JPS58153344A - リテ−ナ式ウエハチヤツク - Google Patents
リテ−ナ式ウエハチヤツクInfo
- Publication number
- JPS58153344A JPS58153344A JP3375982A JP3375982A JPS58153344A JP S58153344 A JPS58153344 A JP S58153344A JP 3375982 A JP3375982 A JP 3375982A JP 3375982 A JP3375982 A JP 3375982A JP S58153344 A JPS58153344 A JP S58153344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- retainer
- chuck
- ring
- thickness
- flatness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体製造装置に用いるウェハチャックに関
するものである。
するものである。
まず従来から半導体製造装置に用いられるウェハチャッ
クを第１図（イ）、（ロ）により説明する。第１図（イ
）は従来のウェハチャックの平面図でめ９、同図（ロ）
はその断面図でるる。第１図（イ）、（ｃＯにおいて、
ウェハＩＶｉｆｓ２内を真空吸引３することによシ、大
気圧でチャック面４に密着している。このチャック面４
は、鳥い吸着力と、良好な平面度を有し、かつメンテナ
ンスが容易なことおよび耐久力があること等が要求され
る。従来はフライス盤による形状製作、研削盤による面
仕上げ、さらにラップ仕上げおよび面処理等の憬械加工
で製作していた。
クを第１図（イ）、（ロ）により説明する。第１図（イ
）は従来のウェハチャックの平面図でめ９、同図（ロ）
はその断面図でるる。第１図（イ）、（ｃＯにおいて、
ウェハＩＶｉｆｓ２内を真空吸引３することによシ、大
気圧でチャック面４に密着している。このチャック面４
は、鳥い吸着力と、良好な平面度を有し、かつメンテナ
ンスが容易なことおよび耐久力があること等が要求され
る。従来はフライス盤による形状製作、研削盤による面
仕上げ、さらにラップ仕上げおよび面処理等の憬械加工
で製作していた。
第２図（イ）は、ウェハを平坦にするダイヤフラム式チ
ャックの平面図で、同図（ロ）はその断面図である。こ
のダイヤフラム式チャック面５の厚さｔは０．４５μｍ
と薄く、かつ平面度が０，２〜０．３μｍを要求される
。このダイヤプラム式チャック面５を前記の如き従来の
機械加工で仕上げ九ところ、機械加工歪が発生し、平面
度が２００μｍ程度しかならず使用に耐え得ないという
問題があった。
ャックの平面図で、同図（ロ）はその断面図である。こ
のダイヤフラム式チャック面５の厚さｔは０．４５μｍ
と薄く、かつ平面度が０，２〜０．３μｍを要求される
。このダイヤプラム式チャック面５を前記の如き従来の
機械加工で仕上げ九ところ、機械加工歪が発生し、平面
度が２００μｍ程度しかならず使用に耐え得ないという
問題があった。
本発明は、前記の如き従来技術の欠点をなくし、容易に
高精度のウェハチャック面を有するリテーナ式ウェハチ
ャックを提供せんとするものである０本発明は、前記の
目的を達成せんがため、真空引きの丸め大のあいた平坦
な面上に、等厚で剛性の小さなリテーナを固定し、該リ
テーナの外周はリング状に閉じており、リング内は上下
を貫通する穴と２リンダと等厚の凸部およびリングよシ
薄い凹部からなシ、これが前記平坦な面上に固定されて
おシ、該リテーナ上に載置され九ウェハをリテーナを介
して平坦な面上に真空吸着される如く。
高精度のウェハチャック面を有するリテーナ式ウェハチ
ャックを提供せんとするものである０本発明は、前記の
目的を達成せんがため、真空引きの丸め大のあいた平坦
な面上に、等厚で剛性の小さなリテーナを固定し、該リ
テーナの外周はリング状に閉じており、リング内は上下
を貫通する穴と２リンダと等厚の凸部およびリングよシ
薄い凹部からなシ、これが前記平坦な面上に固定されて
おシ、該リテーナ上に載置され九ウェハをリテーナを介
して平坦な面上に真空吸着される如く。
したものである。
次に第３図（イ）、（Ｅ４によシ本発明の一実施例を説
明する。
明する。
第３図０）は本発明のリテーナを備えたクエ・・チャッ
クの平面図で、同図（ロ）はその断面図である。
クの平面図で、同図（ロ）はその断面図である。
第３図（イ）、（弓において、６は真空引きの穴のあい
た台１０上に接着固定９されたフェノ・チャック面、７
はウェハチャック６に接着固定８されたリテーナである
。前記ウェハチャック面６は、シリコンウェハを平面仕
上げした薄板で、その平面度は±２〜±１．０μｍのも
のである。このフェノ・チャック面６上に接着固定８さ
れるリテーナ７は、厚さむらのないリン青銅板ステンレ
ス板等をエツチング加工し、第３図（イ）、（ロ）に示
す如く、外周部はリング状７＆に閉じており、リング７
ａ内は、上下に貫通する穴７ｂと、リングと等厚の凸部
７Ｃおよびリングよシ薄い凹部７ｄとを形成する。この
ようにエツチング加工し死後、表面を硬くするため、ク
ロムメッキを施し、メッキ面をラッグ加工することによ
シ、厚さむらを１μｍ以下にする。
た台１０上に接着固定９されたフェノ・チャック面、７
はウェハチャック６に接着固定８されたリテーナである
。前記ウェハチャック面６は、シリコンウェハを平面仕
上げした薄板で、その平面度は±２〜±１．０μｍのも
のである。このフェノ・チャック面６上に接着固定８さ
れるリテーナ７は、厚さむらのないリン青銅板ステンレ
ス板等をエツチング加工し、第３図（イ）、（ロ）に示
す如く、外周部はリング状７＆に閉じており、リング７
ａ内は、上下に貫通する穴７ｂと、リングと等厚の凸部
７Ｃおよびリングよシ薄い凹部７ｄとを形成する。この
ようにエツチング加工し死後、表面を硬くするため、ク
ロムメッキを施し、メッキ面をラッグ加工することによ
シ、厚さむらを１μｍ以下にする。
このように平面度±２〜１．０μｍに形成したウェハチ
ャック面６は、前記の如く台１０に接着固定９され、そ
のチャック面６に厚さむらが１μｍ以下のリテーナ７が
接着固定されているので、フェノ−１とチャック面６と
の間を等間隔に保つことができる。を九前記チャック面
６の吸着力は凹部７ｄの面積と真空力の積により決定さ
れ、従来のリング溝や放射溝よシも大きくなる。さらに
メンテナンスは接着部８からの部品交換であるから簡単
である。
ャック面６は、前記の如く台１０に接着固定９され、そ
のチャック面６に厚さむらが１μｍ以下のリテーナ７が
接着固定されているので、フェノ−１とチャック面６と
の間を等間隔に保つことができる。を九前記チャック面
６の吸着力は凹部７ｄの面積と真空力の積により決定さ
れ、従来のリング溝や放射溝よシも大きくなる。さらに
メンテナンスは接着部８からの部品交換であるから簡単
である。
以上述べえ如く１本実施例のリテーナ式つエノ・チャッ
クは、吸着力が強く、平面度が良く、かつ硬いので耐久
力がＴｏｌ＞、メンテナンスも簡単であるからウェハチ
ャックに最も必要な条件を満たしている。
クは、吸着力が強く、平面度が良く、かつ硬いので耐久
力がＴｏｌ＞、メンテナンスも簡単であるからウェハチ
ャックに最も必要な条件を満たしている。
第４図ビ）は本発明の第２の実施例を示すリテーナ式チ
ャックの一部値断平面図で、同図（ロ）はその断面図で
ある。本実施例においては、リテーナ７は前述の実施例
の如く、厚さむらのないリン青銅板によ）リング状に構
成し、その内部に同一径の一球１１を井桁状に並べて固
定したものである。本実施例においてもリテーナ７は真
空吸着用の貫通穴と、外周部はりンダにより閉ざされて
いる。゛このリテーナ７とウェハチャック面６との固着
は、厚さむらが生じなければどこで固定しても良く、さ
らに接着剤で固定しなくても機械的に動かないように、
例えば周囲をリングで囲って動かないようにしても良い
。またウェハチャック面６は必ずしもシリコンウェハで
なくても、ガラス、リン青銅、ペリリューム鋼等平坦な
板であれば何んでも使用できる。またリテーナも厚さむ
らが許容範囲であれば何んでも良い。
ャックの一部値断平面図で、同図（ロ）はその断面図で
ある。本実施例においては、リテーナ７は前述の実施例
の如く、厚さむらのないリン青銅板によ）リング状に構
成し、その内部に同一径の一球１１を井桁状に並べて固
定したものである。本実施例においてもリテーナ７は真
空吸着用の貫通穴と、外周部はりンダにより閉ざされて
いる。゛このリテーナ７とウェハチャック面６との固着
は、厚さむらが生じなければどこで固定しても良く、さ
らに接着剤で固定しなくても機械的に動かないように、
例えば周囲をリングで囲って動かないようにしても良い
。またウェハチャック面６は必ずしもシリコンウェハで
なくても、ガラス、リン青銅、ペリリューム鋼等平坦な
板であれば何んでも使用できる。またリテーナも厚さむ
らが許容範囲であれば何んでも良い。
さらにまえ、第５図は本発明の第３の実施例を示すもの
であって、同図は平坦面１２が真の平坦面でなくてもリ
テーナ７の厚さを、図示の如く中央部分に厚みをもたせ
るようにコントロールすることによりチャック面１３を
真の平坦面に近ずけることができ、上述の例と同様の効
果が得られる。
であって、同図は平坦面１２が真の平坦面でなくてもリ
テーナ７の厚さを、図示の如く中央部分に厚みをもたせ
るようにコントロールすることによりチャック面１３を
真の平坦面に近ずけることができ、上述の例と同様の効
果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、平板部材で形成し
たウェハチャック・面に、リテーナが固定されているの
で、リテーナに吸着されたウェハ１とウェハチャック面
との間は等間隔に保持され、機械加工歪が発生するとい
うおそれはなくなシ、加工平面度を高精度に出すことが
できる等の効果がある。
たウェハチャック・面に、リテーナが固定されているの
で、リテーナに吸着されたウェハ１とウェハチャック面
との間は等間隔に保持され、機械加工歪が発生するとい
うおそれはなくなシ、加工平面度を高精度に出すことが
できる等の効果がある。
ＪＩＩ１図（イ）は従来のウェハチャックの一部破断の
平面図、同図（ロ）はその断面図、第２図（イ）は従来
のウェハを平坦にするダイヤフラム式ウェハチャックの
一部破断の平面図、同図（ロ）はその断面図、第３図（
（イ）は本発明のリテーナを適用したウェハチャック部
の一例を示す一部破断の平面図、同図（ロ）はその断面
図、第４図（イ）は本発明の第２の実施例を示すリテー
ナ式ウェハチャックの一部破断の平面図、同図（ｃ４は
その断面図、第５図は本発明の第３の実施例を示すウェ
ハチャック部の断面図である。 ｌ・・・ウェハ、２・・・真空引き用穴、３・・・真空
吸引、４・・・ウェハチャックｍ、５・・・ダイヤフラ
ム式チャック面、６・・・本発明のウェハチャック面、
７・・・リテーナ、７ｍ・・・りンダ、７ｂ・・・貫通
穴、７Ｃ・・・凸部、７礁・・・凹部に８．９・・・接
着固定、１０・・・台、１１・・・鋼球。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第１Ｆｊ！Ｊ （１） 第２図 （イ） （ロ） 第３図 （イ） （ロ）
平面図、同図（ロ）はその断面図、第２図（イ）は従来
のウェハを平坦にするダイヤフラム式ウェハチャックの
一部破断の平面図、同図（ロ）はその断面図、第３図（
（イ）は本発明のリテーナを適用したウェハチャック部
の一例を示す一部破断の平面図、同図（ロ）はその断面
図、第４図（イ）は本発明の第２の実施例を示すリテー
ナ式ウェハチャックの一部破断の平面図、同図（ｃ４は
その断面図、第５図は本発明の第３の実施例を示すウェ
ハチャック部の断面図である。 ｌ・・・ウェハ、２・・・真空引き用穴、３・・・真空
吸引、４・・・ウェハチャックｍ、５・・・ダイヤフラ
ム式チャック面、６・・・本発明のウェハチャック面、
７・・・リテーナ、７ｍ・・・りンダ、７ｂ・・・貫通
穴、７Ｃ・・・凸部、７礁・・・凹部に８．９・・・接
着固定、１０・・・台、１１・・・鋼球。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第１Ｆｊ！Ｊ （１） 第２図 （イ） （ロ） 第３図 （イ） （ロ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 真空引きの丸めの穴のあいたウエノ・チャック面
上にリテーナを載置し、該リテーナの外周はリング状に
閉ざされ、リング内は上下に貫通する穴と、りンダと等
厚の凸部およびりングよシ薄い凹部からなシ、これが前
記平坦な面上に動かないように固定されてお塾、咳リテ
ーナ上に載置され九ウェハをリテーナを介して平坦な面
上に真空吸着されることを特徴とするリテーナ式つエノ
・チャック。 ２、 エツチングにより製作されたリテーナを使用する
ことを特徴とする特許請求の範囲、第１項記載のリテー
ナ式つエノ１チャック。 ３、 リテーナに鋼球を固定し、外周部を鋼球と等厚の
りンダで囲んだことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のリテーナ式つエノ〜チャック。 ４、 ウェハチャック面が真の平坦面でない場合、リテ
ーナＯＦＩ＃さを調節してチャックするリテーナの表面
を真の平坦面に近づけることを特徴とする特許請求−の
範囲第１項記載のリテーナ式ウェー・チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3375982A JPS58153344A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | リテ−ナ式ウエハチヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3375982A JPS58153344A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | リテ−ナ式ウエハチヤツク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153344A true JPS58153344A (ja) | 1983-09-12 |
| JPH0361340B2 JPH0361340B2 (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=12395355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3375982A Granted JPS58153344A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | リテ−ナ式ウエハチヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58153344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021138974A1 (zh) * | 2020-01-09 | 2021-07-15 | 诚瑞光学(常州)股份有限公司 | 玻璃晶圆的吸附装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54120585A (en) * | 1978-01-23 | 1979-09-19 | Western Electric Co | Method of placing and smoothing substrate wafer having front and rear surfaces |
| JPS56162642U (ja) * | 1980-05-02 | 1981-12-03 |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP3375982A patent/JPS58153344A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54120585A (en) * | 1978-01-23 | 1979-09-19 | Western Electric Co | Method of placing and smoothing substrate wafer having front and rear surfaces |
| JPS56162642U (ja) * | 1980-05-02 | 1981-12-03 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021138974A1 (zh) * | 2020-01-09 | 2021-07-15 | 诚瑞光学(常州)股份有限公司 | 玻璃晶圆的吸附装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0361340B2 (ja) | 1991-09-19 |
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