JPS58132945A - 真空ピンセツト - Google Patents
真空ピンセツトInfo
- Publication number
- JPS58132945A JPS58132945A JP1565882A JP1565882A JPS58132945A JP S58132945 A JPS58132945 A JP S58132945A JP 1565882 A JP1565882 A JP 1565882A JP 1565882 A JP1565882 A JP 1565882A JP S58132945 A JPS58132945 A JP S58132945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- wafer
- vacancy
- pincette
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
従来ウェハの取り扱いは、テフロンピンセットあるいは
真空ビンセットを用いて行なわれていた。
真空ビンセットを用いて行なわれていた。
半導体製造に用いられる常圧cvnの工程等では、ウェ
ハを平面板の上に保持して所望の膜形成を行なうため、
ウェハの取り扱いをテフロンピンセットで行なっている
。しかしテフロンピンセットではウェハが平面板に置か
れているので掴みにくくまたウェハ表面にキズを生じさ
せる等の問題があり熟練を用している。また、この工程
でウエノ)の取り扱いを自動化する場合にもテフロンピ
ンセットでは、ウェハの掴みが不安定で実用化されてい
ない、また従来の真空ビンセットは図1に示す様にウェ
ハの一部を真空吸引して掴む方式のため、平面板上に置
かれたウェハを掴む場合にウェハ裏面を吸引するとキズ
を生じさせるためウェハ裏面を吸引しようとするとウェ
ハを平面板から一部を浮して真空ビンセットをウェハ裏
面に挿入して吸引しなければならない。この作業は非常
に不安定であるためテフロンピンセットより熟練を用す
る。
ハを平面板の上に保持して所望の膜形成を行なうため、
ウェハの取り扱いをテフロンピンセットで行なっている
。しかしテフロンピンセットではウェハが平面板に置か
れているので掴みにくくまたウェハ表面にキズを生じさ
せる等の問題があり熟練を用している。また、この工程
でウエノ)の取り扱いを自動化する場合にもテフロンピ
ンセットでは、ウェハの掴みが不安定で実用化されてい
ない、また従来の真空ビンセットは図1に示す様にウェ
ハの一部を真空吸引して掴む方式のため、平面板上に置
かれたウェハを掴む場合にウェハ裏面を吸引するとキズ
を生じさせるためウェハ裏面を吸引しようとするとウェ
ハを平面板から一部を浮して真空ビンセットをウェハ裏
面に挿入して吸引しなければならない。この作業は非常
に不安定であるためテフロンピンセットより熟練を用す
る。
本発明は従来のビンセットでの問題を解決し、自動化に
も遺したウェハを掴むための真空ビンセットである。以
下図2を用いて説明する。
も遺したウェハを掴むための真空ビンセットである。以
下図2を用いて説明する。
図2はウェハを本発Iの真空ビンセットで掴んだ状態を
示したものである。ウェハ1は、真空吸引部3によりて
掴まえら、れている(以下真空チャックと呼ぶ)。ウェ
ハ1を真空吸引する場合全面を吸引するとウェハの吸引
側と大気側との差圧によりウェハに反りを生じさせウェ
ハに応力を得たウェハに応力による欠陥を誘起させる危
険が考えられる、そこでウェハの周辺約58程度の部分
をリング状に真空吸引し、内側は2に示す空間を用けて
この部分は6に示す穴によって大気に開放してウェハを
真空チャックしたときにもウェハ1の内側は大気圧にし
てウェハ1に反りを生じさせない構造となっている。5
の空間はリング状の真空部となり、4の細大(約1ms
前後)を通して空間5と通じている。空間5の真空状態
は9の真空チャック取手の中を通じて外部の真空制御系
に通じている。真空ビンセット本体7は、ウェハを真空
チャックするときのウェハ1案内する様に最外周部はわ
ずか凸状になりている。カバー8は、本体7の空間5を
真空状態にするための外部とのシールの役を行なうため
に用けている。
示したものである。ウェハ1は、真空吸引部3によりて
掴まえら、れている(以下真空チャックと呼ぶ)。ウェ
ハ1を真空吸引する場合全面を吸引するとウェハの吸引
側と大気側との差圧によりウェハに反りを生じさせウェ
ハに応力を得たウェハに応力による欠陥を誘起させる危
険が考えられる、そこでウェハの周辺約58程度の部分
をリング状に真空吸引し、内側は2に示す空間を用けて
この部分は6に示す穴によって大気に開放してウェハを
真空チャックしたときにもウェハ1の内側は大気圧にし
てウェハ1に反りを生じさせない構造となっている。5
の空間はリング状の真空部となり、4の細大(約1ms
前後)を通して空間5と通じている。空間5の真空状態
は9の真空チャック取手の中を通じて外部の真空制御系
に通じている。真空ビンセット本体7は、ウェハを真空
チャックするときのウェハ1案内する様に最外周部はわ
ずか凸状になりている。カバー8は、本体7の空間5を
真空状態にするための外部とのシールの役を行なうため
に用けている。
上記に述べた真空ピンセットを用いることにより従事問
題となっていた平面上に置かれたウェハの取り扱いが安
定して、しかもウェハ表面にキズつけることなく容易に
行なえる。またこの真空ビンセットを用いることにより
半導体製造工程における他の工程においても平面上のウ
ェハ取り扱い
題となっていた平面上に置かれたウェハの取り扱いが安
定して、しかもウェハ表面にキズつけることなく容易に
行なえる。またこの真空ビンセットを用いることにより
半導体製造工程における他の工程においても平面上のウ
ェハ取り扱い
第1図(a) * (6)は、従来の真空ピンセットを
示したものである。 第2図は本発明の真空ピンセットの断面図を示したもの
である。 第3図は本発明の真空ピンセットの平面図を示したもの
である。 1・・・ウェハ 2・・・大気空間3・・・真
空吸引空間 4・・・真空空間の導通穴5・・・真空
空間 6・・・大気空間と大気との導通穴 7・・・真空ビンセット本体 8・・・カバー 9・・・真空ビンセット取手 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 (幻 Cわ 第2図 7T 第3図
示したものである。 第2図は本発明の真空ピンセットの断面図を示したもの
である。 第3図は本発明の真空ピンセットの平面図を示したもの
である。 1・・・ウェハ 2・・・大気空間3・・・真
空吸引空間 4・・・真空空間の導通穴5・・・真空
空間 6・・・大気空間と大気との導通穴 7・・・真空ビンセット本体 8・・・カバー 9・・・真空ビンセット取手 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 (幻 Cわ 第2図 7T 第3図
Claims (1)
- 本発明は、ウェハを掴むビンセットに係り、ウェハ周辺
をリング状に真空吸引して掴むことを特徴とする真空ビ
ンセット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1565882A JPS58132945A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 真空ピンセツト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1565882A JPS58132945A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 真空ピンセツト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58132945A true JPS58132945A (ja) | 1983-08-08 |
Family
ID=11894827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1565882A Pending JPS58132945A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 真空ピンセツト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58132945A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109817560A (zh) * | 2017-11-20 | 2019-05-28 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 | 一种防止热传导的晶圆吸附装置 |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP1565882A patent/JPS58132945A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109817560A (zh) * | 2017-11-20 | 2019-05-28 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 | 一种防止热传导的晶圆吸附装置 |
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