JPS58150856U - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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Publication number
JPS58150856U
JPS58150856U JP4822382U JP4822382U JPS58150856U JP S58150856 U JPS58150856 U JP S58150856U JP 4822382 U JP4822382 U JP 4822382U JP 4822382 U JP4822382 U JP 4822382U JP S58150856 U JPS58150856 U JP S58150856U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
laser element
lens
face
same
Prior art date
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Pending
Application number
JP4822382U
Other languages
English (en)
Inventor
正豊 角田
竹本　憲治
Original Assignee
日本電信電話株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電信電話株式会社 filed Critical 日本電信電話株式会社
Priority to JP4822382U priority Critical patent/JPS58150856U/ja
Publication of JPS58150856U publication Critical patent/JPS58150856U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体レーザをレンズを介して単一モー
ド光ファイバと結合した場合の構成図、第２図は本考案
の半導体レーザ装置の構造説明図で、同図ａは製造途中
段階における斜視図、ｂは完成時の斜視図である。 １・・・半導体レーザ素子、２・・・単一モード光ファ
イバ、３・・・レンズ、４・・・レーザマウント、５・
・・レンズホルダ、６・・・光フアイバホルダ、７・・
・活性層、８・・・溝、９・・・基板、１０・・・半導
体レーザ素子を形成する結晶部分、１１・・・レンズを
形成する結晶部分、１０′・・・半導体レーザ素子、１
１′・・・レンズ、１２・・・クラッド層、１３．　１
３’・・・電極、１４・・・球面。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 同一半導体基板上に半導体レーザ素子と、該半導体レー
    ザ素子のレーザ光出射端面に所定の間隔をもって入射端
    面が対向するレンズを設け、該レンズが上記半導体レー
    ザ素子と同一工程で作られた同一の材質、同一の層構造
    を有し、かつレンズ出射側端面を上記半導体レーザ素子
    の活性層の中心軸を中心軸とする所定半径の球面を有す
    るようにして構成したことを特徴とする半導体レーザ装
    置。
JP4822382U 1982-04-05 1982-04-05 半導体レ−ザ装置 Pending JPS58150856U (ja)

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JP4822382U JPS58150856U (ja) 1982-04-05 1982-04-05 半導体レ−ザ装置

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JP4822382U JPS58150856U (ja) 1982-04-05 1982-04-05 半導体レ−ザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58150856U true JPS58150856U (ja) 1983-10-08

Family

ID=30059154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4822382U Pending JPS58150856U (ja) 1982-04-05 1982-04-05 半導体レ−ザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58150856U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11298046A (ja) * 1998-03-18 1999-10-29 Trw Inc 微小光学半導体レンズの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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