JPS61174765U - - Google Patents
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- JPS61174765U JPS61174765U JP5748685U JP5748685U JPS61174765U JP S61174765 U JPS61174765 U JP S61174765U JP 5748685 U JP5748685 U JP 5748685U JP 5748685 U JP5748685 U JP 5748685U JP S61174765 U JPS61174765 U JP S61174765U
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- JP
- Japan
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- optical
- semiconductor
- semiconductor device
- optical semiconductor
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Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
Description
第1図はこの考案の一実施例を示す斜視図、第
2図はこの考案の他の実施例を示す斜視図、第3
図はこの考案のさらに他の実施例を示す斜視図、
第4図は従来の電極ストライプタイプのレーザダ
イオードの構造を示す側断面図、第5図は同じく
プレーナストライプタイプのレーザダイオードの
構造を示す側断面図である。 図中、9は上面電極、12は活性層、21はレ
ーザ光、30は光フアイバ、40はアライメント
マーク、50,51は光軸、100は半導体レー
ザである。
2図はこの考案の他の実施例を示す斜視図、第3
図はこの考案のさらに他の実施例を示す斜視図、
第4図は従来の電極ストライプタイプのレーザダ
イオードの構造を示す側断面図、第5図は同じく
プレーナストライプタイプのレーザダイオードの
構造を示す側断面図である。 図中、9は上面電極、12は活性層、21はレ
ーザ光、30は光フアイバ、40はアライメント
マーク、50,51は光軸、100は半導体レー
ザである。
Claims (1)
- 受光あるいは発光を端面から行う光半導体にお
いて、この光半導体と光導波路との結合時に、前
記光半導体の光軸と、前記光導波路の光軸とを一
致させるためのアライメントマークを、前記光半
導体の表面に形成したことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5748685U JPS61174765U (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5748685U JPS61174765U (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61174765U true JPS61174765U (ja) | 1986-10-30 |
Family
ID=30582060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5748685U Pending JPS61174765U (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61174765U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218471A (ja) * | 1993-11-22 | 2003-07-31 | Xerox Corp | レーザダイオード生成方法 |
JP2015231038A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | 株式会社フジクラ | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の位置調整方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5384744A (en) * | 1976-12-30 | 1978-07-26 | Ibm | Optical composite |
JPS5444547U (ja) * | 1977-09-02 | 1979-03-27 |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP5748685U patent/JPS61174765U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5384744A (en) * | 1976-12-30 | 1978-07-26 | Ibm | Optical composite |
JPS5444547U (ja) * | 1977-09-02 | 1979-03-27 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218471A (ja) * | 1993-11-22 | 2003-07-31 | Xerox Corp | レーザダイオード生成方法 |
JP2004274085A (ja) * | 1993-11-22 | 2004-09-30 | Xerox Corp | レーザダイオードアレイ |
JP2015231038A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | 株式会社フジクラ | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の位置調整方法 |