JPS58178612A - 電力増幅器のバイアス回路 - Google Patents
電力増幅器のバイアス回路Info
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- JPS58178612A JPS58178612A JP57060633A JP6063382A JPS58178612A JP S58178612 A JPS58178612 A JP S58178612A JP 57060633 A JP57060633 A JP 57060633A JP 6063382 A JP6063382 A JP 6063382A JP S58178612 A JPS58178612 A JP S58178612A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＢ級又はλＢａ１ｌ力増幅器のバイアス回路の
改良に関てる。
改良に関てる。
一般に、Ｂ級又はＡＢＩｉ＆電力増幅器のバイアス回路
には第１図に示す様なダイオード（３−１１や可変抵抗
（３−２）等から成る定電圧回路によるパイＴ′スー路
（３）が用いられ、プッシュプル出力回路の出力トラン
ジスタ（５）及び（６）の両ベース間に接続して該出力
トランジスタのバイアス１Ｆ流を定めている。
には第１図に示す様なダイオード（３−１１や可変抵抗
（３−２）等から成る定電圧回路によるパイＴ′スー路
（３）が用いられ、プッシュプル出力回路の出力トラン
ジスタ（５）及び（６）の両ベース間に接続して該出力
トランジスタのバイアス１Ｆ流を定めている。
給１図において、ｆＩＪＩ工入力端子、（２）は入カト
ラ／ジスタ、（４）は足ＩＩ流源、（７）、（８）は抵
抗、（９）は出力端子、（１０）は負荷抵抗、＋Ｂは正
電源、−Ｂｈｓ負電源である。
ラ／ジスタ、（４）は足ＩＩ流源、（７）、（８）は抵
抗、（９）は出力端子、（１０）は負荷抵抗、＋Ｂは正
電源、−Ｂｈｓ負電源である。
この様なバイアス回路は、出力トラ７ジスタ（５）、（
６）の温度が上昇したりすると該出力トランジスタ＋５
１、（６１のバイアス電流が変化するので、ｉ度補償素
子であるタイオード（３−１）によって上記出力トラン
ジスタの温度上昇を検出し、バイアスｔｉの変化を補正
して＃］作の安定を図っている。しかし、か工うな温反
補償の方法は、出力トランジスタを取付けたラジェター
等を弁して温度の検出をしているので、熱伝達時間の遅
れや各素子の温度％性の違い等によって正確な温度補償
が困雛であって、バイアス電流の安定化に時間を要した
り、バイアス電流の補正に過不足を生じ１こり（、てバ
イアス電流が安定性に欠ける雑魚がある。又Ｂ級又はＡ
Ｂ級動作をさせる場合、信号のピーク付近においてはい
ずれか一万のトランジスタが力゛Ｉトオフになるためス
イッチノブ歪を生ずる。
６）の温度が上昇したりすると該出力トランジスタ＋５
１、（６１のバイアス電流が変化するので、ｉ度補償素
子であるタイオード（３−１）によって上記出力トラン
ジスタの温度上昇を検出し、バイアスｔｉの変化を補正
して＃］作の安定を図っている。しかし、か工うな温反
補償の方法は、出力トランジスタを取付けたラジェター
等を弁して温度の検出をしているので、熱伝達時間の遅
れや各素子の温度％性の違い等によって正確な温度補償
が困雛であって、バイアス電流の安定化に時間を要した
り、バイアス電流の補正に過不足を生じ１こり（、てバ
イアス電流が安定性に欠ける雑魚がある。又Ｂ級又はＡ
Ｂ級動作をさせる場合、信号のピーク付近においてはい
ずれか一万のトランジスタが力゛Ｉトオフになるためス
イッチノブ歪を生ずる。
本発明は、上述の如き欠点がなく温度安π性のよい、又
スイッチノブ歪を生じないＢ級又はＡＢ級富力増幅器の
バイアス回路を提供しょうとＴるものである。以下、図
面を用い本発明を具体的に説明する。
スイッチノブ歪を生じないＢ級又はＡＢ級富力増幅器の
バイアス回路を提供しょうとＴるものである。以下、図
面を用い本発明を具体的に説明する。
第２図は、本発明のＩ！１実施例を示す回路図である１
図において、第１図と対応する部分には同一の符号を付
して説明を省略する。 （１１−１）は差動ｊａ＠器、
（１１−２）及び（１１−３）は減衰器で、これらはＡ
、８２点間の′重圧を検出する検出回路（ロ）を構成す
る。減衰器（１１−２）、（１１−８） ４！、出力ト
ランジスタ（５）、（６）の大きな出力信号を差動増幅
器（１１−１）の入力回路の動作範囲内に減衰するＫめ
のものである。幹を了検出助１路（ロ）で検出した電圧
と基準端子（ム）の電圧とを比較する比較器である。
（１３−１］は抵抗、（１３−２）＋１コンデンすでこ
れらは積分回路を構成し、 （１３−３）は、積分回路
の積分信号によりその内部イ／ビータ７スが変化する駆
動回路で、本実施例ではホト・カプラである０便宜上、
これらの（１３−１）、（１３−２）及び（１３−３）
工り成る回路（至）を増幅器（至）が！＃綬され出力信
号電流に応じ１こ交流信号のみを嘔出し、検波器部によ
り両波検波して基準端子（２２３Ｋ印加する。ここで、
出力端子（９）にはエミッタ抵抗と負荷ａのＫよって分
圧された交流出力１言号が現われ、抵抗（ロ）、（ト）
の接！５２点には分圧されない出力信号が現われる。従
ってその差信号を増幅する差動増幅器（ト）の出力信号
は、出力トラ７ジスタ（５）、（６）の交流出力信号Ｗ
流の大きさに比例したものとなる。又基準端子（２２）
Ｋは抵抗Ｑｌ’を介して直流電源αりが接続される。
図において、第１図と対応する部分には同一の符号を付
して説明を省略する。 （１１−１）は差動ｊａ＠器、
（１１−２）及び（１１−３）は減衰器で、これらはＡ
、８２点間の′重圧を検出する検出回路（ロ）を構成す
る。減衰器（１１−２）、（１１−８） ４！、出力ト
ランジスタ（５）、（６）の大きな出力信号を差動増幅
器（１１−１）の入力回路の動作範囲内に減衰するＫめ
のものである。幹を了検出助１路（ロ）で検出した電圧
と基準端子（ム）の電圧とを比較する比較器である。
（１３−１］は抵抗、（１３−２）＋１コンデンすでこ
れらは積分回路を構成し、 （１３−３）は、積分回路
の積分信号によりその内部イ／ビータ７スが変化する駆
動回路で、本実施例ではホト・カプラである０便宜上、
これらの（１３−１）、（１３−２）及び（１３−３）
工り成る回路（至）を増幅器（至）が！＃綬され出力信
号電流に応じ１こ交流信号のみを嘔出し、検波器部によ
り両波検波して基準端子（２２３Ｋ印加する。ここで、
出力端子（９）にはエミッタ抵抗と負荷ａのＫよって分
圧された交流出力１言号が現われ、抵抗（ロ）、（ト）
の接！５２点には分圧されない出力信号が現われる。従
ってその差信号を増幅する差動増幅器（ト）の出力信号
は、出力トラ７ジスタ（５）、（６）の交流出力信号Ｗ
流の大きさに比例したものとなる。又基準端子（２２）
Ｋは抵抗Ｑｌ’を介して直流電源αりが接続される。
本回路の動１’ｆ：は、次の通りである。
まず、無信号時の動作について説明する。この場合、出
力トラ７ジスタ（５）及び（６）のバイアス電流は抵抗
（７）及び（８）Ｋ流れ、これらの抵抗の両端Ａ。
力トラ７ジスタ（５）及び（６）のバイアス電流は抵抗
（７）及び（８）Ｋ流れ、これらの抵抗の両端Ａ。
８間に電圧降下を生じるから、検出回路ａηには上記バ
イアス電流の大きさに応じた電圧が印加され、検出回路
αりの出力にバイアスの大きさに応じた検出信号が得ら
れる。この検出信号は、比較器（６）の−万の端子に印
加され、その他方の基準端子（２２）Ｋ印加さ？１基準
信号レベルと比較される。比較器（ロ）は、基準端子（
２２）の基準信号レベルより検出信号が大きい場合には
高０レベル信号を、検出信号が小さい場合には低υレベ
ル信号を生じこの比較信号を積分・駆動回路ａ３に印加
する。積分・駆動回路０は、比較信号を積分して得られ
る積分信号によりホト・カプラ（１３−３）の内部イン
ビータノスを変化させる。この内部インピータンスの変
化によって点０％０間の重圧降下を変化させ、出力トラ
ンジスタ（５）、（６）のバイアス電流を制御する。
イアス電流の大きさに応じた電圧が印加され、検出回路
αりの出力にバイアスの大きさに応じた検出信号が得ら
れる。この検出信号は、比較器（６）の−万の端子に印
加され、その他方の基準端子（２２）Ｋ印加さ？１基準
信号レベルと比較される。比較器（ロ）は、基準端子（
２２）の基準信号レベルより検出信号が大きい場合には
高０レベル信号を、検出信号が小さい場合には低υレベ
ル信号を生じこの比較信号を積分・駆動回路ａ３に印加
する。積分・駆動回路０は、比較信号を積分して得られ
る積分信号によりホト・カプラ（１３−３）の内部イン
ビータノスを変化させる。この内部インピータンスの変
化によって点０％０間の重圧降下を変化させ、出力トラ
ンジスタ（５）、（６）のバイアス電流を制御する。
すなわち、温度上昇等罠よって出力トランジスタ（５）
、（６）のバイアス電流が増加すると、検出（ロ）路（
６）の検出信号が増加し、検出信号が基準端子Ｃ２２）
の所定の基準信号レベルを越えると比較器盤がＨレベル
信号を出力し、このＨレベル信号が積分・駆動回路０３
に印加されて駆動回路（１３−３）の内部イ／ビータ７
スを減少させ、点Ｃ，Ｄ間の電圧降下が減少してバイア
スを減少させる。また、逆に何らかの原因で出力トラン
ジスタ（５１、＋６１１Ｆ）バイアス電流が減少すると
、上述の説明と逆の動ｒ￥により、比較器（２）はＬレ
ベル信号を出力し点０％０間の重圧降下は増加してバイ
アスを増加させる。
、（６）のバイアス電流が増加すると、検出（ロ）路（
６）の検出信号が増加し、検出信号が基準端子Ｃ２２）
の所定の基準信号レベルを越えると比較器盤がＨレベル
信号を出力し、このＨレベル信号が積分・駆動回路０３
に印加されて駆動回路（１３−３）の内部イ／ビータ７
スを減少させ、点Ｃ，Ｄ間の電圧降下が減少してバイア
スを減少させる。また、逆に何らかの原因で出力トラン
ジスタ（５１、＋６１１Ｆ）バイアス電流が減少すると
、上述の説明と逆の動ｒ￥により、比較器（２）はＬレ
ベル信号を出力し点０％０間の重圧降下は増加してバイ
アスを増加させる。
本発明は上述のように、出力トランジスタのバイアス電
流の変動なＨａ検出し所定の基準信号レベルと比較して
制御することを特徴とし、これにより、バイアスｔＲは
優れた安定性を保つことができろ、又バイアスが変動し
てから比較器斡の出力がＨ又はＬレベルになるＫｇ！す
る時間は極めて短いのでバイアス電流の安定化Ｋｌ！す
る時間が極めて短くなる。
流の変動なＨａ検出し所定の基準信号レベルと比較して
制御することを特徴とし、これにより、バイアスｔＲは
優れた安定性を保つことができろ、又バイアスが変動し
てから比較器斡の出力がＨ又はＬレベルになるＫｇ！す
る時間は極めて短いのでバイアス電流の安定化Ｋｌ！す
る時間が極めて短くなる。
次に、入力信号が印加された場合の動作について説明す
る。上述のとおり比較器四の基準端子（２２）に印加す
る基準電源ａ場のレベルに応じてバイアスを制御できる
ので、この基準ＩＦ源（６）のレベルにより出力トラン
ジスタの動作をＢ級からＡＢ級の動作状！ｌＫ設足する
ことができる。第３図は出力トランジスタ（５１，（６
１に流れる電流の波形図である。
る。上述のとおり比較器四の基準端子（２２）に印加す
る基準電源ａ場のレベルに応じてバイアスを制御できる
ので、この基準ＩＦ源（６）のレベルにより出力トラン
ジスタの動作をＢ級からＡＢ級の動作状！ｌＫ設足する
ことができる。第３図は出力トランジスタ（５１，（６
１に流れる電流の波形図である。
いま人力漏子（１）に入力信号が印加され、信号の極性
が＆に出力トランジスタ（５）の市ｆｌＬＩｓが増加し
出力トランジスタ（６）の＊流ニーが減少する工うな場
合であったとてろと、抵抗（７１＊両端の電圧降下を工
増大し抵抗（８）両端の電圧降下は減少するが、その増
加及び減少の変化分は等し論から、結局１点Ａ、 ８間
の電圧は一足で出力信号電流の大きさＫは左右されない
、シタがって、検出回路αηはバイアス電流に応じた検
Ｗ信号を出力する。
が＆に出力トランジスタ（５）の市ｆｌＬＩｓが増加し
出力トランジスタ（６）の＊流ニーが減少する工うな場
合であったとてろと、抵抗（７１＊両端の電圧降下を工
増大し抵抗（８）両端の電圧降下は減少するが、その増
加及び減少の変化分は等し論から、結局１点Ａ、 ８間
の電圧は一足で出力信号電流の大きさＫは左右されない
、シタがって、検出回路αηはバイアス電流に応じた検
Ｗ信号を出力する。
一万差動増幅器＠に工り検出、された交流信号を両波検
波器（至）により両波検波して基準端子（２２）に印加
すれば、第４図のような動作電流波形となる。
波器（至）により両波検波して基準端子（２２）に印加
すれば、第４図のような動作電流波形となる。
すなわち、無信号時にはバイアスは基準電源（至）で電
圧が大きくなりバイアスが大きくなるので、通常カット
オフ状輪となるべき区間では、減少しようとするエミッ
タＩＩ＃！と増大しようとするバイアスｗＲとが相殺さ
れて、図の工うにカットオフ状態と目ならずに、無信号
時と同程度のバイアス電流がＲ１する。第４図は、本発
明の１１１１２実施例を示す（ロ）路である１本例・工
、出力端子（９）の出力信号レベルに追従して動作して
作動する浮動市源曽及び（２１）で比較！Ｓ斡を駆動し
た場合を示′−ｒ、検出回路０υの減衰器（１１−２’
）、（１１−、ｓ５ ＋ｘ場合により省略できる。差動
増幅器（１１−１）の各入力端子の入力は出力交流信号
成分を含むが、浮動電源の変動と同じなので浮動軍ＩＩ
Ａは小さなものでよい、積分−駆動回路Ｑ３は、纂２図
のホト−カプラ（１３−３３の代わりＫ ＦＩＴ（ｉ３
−４）、（１８）を用いている。この工うに、９ バイアス回路を駆Ｉｌｌする電源は、その−鴫が接地さ
ｒした固足の電源でもよいし、出力端子（９）の出力信
号に追従して動作する浮動電源を用いても工い。
圧が大きくなりバイアスが大きくなるので、通常カット
オフ状輪となるべき区間では、減少しようとするエミッ
タＩＩ＃！と増大しようとするバイアスｗＲとが相殺さ
れて、図の工うにカットオフ状態と目ならずに、無信号
時と同程度のバイアス電流がＲ１する。第４図は、本発
明の１１１１２実施例を示す（ロ）路である１本例・工
、出力端子（９）の出力信号レベルに追従して動作して
作動する浮動市源曽及び（２１）で比較！Ｓ斡を駆動し
た場合を示′−ｒ、検出回路０υの減衰器（１１−２’
）、（１１−、ｓ５ ＋ｘ場合により省略できる。差動
増幅器（１１−１）の各入力端子の入力は出力交流信号
成分を含むが、浮動電源の変動と同じなので浮動軍ＩＩ
Ａは小さなものでよい、積分−駆動回路Ｑ３は、纂２図
のホト−カプラ（１３−３３の代わりＫ ＦＩＴ（ｉ３
−４）、（１８）を用いている。この工うに、９ バイアス回路を駆Ｉｌｌする電源は、その−鴫が接地さ
ｒした固足の電源でもよいし、出力端子（９）の出力信
号に追従して動作する浮動電源を用いても工い。
１ｋ、バイアス電ｆＩＬｖｃ応じた信号を検出する回路
（ロ）、比較基幹、積分・駆動回路−なども、上述の実
施例に限らず種々の方法によって実施することができる
１例えば、実施例のように比較基幹の出力を直接抵抗（
１３−１）Ｋ加えず、比較ｓ砦の出力がオンになった時
、別に設けたパルス発生器のゲートを開いてパルス信号
を抵抗（１３−１）Ｋ加える工うにしてもよい。
（ロ）、比較基幹、積分・駆動回路−なども、上述の実
施例に限らず種々の方法によって実施することができる
１例えば、実施例のように比較基幹の出力を直接抵抗（
１３−１）Ｋ加えず、比較ｓ砦の出力がオンになった時
、別に設けたパルス発生器のゲートを開いてパルス信号
を抵抗（１３−１）Ｋ加える工うにしてもよい。
本明細書においては、この場合の１うなパルス発生器を
含めて比較手段と呼ぶこととする。
含めて比較手段と呼ぶこととする。
以上説明したとおり、本発明によれば、温度資化に対し
安定な重力増幅器バイアス回路を提供しうるのみならず
、出力トランジスタをＢ＠又ｈｘｈＢ級に設定し得て、
しかも出力トランジスタがカットオフ状態とならない利
点がある。
安定な重力増幅器バイアス回路を提供しうるのみならず
、出力トランジスタをＢ＠又ｈｘｈＢ級に設定し得て、
しかも出力トランジスタがカットオフ状態とならない利
点がある。
第１図は従来例を示す回路図、第２図は本発明の第１実
施例を示す回路図、第３図は第２図のもの一動作説明用
波形図、＠４図は本発明の＠２実施例を示ｊ陰嘘回路図
である。 （５）・・・第１出力トランジスタ、（６）・・・ｇ２
出力トラ／ジスタ、（ロ）、（１１−１）・拳１１検出
手段、似・・・比較手段、（２）・・・積分・駆動手段
。 ％計量願人 日本コロムビア体式会社代 理
人 弁理士 山 口 和 美 −１−９
２−呪と
施例を示す回路図、第３図は第２図のもの一動作説明用
波形図、＠４図は本発明の＠２実施例を示ｊ陰嘘回路図
である。 （５）・・・第１出力トランジスタ、（６）・・・ｇ２
出力トラ／ジスタ、（ロ）、（１１−１）・拳１１検出
手段、似・・・比較手段、（２）・・・積分・駆動手段
。 ％計量願人 日本コロムビア体式会社代 理
人 弁理士 山 口 和 美 −１−９
２−呪と
Claims (1)
- 互いに異なる導電型の第１及び第２の用カトランジスタ
を有するエミッタホロワ型プッシュプル出力回路におい
て、上記第１及び第２出力トラ７ジスタを流れるバイア
ス電流に応じた信号を検出する第１の検出手段と、上記
第１及び′第２の出力トランジスタを流れる交流信号成
分な検出てる第２の検出手段と、上記第２の検出手段の
出力を両波整流して整流出力を得る整流手段と、上記整
流出力に同極性の＠流電圧を重畳して基準電圧を得る手
段と、上記第１の検出手段の検出信号が上記基準電圧を
越えると第１のレベルの出力信号を発生し、上記基準電
圧エリ小さいと第２のレベルの出力信号を発生する比較
手段と、該比較手段の出力信号を積分して得られる積分
信号により駆動されよ８６出力トラ７ジスタのバイアス
電流を制御す７−１積分・駆動手段とを具え１こことを
％徴とてる電力増幅器のバイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060633A JPS58178612A (ja) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | 電力増幅器のバイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060633A JPS58178612A (ja) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | 電力増幅器のバイアス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58178612A true JPS58178612A (ja) | 1983-10-19 |
Family
ID=13147907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57060633A Pending JPS58178612A (ja) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | 電力増幅器のバイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58178612A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650181B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-11-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High-frequency amplifier |
| US6873208B2 (en) | 2000-06-30 | 2005-03-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High-frequency amplifier |
-
1982
- 1982-04-12 JP JP57060633A patent/JPS58178612A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650181B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-11-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High-frequency amplifier |
| US6873208B2 (en) | 2000-06-30 | 2005-03-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High-frequency amplifier |
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