JPS58159A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に係り、特に回路基板に直接半導体
素子を装着する半導体装置に関するものである。
素子を装着する半導体装置に関するものである。
従来、回路基板に直接半導体素子を装着する半導体装置
では、該半導体素子を封止する方法として液状樹脂をボ
ッティングする方法が一般に用いられている。しかしな
がら、ボッティング方法による封止においては、液状樹
脂が不要な箇所に流出したり、気泡が生じたり、一定形
状に製造できない等の外観不良を生じることが多かった
。さらに液状樹脂の場合は、硬化、に長時間を要するた
め作業性が悪くなるという欠点もありだ。またモールド
１１Ｍ封止の場合は、一定形状に封止することが可能と
なり、かつ、作業性も大巾に向上するという利点を生む
が、回路基板表面の導電層の存在により凹凸部ができる
ため、樹脂パリ不良が大量に発生し、実際にはモールド
樹脂封止は極めて困難であった。
では、該半導体素子を封止する方法として液状樹脂をボ
ッティングする方法が一般に用いられている。しかしな
がら、ボッティング方法による封止においては、液状樹
脂が不要な箇所に流出したり、気泡が生じたり、一定形
状に製造できない等の外観不良を生じることが多かった
。さらに液状樹脂の場合は、硬化、に長時間を要するた
め作業性が悪くなるという欠点もありだ。またモールド
１１Ｍ封止の場合は、一定形状に封止することが可能と
なり、かつ、作業性も大巾に向上するという利点を生む
が、回路基板表面の導電層の存在により凹凸部ができる
ため、樹脂パリ不良が大量に発生し、実際にはモールド
樹脂封止は極めて困難であった。
本発明の目的は、上記ボッティング封止の欠点である外
観不良や作業性の悪さを無くすべく、樹脂パリが発生し
ないトランスファー又は射出成形が可能なｗｗｉ封止型
半導体装置を提供することにある。
観不良や作業性の悪さを無くすべく、樹脂パリが発生し
ないトランスファー又は射出成形が可能なｗｗｉ封止型
半導体装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は半導体素子を直Ｉｉ
！回路基板に装着し、トランスファー成形又は射出成形
により４１１ｉＩ封止する半導体装置において、この回
路基板における少なくとも＃脂封止部の外周にゴム状の
樹脂層が設けられていることを特徴とする。
！回路基板に装着し、トランスファー成形又は射出成形
により４１１ｉＩ封止する半導体装置において、この回
路基板における少なくとも＃脂封止部の外周にゴム状の
樹脂層が設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、ゴム状の樹脂層を設けたことにより、
モールド金型で型締めした際にゴム状の樹脂層が回路基
板の導電層による凹凸を完全に吸収し、金型と回路基板
が密着できるため、樹脂パリの発生しないモールド樹脂
封止が可能となる。
モールド金型で型締めした際にゴム状の樹脂層が回路基
板の導電層による凹凸を完全に吸収し、金型と回路基板
が密着できるため、樹脂パリの発生しないモールド樹脂
封止が可能となる。
したがって、一定形状で外観の良好な製品が得られ、ま
た成形時間も数分で足りるため１作業性も大巾に向上す
る。
た成形時間も数分で足りるため１作業性も大巾に向上す
る。
次に本発明の実施例について１図面を用いて説明する。
従来の半導体装置は、第１ＦｊＡ（ａ）及び（ｂ）に示
すように半導体装置部を有する回路基板１に半導体素子
２を金属ｐ−材、接着剤等で接着し、該半導体素子２と
導電層３を金属Ｍ１１４で接続した後、液状封止用樹脂
の漏れ防止のために樹脂等からなる枠５を該回路基板１
に接着して、封止用樹脂６をポツティングするという方
法が一般にとられていた。
すように半導体装置部を有する回路基板１に半導体素子
２を金属ｐ−材、接着剤等で接着し、該半導体素子２と
導電層３を金属Ｍ１１４で接続した後、液状封止用樹脂
の漏れ防止のために樹脂等からなる枠５を該回路基板１
に接着して、封止用樹脂６をポツティングするという方
法が一般にとられていた。
このような構造の場合、均一な外観、形状を得ることが
難しい上に樹脂の硬化に長時間を要し。
難しい上に樹脂の硬化に長時間を要し。
作業性が悪かった。
これに対して本発明の実施例による半導体装置は、第２
図（−及び伽）に示すように回路基板１１の封止予定部
の外周となる半導体素子１２の周囲及びｗｌＨから、＠
路基板１１の端部に通じる少なくとも一本のゴム状の樹
脂層１５を設けている。モールド樹脂封止する際は、モ
ールド金型１９及び２０で型締めされ、その後溶融状態
のモールド樹脂がランナー１７．サブランナー１８を通
り％回路基板に設けたゴム状の樹脂層１５の上を通り、
封止部に圧入される。この際、ゴム状の樹脂層１５は回
路基板１１の凹凸を吸収して樹脂パリを生じないように
なっている。なお、このゴム状樹脂層の材料としては、
封止後う／ナーを除夫するためにモールド１１脂とは密
着性の悪いものが好ましく、例えばシリコーン樹脂、ポ
リウレタン樹脂、ポリブタジェン樹脂等が挙げられるが
、限定されるものではない。また、封止後このゴム状Ｗ
脂層の不要な部分５例えば本実施例における封止部外周
から回路基板の端部に通じる部分を除去したい場合は、
シリコーン系の瑠取り剤を用いると効果的に除夫できる
。そして、このゴム状樹脂層を形成する方法としては、
液状樹脂をスクリーン印刷にて回路基板上に形成するか
、または所定の形状のゴム状シートをラミネーシする等
の方法で容易に作成できる。なお、ゴム状樹脂層の膜厚
としては回路基板の凹凸を完全に吸収できる程度の厚さ
で十分であるが、それ以上厚いものを用いても有効なの
は言うまでもない。
図（−及び伽）に示すように回路基板１１の封止予定部
の外周となる半導体素子１２の周囲及びｗｌＨから、＠
路基板１１の端部に通じる少なくとも一本のゴム状の樹
脂層１５を設けている。モールド樹脂封止する際は、モ
ールド金型１９及び２０で型締めされ、その後溶融状態
のモールド樹脂がランナー１７．サブランナー１８を通
り％回路基板に設けたゴム状の樹脂層１５の上を通り、
封止部に圧入される。この際、ゴム状の樹脂層１５は回
路基板１１の凹凸を吸収して樹脂パリを生じないように
なっている。なお、このゴム状樹脂層の材料としては、
封止後う／ナーを除夫するためにモールド１１脂とは密
着性の悪いものが好ましく、例えばシリコーン樹脂、ポ
リウレタン樹脂、ポリブタジェン樹脂等が挙げられるが
、限定されるものではない。また、封止後このゴム状Ｗ
脂層の不要な部分５例えば本実施例における封止部外周
から回路基板の端部に通じる部分を除去したい場合は、
シリコーン系の瑠取り剤を用いると効果的に除夫できる
。そして、このゴム状樹脂層を形成する方法としては、
液状樹脂をスクリーン印刷にて回路基板上に形成するか
、または所定の形状のゴム状シートをラミネーシする等
の方法で容易に作成できる。なお、ゴム状樹脂層の膜厚
としては回路基板の凹凸を完全に吸収できる程度の厚さ
で十分であるが、それ以上厚いものを用いても有効なの
は言うまでもない。
第１図（＆）及び（ｂ）は従来の半導体装置の図で、第
１図（ａ）は上面図、第１図（ｂ）は断面図であり、第
２図（ａ）及び（ｂ）は本発明による半導体装置の一実
施例を示し、第２図（ａ）は上面図、第２図（ｂ）は断
面図である。 なお図において、１．１１・・・回路基鈑、２，１２・
・・半導体素子、３．１３−・・導電層、４．１４・−
・金属細線、５・・・樹脂枠、６・−液状封止用樹脂、
１５−ゴム状樹脂層、１６−・モールド樹脂、１７・・
・ランナー、１ｇ−・・サブテンチー。１９．２０−モ
ールド金型、である。
１図（ａ）は上面図、第１図（ｂ）は断面図であり、第
２図（ａ）及び（ｂ）は本発明による半導体装置の一実
施例を示し、第２図（ａ）は上面図、第２図（ｂ）は断
面図である。 なお図において、１．１１・・・回路基鈑、２，１２・
・・半導体素子、３．１３−・・導電層、４．１４・−
・金属細線、５・・・樹脂枠、６・−液状封止用樹脂、
１５−ゴム状樹脂層、１６−・モールド樹脂、１７・・
・ランナー、１ｇ−・・サブテンチー。１９．２０−モ
ールド金型、である。
Claims (1)
- 半導体素子を直接回路基板に装着しトラン７アー成形又
は射出成形により樹脂封止する半導体装置において、該
回路基板における少なくとも樹脂封止部の外層にゴム状
の樹脂層が設けられていることを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9852081A JPS58159A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9852081A JPS58159A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58159A true JPS58159A (ja) | 1983-01-05 |
| JPS6151425B2 JPS6151425B2 (ja) | 1986-11-08 |
Family
ID=14221926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9852081A Granted JPS58159A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58159A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4696280A (en) * | 1985-10-03 | 1987-09-29 | Niggemeyer Gert G | High-tension capacitor-discharge ignition apparatus for internal combustion engines |
| US4801998A (en) * | 1984-08-20 | 1989-01-31 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | EPROM device |
| NL9401682A (nl) * | 1994-10-12 | 1996-05-01 | Fico Bv | Werkwijze voor het omhullen van een chip en scheidingsstrip en matrijshelft te gebruiken met deze werkwijze. |
| FR2734948A1 (fr) * | 1995-05-31 | 1996-12-06 | Sgs Thomson Microelectronics | Boitier d'encapsulation a reseau de boules de soudure et procede d'encapsulation. |
| FR2758208A1 (fr) * | 1997-01-08 | 1998-07-10 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Procede et appareil de moulage d'un semi-conducteur |
| US5982625A (en) * | 1998-03-19 | 1999-11-09 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor packaging device |
| WO2001009940A2 (de) * | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und moldwerkzeug zum umhüllen von elektronischen bauelementen |
| JP2001311505A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-11-09 | L'air Liquide | 酸素燃料の燃焼形状及び方法 |
| EP0961317A3 (en) * | 1998-05-18 | 2002-07-24 | ST Assembly Test Services Limited | A method of encapsulating an electronic component |
| JP2012235147A (ja) * | 2006-06-09 | 2012-11-29 | Lg Electronics Inc | 発光素子パッケージモジュール |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP9852081A patent/JPS58159A/ja active Granted
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4801998A (en) * | 1984-08-20 | 1989-01-31 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | EPROM device |
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| EP0961317A3 (en) * | 1998-05-18 | 2002-07-24 | ST Assembly Test Services Limited | A method of encapsulating an electronic component |
| WO2001009940A2 (de) * | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und moldwerkzeug zum umhüllen von elektronischen bauelementen |
| WO2001009940A3 (de) * | 1999-07-28 | 2001-10-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und moldwerkzeug zum umhüllen von elektronischen bauelementen |
| JP2001311505A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-11-09 | L'air Liquide | 酸素燃料の燃焼形状及び方法 |
| JP2012235147A (ja) * | 2006-06-09 | 2012-11-29 | Lg Electronics Inc | 発光素子パッケージモジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6151425B2 (ja) | 1986-11-08 |
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