に塩化Ｉ１１鉛な懸濁させる。こ
れに壜化水索を２〜６吋間通したのち、レゾルシンを添
加する。反応終了倣水を加え上−チル抽出した後、生成
物をカラムクＩ−＋？トゲラフイーにより分離すると２
．４−ジヒドロ＋ノーｃ−７ｙＬ　　カルボキシビニル
−ベンゾフェノンが優られる。

その１山のβ−カル・ｌ、キシヒニルａｔ侠２．４−ジ
ヒドロキシベ／シフエノンも同様の方法で合成される。

こ２Ｌらの２．４−７ヒトー千ジベンゾフェノン−導体
は系外−によりニー化し一分子麓化する。飼えばβ−力
ルボキシビニル基な２個會む２＃４−ジヒドＩｆｆキ７
べ／シフエノンー導体は三量化以上をも起こしてさらに
高分子量化する。

次ｉｌ！に２本発明の２，４−ジヒドーキシー４′−β
−カルボキシビニル−ベンゾフェノンと従来公知の２−
オキシ。

４−オクチルオキシベンゾ−７二ノンをそれぞれ０．６
ｗｔ％配合した低會匿ポリエチレンをウェザμメーター
中で紫外線照射したときの伸びの残率を示す。

表 従来の低分子量ベンゾフェノンでは２０００時間以内で
伸びの低下がおこるのに比べ、紫外−により高分子量化
する２、４−ジヒドロキシベンゾフェノンｄ導体では２
０００蒔匍までの伸びの低下は小さく、この化合物の光
劣化防止機能が＾いことがわかる。

１１１９１Ｆの光劣化防止機能の差は、両者の紫外＃Ｉ
Ａｌｔ収−に大々がないことから１両者のポリエチレン
中での残貿性の遅いによるものと理解される。

以上説明したように１本発明の光劣化防止剤は、紫外−
の照射により高分子量化し、プラスチック中での滞留性
か同上するので、プラスチックの光劣化を長期間防止で
きるという利点を有する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｆ１式ｌの構造な自イる。β−カルボキシビニル基で置
   換された２、４−ジヒドロキシベンゾフェノン（ただり
   、Ａ中ｌ（□、Ｒ１は　いずれか一方がＨであり他方が
   β−カルホキ／ビニル基であるかあるいは両方がＩ−カ
   ルポキシビニル基である） であるプラスチックの光劣化防止剤。