JPH0361340B2 - - Google Patents
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- JPH0361340B2 JPH0361340B2 JP57033759A JP3375982A JPH0361340B2 JP H0361340 B2 JPH0361340 B2 JP H0361340B2 JP 57033759 A JP57033759 A JP 57033759A JP 3375982 A JP3375982 A JP 3375982A JP H0361340 B2 JPH0361340 B2 JP H0361340B2
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- Japan
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- retainer
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体製造装置に用いるウエハ等の
基板チヤツクに関するものである。
基板チヤツクに関するものである。
まず従来から半導体製造装置に用いられるウエ
ハチヤツクを第１図イ，ロにより説明する。第１
図イは従来のウエハチヤツクの平面図であり、同
図ロはその断面図である。第１図イ，ロにおい
て、ウエハ１は溝２内を真空吸引３することによ
り、大気圧でチヤツク面４に密着している。この
チヤツク面４は、高い吸着力と、良好な平面度を
有し、かつメンテナンスが容易なことおよび耐久
力があること等が要求される。従来はフライス盤
による形状製作、研削盤による面仕上げ、さらに
ラツプ仕上げおよび面処理等の機械加工で製作し
ていた。
ハチヤツクを第１図イ，ロにより説明する。第１
図イは従来のウエハチヤツクの平面図であり、同
図ロはその断面図である。第１図イ，ロにおい
て、ウエハ１は溝２内を真空吸引３することによ
り、大気圧でチヤツク面４に密着している。この
チヤツク面４は、高い吸着力と、良好な平面度を
有し、かつメンテナンスが容易なことおよび耐久
力があること等が要求される。従来はフライス盤
による形状製作、研削盤による面仕上げ、さらに
ラツプ仕上げおよび面処理等の機械加工で製作し
ていた。
第２図イは、ウエハを平坦にするダイヤフラム
式チヤツクの平面図で、同図ロはその断面図であ
る。このダイヤフラム式チヤツク面５の厚さｔは
0.45μｍと薄く、かつ平面度が0.2〜0.3μｍを要求
される。このダイヤフラム式チヤツク面５を前記
の如き従来の機械加工で仕上げたところ、機械加
工歪が発生し、平面度が200μｍ程度しかならず
使用に耐え得ないという問題があつた。また、従
来技術としては、特開昭54−120585号公報に記載
されたウエハチヤツクが知られていた。しかしこ
の従来技術の場合、多数の円筒状のピンの先端の
平坦度を高精度に研削仕上加工することが困難で
あると共に多数の円筒状のピンの内、一つでも変
形したり、傷が付いたり、破損した場合非常に高
価なウエハチヤツク全体を交換しなければならな
いという問題点を有するものである。また、従来
技術として、実開昭56−162642号公報に記載され
たウエハチヤツクが知られていた。このウエハチ
ヤツクは、基板を吸着する側に吸着溝を形成し、
熱の伝導率の低い固形樹脂により形成された円板
樹脂をフランジに交換可能に取付けたもので、塗
布装置に用いられるものである。このように、円
形樹脂をフランジに対して容易に交換可能ではあ
るが、円形樹脂が軟らかい樹脂で、しかも円板樹
脂の裏面とフランジの表面とは全面において面接
触で固定される関係であるために、非常に高精度
の厚さに仕上ることも、非常に高精度に平坦度を
維持した状態で円形樹脂をフランジに固定するこ
とも不可能であり、高精度の平坦度が得られるも
のでない。特に塗布装置の場合、高精度の平坦度
は要求されていなかつた。
式チヤツクの平面図で、同図ロはその断面図であ
る。このダイヤフラム式チヤツク面５の厚さｔは
0.45μｍと薄く、かつ平面度が0.2〜0.3μｍを要求
される。このダイヤフラム式チヤツク面５を前記
の如き従来の機械加工で仕上げたところ、機械加
工歪が発生し、平面度が200μｍ程度しかならず
使用に耐え得ないという問題があつた。また、従
来技術としては、特開昭54−120585号公報に記載
されたウエハチヤツクが知られていた。しかしこ
の従来技術の場合、多数の円筒状のピンの先端の
平坦度を高精度に研削仕上加工することが困難で
あると共に多数の円筒状のピンの内、一つでも変
形したり、傷が付いたり、破損した場合非常に高
価なウエハチヤツク全体を交換しなければならな
いという問題点を有するものである。また、従来
技術として、実開昭56−162642号公報に記載され
たウエハチヤツクが知られていた。このウエハチ
ヤツクは、基板を吸着する側に吸着溝を形成し、
熱の伝導率の低い固形樹脂により形成された円板
樹脂をフランジに交換可能に取付けたもので、塗
布装置に用いられるものである。このように、円
形樹脂をフランジに対して容易に交換可能ではあ
るが、円形樹脂が軟らかい樹脂で、しかも円板樹
脂の裏面とフランジの表面とは全面において面接
触で固定される関係であるために、非常に高精度
の厚さに仕上ることも、非常に高精度に平坦度を
維持した状態で円形樹脂をフランジに固定するこ
とも不可能であり、高精度の平坦度が得られるも
のでない。特に塗布装置の場合、高精度の平坦度
は要求されていなかつた。
本発明は、前記の如き従来技術の欠点をなく
し、部分的にリテーナ部材を交換可能にすると共
にリテーナ部材をチヤツク板の表面に固定する
際、高精度の平坦度が維持でき、高精度のチヤツ
ク面が得られるようにしたリテーナ式ウエハ等の
基板チヤツクを提供せんとするものである。
し、部分的にリテーナ部材を交換可能にすると共
にリテーナ部材をチヤツク板の表面に固定する
際、高精度の平坦度が維持でき、高精度のチヤツ
ク面が得られるようにしたリテーナ式ウエハ等の
基板チヤツクを提供せんとするものである。
本発明は、前記の目的を達成せんがため、枠状
のチヤツク台と、該チヤツク台に少なくとも周囲
が固定され、チヤツク表面が平坦に仕上られ、真
空引きのために真空源に連通する穴を有するチヤ
ツク板と、外周を大気と離間すべく形成し、内部
に規則的に裏面と表面との両側に剛体からなる同
じ高さ寸法を有する凸部を形成すると共にこれら
凸部を繋げて保持する薄板状部材を有し、この薄
板状部材の表裏が連通すべく形成し、上記チヤツ
ク板のチヤツク表面に取外し自在に取付けられた
リテーナ部材とを備え、上記穴の真空引きにより
上記チヤツク板の表面に上記リテーナ部材の裏面
に形成された剛体からなる凸部を部分的に接触さ
せると共にリテーナ部材の表面に形成された剛体
からなる凸部を基板の裏面に部分的に接触させて
基板を上記チヤツク板の表面形状に倣わせて真空
吸着するように構成したものである。
のチヤツク台と、該チヤツク台に少なくとも周囲
が固定され、チヤツク表面が平坦に仕上られ、真
空引きのために真空源に連通する穴を有するチヤ
ツク板と、外周を大気と離間すべく形成し、内部
に規則的に裏面と表面との両側に剛体からなる同
じ高さ寸法を有する凸部を形成すると共にこれら
凸部を繋げて保持する薄板状部材を有し、この薄
板状部材の表裏が連通すべく形成し、上記チヤツ
ク板のチヤツク表面に取外し自在に取付けられた
リテーナ部材とを備え、上記穴の真空引きにより
上記チヤツク板の表面に上記リテーナ部材の裏面
に形成された剛体からなる凸部を部分的に接触さ
せると共にリテーナ部材の表面に形成された剛体
からなる凸部を基板の裏面に部分的に接触させて
基板を上記チヤツク板の表面形状に倣わせて真空
吸着するように構成したものである。
次に第３図イ，ロにより本発明の一実施例を説
明する。
明する。
第３図イは本発明のリテーナを備えたウエハチ
ヤツクの平面図で、同図ロはその断面図である。
第３図イ，ロにおいて、６は真空引きの穴のあい
た台１０上に接着固定９されたウエハチヤツク
面、７はウエハチヤツク６に接着固定８されたリ
テーナである。前記ウエハチヤツク面６は、シリ
コンウエハを平面仕上げした薄板で、その平面度
は±２〜±1.0μｍのものである。このウエハチヤ
ツク面６上に接着固定８されるリテーナ７は、厚
さむらのないリン青銅板ステンレス板等をエツチ
ング加工し、第３図イ，ロに示す如く、外周部は
リング状７ａに閉じており、リング７ａ内は、上
下に貫通する穴７ｂと、リングと等厚の凸部７ｃ
およびリングより薄い凹部７ｄとを形成する。こ
のようにエツチング加工した後、表面を硬くする
ため、クロムメツキを施し、メツキ面をラツプ加
工することにより、厚さむらを1μｍ以下にする。
ヤツクの平面図で、同図ロはその断面図である。
第３図イ，ロにおいて、６は真空引きの穴のあい
た台１０上に接着固定９されたウエハチヤツク
面、７はウエハチヤツク６に接着固定８されたリ
テーナである。前記ウエハチヤツク面６は、シリ
コンウエハを平面仕上げした薄板で、その平面度
は±２〜±1.0μｍのものである。このウエハチヤ
ツク面６上に接着固定８されるリテーナ７は、厚
さむらのないリン青銅板ステンレス板等をエツチ
ング加工し、第３図イ，ロに示す如く、外周部は
リング状７ａに閉じており、リング７ａ内は、上
下に貫通する穴７ｂと、リングと等厚の凸部７ｃ
およびリングより薄い凹部７ｄとを形成する。こ
のようにエツチング加工した後、表面を硬くする
ため、クロムメツキを施し、メツキ面をラツプ加
工することにより、厚さむらを1μｍ以下にする。
このように平面度±２〜1.0μｍに形成したウエ
ハチヤツク面６は、前記の如く台１０に接着固定
９され、そのチヤツク面６に厚さむらが1μｍ以
下のリテーナ７が接着固定されているので、ウエ
ハ１とチヤツク面６との間を等間隔に保つことが
できる。また前記チヤツク面６の吸着力は凹部７
ｄの面積と真空力の積により決定され、従来のリ
ング溝や放射溝よりも大きくなる。さらにメンテ
ナンスは接着部８からの部品交換であるから簡単
である。
ハチヤツク面６は、前記の如く台１０に接着固定
９され、そのチヤツク面６に厚さむらが1μｍ以
下のリテーナ７が接着固定されているので、ウエ
ハ１とチヤツク面６との間を等間隔に保つことが
できる。また前記チヤツク面６の吸着力は凹部７
ｄの面積と真空力の積により決定され、従来のリ
ング溝や放射溝よりも大きくなる。さらにメンテ
ナンスは接着部８からの部品交換であるから簡単
である。
以上述べた如く、本実施例のリテーナ式ウエハ
チヤツクは、吸着力が強く、平面度が良く、かつ
硬いので耐久力があり、メンテナンスも簡単であ
るからウエハチヤツクに最も必要な条件を満たし
ている。
チヤツクは、吸着力が強く、平面度が良く、かつ
硬いので耐久力があり、メンテナンスも簡単であ
るからウエハチヤツクに最も必要な条件を満たし
ている。
第４図イは本発明の第２の実施例を示すリテー
ナ式チヤツクの一部破断平面図で、同図ロはその
断面図である。本実施例においては、リテーナ７
は前述の実施例の如く、厚さむらのないリン青銅
板によりリング状に構成し、その内部に同一径の
鋼球１１を井桁状に並べて固定したものである。
本実施例においてもリテーナ７は真空吸着用の貫
通穴と、外周部はリングにより閉ざされている。
このリテーナ７とウエハチヤツク面６との固着
は、厚さむらが生じなければどこで固定しても良
く、さらに接着剤で固定しなくても機械的に動か
ないように、例えば周囲をリングで囲つて動かな
いようにしても良い。またウエハチヤツク面６は
必ずしもシリコンウエハでなくても、ガラス、リ
ン青銅、ベリリユーム鋼等平坦な板であれば何ん
でも使用できる。またリテーナも厚さむらが許容
範囲であれば何んでも良い。
ナ式チヤツクの一部破断平面図で、同図ロはその
断面図である。本実施例においては、リテーナ７
は前述の実施例の如く、厚さむらのないリン青銅
板によりリング状に構成し、その内部に同一径の
鋼球１１を井桁状に並べて固定したものである。
本実施例においてもリテーナ７は真空吸着用の貫
通穴と、外周部はリングにより閉ざされている。
このリテーナ７とウエハチヤツク面６との固着
は、厚さむらが生じなければどこで固定しても良
く、さらに接着剤で固定しなくても機械的に動か
ないように、例えば周囲をリングで囲つて動かな
いようにしても良い。またウエハチヤツク面６は
必ずしもシリコンウエハでなくても、ガラス、リ
ン青銅、ベリリユーム鋼等平坦な板であれば何ん
でも使用できる。またリテーナも厚さむらが許容
範囲であれば何んでも良い。
さらにまた、第５図は本発明の第３の実施例を
示すものであつて、同図は平坦面１２が真の平坦
面でなくてもリテーナ７の厚さを、図示の如く中
央部分に厚みをもたせるようにコントロールする
ことによりチヤツク面１３を真の平坦面に近ずけ
ることができ、上述の例と同様の効果が得られ
る。
示すものであつて、同図は平坦面１２が真の平坦
面でなくてもリテーナ７の厚さを、図示の如く中
央部分に厚みをもたせるようにコントロールする
ことによりチヤツク面１３を真の平坦面に近ずけ
ることができ、上述の例と同様の効果が得られ
る。
以上説明したように本発明によれば、外周を大
気と離間すべく形成し、内部に規則的に裏面と表
面との両側に剛体からなる同じ高さ寸法を有する
凸部を形成すると共にこれら凸部を繋げて保持す
る薄板状部材を有し、この薄板状部材の表裏が連
通すべく形成したリテーナ部材を、周囲が固定さ
れたチヤツク板の表面に取付けられるように構成
したので、基板チヤツク面を容易に交換可能にで
き、しかも凸部は剛体でリテーナ部材とチヤツク
板及び基板とが規則的に部分的に接触し、リテー
ナ部材をチヤツク板に固定する際生じる応力歪を
薄板状部材または薄板状部材と凸部との係合関係
で吸収でき、基板の裏面とチヤツク板の表面との
間隔は等間隔で維持でき、更に多数の凸の高さを
高精度に均一に仕上ることが容易となり、その結
果チヤツク板の表面に倣つて高精度に基板を保持
すること可能にするという作用効果を奏する。
気と離間すべく形成し、内部に規則的に裏面と表
面との両側に剛体からなる同じ高さ寸法を有する
凸部を形成すると共にこれら凸部を繋げて保持す
る薄板状部材を有し、この薄板状部材の表裏が連
通すべく形成したリテーナ部材を、周囲が固定さ
れたチヤツク板の表面に取付けられるように構成
したので、基板チヤツク面を容易に交換可能にで
き、しかも凸部は剛体でリテーナ部材とチヤツク
板及び基板とが規則的に部分的に接触し、リテー
ナ部材をチヤツク板に固定する際生じる応力歪を
薄板状部材または薄板状部材と凸部との係合関係
で吸収でき、基板の裏面とチヤツク板の表面との
間隔は等間隔で維持でき、更に多数の凸の高さを
高精度に均一に仕上ることが容易となり、その結
果チヤツク板の表面に倣つて高精度に基板を保持
すること可能にするという作用効果を奏する。
第１図イは従来のウエハチヤツクの一部破断の
平面図、同図ロはその断面図、第２図イは従来の
ウエハを平坦にするダイヤフラム式ウエハチヤツ
クの一部破断の平面図、同図ロはその断面図、第
３図イは本発明のリテーナを適用したウエハチヤ
ツク部の一例を示す一部破断の平面図、同図ロは
その断面図、第４図イは本発明の第２の実施例を
示すリテーナ式ウエハチヤツクの一部破断の平面
図、同図ロはその断面図、第５図は本発明の第３
の実施例を示すウエハチヤツク部の断面図であ
る。 １……ウエハ、２……真空引き用穴、３……真
空吸引、４……ウエハチヤツク面、５……ダイヤ
フラム式チヤツク面、６……本発明のウエハチヤ
ツク面、７……リテーナ、７ａ……リング、７ｂ
……貫通穴、７ｃ……凸部、７ｄ……凹部、８，
９……接着固定、１０……台、１１……鋼球。
平面図、同図ロはその断面図、第２図イは従来の
ウエハを平坦にするダイヤフラム式ウエハチヤツ
クの一部破断の平面図、同図ロはその断面図、第
３図イは本発明のリテーナを適用したウエハチヤ
ツク部の一例を示す一部破断の平面図、同図ロは
その断面図、第４図イは本発明の第２の実施例を
示すリテーナ式ウエハチヤツクの一部破断の平面
図、同図ロはその断面図、第５図は本発明の第３
の実施例を示すウエハチヤツク部の断面図であ
る。 １……ウエハ、２……真空引き用穴、３……真
空吸引、４……ウエハチヤツク面、５……ダイヤ
フラム式チヤツク面、６……本発明のウエハチヤ
ツク面、７……リテーナ、７ａ……リング、７ｂ
……貫通穴、７ｃ……凸部、７ｄ……凹部、８，
９……接着固定、１０……台、１１……鋼球。
Claims (1)
- １ 枠状のチヤツク台と、該チヤツク台に少なく
とも周囲が固定され、チヤツク表面が平坦に仕上
られ、真空引きのために真空源に連通する穴を有
するチヤツク板と、外周を大気と離間すべく形成
し、内部に規則的に裏面と表面との両側に剛体か
らなる同じ高さ寸法を有する凸部を形成すると共
にこれら凸部に繋げて保持する薄板状部材を有
し、この薄板状部材の表裏が連通すべく形成し、
上記チヤツク板のチヤツク表面に取外し自在に取
付けられたリテーナ部材とを備え、上記穴の真空
引きにより上記チヤツク板の表面に上記リテーナ
部材の裏面に形成された剛体からなる凸部を部分
的に接触させると共にリテーナ部材の表面に形成
された剛体からなる凸部を基板の裏面に部分的に
接触させて基板を上記チヤツク板の表面形状に倣
わせて真空吸着するように構成したことを特徴と
するレテーナ式基板チヤツク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3375982A JPS58153344A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | リテ−ナ式ウエハチヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3375982A JPS58153344A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | リテ−ナ式ウエハチヤツク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153344A JPS58153344A (ja) | 1983-09-12 |
| JPH0361340B2 true JPH0361340B2 (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=12395355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3375982A Granted JPS58153344A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | リテ−ナ式ウエハチヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58153344A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN211350609U (zh) * | 2020-01-09 | 2020-08-25 | 瑞声通讯科技(常州)有限公司 | 玻璃晶圆的吸附装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54120585A (en) * | 1978-01-23 | 1979-09-19 | Western Electric Co | Method of placing and smoothing substrate wafer having front and rear surfaces |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56162642U (ja) * | 1980-05-02 | 1981-12-03 |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP3375982A patent/JPS58153344A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54120585A (en) * | 1978-01-23 | 1979-09-19 | Western Electric Co | Method of placing and smoothing substrate wafer having front and rear surfaces |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58153344A (ja) | 1983-09-12 |
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