JPS58132945A - 真空ピンセツト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 従来ウェハの取り扱いは、テフロンピンセットあるいは
真空ビンセットを用いて行なわれていた。

半導体製造に用いられる常圧ｃｖｎの工程等では、ウェ
ハを平面板の上に保持して所望の膜形成を行なうため、
ウェハの取り扱いをテフロンピンセットで行なっている
。しかしテフロンピンセットではウェハが平面板に置か
れているので掴みにくくまたウェハ表面にキズを生じさ
せる等の問題があり熟練を用している。また、この工程
でウエノ）の取り扱いを自動化する場合にもテフロンピ
ンセットでは、ウェハの掴みが不安定で実用化されてい
ない、また従来の真空ビンセットは図１に示す様にウェ
ハの一部を真空吸引して掴む方式のため、平面板上に置
かれたウェハを掴む場合にウェハ裏面を吸引するとキズ
を生じさせるためウェハ裏面を吸引しようとするとウェ
ハを平面板から一部を浮して真空ビンセットをウェハ裏
面に挿入して吸引しなければならない。この作業は非常
に不安定であるためテフロンピンセットより熟練を用す
る。

本発明は従来のビンセットでの問題を解決し、自動化に
も遺したウェハを掴むための真空ビンセットである。以
下図２を用いて説明する。

図２はウェハを本発Ｉの真空ビンセットで掴んだ状態を
示したものである。ウェハ１は、真空吸引部３によりて
掴まえら、れている（以下真空チャックと呼ぶ）。ウェ
ハ１を真空吸引する場合全面を吸引するとウェハの吸引
側と大気側との差圧によりウェハに反りを生じさせウェ
ハに応力を得たウェハに応力による欠陥を誘起させる危
険が考えられる、そこでウェハの周辺約５８程度の部分
をリング状に真空吸引し、内側は２に示す空間を用けて
この部分は６に示す穴によって大気に開放してウェハを
真空チャックしたときにもウェハ１の内側は大気圧にし
てウェハ１に反りを生じさせない構造となっている。５
の空間はリング状の真空部となり、４の細大（約１ｍｓ
前後）を通して空間５と通じている。空間５の真空状態
は９の真空チャック取手の中を通じて外部の真空制御系
に通じている。真空ビンセット本体７は、ウェハを真空
チャックするときのウェハ１案内する様に最外周部はわ
ずか凸状になりている。カバー８は、本体７の空間５を
真空状態にするための外部とのシールの役を行なうため
に用けている。

上記に述べた真空ピンセットを用いることにより従事問
題となっていた平面上に置かれたウェハの取り扱いが安
定して、しかもウェハ表面にキズつけることなく容易に
行なえる。またこの真空ビンセットを用いることにより
半導体製造工程における他の工程においても平面上のウ
ェハ取り扱い

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　＊　（６）は、従来の真空ピンセットを
示したものである。 第２図は本発明の真空ピンセットの断面図を示したもの
である。 第３図は本発明の真空ピンセットの平面図を示したもの
である。 １・・・ウェハ　　　　　２・・・大気空間３・・・真
空吸引空間　　４・・・真空空間の導通穴５・・・真空
空間 ６・・・大気空間と大気との導通穴 ７・・・真空ビンセット本体 ８・・・カバー ９・・・真空ビンセット取手 以　　上 出願人　　株式会社諏訪精工舎 代理人　　弁理士　最上　　務 （幻 Ｃわ 第２図 　　７Ｔ 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 本発明は、ウェハを掴むビンセットに係り、ウェハ周辺
   をリング状に真空吸引して掴むことを特徴とする真空ビ
   ンセット。