JPS5817659A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5817659A JPS5817659A JP56116625A JP11662581A JPS5817659A JP S5817659 A JPS5817659 A JP S5817659A JP 56116625 A JP56116625 A JP 56116625A JP 11662581 A JP11662581 A JP 11662581A JP S5817659 A JPS5817659 A JP S5817659A
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- wiring
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
- H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は相補型の半導体装置に係り、特にP型不純物を
含むポリシリコン電極及びN型不純物を含むポリシリコ
ン電極を同一素子内に含む相補型の半導体装置に於いて
、P型ポリシリコン配線とN型ポリシリコン配線の接続
を安価に製造できる相補型の半導体装置に関する。
含むポリシリコン電極及びN型不純物を含むポリシリコ
ン電極を同一素子内に含む相補型の半導体装置に於いて
、P型ポリシリコン配線とN型ポリシリコン配線の接続
を安価に製造できる相補型の半導体装置に関する。
従来、相補型半導体装置(以下C−MO8と略す)のゲ
ート電極に、ポリシリコンを有する相補型の半導体装置
(通称C−MOSシリコンゲートと呼けn1以下C−M
O88i ゲートと略す。)には、C−MO88i
ゲートを構成するPチャンネルトランジスタのゲート
電極にP型ポリシリコンが、又Nチャンネルトランジス
タのゲート電極にN型ポリシリコンが用いらnていた。
ート電極に、ポリシリコンを有する相補型の半導体装置
(通称C−MOSシリコンゲートと呼けn1以下C−M
O88i ゲートと略す。)には、C−MO88i
ゲートを構成するPチャンネルトランジスタのゲート
電極にP型ポリシリコンが、又Nチャンネルトランジス
タのゲート電極にN型ポリシリコンが用いらnていた。
この様なC−MO88iゲートでは、半導体基板に設け
らnたP型不純物拡散層とP型ポリシリコン配線の接続
及び半導体基板に設けられたN型不純物拡散層とN型ポ
リシリコン配線の接続が可能なため、相補型の半導体装
置の設計自由度が大きいという長所がある。
らnたP型不純物拡散層とP型ポリシリコン配線の接続
及び半導体基板に設けられたN型不純物拡散層とN型ポ
リシリコン配線の接続が可能なため、相補型の半導体装
置の設計自由度が大きいという長所がある。
そしてP型ポリシリコン配線と、N型ポリシリコン配線
をアルミ金緘などを使い接続する。従来技術は第1図及
び第2図に示す様にノンドープポリシリコンをパターン
成形後、c−c’を境界とするマスク及び拡散技術を用
いP型およびN型の不純物をそれぞれドープしてP型ポ
リシリコン配線2aとN型ポリシリコン配線2bを形成
している。
をアルミ金緘などを使い接続する。従来技術は第1図及
び第2図に示す様にノンドープポリシリコンをパターン
成形後、c−c’を境界とするマスク及び拡散技術を用
いP型およびN型の不純物をそれぞれドープしてP型ポ
リシリコン配線2aとN型ポリシリコン配線2bを形成
している。
その後両配線のオーミックコンタクトを取るために境界
部にコンタクト3を設はアルミ電極4を設けてP型ポリ
シリコン配線2aとN型ポリシリコン配@2bを電気的
に接続していた。しかしC−C′を境界とするマスクを
用いるため製造コストが高かった。すなわちP−ウェル
5の拡散用のマスクと別のマスクをポリシリコン配線の
ドープに必要と(、ていた。
部にコンタクト3を設はアルミ電極4を設けてP型ポリ
シリコン配線2aとN型ポリシリコン配@2bを電気的
に接続していた。しかしC−C′を境界とするマスクを
用いるため製造コストが高かった。すなわちP−ウェル
5の拡散用のマスクと別のマスクをポリシリコン配線の
ドープに必要と(、ていた。
本発明は上記欠点を除き、マスクの糧類を減らし、製造
コストを低減させる様にしたものである。
コストを低減させる様にしたものである。
本発明は、相補型の半導体装置に於いて、P型ポリシリ
コン配線とN型ポリシリコン配線の接続部を、相補型半
導体装置の半導体基板に設けらnた拡散層端上部に設け
る事により、使用するマスクの1類が少なくなる事を%
徴とする相補型の半導体装置である。
コン配線とN型ポリシリコン配線の接続部を、相補型半
導体装置の半導体基板に設けらnた拡散層端上部に設け
る事により、使用するマスクの1類が少なくなる事を%
徴とする相補型の半導体装置である。
次に本発明の1実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第3図、第4図に示すように、ノンドー1
プボリシリコンを)(ターン成形時、最終的にP型
ポリシリコン配線12aとN型ポリシリコン配線12b
を接続する部分を半導体基板に設けらf′LfcP−ウ
ェル拡散層15の端上部に位置する様に配置する。その
後パターニングさnたノンドープポリシリコンをP型ポ
リシリコン配線12aとN型ポリシリコン配&12bに
する次め、P−ウェル拡散層15と同一マスクを用いて
、マスクおよび拡散技術を用いて、P型およびN型の不
純物′6r:千n−t’tt導入してP型およびN型ポ
リシリコン配線をそnt’n形成する。その後P−ウェ
ル拡散層端上部に両配線のオーミックコンタクトを取る
ために、そnぞnコンタクト13.13’、13“を設
はアルミ電極14.14’、 14“を設けて、両^
「1.線を電気的に接続する。この様にP型ポリシリコ
ン配線とNuポリシリコン配線の接続部をP−ウェル拡
散層端上部に設ける事により、従来第1図に示すC−C
’を境界とするマスクが不要になシ、P−ウェル拡散層
形成用マスクで代用してポリシリコンへの不純物導入工
程ができるのでc−Mosstゲートを製造するマスク
の種類が減り、製造コストが安価になる。
プボリシリコンを)(ターン成形時、最終的にP型
ポリシリコン配線12aとN型ポリシリコン配線12b
を接続する部分を半導体基板に設けらf′LfcP−ウ
ェル拡散層15の端上部に位置する様に配置する。その
後パターニングさnたノンドープポリシリコンをP型ポ
リシリコン配線12aとN型ポリシリコン配&12bに
する次め、P−ウェル拡散層15と同一マスクを用いて
、マスクおよび拡散技術を用いて、P型およびN型の不
純物′6r:千n−t’tt導入してP型およびN型ポ
リシリコン配線をそnt’n形成する。その後P−ウェ
ル拡散層端上部に両配線のオーミックコンタクトを取る
ために、そnぞnコンタクト13.13’、13“を設
はアルミ電極14.14’、 14“を設けて、両^
「1.線を電気的に接続する。この様にP型ポリシリコ
ン配線とNuポリシリコン配線の接続部をP−ウェル拡
散層端上部に設ける事により、従来第1図に示すC−C
’を境界とするマスクが不要になシ、P−ウェル拡散層
形成用マスクで代用してポリシリコンへの不純物導入工
程ができるのでc−Mosstゲートを製造するマスク
の種類が減り、製造コストが安価になる。
伺、上記実施例は、P−ウェル拡散層形成用マスクで代
用したが製造工程中の他の拡散層形成用マスクでも代用
できる。
用したが製造工程中の他の拡散層形成用マスクでも代用
できる。
第1図は従来のC−MO8Siゲートの平面図。
第2図は第1図のA −A’の断面図。第3図は本発明
の実施例のC−MO88iゲートの平面図。第4図は第
3図のB−8’の断面図。 伺、図において 1 、11−・−N型半導体基板、2a、12a−・・
・・・P型不純物を含むポリシリコン配線。2b。 12b−・・・・・N型不純物を含むポリシリコン配線
、a、1a、ta4ta“・・・・・・コンタクト、4
,14゜14’、 14”・・・・・・P型不純物を含
むポリシリコン配線とN型不純物を含むポリシリコン配
線を接続するA111極、5.15−・・・・・P−ウ
ェル、6.16・・・・・・酸化膜。
の実施例のC−MO88iゲートの平面図。第4図は第
3図のB−8’の断面図。 伺、図において 1 、11−・−N型半導体基板、2a、12a−・・
・・・P型不純物を含むポリシリコン配線。2b。 12b−・・・・・N型不純物を含むポリシリコン配線
、a、1a、ta4ta“・・・・・・コンタクト、4
,14゜14’、 14”・・・・・・P型不純物を含
むポリシリコン配線とN型不純物を含むポリシリコン配
線を接続するA111極、5.15−・・・・・P−ウ
ェル、6.16・・・・・・酸化膜。
Claims (1)
- 相補型の半導体装置に於いて、P型ポリシリコン配線と
N型ポリシリコン配線の接続部を、相補型の半導体装置
の半導体基板に設けらnた拡散層端上部に設ける事を特
徴とする相補型の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56116625A JPS5817659A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56116625A JPS5817659A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5817659A true JPS5817659A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14691819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56116625A Pending JPS5817659A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5817659A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60106538A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-06-12 | ダイオネツクス コ−ポレ−シヨン | 被覆陽イオン交換樹脂とその製造法 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56116625A patent/JPS5817659A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60106538A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-06-12 | ダイオネツクス コ−ポレ−シヨン | 被覆陽イオン交換樹脂とその製造法 |
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