JPS58146111A - 定電流回路 - Google Patents
定電流回路Info
- Publication number
- JPS58146111A JPS58146111A JP57028369A JP2836982A JPS58146111A JP S58146111 A JPS58146111 A JP S58146111A JP 57028369 A JP57028369 A JP 57028369A JP 2836982 A JP2836982 A JP 2836982A JP S58146111 A JPS58146111 A JP S58146111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- constant current
- emitter
- current
- circuit
- equation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、差動増幅器などアナログ回路で多く用いられ
る定電流回路の改良に関するものである。
る定電流回路の改良に関するものである。
PNP )ランジスタで入力段が構成されている差動増
幅器の場合、PNP l−ランジスタのhFEが小さい
のでバイアス電源の温度変動によって入力バイアス電流
が大きく影響を受ける。これを押えるために1従来バイ
アス電源として用いられる定電流回路には比較的複雑な
温度補償回路を必要とするという欠点があった。
幅器の場合、PNP l−ランジスタのhFEが小さい
のでバイアス電源の温度変動によって入力バイアス電流
が大きく影響を受ける。これを押えるために1従来バイ
アス電源として用いられる定電流回路には比較的複雑な
温度補償回路を必要とするという欠点があった。
本発明は上記の欠点を解消するためKなされたもので、
回路構成を複雑にせずに、温度変動の影響を補償できる
定電流回路の実現を目的としている。
回路構成を複雑にせずに、温度変動の影響を補償できる
定電流回路の実現を目的としている。
以下図面にもとづいて本発明を説明する。
第1図は、本発明による定電流回路の基本電気回路−図
である。本回路は定電流源を構成するFETトランジス
タQ3と、このFET )ランジスタQ3から定電流を
供給されるトランジスタQ□と、このトランジスタQ工
とカレント・ミラー回路を構成するトランジスタQ2及
び抵抗Rとから構成される装置図において、端子1,2
間に電源電圧が加えられると、接合形FICT (電界
効果型トランジスタ)Q3で構成される定電流回路によ
りトランジスタQ1に定電流I□が流れる。負荷3に流
れる電流工2は抵抗R1カレントミラー回路を構成する
2つのトランジスタQ1+Q20ベース・エミッタ間電
圧vBEI’vBE□から次式によって定められる。
である。本回路は定電流源を構成するFETトランジス
タQ3と、このFET )ランジスタQ3から定電流を
供給されるトランジスタQ□と、このトランジスタQ工
とカレント・ミラー回路を構成するトランジスタQ2及
び抵抗Rとから構成される装置図において、端子1,2
間に電源電圧が加えられると、接合形FICT (電界
効果型トランジスタ)Q3で構成される定電流回路によ
りトランジスタQ1に定電流I□が流れる。負荷3に流
れる電流工2は抵抗R1カレントミラー回路を構成する
2つのトランジスタQ1+Q20ベース・エミッタ間電
圧vBEI’vBE□から次式によって定められる。
VB、 + RI2− VB、1(1)(1)式に−い
て、各トランジスタQ□、Q2のペース・エミッタ間電
圧vBEI”BH3を、エミッタ電流11゜工2.トラ
ンジスタQCs Q2のエミッタ有効面積A工。
て、各トランジスタQ□、Q2のペース・エミッタ間電
圧vBEI”BH3を、エミッタ電流11゜工2.トラ
ンジスタQCs Q2のエミッタ有効面積A工。
A2.ボルツマン定数に、電子電荷q、飽和電流密度J
s、絶対温度Tを用いて表わすと次式のようになる。
s、絶対温度Tを用いて表わすと次式のようになる。
(2)式を絶対温度Tで微分すると(3)式のように々
る。
る。
周囲温度T m Toにおいてエミッタ電流I2の温度
依存性が0となる条件は(4)式で表わされる。
依存性が0となる条件は(4)式で表わされる。
(4)式を(3)式の場合に適用すると(5)式の関係
が得られる。
が得られる。
(5)式において、エミッタ電流I□は接合!!11
FET 、 Q3の飽和ドレイン電流よりSSを決めれ
ばこのID138にほぼ等しくなる。
FET 、 Q3の飽和ドレイン電流よりSSを決めれ
ばこのID138にほぼ等しくなる。
は前記飽和ドレイン電流よりSSのT■TOにおける温
度変化率から求められる。したがってエミッタ電流Iを
決めれば、エミッタ電流工2の温度依存性を0にするよ
うなエミッタ有効面積比A11A2が求まる。このエミ
ッタ有効面積比を満足するようKAl。
度変化率から求められる。したがってエミッタ電流Iを
決めれば、エミッタ電流工2の温度依存性を0にするよ
うなエミッタ有効面積比A11A2が求まる。このエミ
ッタ有効面積比を満足するようKAl。
A2を決めれば(2)式から抵抗Rの値も定まる。上記
のようにして値を定められた属1図の回路において、負
荷5に流れる電流Iは広い温度範囲にわたりて温度依存
性は非常に小さくなるので、安定な定電流回路を実現で
きる。
のようにして値を定められた属1図の回路において、負
荷5に流れる電流Iは広い温度範囲にわたりて温度依存
性は非常に小さくなるので、安定な定電流回路を実現で
きる。
なお!iK1図でFiPNP m )ランジスタを用い
ているが、替りK NPN W )ランジスタを用いて
同様の回路を構成することもできる。
ているが、替りK NPN W )ランジスタを用いて
同様の回路を構成することもできる。
菖3図は本発明の一実施例を示す電気回路図で、蔦1図
の負荷3としてPNPIlトランジスタを中心に構成し
た差動増幅器の初段を用いて全体を集積回路化した場合
である。図においてQ1〜Q3.Rで構成される定電流
回路は、Q4〜Q8.D□で構成される差動増幅回路に
対する入力バイアス電源として働いている。一般に集積
回路のラテラルpNpトランジスタ、サブストレートP
NP )ランジスタのhFEは温度依存性が小さいが、
hnが小さいのでトランジスタの動作電流に温度依存性
があるとその影響を強く受け、ベース電流の温度依存性
となって表われる。第5図の実施例では、バイアス電源
として本発明に係る、温度依存性の小さい定電流回路を
用いているので、トランジスタQ4* Q5s Q7t
Q8の動作電流をt1バ一定に保つことができ、トラン
ジスタQ4+ Q5のベース電流も一定に保たれる。
の負荷3としてPNPIlトランジスタを中心に構成し
た差動増幅器の初段を用いて全体を集積回路化した場合
である。図においてQ1〜Q3.Rで構成される定電流
回路は、Q4〜Q8.D□で構成される差動増幅回路に
対する入力バイアス電源として働いている。一般に集積
回路のラテラルpNpトランジスタ、サブストレートP
NP )ランジスタのhFEは温度依存性が小さいが、
hnが小さいのでトランジスタの動作電流に温度依存性
があるとその影響を強く受け、ベース電流の温度依存性
となって表われる。第5図の実施例では、バイアス電源
として本発明に係る、温度依存性の小さい定電流回路を
用いているので、トランジスタQ4* Q5s Q7t
Q8の動作電流をt1バ一定に保つことができ、トラン
ジスタQ4+ Q5のベース電流も一定に保たれる。
この結果入力端子4.5を流れる入力バイアス電流も温
度依存性が小さくなる。
度依存性が小さくなる。
以上述べたように第3図の実施例によれば、PNPトラ
ンジスタを中心に構成された差動増幅器の入力バイアス
電流の温度依存性を簡単な構成で補償できる。
ンジスタを中心に構成された差動増幅器の入力バイアス
電流の温度依存性を簡単な構成で補償できる。
萬4図は本発明の他の実施例を示す電気回路図で、差動
増幅回路に対する温度安定なバイアス電流が2つのトラ
ンジスタQ2□、Q23から供給されている点以外はW
tS図と同様である。
増幅回路に対する温度安定なバイアス電流が2つのトラ
ンジスタQ2□、Q23から供給されている点以外はW
tS図と同様である。
なお第5図、第4図の実施例においては差動増幅a定電
流回路の負荷とした場合を示しているが、本発明は温度
依存性の小さい定電流回路を必要とする多くの場合に利
用することができる。
流回路の負荷とした場合を示しているが、本発明は温度
依存性の小さい定電流回路を必要とする多くの場合に利
用することができる。
以上述べたように1本発明によれば温度依存性の小さい
定電流回路を簡単な構成で実現できる。
定電流回路を簡単な構成で実現できる。
峙にPNP トランジスタを中心に構成された差動増幅
回路のバイアス電源として使用すれば、入カバ。
回路のバイアス電源として使用すれば、入カバ。
イアスミ流の温度依存性を小さくする効果がある。
【図面の簡単な説明】
属1図は、定電流回路の基本電気回路図、第2図は接合
型FETの飽和ドレイン電流の温度特性曲線、第3図は
本発明の一実施例を示す電気回路図、薦4図は本発明の
他の実施例を示す電気回路図でスタ、Q3・・・定電流
源用接合[FET、R・・・定電流設定用抵抗、3・・
・負荷、!□・・・接合11 FETによる定電流、I
2・・・温度補償を行なった定電流。 41図 蝉 3 図 芽 2 n 芽 4I¥1
型FETの飽和ドレイン電流の温度特性曲線、第3図は
本発明の一実施例を示す電気回路図、薦4図は本発明の
他の実施例を示す電気回路図でスタ、Q3・・・定電流
源用接合[FET、R・・・定電流設定用抵抗、3・・
・負荷、!□・・・接合11 FETによる定電流、I
2・・・温度補償を行なった定電流。 41図 蝉 3 図 芽 2 n 芽 4I¥1
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 接合型FETで構成された定電流源と、この定電流源に
コレクタが接続され前記定電流源から定電流工、が供給
されているトランジスタQ□と、このトランジスタQ1
と互いにカレントミラー回路を構成シエミッタが前記ト
ランジスタQ1のエミッタと抵抗を介して接続し、コレ
クタに接続した負荷に定電流工。を供給するトランジス
タQ2とから成り、周囲温度Toにおいて なる関係を満たすようにトランジスタQ□のエミッタ面
積A□とトランジスタQ2のエミッタ面積ム2の比A□
/A2を定めるこ−とにより′、前記負荷に温度に対し
て安定な定電流を供給するようにしたことを特徴とする
定電流回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57028369A JPS58146111A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | 定電流回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57028369A JPS58146111A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | 定電流回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58146111A true JPS58146111A (ja) | 1983-08-31 |
Family
ID=12246705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57028369A Pending JPS58146111A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | 定電流回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58146111A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01321706A (ja) * | 1988-06-24 | 1989-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 定電流発生回路 |
JPH03143221A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | 過電流検出回路 |
-
1982
- 1982-02-24 JP JP57028369A patent/JPS58146111A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01321706A (ja) * | 1988-06-24 | 1989-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 定電流発生回路 |
JPH03143221A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | 過電流検出回路 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101829416B1 (ko) | 보상된 밴드갭 | |
US5229711A (en) | Reference voltage generating circuit | |
JPS61187020A (ja) | 電圧基準回路 | |
EP0072589A2 (en) | Current stabilizing arrangement | |
JPH07202591A (ja) | 基準電流源 | |
US6288525B1 (en) | Merged NPN and PNP transistor stack for low noise and low supply voltage bandgap | |
US5334929A (en) | Circuit for providing a current proportional to absolute temperature | |
JPH0123802B2 (ja) | ||
US4603290A (en) | Constant-current generating circuit | |
US4785231A (en) | Reference current source | |
JP4031043B2 (ja) | 温度補償を有する基準電圧源 | |
JP4689126B2 (ja) | 電子回路 | |
US4352057A (en) | Constant current source | |
JPS604611B2 (ja) | バイアス電流供給回路 | |
TWI688205B (zh) | 帶差電壓參考電路 | |
JPS58146111A (ja) | 定電流回路 | |
US4356455A (en) | Amplifier | |
JPS59108411A (ja) | 電流源回路 | |
JPH04338812A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
JP2638771B2 (ja) | 基準電圧発生装置 | |
KR900008361B1 (ko) | 이득제어 수단을 구비한 전류 미러형 증폭회로 | |
JP2859461B2 (ja) | 温度補償用回路 | |
JPH09146648A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
JP2591817Y2 (ja) | 定電圧生成回路 | |
JPS62220010A (ja) | スイツチング電流発生回路 |